国際特許分類[H01L31/12]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572) | 1つ以上の電気光源,例.エレクトロルミネッセンス光源,と構造的に結合されたもの,例.1つの共通基板内または上に形成されたもの,およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの (722)
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光学認識器の適応性照明輝度制御方法
【課題】光学認識器の適応性照明輝度制御方法の提供。
【解決手段】光学認識器の適応性照明輝度制御方法において、該光学認識器内部には、少なくとも、デジタル信号処理器、画像センサ、及び、少なくとも二つの発光素子が設けられ、該方法は、該発光素子より異なる角度の光線を標的物に照射するステップ、該画像センサが検出した画像信号を該デジタル信号処理器に送るステップ、該デジタル信号処理器が該画像信号を演算処理した後、輝度を変更したい該発光素子の輝度調整し、輝度を変更しない該発光素子は固定の輝度に維持するステップ、以上を包含し、これにより良好な画像信号を続けて獲得し、電源供給ユニットの電力を有効に運用させ、紙の光の反射の問題を効果的に解決する。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】出力信号のSN比を向上させ、且つ、低コストで製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子21が固着された第1のリード13と、第1の金属ワイヤ23を介して発光素子に接続された第2のリード14と、発光素子の放射する光を検知する受光素子25が固着された第3のリード15と、第2の金属ワイヤ27を介して受光素子に接続された第4のリード16と、成型体10と、を備える。成型体は、その内部に発光素子と受光素子とを封じ、透光部9と、遮光部5と、を含む。透光部は、成型体の第1の主面側において、発光素子が固着された第1のリードの表面と、受光素子が固着された第3のリードの表面と、を覆う。遮光部は、第1のリード〜第4のリードのそれぞれの裏面を覆い、受光素子が感度を有する光を吸収する部材を含有する。そして、第1のリード〜第4のリードは、第1の主面側にそれぞれのボンディング面を有する。
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浄水装置
【課題】浄化に十分な紫外線を水に照射する浄水装置を提供する。
【解決手段】紫外線に対して透明な照射窓41を有し、内部を水が流れる通水路40と、照射窓41を介して、紫外発光ダイオードにより水に紫外線を照射する発光部5と、発光部5から出射され、照射窓41を介して入射する紫外線を受光する受光部6と、受光部6が受光した紫外線の強度に応じて、発光部5が水に照射する紫外線の強度を制御する制御部3とを備える。
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光検出装置
【課題】非自発光型ポインティングデバイスである光検出装置の位置を夜間でも判りやすくするために、光検出装置に発光機能を付加する。
【解決手段】光検出装置14は、相対運動を検出する第1光源1と、第1光源とは異なる波長領域を有する第2光源5を内蔵し、第1および第2の波長領域の透過率が、当該第1および第2の波長領域以外の波長領域の透過率よりも大きくなるように構成された検出部3を有し、前記光検出装置の前記検出部に第2光源に励起発光する発光材料6を有する。このように構成された光検出装置は発光材料が塗布された箇所が発光機能を有することで光検出装置の夜間視認性を大幅に改善することが実現できる。
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発光素子およびフォトカプラ
【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、GaAs系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが950nm〜980nmの範囲にある発光素子であって、第1導電形の第1半導体層と、前記第1半導体層の上に設けられた第2導電形の第2半導体層と、を備える。さらに、前記第2半導体層の上に設けられた第1電極と、前記第1半導体層に電気的に接続された第2電極と、を備える。そして、前記第2半導体層の平面視におけるチップ面積が、0.15mm×0.15mm以下である。
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物体検出センサおよびそれを備えた電子機器
【課題】被検出物体からの反射光と同じ分光特性の外乱光が入射しても正しく上記被検出物体の有無を検出する。
【解決手段】発光素子1は第1波長に強度ピークを有する光を出射する。受光素子2は第1波長と第2波長とに感度ピークを切り換える。第1受光量判定回路9は、感度ピークが上記第1波長の受光素子2の受光量が第1判定閾値を超えているか否かを判定する。第2受光量判定回路10は、感度ピークが上記第2波長の受光素子2の受光量が第2判定閾値以下であるか否かを判定する。検出判定回路11は、第1受光量判定回路9が第1判定閾値を超えていると判定し、且つ、第2受光量判定回路10が第2判定閾値以下であると判定した場合に、被検出物体8を検出したと判定する。こうして、被検出物体8が近づいていないにも関わらず、上記第1波長の光を含む外乱光を受光することによって被検出物体8が近づいたと誤動作するのを防止する。
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光結合装置
【課題】耐電源ノイズ特性を維持しながら光結合装置に使用される半導体チップを縮小化する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、光結合装置は、第一のフォトダイオード、第一の反転増幅器、第二のフォトダイオード、第二の反転増幅器、及びコンパレータが設けられる。第一のフォトダイオードの第一の接合容量及び第一の反転増幅器の第一の帰還抵抗の積と、第二のフォトダイオードの第二の接合容量及び第二の反転増幅器の第二の帰還抵抗の積とが同一の値に設定され、第一の接合容量が第二の接合容量よりも大きく設定される。
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光電センサ
【課題】外乱光の影響を抑えつつも低コスト化に寄与できる光電センサを提供する。
【解決手段】制御部13は、投光素子21から投光された光を受光素子22で受光し、該受光素子22から出力される受光信号に基づいてワークWの有無を検出する。そして、投光素子21は、パワーが900nm以上の波長でピークとなる近赤外光Rを投光するものであり、受光素子22は、近赤外光Rに対応したフォトダイオードであり、該受光素子22の前段には、900nm以下の波長の光を除去するカットフィルタ22aが設けられる。
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光半導体の駆動回路
【課題】フォトカプラ等の光半導体のCTRが低下していない場合には、入力電流を必要以上に流さないようにする。
【解決手段】フォトカプラ等をスイッチング動作させてパルス信号の伝達をしている光半導体の駆動回路において、入力抵抗を可変させるためのスイッチと、出力電流を監視して該スイッチをオン、オフさせる出力電流判定部を備え、出力電流の値によりCTRの低下を判定し、適切な入力抵抗値とすることで必要な入力電流のみを流すようにする。フォトカプラのCTRが低下していない場合でも必要以上に入力電流を流さないようにできる。
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光センサ
【課題】光センサにおいて、複数種類の光センサを併用する場合と比べて、製造コストを低減し、取付け対象の電気機器のデザイン性を損ない難くする。
【解決手段】光センサ1は、分光感度が異なる受光素子2v、2iと、受光素子2v、2iによる検出信号をそれぞれ増幅する増幅回路3v、3iと、増幅回路3v、3iによりそれぞれ増幅された検出信号の和又は差を演算する演算回路4とを備える。増幅回路3v、3iは増幅率が調整可能であり、演算回路4は演算内容が変更可能である。上記増幅率の調整と上記演算内容の変更とにより、検出対象の光の波長領域を2つの波長領域に切り替えることができる。従って、2種類の光センサを併用する場合と比べて、光センサの数を減らし、各種構成部品を共通化できる。そのため、製造コストを低減でき、また、電気機器に取り付けた状態で、占有面積が少なくて済み、電気機器のデザイン性を損ない難くすることができる。
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