【課題】単一の受光素子を用いた簡単な構成による小型かつ低コストな近接／方向センサとして、対象物体の近接／非近接状態の変化とそれに直交する移動方向を、同時に最も効率よく検出して人体の動作に十分に追随させるための光検出装置を提供する。
【解決手段】受光素子２００は、反射光１０３が直接入射する第１のウェル３０１と、第１のウェル３０１を挟んで対向し、かつ反射光１０３は遮光されて入射しない第２のウェル３０２及び第３のウェル３０３とを備えている。受光素子２００による受信信号は、第１のウェル３０１の出力と第２のウェル３０２の出力との和、及び、第１のウェル３０１の出力と第３のウェル３０３との出力の和を、時間軸上で交互に出力する。この受信信号に基づいて、光検出装置天面の法線方向である第１の軸方向に沿う対象物体の近接状態と、前記対象物体の近接状態が変化した際の移動方向とが判定される。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは照射光と反射光を遮光すると共に開口部が形成されている。絶縁層２８は遮光層ＢＭを覆うと共に照射光と反射光を透過する絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。絶縁層２８において、発光層２６に接する面は第１電極２２の表面に対して傾斜した斜面を含み、この斜面と第１電極２２に接する面とのなす角は鋭角である。 （もっと読む）

【課題】Ａｕ層単独または最外層がＡｕ層である多層膜からなるめっき層を有するリードフレームと受発光素子封止用のエポキシ樹脂との密着性を向上させ、高温動作においても信頼性を確保できる光結合装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂５と接するリードフレーム３，４の面に、リードフレーム３，４のめっき層３２，４２を構成するＡｕ層よりもエポキシ樹脂との密着性が高い密着部を形成する。上記密着部には、研磨やレーザ照射等によりめっき表面のＡｕ層を除去して、その下層のめっき材料を表面に露出させた密着部３２ａ，４２ａが含まれる。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置は発光部２０と受光部３０と遮光膜ＢＭを備え、発光部２０は受光部３０より対象物Ｆ側に位置する。発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は、反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 （もっと読む）

【課題】簡易な回路構造で、発光素子の無信号時の消費電力を削減する光結合装置を提供すること。
【解決手段】
光結合装置は、入力信号に応じて光信号を発生させる発光素子を有する発光部と、受光部を有する。受光部は、発光素子からの光信号を受光する受光素子と、ドレイン端子が定電圧源に接続され、ソース端子が出力端子に接続されたエンハンスメント型の第１ＭＯＳＦＥＴと、ソース端子が接地に接続され、ドレイン端子が出力端子に接続されたデプレッション型の第２ＭＯＳＦＥＴと、第１ＭＯＳＦＥＴのゲート端子と第２ＭＯＳＦＥＴのゲート端子に接続され、出力を制御する制御回路と、制御回路の動作を安定させる定電圧を供給する定電圧回路と、前記発光素子１１からの光信号に応じてオンオフを切り換える定電圧回路と、を有する。定電圧回路は、入力される光信号を受光するダイオード群を有する。 （もっと読む）

【課題】外乱光によるノイズの発生を招くことない光結合装置を提供すること。
【解決手段】
光結合装置３０は、電気信号を光に変換する発光素子３４とこの発光素子からの光を電気信号に変換する受光素子３３とを有する樹脂から形成される封止体３１と、前記封止体３１を酸化することにより形成される酸化膜３２とを少なくとも有する。酸化膜３２は、２００度で８０時間の条件で加熱することにより形成される。あるいは、酸化膜３２は、１８０度で１６８時間の条件で加熱することにより形成される。 （もっと読む）

【課題】消費電力を抑えつつフォトカプラの耐用寿命を延ばすことができるデータ処理装置を提供すること。
【解決手段】フォトカプラの入出力データを処理するデータ処理装置は、フォトカプラの入力側と出力側の間で伝送されるデータを構成する所定ビットのパケットデータ群の過半数が「１」のビットか「０」のビットかを判断する過半数ビット判断部と、「１」のビットが過半数を占めると判断されたパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転する入力信号処理部と、過半数ビット判断部が判断した結果に応じた制御情報を、過半数を「０」のビットが占めるパケットデータ群又は各ビットの値が反転されたパケットデータ群に付加して、フォトカプラに出力する制御情報付加部と、フォトカプラの受光部で得られた制御情報に応じて、受光部が受信したパケットデータ群を構成する各ビットの値を反転し、制御情報を除くデータを出力する出力信号処理部とを備える。 （もっと読む）

【課題】低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供する。
【解決手段】配線基板１と、配線基板１の表面１ａ上に接合されたＩＲ発光装置６０と、配線基板１の表面１ａ上であってＩＲ発光装置６０から離れた位置に接合されたＩＲ受光装置５０と、を備え、配線基板１の表面１ａ上において、ＩＲ発光装置６０が有する発光部６１の発光面６１ａと、ＩＲ受光装置５０が有する光学フィルタ２０の受光面２０ａとが対向している。ＩＲ発光装置６０と受光装置５０とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることが可能である。また、発光面６１ａから出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光面２０ａに入射するため、凹状の反射面等は不要であり部品点数を減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】放出光のピーク波長範囲の外側の発光スペクトル強度が低減された半導体発光装置およびそれを用いた光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。第１の層は、前記発光層の前記第１の面の側に設けられ、第１導電形を有し、前記発光層の反対の側に設けられた光取り出し面を有する。第２の層は、前記発光層の前記第２の面の側に設けられ、第２導電形を有する。分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。また、第３および第４の層は、前記ピーク波長よりも短いバンドギャップ波長をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】物体検出感度の低下を抑制し、小型な光学ナビゲーション装置を提供する。
【解決手段】光学ナビゲーション装置１００は、上面に物体１０２が位置する装置表面部１０８と、装置表面部１０８の下方に配置され、物体に対して照射光１０３からなる第一光錐を第一光軸に沿って第一光学構造部を通過させて照射する光源１０１と、装置表面部１０８の下方に配置され、照射光１０３からなる第一光錐が上記物体に反射することによって生じた反射光１０４からなる第二光錐を第二光軸に沿って第二光学構造部を通過させて検出し、当該検出した反射光の空間強度プロファイルを得る光センサと、を備え、上記第一光軸と上記第二光軸との交差点が、装置表面部１０８の下方に位置する、という構成をとる。 （もっと読む）