【課題】表面のＰ−Ｖ値が小さく、かつ、高い結晶性を有する半導体薄膜層を備えたＳＯＩ基板の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体薄膜層の結晶性を高く保つため、水素イオン添加処理中の半導体基板の温度を２００℃以下に抑制した。加えて、水素イオン添加処理後の半導体基板を１００℃以上４００℃以下に保持した状態で半導体基板に対してプラズマ処理を行うことにより、水素イオン添加処理により生じる、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の高いＳｉ−Ｈ結合を残存させたまま、半導体薄膜層の分離に対して寄与度の低いＳｉ−Ｈ結合を低減した。 （もっと読む）

【課題】エッジ部に形成される段差部の傾斜を緩やかにできるＳＯＮ構造を有する半導体基板の製造方法およびその半導体基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第1ホール群１３の外周部に第1ホール１１より直径Ｄ２が小さく間隔Ｗ２が大きな第２ホール群１４を形成し、その後の水素雰囲気の高温アニールで平板状の空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装
置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び
有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電
層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあ
わせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせウェーハを製造する際、貼り合わせ直後にウェーハ周辺部に発生したボイドの個数・総面積を効率良く低減することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ボンドウェーハの表面とベースウェーハの表面とを、直接あるいは絶縁膜を介して貼り合わせた後、前記ボンドウェーハを薄膜化して貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハとベースウェーハの貼り合わせ後、３０℃以上６０℃以下の温度範囲で所定時間保持した後に、前記ボンドウェーハの薄膜化を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 リーク電流の発生や酸化膜耐圧の劣化等を抑制しながらも、十分なゲッタリング能力を有するＳＯＩウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ベースウエーハまたはボンドウエーハのいずれか一方の表面から、シリコン中で電気的に不活性である中性元素をイオン注入してイオン注入ダメージ層を形成する工程を備えるＳＯＩウエーハの製造方法において、前記イオン注入ダメージ層形成工程における中性元素のイオン注入は、ドーズ量を１×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２以上１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２未満として行うＳＯＩウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ面が露出していないブリスター部分の貼り合わせ面を、直接的に観察することのできる評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】支持基板と、該支持基板に貼り合わされた薄膜とを有する貼り合わせ基板の貼り合わせ面の評価方法であって、前記貼り合わせ基板に存在するブリスター部分の薄膜を除去することによって該ブリスター部分の貼り合わせ面を露出させ、該露出した貼り合わせ面を分析することを特徴とする貼り合わせ基板の貼り合わせ面の評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体層を効率的に、かつ十分な接合力で基板上に接合し、断線することなく半導体層から基板へ至る配線を形成できる半導体装置の提供。
【解決手段】第１基板上に形成された半導体層を第２基板に移設して半導体装置を製造する方法であって、前記第２基板上に塗布されたフォトレジストを前記半導体層に接着する工程と、前記フォトレジストを露光する工程と、前記フォトレジストに接着された前記半導体層から前記第１基板を除去する工程と、前記フォトレジストを露光する工程と、前記露光されたフォトレジストをパターニングする工程とを含み、前記パターニングによって、前記第２基板と接合している前記フォトレジストの下面の縁部から前記フォトレジストの上面の縁部にわたって、前記上面の縁部に近づくにつれて前記フォトレジストの厚さが増大する傾斜した側面を前記フォトレジストに生成する。 （もっと読む）

【課題】転写歩留まりを向上することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１９の製造方法において、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａにガスバリア層７が形成されている。そのため、ガスバリア層７側からスタンプ５を空気で加圧する際に、スタンプ５の半導体膜８および絶縁膜９が形成される側の面とは反対側の面５ａから、半導体膜８および絶縁膜９が形成される面に、加圧した空気が抜けにくくなる。これにより、スタンプ５を基板１に押し付けることを持続することができるので、スタンプ５に形成された半導体膜８および絶縁膜９と基板１との密着性を増すことができる。したがって、基板１に転写されない半導体膜８および絶縁膜９が減少し、薄膜転写の歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高電圧駆動素子の為にＳｉＣやＧａＮの基板の簡素化が重要な課題となっている。
Ｓｉ基板上のシリコン酸化膜の上に単結晶のＳｉＣ膜やＧａＮ膜に形成したＭＯＳＦＥＴなどの素子をアニールする手法を開示する。
【解決手段】光学ランプからの光をレンズで集光する手段、或いはレーザ光など高温度を発生させる手段によりＳｉＣなど化合物半導体の表層部はＳｉ基板の融点を越えるような高温度として、Ｓｉ基板部はその融点よりも十分低い温度となるような冷却部を設けてＳｉ基板を保持するステージを設けたことを特徴とするアニーリング装置。 （もっと読む）