【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインの交差点の内部に位置づけて照射して、交差点に対応する基板内部に変質ドット形成し、該変質ドットを分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってＣＯ_２レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光り取り出し面に２つの電極を有する発光ダイオードにおいて、光取り出し効率が高く、高輝度の発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光層１０を含む発光部７を有する化合物半導体層２と、透明基板３とが接合された発光ダイオードであって、化合物半導体層２の主たる光取り出し面２ａ側に、第１の電極４と第２の電極５とが設けられ、透明基板３は、化合物半導体層２と接合する上面３Ａと、上面３Ａの面積よりも小さい面積の底面３Ｂと、上面側から底面側に向かって傾斜された傾斜面３ｂを少なくとも含む側面と、を有しており、第１及び第２の電極４，５が、当該発光ダイオードを平面視したときに、底面３Ｂを投影した領域内に配置されていることを特徴とする発光ダイオード１を選択する。 （もっと読む）

【課題】電極と保護膜との密着力が高く、これらの界面での剥離を抑制することが可能なフリップチップ型発光ダイオードを提供する。
【解決手段】少なくとも上面が金である第１及び第２の電極４，５と、第１及び第２の電極４，５を被覆する絶縁性の保護膜１６と、第１及び第２の電極４，５と保護膜１６との間に設けられた密着層１５とを備え、保護膜１６及び密着層１５を貫通する開口部１７から、第１及び第２の電極４，５の上面の一部又は全部が露出されていることを特徴とするフリップチップ型発光ダイオード１を選択する。 （もっと読む）

【課題】 光デバイスの輝度を低下させない光デバイスウエーハの加工方法を提供することである。
【解決手段】 基板の表面に半導体層が積層され、該半導体層に複数の光デバイスが分割予定ラインによって区画されて形成された光デバイスウエーハを個々の光デバイスに分割する光デバイスウエーハの加工方法であって、該基板に対して透過性を有する波長のレーザビームの集光点を該分割予定ラインの交差点の内部に位置づけて照射して基板内部に交差点で交わる十文字の変質層形成し、該変質層を分割のきっかけとなる分割起点とする分割起点形成工程と、該分割予定ラインに沿ってＣＯ_２レーザを照射して該分割起点から基板内部にクラックを成長させるクラック成長工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電流拡散層の組成が均一な発光素子用ウェーハ、電流拡散層と電極との間のオーミックコンタクトを均一にすることが容易な発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の上に設けられた第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層の上に設けられ、前記発光層からの放出光を透過可能であり、ＧａＰからなる電流拡散層と、前記電流拡散層の上に設けられ、前記電流拡散層の側はＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなる表面保護層と、を備えたことを特徴とする発光素子用ウェーハが提供される。 （もっと読む）

【課題】光出力を維持しつつ逆耐圧Vrのウエハ面内ばらつきを抑え、高い歩留りを確保することができるAlGaInP系半導体発光装置を提供する
【解決手段】
AlGaInPからなる活性層と、活性層を挟むように設けられ活性層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有するｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層と、を含む半導体膜を有する。ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１と、エピタキシャル層２１上に形成された透明導電膜２６とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高い。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ２０ｂは、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１（０≦ｘ≦１）を含むＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ基板（０≦ｙ≦１）１０と、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層を含むエピタキシャル層２１とを備え、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１１において、裏面１１ｂのＡｌの組成比ｘは、主表面１１ａのＡｌの組成比ｘよりも高く、かつ裏面１１ｂ側から主表面１１ａ側に向けてキャリア濃度が変化している。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体層を有するウェハを高精度かつ効率よく切断することができる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面３上にIII−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが積層されたウェハを切断予定ラインに沿って切断する。ここで、切断予定ラインに沿って半導体層１７ａ，１７ｂに基板１まで達しない溝２５を形成し、溝２５に臨む基板１の内部に集光点Ｐを合わせてレーザ光Ｌを照射することにより多光子吸収による改質領域７を基板１にのみ形成し、基板１に力を印加することのみにより、改質領域７から発生した割れを基板１の厚さ方向に成長させ、切断予定ラインに沿って、基板１と共に、切断予定ライン上に存在する半導体層１７ａ，１７ｂを切断する。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光素子に関し、複雑な設計を要することなく、ＧａＡｓ基板を用いた長波長発光素子を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に第一導電型半導体層と、少なくとも一層のＧｅ_１−ｘＳｉ_ｘ層（但し、０≦ｘ≦０．５）と少なくとも一層のＩｎ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ層（但し、０≦ｙ≦０．７）とのヘテロ接合を有する発光層と、第一導電型半導体層とは反対の導電型の第二導電型半導体層とを設ける。 （もっと読む）