【課題】接着剤同士の凝集の問題を解消してパッケージ内の複数の電子部品の位置ずれによる問題を無くしたパッケージ部品を構成する。
【解決手段】パッケージ部品１０１は、パッケージ本体２２と、その内部に収納されたセンサチップ３０及びＩＣチップ３１を備えている。パッケージ本体２２は、内底面と内側壁とにより構成される中空部２３を備えている。パッケージ本体２２の内底面には凹部２４が形成されている。センサチップ３０は凹部２４に第１の接着剤３３で接着固定されている。ＩＣチップ３１は、凹部２４以外の領域に、第２の接着剤３４で接着固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】ベース基板（配線基板）３と、ベース基板３上に搭載されるコントローラチップ（半導体チップ）２と、ベース基板３に搭載されるコンデンサｃ１を備えている。ここで、コンデンサｃ１は、コントローラチップ２が備える複数の回路のうちの第１回路に駆動電圧を供給する経路中に電気的に接続されている。また、ベース基板３には第１回路に電源電位を供給する端子（電源バイパス端子）１４ｖ１と第１回路に基準電位を供給する基準電位バイパス端子が形成され、コンデンサｃ１の電極９ｖ１が電気的に接続されている。また、コンデンサｃ１は、端子１４ｖ１と第１回路の間の経路距離が短くなるように、ベース基板３の下面３ｂに搭載される。 （もっと読む）

【課題】 高温高湿の環境下でも安定して動作し、更に温度補償精度を向上させることができる温度補償型水晶発振器を提供する。
【解決手段】 第１のパッケージ内に水晶片が封入された水晶振動子２と、発振部４２と、温度センサ部４４と、温度補償部４５とを備えたＩＣチップ３５が第２のパッケージ（パッケージ３０）内に樹脂封入された樹脂封止ＩＣ３とが、第３のパッケージ（パッケージ１）の同一のキャビティ内に近接して搭載され、リッド４によって気密に封止され、ＩＣチップ３５が第２のパッケージに設けられた外部端子の内側の導通面に密着して接続され、更に第２のパッケージの当該外部端子の外側の導通面がパッケージ１の裏面に設けられた外部端子に接続された温度補償型水晶発振器としている。 （もっと読む）

【課題】信号特性の劣化を抑制した半導体チップを提供する。
【解決手段】半導体基板１１の少なくとも一方の面に形成された終端パッド１５と、一端が終端パッド１５と接続されて、半導体基板１１を貫通して形成された伝送体１４と、ミリ波帯高周波信号が伝送体１４を伝送した際の信号特性の劣化を抑制する少なくとも１つ以上の信号劣化抑制部と、を備える。また、上記半導体チップ１０と、低周波信号又は直流バイアスの少なくとも１つの信号の伝導路をなす低周波用の信号線路が設けられると共に、半導体チップ１０がバンプ接続に搭載されて、低周波信号用の信号線路を介した信号を半導体チップ１０に入出力されるチップ搭載基板２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイクチップと回路素子を縦積みにした半導体装置の耐ノイズ性を向上させる。
【解決手段】カバー４４と基板４５を上下に重ね合わせることによってパッケージを形成する。カバー４４に設けた凹部４６の天面にはマイクチップ４２が実装され、基板４５の上面には回路素子４３が実装される。マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によってカバー下面のパッド４８に接続され、回路素子４３はボンディングワイヤによって基板上面のパッドに接続される。カバー下面のパッド４８に導通したカバー側接合部４９と基板上面のパッドに導通した基板側接合部６９は、導電性材料８６によって接合される。ボンディング用パッド４８及びカバー側接合部４９の近傍において、カバー４４内には電磁シールド用の導電層５５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】整合回路を内蔵した小型の圧電発振器または送信機を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ４０とＳＡＷ共振子１０とがパッケージ２９内に気密に収容されたＳＡＷ発振器１であって、ＳＡＷ共振子１０は、圧電基板１１及び圧電基板１１の表面に形成されたＩＤＴ電極１２を有し、ＩＣチップ４０は、ＳＡＷ共振子１０を発振させる発振回路が形成されるとともに一方の主面４３側に突部４６が形成され、突部４６の上面４６ａにＳＡＷ共振子１０が接着剤９７を介して固定され、突部４６は、ＩＣチップ４０の一方の主面４３側に形成された第１の絶縁膜４２と、第１の絶縁膜４２上に形成され、発振回路に接続される伸張コイル６０と、第１の絶縁膜４２上に形成され、伸張コイル６０を覆う第２の絶縁膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数の異種のデバイスを集積して受動部品を内蔵することが可能で、小型薄型化が可能である半導体モジュールを、歩留まり良く製造することを可能にする、高い信頼性を有する半導体モジュールを提供する。
【解決手段】複数層の配線層を絶縁層中に形成して成る多層配線層と、この多層配線層の少なくとも一方の主面に設けられた半導体チップと、この半導体チップを覆う封止材とを有し、多層配線層の両主面及び多層配線層の側面に、同一の材料による封止材が設けられている半導体モジュールを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、実装密度向上とノイズ低減とを両立することができる技術を提供する。
【解決手段】プリント配線基板１０１上に実装されたＬＳＩ１０２は、プリント配線基板１０１から電源供給を受けるためのグランド用ＢＧＡボール１０５ｂと電源用ＢＧＡボール１０５ａとを有し、グランド用ＢＧＡボール１０５ｂと電源用ＢＧＡボール１０５ａは隣接している。プリント配線基板１０１にはデカップリングコンデンサ１０３が実装され、デカップリングコンデンサ１０３は端子１１３と端子１１４とを有している。グランド用ＢＧＡボール１０５ｂと端子１１３が金属電極平板１１０で接続され、電源用ＢＧＡボール１０５ａと端子１１４が金属電極平板１１１で接続され、金属電極平板１１０と金属電極平板１１１の間には、厚さ１μｍ以下の誘電体膜１１２が挟み込まれている。 （もっと読む）

【課題】電磁波を透過させるための開口部が設けられた素子搭載用基板の剛性を高める技術を提供する。
【解決手段】チップ部品２２０が搭載された素子搭載用基板２１０に、半導体素子１２０の設置領域に対応して開口部３００が設けられている。開口部３００に透明部材３１０が嵌め込まれており、透明部材３１０の外周の側面は、開口部３００に露出する素子搭載用基板２１０の内壁に接着剤３２０により固着されている。 （もっと読む）

【課題】厚み寸法の増大を抑えつつ平面寸法を小さくした半導体装置およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体装置１０は、リードフレームＲＭの主面側ＭＦに搭載された回路素子Ｄと、リードフレームＲＭの裏面側ＢＦに搭載されたインダクタ１２と、回路素子Ｄおよびインダクタ１２を樹脂封止する樹脂体１４と、を備えている。回路素子Ｄには、モノリシック集積回路であるＭＩＣ１８が含まれる。 （もっと読む）