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国際特許分類[H01L31/02]の内容

国際特許分類[H01L31/02]の下位に属する分類

容器;封緘
被覆
電極
装置と結合した光学素子または光学装置 (832)
特別の表面構造
冷却,加熱,換気または温度補償用装置

国際特許分類[H01L31/02]に分類される特許

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【課題】アクティブアライメントにより調芯を行うことが可能なサブマウント、光モジュール及び光モジュールの製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明のサブマウント1は、光素子2が搭載されたサブマウント1であって、サブマウント1における光素子2が搭載された面には、その面の一端から他端に延在する一対の第一配線が設けられ、サブマウント1の側面に、突起付きの部材を用いてサブマウント1を把持可能な穴11が設けられ、サブマウント1の側面に、アクティブアライメントを可能にし、第一配線に連接するとともに、穴11の内面まで延在する第二配線が設けられたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】下筐体や上筐体の形状を複雑化せずにガスケット部材を配置でき、製造コストを低減することが可能な光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュールである光トランシーバ1は、光素子2,2と、光素子2,2を収容する収容部17を有する下筐体4と、下筐体4に取り付けられた上筐体5と、薄板状の金属素材から形成されると共に、下筐体4と上筐体5との隙間に配置されたガスケット部材6と、を備える。ガスケット部材6は、収容部17の外縁に配置される外縁部8と、外縁部8と一体化され、収容部17を覆うように配置された補強部9とを有する。 (もっと読む)


【課題】 対象物を光ビームにより走査すると共にその反射光の検出を行うモジュールを、小型化する。
【解決手段】 光検出装置43において基板51のうち第1面にフォトダイオードを設け、基板51の上記第1面と反対側の第2面に、フォトダイオードが受光した光量に応じた電気信号を出力するための平面状の出力電極53を設け、基板51の、上記第1面とも上記第2面とも異なる第3面に、上記第2面に設けた出力電極53に接するように切り欠き部54を設け、切り欠き部54の内面に、出力電極53に接続する電極を設けた。 (もっと読む)


【課題】簡単な構造で容易に使用できると共に、基準となる位置に確実に固定できる光モジュール用位置決め部材を備えた光トランシーバを提供する。
【解決手段】光トランシーバ1を、ケース本体10と、このケース本体の内部に配設される光モジュール20と、この光モジュールと接続される基板30と、光モジュールおよび基板を覆ってケース本体に被せられるメインカバー60と、を備えた構成とし、光モジュールを、当該光モジュールをケース本体に係止する係止用鍔部と、当該係止用鍔部と間隔をあけて他端側に設けられ光モジュールをケース本体に位置決めする位置決め用鍔部とを有する形状とする。ケース本体の内部に、係止用鍔部が挿入可能な鍔部挿入用溝部と位置決め用鍔部が収容可能な鍔部収容用溝部を形成し、ケース本体に光モジュールを位置決めする光モジュール用位置決め部材を設けた。 (もっと読む)


【課題】小型および低コストを確保しながら、熱膨張率の差に起因して起こる、バンプの接合不良や、絶縁不良を防止することができる、検出装置、受光素子アレイ、これらの製造方法および光学センサ装置、を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ50と、CMOS70とが、バンプ9,39同士接合され、少なくとも受光素子アレイおよび読み出し回路の一方において、相手側に対面する表面が凹状曲面であり、かつ接合されたバンプ9,39について、配列された領域の、外周寄り範囲Kに位置する接合されたバンプは、中央範囲Cに位置する接合されたバンプに比べて、太径で、高さが低いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】素子等を含む素子領域が封止されたキャビティの気密性を高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】素子を含む素子領域11が形成された半導体基板10を準備し、半導体基板10上に、素子領域11を露出する貫通孔13Aを有した樹脂層13を形成する。次に、貫通孔13Aの側壁13Wを含む樹脂層13上から延びて半導体基板10上の一部を覆う金属薄膜14を形成する。そして、金属薄膜14に直接接して支持体15を接合し、半導体基板10、樹脂層13、金属薄膜14、及び支持体15に囲まれたキャビティ16内に素子領域11を封止する。その際、金属薄膜14と支持体15の接合面は、真空中で表面活性化接合法を用いて接合される。 (もっと読む)


【課題】周波数特性を安定的に改善するためにキャパシタを集積したミラーを用いたフォトダイオードモジュールを提供する。
【解決手段】光源と、所定の角度を有するミラーと,該ミラーに固定された裏面入射型フォトダイオードと,キャパシタを備え、
前記光源からの光を前記ミラーに反射させて前記裏面入射型フォトダイオードの受光面に入射させるように構成した裏面入射型フォトダイオードモジュールにおいて、前記キャパシタを前記ミラーに形成した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、光ファイバに入射する反射戻り光の量を抑制することができ、かつ、低コスト、高歩留まり率で温度変化による光学性能の劣化を防ぐこと。
【解決手段】光受信モジュール1は、光ファイバ20を保持するスリーブ14と、スリーブ14に設けられ、光ファイバ20から出射された光を入射する光学平面14gと、スリーブ14に設けられ、光学平面14gに入射された光を集光して出射するレンズ15と、レンズ15から出射された光を受光し、光信号を電気信号に変換する受光素子12と、を具備する。光学平面14gは、受光素子12の受光面に対して、20°から40°あるいは60°から70°傾斜して形成される。 (もっと読む)


【課題】高速伝送に適した構成及び構造にすることが可能であり、また、小型化することが可能であり、さらには、光素子の固定や位置合わせを容易にするとともに温度変化時の光軸ズレの抑制を図ることも可能な光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光通信モジュール1は、回路基板部としてのトランシーバ回路部2と、サブマウント部3と、光接続部材としてのファイバスタブ4と、光ファイバ結合部品5とを備えて構成されている。光通信モジュール1は、サブマウント部3に実装される光素子の光軸がトランシーバ回路部2の実装面6に対して略平行となるようなモジュール品として構成されている。 (もっと読む)


【課題】BWを使用せず、良好な高周波特性を実現するとともに、受光部における光信号の強度の低下を防止することができる変換ユニットを得る。
【解決手段】光信号を受光する受光部51を有し、光信号を電気信号に変換して出力するPD5と、電気信号を増幅するTIA6と、TIA6と電気的に接続されるハンダ付けパッド24とが、基板2に実装された変換ユニットであって、受光部51と基板2の実装面とが互いに対向し、受光部51と対応する位置に光信号が通過するビア28が設けられ、PD5とTIA6との間、およびTIA6とハンダ付けパッド24との間の電気信号経路が、基板2の実装面のパターンのみで形成されているものである。 (もっと読む)


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