【課題】固体素子を損傷させにくい、固体素子を有するデバイスの製造方法及びその製造方法で用いる複合体を提供する。
【解決手段】可撓性基板１及び剛性基板２を準備し、前記可撓性基板及び前記剛性基板に紫外線３を照射する紫外線照射工程と、前記可撓性基板の紫外線を照射した部位４及び前記剛性基板の紫外線を照射した部位５を接触させて、前記可撓性基板及び前記剛性基板が剥離可能な状態で直に固着している複合体を形成する複合体６形成工程と、前記複合体の可撓性基板側に固体素子７を形成する固体素子形成工程と、前記複合体から剛性基板を剥離する剛性基板剥離工程と、を有することを特徴とする固体素子を有するデバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板間の接合性を改善してボイドの発生を抑制することにより、信頼性の向上が図られた３次元構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１を、第１電極３３および第１絶縁膜３５を含むと共に、これらの第１電極３３および第１絶縁膜３５を露出させた貼合せ面４１を有する第１基板２と、第１電極３３に電気的に接続された第２電極６７および第２絶縁膜６９を含むと共に、これらの第２電極６７および第２絶縁膜６９を露出させた貼合せ面７１を有し、第１基板２に貼り合わされて設けられた第２基板７と、各基板の貼合せ面４１，７１の間に狭持された絶縁性薄膜１２とを備えた構成とする。 （もっと読む）

【課題】様々な基板の上にシリコン以外の半導体の高品質なチャネル層によるＣＭＯＳ構造が、複雑な工程を必要とせずに形成できるようにする。
【解決手段】半導体積層基板は、シリコン基板１０１の上に形成された酸化シリコン層１０２と、酸化シリコン層１０２の上に形成されたＩｎＡｌＡｓ層１０３と、ＩｎＡｌＡｓ層１０３の上に形成されたＧａＡｓＳｂ層１０４と、ＧａＡｓＳｂ層１０４の上に形成されたＩｎＧａＡｓ層１０５と、ＩｎＧａＡｓ層１０５の上に形成されたｐ型のＩｎＡｌＡｓ層１０６と、ｐ型のＩｎＡｌＡｓ層１０６の上に形成されたｎ型のＩｎＧａＡｓ層１０７とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体基板において無駄となってしまう部分を極力減らし、同時に半導体基板の再使用により、製造コストの低減と環境負荷の低減とを実現する、半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、第１の基板にイオンを注入し、第１の基板と第２の基板とを接合し、マイクロ波を照射して、イオンを第１の基板中の所望の位置に平面状に凝集させて、平面状に広がる凝集領域を形成し、接合した第１の基板と第２の基板とを凝集領域で剥離することにより、第１の基板の一部を備える第２の基板と、残りの第１の基板とに分離し、第１の基板の一部を備える第２の基板において、その剥離面とは反対側にある裏面側の第２の基板の一部を研削する。 （もっと読む）

【課題】ダミー基板および金属膜から、ＴＦＴ基板を金属膜から容易に剥離するとともに、ＴＦＴ基板とその支持基板とを分離することを可能とする、ＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第一基板１０１と第二基板１０２との間に、機能素子を含む構造体１０３を挟んでなるＴＦＴ基板１００の製造方法であって、ダミー基板１０４の上に、柱状の結晶粒子からなる金属膜１０５と、第一基板１０１と、構造体１０３と、第二基板１０２とを順に形成した後に、金属膜１０５に、レーザー光Ｌの焦点Ｌａを集光させて、ダミー基板１０４と金属膜１０５とを、第一基板１０１と構造体１０３と第二基板１０２から分離する工程を、少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１枚のドナーウェーハから複数枚の複合ウェーハを得ることができ、面取り工程を省略可能な複合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２枚のハンドルウェーハの直径の合計と同じか大きい直径を有するドナーウェーハの表面から水素イオンを注入して内部に水素イオン注入層を形成させた該ドナーウェーハの該表面と、前記少なくとも２枚のハンドルウェーハの表面とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた貼り合わせウェーハに、温度が２００〜４００℃の熱処理を施す工程と、前記熱処理後、前記水素イオン注入層に沿って前記ハンドルウェーハ上の薄膜を剥離し、該ハンドルウェーハ上に該薄膜が転写された複合ウェーハを得る剥離転写工程と、を少なくとも含む複合ウェーハの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】チャネル領域にシリコンを含まない材料を用いる半導体装置であって、微細化に伴いゲート絶縁層が薄膜化されても、ゲートリーク電流が抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート絶縁層として熱酸化シリコン層を用いる。熱酸化シリコン層を用いることで、ＣＶＤ法やスパッタリング法で形成された酸化シリコン層を用いる場合よりゲートリーク電流を抑制することができる。ゲート絶縁層に熱酸化シリコン層を用いるために、チャネル領域を含む半導体層を形成する基板とは別にシリコン基板を用意し、シリコン基板上に熱酸化シリコン層を形成する。そして熱酸化シリコン層を、チャネル領域を含む半導体層に貼り合わる。このようにして、半導体層の上に熱酸化シリコン層を形成し、熱酸化シリコン層をゲート絶縁層として用いたトランジスタを形成する。 （もっと読む）

【課題】曲率を有する基材に被剥離層を貼りつけた半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。特に、曲率を有するディスプレイ、具体的には曲率を有する基材に貼りつけられたＯＬＥＤを有する発光装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】元々曲率及び弾性を有する支持体に外力を加え、これを基板上に作成された被剥離層に接着する。この後基板を剥離すると、支持体が復元力によって最初の形状に戻るとともに被剥離層も支持体の形状に沿って湾曲する。最後に、元々曲率を有する転写体を被剥離層に接着すれば、所望の曲率を有した装置が完成する。 （もっと読む）

【課題】不純物イオンの注入による悪影響を防止しつつ水平方向の耐圧を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、素子を構成し、電流が流れる一対の不純物領域が、半導体基板の第１主面の表層に形成されたものであり、水平方向の耐圧を確保するため、フィールドプレート３３を有している。これに加えて、この半導体装置は、半導体基板の表面から、素子の電流経路となる第１不純物領域３７および第２不純物領域３８よりも深い所定の深さおいて、少なくとも第１不純物領域および第２不純物領域の間の領域に半導体基板と同一成分の非晶質層２４を有する。この非晶質層は、単結晶および多結晶よりも高抵抗の層であり、擬似的なフィールドプレートとして機能する。そして、この非晶質層は、不活性元素のイオン注入により形成される。 （もっと読む）

【課題】化学機械的研磨の長い段階に頼らずに半導体基板上に半導体構造物を製造することを提案する。
【解決手段】本発明は、深さｐのパターンを有する表面トポロジーを有する半導体基板上に半導体構造物を製造する方法であって、前記方法は、（ａ）前記表面に第１絶縁材料の第１層（２４）を形成する段階と、（ｂ）前記第１層上に前記第１絶縁材料より密度が低い第２絶縁材料（２８）の第２層を形成する段階と、（ｃ）前記段階（ａ）及び段階（ｂ）によって形成された構造物を薄膜化する段階と、（ｄ）前記段階（ｃ）によって薄膜化された前記構造体の第２層を緻密化する段階と、（ｅ）前記段階（ｄ）によって緻密化された前記第２層を有する構造体を薄膜化する段階と、（ｆ）第２基板を用いた組立段階と、を含む方法である。 （もっと読む）