【課題】シンプルな構成で、放熱性に優れた電力増幅モジュールを提供する。
【解決手段】基板１と、半導体チップ３と、金属ブロック５とを含む。基板１は、面内に切り抜き部７を有している。金属ブロック５が基板１の切り抜き部７の内部に配置されている。半導体チップ３は、金属ブロック５の表面に実装されている。 （もっと読む）

【課題】 従来の電子回路モジュールの多層配線基板では放熱部材にサーマルビアホールを用いていたため、内部の回路配線の配置に制約があった。
【解決手段】 多層配線基板１の上面に、半導体素子搭載部２ａおよび蓋体当接部２ｂを有する熱伝導層２が形成され、半導体素子３が半導体素子搭載部２ａに搭載されるとともに、熱伝導材料から成り、内側に突出部５ａを有する蓋体５が突出部５ａを蓋体当接部２ｂに当接させて取着されている電子回路モジュールである。半導体素子３の発熱を熱伝導層２と突出部５ａを介して蓋体５に効率よく伝えて放散させることができ、多層配線基板１内部の回路配線層は特に制約なく配置できるので、高密度化・小型化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、耐圧の向上、熱抵抗の低減及び機械的信頼性の向上により、大容量化の実現を図る。
【解決手段】 Ｓｉチップ４の上面に、この面に接合された導電性熱緩衝板２４を介して配線部材１３を配置し、さらに配線部材１３上に絶縁性熱緩衝板２３、軟質金属部２２及び補助放熱板１５が積層され、両側の放熱板６，１５を一対の冷却器１１，２１で圧接しながら挟み込む構成により、Ｓｉチップ４直上及び直下の位置において放熱板６，１５と冷却器１１，２１を密着させたモジュール型半導体装置及びこれを用いた電力変換装置。 （もっと読む）

【課題】この発明は、内部データの保護に際して、不正に封止部材が開けられて内蔵部品の分解が試みられたとき、この封止部材の開口と同時に内蔵データを自動破壊するように分解不能に構成して、内部データの保護を図ったデータキャリアの提供を目的とする。
【解決手段】この発明は、データキャリアを製作する際、コイルを備えた封止部材とＩＣを内蔵するモジュールとをキャリアケースに分解不能に固着して、内部データを改竄不能なデータキャリアを製作したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 小型で且つ放熱性の良好な信頼性の高いハイブリッドモジュールを提供する。
【解決手段】 回路基板１１に形成された凹部１４内に実装された発熱性を有する回路部品１３のグランド端子に接続すると共に一部が回路基板１１の外表面に露出した放熱用内部電極１７Ａを形成し、この内部電極１７Ａをサーマルビアホール１７Ｂを介して放熱用外部電極１７Ｃ等に接続したハイブリッドモジュールを構成する。これにより、回路部品１３から発生された熱は、絶縁性樹脂１６を介して放熱用内部電極１７Ａに熱伝導され、放熱用内部導体電極１７Ａの露出部分及び放熱用外部電極１７Ｃから外部空間に放熱される。 （もっと読む）

【課題】 メモリチップを効率よく冷却することができるメモリモジュールおよびメモリシステムを提供すること。
【解決手段】 メモリモジュール１０のＳＯ−ＤＩＭＭ基板１１との実装面にはメモリモジュール１０の短辺とほぼ平行に複数の溝１４が形成され、これらの溝１４にはメモリ用ベアチップ１から発生した熱をメモリシステム２０全体に拡散するための放熱部材１５が取り付けられている。メモリ用ベアチップ１から発生した熱は、放熱部材１５によってメモリシステム２０全体に拡散されるので、放熱面積が拡大する。これによって外部への放熱の効率を上げることができ、メモリ用ベアチップ１の温度上昇を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 高周波信号を処理する半導体装置に関し、高周波半導体装置の小形化、高集積化を図ると共に、ミリ波領域まで良好な高周波特性を示す高周波半導体装置の実現を目的とする。
【解決手段】 半導体基板上に誘電体膜と電気回路層とを多層に形成して成る実装基板上に、半導体基板上に誘電体膜と配線層とを多層に形成して成り、その一方の面に接地導体を有する多層化高周波回路チップを、前記接地導体面が、実装基板の面と向き合うように、バンプを用いてフリップチップ実装することにより構成する。 （もっと読む）

【目的】 チップのサイズを小さくすることが可能な集積回路装置およびリードフレームを提供することである。
【構成】 マイクロ波増幅器の入力整合回路、ソースバイアス回路、ドレインバイアス回路および出力整合回路をインダクタンスとキャパシタンスとの直列接続あるいはインダクタンスのみで構成する。リード１１Ａ，１１Ｄ，１１Ｆ上に絶縁膜３および金属膜４を形成し、ＭＩＭ構造を形成する。リード１１Ａ，１１Ｄ，１１Ｆ上のＭＩＭ構造およびリード１１Ａ，１１Ｄ，１１Ｆの寄生インダクタンスによりキャパシタンスとインダクタンスとの直列接続を構成し、リード１１Ｂ，１１Ｅの寄生インダクタンスによりインダクタンスを構成する。 （もっと読む）