【課題】 高周波電力増幅器等に用いられる複合モジュール部品に関するものであり、特に、モジュールに搭載されたベアチップの放熱を効率よく行わせることを目的とするものである。
【解決手段】 ベアチップの背面に導電性樹脂を介して放熱板を設け、モジュールをマザーボードに実装した際に、前記放熱板を介してマザーボードより放熱を行う構成を有している。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップ間の信号配線の長さを最短にでき、さらに、実装体積を小さくしても十分な冷却能力が得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体モジュール１ａ〜１ｄは、マイクロヒートシンク６を搭載したＩＣチップ４、メモリチップ５等が配線基板２上に実装されている。半導体モジュール１ａ〜１ｄは三次元に積み重ねられ、相互間の電気的な接続は、ソケット９と外部入出力ピン１０を用いて行われる。マイクロヒートシンク６は、内部に複数のチャネル溝７がマイクロフィン８によって形成されている。各チャネル溝７には外部から冷媒が供給され、ＩＣチップ４からの熱は冷媒に熱変換される。冷媒により強制冷却されるため、マイクロヒートシンク６は薄型でよい。 （もっと読む）

【課題】小型で、放熱性に優れ、オン抵抗増加による出力低下や効率低下を防止するのに有効なパワーアンプモジュールを提供する。
【解決手段】誘電体基板１は、誘電体層１１〜１５を含む。誘電体層１１〜１５の少なくとも一つは、有機樹脂材料とセラミック誘電体粉末とを含む混合材料でなるハイブリッド層である。ハイブリッド層は、比誘電率が７〜１４の範囲にあり、誘電正接が０．０１〜０．００２の範囲にある。回路要素の少なくとも一部は誘電体層１１〜１５の内のハイブリッド層を利用する。 （もっと読む）

【課題】薄型化が可能であってしかも強度を確保でき、重要部品の内蔵が可能となる複合多層基板とそれを用いたモジュールを提供する。
【解決手段】樹脂４または樹脂４に機能粉末３を混合してなる複合材料にガラスクロス２を埋設してなるガラスクロス層５を最外上下層のうちの少なくともどちらか一方に有する。該ガラスクロス層５以外の層に、樹脂４または樹脂４に機能粉末３を混合してなる複合材料からなるガラスクロスレス層１２を有するガラスクロス層とガラスクロスレス層からなる多層基板にキャビティを形成し、そのキャビティに半導体部品やチップ部品を搭載収容する。 （もっと読む）

【課題】電子装置を小型化する。
【解決手段】複数個の半導体チップと、前記半導体チップに入出力される電気信号を補償する受動素子と、前記各半導体チップの外部電極及び受動素子間を電気的に接続する配線と、前記半導体チップ及び前記受動素子ならびに前記配線を内包するハウジングと、前記配線と外部装置を接続する外部接続端子とを有する電子モジュールであって、前記ハウジングの内部に、複数の絶縁体層を設け、前記絶縁体層間に、前記半導体チップ、前記受動素子、前記配線のうち少なくとも一つを設け、前記絶縁体層に、前記半導体チップ、前記受動素子、前記配線のそれぞれを接続するための導通ビアを設けてなる電子モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置において数多くのチップが高密度に実装されると逆に基板温度が上昇し、放熱が進まなくなるという課題がある。
【解決手段】 半導体チップ１２が第１のキャリア基板１に実装され、第２のキャリア基板２上に第１のキャリア基板１が直立した状態で実装される。このようにして形成された半導体装置は実装基板上に第２のキャリア基板２の半田ボール５を介して実装基板１３に実装されるものである。そして半導体チップ１２からの発熱はサーマルビア１０から第１のキャリア基板１上の銅箔６さらには第２のキャリア基板２の銅箔７へと広く伝えられる。また、半導体チップ１２および第１のキャリア基板１からの発熱は、空気中へと逃げ易く、基板周辺の空気の通りが良いために対流による放熱が効果的に起こる。したがって、半導体装置単体での放熱性が優れたものとなる。 （もっと読む）

【課題】 回路部品を高密度に実装することが可能であると共に、高放熱性を有し、信頼性の高い回路部品内蔵モジュールを得る。
【解決手段】 第１の混合物１０５と第２の混合物１０６とからなる電気絶縁性基板１０１と、電気絶縁性基板１０１の一主面及び他主面に形成された配線パターン１０２ａ・１０２ｂと、配線パターン１０２ａに接続され電気絶縁性基板１０１の内部に第２の混合物１０６により封止された回路部品１０３ａと、配線パターン１０２ａ及び１０２ｂを電気的に接続するインナービア１０４とにより回路部品内蔵モジュール１００を構成する。 （もっと読む）