【課題】本発明は発光素子を提供する。
【解決手段】本発明の発光素子は、基板と、前記基板に形成された発光構造とを含む。発光構造は、第一発光波長を有する第一活性層と、第二発光波長を有する第二活性層とを含み、第一活性層と第二活性層は交互積み重ねて発光構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】出力を向上できるとともに、静電耐圧を向上できる赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハおよび赤外ＬＥＤを提供する。
【解決手段】赤外ＬＥＤ用のエピタキシャルウエハ１ｂは、主表面１１ａと、この主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＡｌＧａＡｓ層１１を含む、ＡｌＧａＡｓ基板１０と、ＡｌＧａＡｓ層１１の主表面１１ａ上に形成され、かつ活性層２３を含むエピタキシャル層２０とを備えている。ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度は、１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１×１０¹⁸ｃｍ^-3以下である。 （もっと読む）

【課題】長寿命、低抵抗で、高い発光効率（特に内部量子効率）を保持した発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ型クラッド層と、（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（０≦ｘ≦０．６，０．４≦ｙ≦０．６）からなる３層以上の活性層及び該活性層よりＡｌ含有率ｘが高い２層以上の障壁層が交互に積層された多重活性層部と、ｎ型クラッド層とを有する化合物半導体基板を用いて製造された発光素子であって、障壁層は、ｎ型クラッド層に近い側の障壁層に比べ、ｐ型クラッド層に近い側の障壁層の方がバンドギャップが小さく、かつ、化合物半導体基板は、多重活性層部とｎ型クラッド層の間に、又は、ｎ型クラッド層中に、超格子障壁層を有するものである発光素子。 （もっと読む）

【課題】 半導体発光装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 半導体発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層と、前記ｎ型クラッド層上に形成され、アンドープのＡｌＧａＩｎＰからなる発光層と、前記発光層上に形成され、Ｍｇを添加したＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層と、前記ｐ型クラッド層上に形成され、Ｚｎを添加したｐ型のＧａＩｎＰからなる電流拡散層とを有する。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ低順方向電圧の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】第一の導電型層１１と第二の導電型層１２に挟まれた発光層１３を有する化合物半導体１４において、第一の主表面１１ａを光取り出し面とし、第二の主表面１２ａに発光層１３からの光を第一の主表面１１ａ側に反射させる反射金属膜１５を介して、支持基板１６と化合物半導体１４が結合され、化合物半導体１４の第二の主表面１２ａと反射金属膜１５間に透明絶縁膜１７を有し、透明絶縁膜１７の一部に貫通して化合物半導体層と電気的にオーミック接合する界面電極１８を有する半導体発光素子において、発光波長が７８０ｎｍ以上の赤外光であり、第一の導電型層１１の内、Ｖ族がＡｓ系層である総膜厚が１．０μｍ以上であり、第一の導電型層１１、発光層１３、第二の導電型層１２および各層内のアンドープ層の各ヘテロ接合界面におけるバンドギャップの差が、０．３０ｅＶ以下である。 （もっと読む）

【課題】高速応答性と高出力性とを兼ね備えた赤外光を発光する発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置を提供する。
【解決手段】組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）の化合物半導体からなる井戸層、及び、組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）Ａｓ（０≦Ｘ２≦１）の化合物半導体からなるバリア層を交互に積層した量子井戸構造の活性層１１と、該活性層１１を挟む第１のクラッド層９と第２のクラッド層１３とを有する発光部７と、発光部７上に形成された電流拡散層８と、電流拡散層８に接合された機能性基板３とを備え、第１及び第２のクラッド層９、１３が組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ１≦１）の化合物半導体からなり、井戸層及びバリア層のペア数が５以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高出力・高効率で８５０ｎｍ以上、特に９００ｎｍ以上の発光ピーク波長の赤外光を発光する発光ダイオードを提供する。
【解決手段】本発明の発光ダイオードは、基板上に、ＤＢＲ反射層と、発光部とを順に備える発光ダイオードであって、前記発光部は、組成式（Ｉｎ_Ｘ１Ｇａ_１−Ｘ１）Ａｓ（０≦Ｘ１≦１）からなる井戸層と組成式（Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_１−Ｘ２）_Ｙ１Ｉｎ_１−Ｙ１Ｐ（０≦Ｘ２≦１，０＜Ｙ１≦１）からなるバリア層との積層構造を有する活性層と、組成式（Ａｌ_Ｘ３Ｇａ_１−Ｘ３）_Ｙ２Ｉｎ_１−Ｙ２Ｐ（０≦Ｘ３≦１，０＜Ｙ２≦１）からなる第１のガイド及び第２のガイドと、該第１のガイド及び第２のガイドのそれぞれを介して該活性層を挟む、組成式（Ａｌ_Ｘ４Ｇａ_１−Ｘ４）_ＹＩｎ_１−ＹＰ（０≦Ｘ４≦１，０＜Ｙ≦１）からなる第１のクラッド層及び第２のクラッド層とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】
平坦性及び結晶品質に優れた結晶層を有し、高出力、高効率で信頼性に優れた半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ＧａＡｓ基板上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３）からなり起伏を有する第１導電型クラッド層と、上記第１導電型クラッド層上に形成された、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，０≦Ｘ≦０．１５）からなる第１緩和層及びＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＰ（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１，Ｘ≧０．３５）からなる第２緩和層が交互に積層された多層緩和層と、上記多層緩和層上に形成された活性層と、上記活性層上に形成された第２導電型クラッド層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光層内部での光吸収が低減され、上方への光反射率が高められた発光素子を提供する。
【解決手段】第１の反射器４０を有する支持体８と、第１および第２の発光部６０ａ，６０ｂと、第２の反射器６４と、を備えた発光素子が提供される。第１および第２の発光部は、前記支持体の上に設けられ、発光層２２ａ，２２ｂを有し、前記発光層からの放出光のうち下方に向かう光が前記第１の反射器により上方に向かって反射可能とされている。第２の反射器は、前記第１および第２の発光部の間に挟まれ前記支持体の上に設けられ、かつ下方に向かって拡幅する断面形状を有し、側面に設けられた側面金属層６４ａを有する。 （もっと読む）

【課題】高い光出力を保ちつつ、信頼性が改善された発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子は、発光層と、クラッド層と、電流拡散層と、第２の層と、電極と、を有する。クラッド層は、第１の導電形を有する。電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。第２の層は、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられ、前記電流拡散層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する領域、および前記電流拡散層のドーパントとは異なるドーパントを有する領域、のいずれかからなる第１の導電形を有する。電極は、前記加工層の前記表面のうち前記凸部および前記底部が設けられていない領域に設けられる。 （もっと読む）