放射線検出器は、真空チャンバを形成するためベースと、フレームと、ウィンドウと、はんだプレフォームとから形成されるはんだ層を有する。貫通導体は内部部品へ電気接続するためにベースを貫通している。検出器の密封方法は下部検出器アセンブリ、フレーム、ウィンドウ、はんだプレフォームを処理チャンバ内で非密封関係で整列する。高温と低圧力が与えられ、ゲッタは電流リードにより与えられる抵抗加熱により活性化される。ウィンドウ、フレーム、下部検出器アセンブリはその後、共に押付けられ、液体化されたはんだプレフォームにより密封される。この方法は密封ポートの必要性をなくし、処理チャンバ内の幾つかのステップを結合し、ある従来技術の洗浄ステップを不要にする。 （もっと読む）

コイルが、チップ（ＣＨ）の基板（１）の表面（Ａ）とほぼ平行な面内に集積回路（ＩＣ）のチップ（ＣＨ）において堆積される透磁物質（４）の層を有する。第一の導体要素(6a, 6b; BW10, BW11; 60a, 60b)が、基板（１）から離れる方向に面する透磁物質（４）の第一の側に構成される。第二の導体要素(2a, 2b; T1, T2)が、第一の側と対向する透磁物質（４）の第二の側に構成される。相互接続部(8a, 8b; P2, P4)が、第一の導体要素(6a, 6b; BW10, BW11; 60a, 60b)の第一の端部と第二の導体要素(2a, 2b; T1, T2)の第一の端部とを相互接続する。相互接続部(8a, 8b; P2, P4)、第一の導体要素(6a, 6b; BW10, BW11; 60a, 60b)、及び第二の導体要素(2a, 2b; T1, T2)が、透磁物質（４）の周りに巻き線を形成するように構成される。巻き線は、基板（１）の表面（Ａ）とほぼ垂直な面内で電流（Ｉ）を導通させるために基板（１）の表面（Ａ）とほぼ垂直な面内に延在する。
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【課題】半導体チップの直下にシート状のコンデンサを接続する電子回路装置において、半導体チップ及び他の電子部品が発する熱がシート状のコンデンサに与える影響を低減し、シート状のコンデンサの本来の機能を持続して発揮させることを目的とする。
【解決手段】半導体チップ３の直下にシート状のコンデンサ２を接続する電子回路装置において、半導体チップ３とシート状のコンデンサ２の間に放熱材や断熱材等で構成される熱が伝わるのを防ぐ部材６を設ける。 （もっと読む）

【課題】電力増幅素子による発熱に影響されずに弾性表面波素子などの電子デバイスの電気的特性を維持できる小型で高性能な高周波モジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板２の上面に凹部を形成しその凹部内に電力増幅素子5を実装するとともに、誘電体基板２の上面に電極６を形成し、凹部上に、空間１４を空けて、少なくとも１つの電子デバイスＡを電極６に接続する。 （もっと読む）

熱交換器デバイスは、その内部を流れる冷却媒体のための１つまたは複数のチャネルの層を含む押出体を含み、チャネルは一般に約５０ミクロンから約２０００ミクロンの内径を有する。デバイスは、対象とする冷却アプリケーションに存在する加熱要素から熱交換器を通過する冷却媒体への熱の伝達を容易にする高い熱伝導率を有し、加熱要素の材料と適合性がある材料で形成される。デバイス材料は、セラミック酸化物、セラミック炭化物、セラミック窒化物、セラミックホウ化物、セラミックケイ化物、金属および合金、ならびにそれらの組み合わせからなる群から選択される。熱交換器デバイスは、所望のチャネル形状を与えるように配列した押出しフィラメントから形成される。フィラメントは、中心の除去可能な材料と、中心の材料の除去によってチャネル壁を形成する外部材料とを含む。

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モールド型樹脂半導体パッケージ（３８）に使用する再配置リード・フレームは、逐次的金属除去プロセスによって電気伝導性基板から形成される。プロセスは、（ａ）電気伝導性基板の第１のサイドをパターニングして、チャネルによって分離されたランドのアレイを形成する工程、（ｂ）それらのチャネル内に第１のモールディング・コンパウンド（１８）を配置する工程、（ｃ）電気伝導性基板の第２のサイドをパターニングして、チップ・アタッチ・サイト（２４）のアレイと、ランドのアレイとチップ・アタッチ・サイト（２４）のアレイを電気的に相互接続するルーティング路（２６）とを形成する工程、（ｄ）少なくとも１つの半導体デバイス（２８）上の入力／出力パッドをチップ・アタッチ・サイト（２４）のアレイのチップ・アタッチ・サイト部材（２４）に直接電気的に相互接続する工程及び（ｅ）少なくとも１つの半導体デバイス（２８）、チップ・アタッチ・サイト（２４）のアレイ及びルーティング路（２６）を第２のモールディング・コンパウンド（３６）で封止する工程を含む。このプロセスは、チップ・スケール・パッケージ及び非常に薄いパッケージを製造するために特に適している。
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所定の位置に複数の孔（１８）を設けたガラスからなるガラス基板（４１）と、孔（１８）に埋めた導電性物質（３０）に接続して形成したパンプ（５１）と、バンプ（５１）を形成した面と反対側の面に設けられ、かつ孔（１８）の間隔と異なる間隔で配置した複数の接続端子と導電性物質（３０）とを電気的に接続する配線（６１）とを有し、導電性物質（３０）の形状が多孔質状であることにより、多孔質電極が孔（１８）内壁面とアンカー効果によって結合してガラス基板（４１）の強度を向上させる。 （もっと読む）

半導体デバイス・パッケージ１０が、半導体デバイス（ダイ）１２および共通リードフレーム１７に電気接続された受動デバイス１４を含む。リードフレーム１７は、打ち抜き加工され、および／または、エッチングされた金属構造体から形成され、複数の導電性リード１６および複数のインターポーザー２０を含む。受動デバイス１４は、インターポーザー２０に電気接続され、ダイ１２上のＩ／Ｏパッド２２がリード１６に電気接続される。ダイ１２、受動デバイス１４およびリードフレーム１７は、パッケージ胴部材３０を形成するモールド成形化合物２８内に封入される。リード１６の底面３８は、パッケージ１０の底部面３４で露出する。
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【課題】ＦＣＢＧＡパッケージのＢＧＡの配列に変更を与えることなく、デカップリングキャパシタを半導体チップの電源パッドの近傍に配置する。
【解決手段】パッケージ基板２０の表面側にフリップチップ接続された半導体チップ１０と、表面側にデカップリングキャパシタ３３が実装され、裏面側が半導体チップの裏面にフリップチップ接続されたキャパシタ実装基板３０と、パッケージ基板上でキャパシタ実装基板と半導体チップとパッケージ基板を固着し、半導体チップおよびキャパシタ実装基板の側面およびキャパシタ上面をモールド樹脂で覆った樹脂パッケージ４０と、パッケージ基板の裏面側に半田ボール４１が配列された外部端子用のボールグリッドアレイとを具備する。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、製造時の歩留まりが少ない電子部品実装基板およびその製造方法等を得る。
【解決手段】その主面から内部を貫通するサーマルビアホール１８が設けられたセラミック積層基板１を備え、サーマルビアホール１８内には、金属体２１７ａおよび金属体２１７ａとセラミック積層基板１との間の全部または一部に設けられたコンポジット材２１７ｂとを有する伝熱体が配置されており、コンポジット材２１７ｂは、空気よりも高い熱伝導性を有するととともに、金属体２１７ａよりも低い熱膨張率を有する。 （もっと読む）