超音波トランスデューサ（40、70、100）は、個々のダイが結合された集積回路（42、72、102）と、この個々のダイが結合された集積回路にフリップチップバンプのアレイ（46、76、106）を介して結合された音響素子アレイ（44、74、104）とを有する。個々のダイが結合された集積回路は、第１の集積回路ダイ（48、78、108）と、前記第１の集積回路ダイに整列された少なくとも１つの更なる集積回路ダイ（50、80、（110、112））とを含んでいる。また、第１の集積回路ダイと、少なくとも１つの更なる集積回路ダイと、音響素子アレイとは一緒になって大口径のトランスデューサアレイを形成している。
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【課題】 容易に基板を積層して半導体モジュールを小型化することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 一の基板に他の基板を積層して構成する半導体モジュールにおいて、前記基板の少なくとも一方の表面には電子部品が搭載されており、一方の基板に対して水平に搭載された電子部品の電極の対向する２面の内、一の面を一の基板に接続し、対向する他の面を他の基板に接続する。またその製造方法において、前記基板の少なくとも一方の表面に電子部品の電極の対向する２面の内、一の面を一の基板に接続して電子部品を基板に対して水平に搭載する工程と、一方の基板に水平に搭載された前記電子部品の電極の対向する他の面を他の基板に接続する工程とを有する。
この構成によれば、水平に配置した電子部品によって基板を積層することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線基板上の電子部品が、接続信頼性に優れ且つ高密度実装化に適した構造で実装されている電子回路装置を提供すること。
【解決手段】 電子部品１の実装面には、不図示の配線パターンが形成されるとともに外周縁部の接続用電極のそれぞれに半田ボール３が設けられている。これらの半田ボール３は、配線基板２上に設けられた対応する接続用電極と電気的に接続されている。電子部品１がモジュール化されたマルチチップモジュールなどである場合には、必要に応じてその表面側に複数の素子４が搭載される。電子部品１の実装面の所定位置には、例えばコンデンサなどの素子が適当な数だけ設けられており、このような素子がスペーサ部材５としての機能を兼ねる。半田ボール数の減少に伴って省スペース化を図ったり、あるいは空きスペースに半田ボールの高さ未満の厚みをもつ素子を搭載などして電子部品の高密度実装化を図ることもできる。 （もっと読む）

【課題】 バンプ電極を使用してチップをモジュール基板に接続する場合において、放熱性を向上させることができる半導体装置およびその製造技術を提供する。
【解決手段】 配線基板１０ａの主面にバンプ電極１５を介してチップ１を接続する。そして、配線基板１０ａと基板２０ａとを接続する。具体的には、基板２０ａに形成された打ち抜き穴２１ａにチップ１を入れるようにして配線基板１０ａと基板２０ａを接続する。そして、チップ１の表面を打ち抜き穴２１ａの一方を塞ぐように形成された金属パターン２２ａに接触するようにする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板であって、各々、少なくとも１つの層を含む、基板と、少なくとも１つの半導体ダイと、少なくとも１つの端子と、集積回路パッケージ内ではあるが、少なくとも１つの半導体ダイ上以外に配置されたアンテナとを備えている集積回路パッケージに関する。導電パターンは、少なくとも５つのセクション即ちセグメントを有する曲線を備えており、セクション即ちセグメントの内少なくとも３つは、アンテナの最長自由空間動作波長の１／１０よりも短い。５つのセクション即ちセグメントの各々は、曲線内の隣接する各セグメントと１対の角度を形成し、セクション即ちセグメント間の４対の角度の各々の内小さい方の角度は、１８０゜未満であり（即ち、より長い直線セグメントを規定するセクション又はセグメントの対はない）、少なくとも２つの角度は１１５゜未満であり、少なくとも２つの角度は等しくなく、曲線は矩形エリア内に収まり、このエリアの最も長い縁は、アンテナの最長自由空間動作波長の１／５よりも短い。
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【課題】 半導体ＩＣの機械的保護と優れた電気特性を両立させることが可能な半導体ＩＣ内蔵モジュールを提供する。
【解決手段】 一方の主面１３０ａにスタッドバンプ１３２が設けられた半導体ＩＣ１３０と、半導体ＩＣ１３０の他方の主面１３０ｂ及び側面１３０ｃの少なくとも一部に接して設けられた樹脂層１４０と、スタッドバンプ１３２の少なくとも一部に接して設けられた樹脂層１５０とを備える。樹脂層１４０を構成する材料と樹脂層１５０を構成する材料とは互いに異なっており、樹脂層１４０の材料としては、相対的に半導体ＩＣ１３０に対する機械的保護特性に優れた材料が選択され、樹脂層１５０の材料としては、相対的に電気特性に優れた材料が選択される。これにより、半導体ＩＣ１３０の機械的保護と優れた電気特性を両立させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 パッケージの小型化を生かしたままで、配線インダクタンスの影響を受けることなく容量素子のノイズ除去能力の低下を防止する。
【解決手段】 開示される半導体装置１０は、半導体チップ搭載用基板２の上面に複数の電極パッド３が形成された半導体チップ４が搭載されるとともに、半導体チップ搭載用基板２の下面に複数の電極パッド３と対応するもの同士が電気的に接続された複数の外部接続用ボール電極６が形成されて成る構成において、半導体チップ４に、この半導体チップ４の複数の電極パッド３と対応する複数の外部接続用パッド１２が形成された容量チップ１１が積層され、半導体チップ４と容量チップ１１との対応するパッド３、１２同士が、半導体チップ搭載用基板２に形成された複数の内部接続用端子１を介して電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】デバイス、光学素子の所望の領域に犠牲膜を設け、絶縁膜を形成した後に犠牲膜を除去することで、高周波デバイスにおいては高周波特性の劣化を抑制することを可能とし、光学素子においては光損失の低減を実現した。
【解決手段】基板（インターポーザ基板１１）にデバイス２１、光学素子３１を実装する工程と、デバイス２１、光学素子３１上の所望の領域に犠牲膜４１を形成する工程と、犠牲膜４１とともにデバイス２１、光学素子３１を被覆する絶縁膜１６を形成する工程と、犠牲膜４１上の絶縁膜１６に開口部１７を形成する工程と、開口部１７より犠牲膜４１を除去する工程とを備えた半導体装置の製造方法であり、この製造方法により形成される半導体装置１である。 （もっと読む）

主面（２ｂ）に複数のパッド（２ａ）が形成された半導体チップ（２）と、両端に接続端子が形成されたチップ部品と、半導体チップ（２）と前記チップ部品とが搭載されるモジュール基板（４）と、前記チップ部品とモジュール基板（４）の端子（４ａ）とを、および半導体チップ（２）とモジュール基板（４）とを半田によって接続する半田接続部（５）と、半導体チップ（２）のパッド（２ａ）とこれに対応するモジュール基板（４）の端子（４ａ）とを接続する金線（８）と、半導体チップ（２）、前記チップ部品、半田接続部（５）および金線（８）を覆うとともに絶縁性のシリコーン樹脂などの弾性樹脂によって形成された封止部とからなり、ワイヤ高さ（Ｈ）を０．２ｍｍ以下とし、ワイヤ長さ（Ｌ）を１．５ｍｍ以下とすることにより、金線（８）の断線を防止することができる。
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【課題】 リードフレームのダイパッド、リード部上に、それぞれ導電性接着剤を介してＩＣチップ、受動部品を接合し、ＩＣチップと受動部品の近傍にボンディングワイヤを接続し、装置全体をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、装置の大型化を招くことなく、ボンディングワイヤの接続部におけるモールド樹脂の剥離を極力防止する。
【解決手段】 リードフレーム１０のダイパッド１１上にＩＣチップ３０が導電性接着剤２０により接合され、リードフレーム１０のリード部１２にセラミックからなる受動部品４０が導電性接着剤２０により接合されており、装置全体がモールド樹脂６０により封止されている電子装置１００において、ＩＣチップ３０と受動部品４０の電極４１とが、直接ボンディングワイヤ５０により接続されている。 （もっと読む）