【課題】 半導体発光素子に関し、複雑な設計を要することなく、ＧａＡｓ基板を用いた長波長発光素子を実現する。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板上に第一導電型半導体層と、少なくとも一層のＧｅ_１−ｘＳｉ_ｘ層（但し、０≦ｘ≦０．５）と少なくとも一層のＩｎ_１−ｙＧａ_ｙＡｓ層（但し、０≦ｙ≦０．７）とのヘテロ接合を有する発光層と、第一導電型半導体層とは反対の導電型の第二導電型半導体層とを設ける。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の増加を抑制することのできる発光素子を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる発光層１０５とを有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の面側に設けられ、発光層１０５が発する光を反射し、アルミニウムを含む反射層１３２と、半導体積層構造１０と反射層１３２との間の一部に設けられ、半導体積層構造１０と反射層１３２とを電気的に接続し、反射層１３２に接触する側にバリア層１２４を有する界面電極１２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光取出し側の電極部である上側電極部と、この電極部と対になる電極部である中間電極部とを適切な位置関係で配設することにより、大電流印加時の発光効率を維持させた半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 支持基板の上面側に、中間電極部を含む中間層、第２導電型半導体層、活性層、第１導電型半導体層および上側電極部を順次具え、支持基板の下面側に下側電極層を具える半導体発光素子であって、前記中間電極部を互いの中間電極部間の間隔が５０μｍ以上１００μｍ以下の均等に分散した島状または等間隔の縞状、格子状かつ上面から見た中間電極部の第２導電型半導体層に対する面積率が３〜９％となるように配置することにより、大電流での使用時でも発光効率の高い半導体発光素子を提供することができる。
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複数の前駆体及びインジウム表面賦活剤を用いて１つ以上のｎ型層またはｐ型層を多重量子井戸(ＭＱＷ)サブアセンブリに重ねて形成するため、ＭＱＷサブアセンブリが低温気相成長プロセスにかけられる、光電発光半導体素子を作製する方法が提供される。前駆体及びインジウム表面賦活剤は１つ以上のキャリアガスを用いてそれぞれの流量で気相成長プロセスに導入され、キャリアガスの少なくとも１つはＨ_２を含む。インジウム表面賦活剤は低温気相成長プロセス中に形成されるｐ型層の結晶品質を向上させるに十分な量のインジウムを含み、それぞれの前駆体の流量及びキャリアガスのＨ_２含有量はｎ型層またはｐ型層内のインジウム表面賦活剤からのインジウムのモル分率をほぼ１％未満に維持するように選ばれる。別の実施形態において、低温気相成長プロセスは低温Ｔ_Ｇにおいて実行され、ここで、Ｔ_Ｇ≦Ｔ_Ｂ±５％であり、Ｔ_ＢはＭＱＷ障壁層成長温度である。他の実施形態も開示され、特許請求される。
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開示される再発光半導体構成体（ＲＳＣ）は、カドミウムを含まないフルカラーＲＧＢ又は白色発光デバイスを提供し得る。いくつかの実施形態には、ＩＩＩ−Ｖ族半導体を含み、第１光子エネルギーの光を、より小さい光子エネルギーの光へと変換するポテンシャル井戸と、第１光子エネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するＩＩ−Ｖ族半導体を含むウィンドウとが含まれ得る。いくつかの実施形態には、第１光子エネルギーを有する光を、より小さい光子エネルギーの光へと変換し、かつ、実質的にＣｄ非含有であるＩＩ−Ｖ族半導体を含む、ポテンシャル井戸が含まれ得る。いくつかの実施形態には、第１のＩＩＩ−Ｖ族半導体を含み、第１光子エネルギーの光を、より小さい光子エネルギーの光へと変換するポテンシャル井戸と、第２のＩＩＩ−Ｖ族半導体を含み、第１光子エネルギーよりも大きいバンドギャップエネルギーを有するむウィンドウとが含まれ得る。 （もっと読む）

種々の波長の光を生成することは、他の波長で放射する感光剤-希土酸化物イオンをポンプするように既存のＬＥＤ放射を使用してＩＲ蛍光体ダウンコンバート技術を使用する。感光剤は、ＬＥＤチップ・ポンプ放射を吸収し、次いで、高い量子効率でドーパントイオンにエネルギを伝送し、次いで、それらの特性波長で放射する。 （もっと読む）

放射を放出するのに適している活性層（４）を備えているオプトエレクトロニクス半導体部品であって、活性層（４）がカバー層（３ａ，３ｂ）によって囲まれており、カバー層（３ａ，３ｂ）もしくは活性層（４）またはその両方が、インジウムを含有するリン化物化合物半導体材料を備えており、このリン化物化合物半導体材料が、Ｖ族の追加元素として、元素Ｓｂまたは元素Ｂｉの少なくとも一方を含んでいる、オプトエレクトロニクス半導体部品、を開示する。さらには、放射を放出するのに適している活性層（４）を備えているオプトエレクトロニクス半導体部品であって、活性層（４）が、インジウムを含有する窒化物化合物半導体材料を備えており、活性層（４）の窒化物化合物半導体材料が、Ｖ族の追加元素として、元素Ａｓ、元素Ｓｂ、元素Ｂｉのうちの少なくとも１種類を含んでいる、オプトエレクトロニクス半導体部品、を開示する。 （もっと読む）

１００ｎｍ以下の厚さを有するｐ型層と、ｎ型層と、発光するためのｐ型層とｎ型層との間に位置付けられる活性層とを有する、発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、ＬＥＤは、別個の電子遮断層を含まない。一実施形態において、活性層は、４ｎｍ以上の厚さを有する１つ以上の量子井戸を備えている。さらに、一実施形態において、活性層は、活性層内で電子担体を捕捉し、閉じ込め、それにより、電子遮断層の機能を提供するための十分に厚い厚さと組成とを有する。
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傾斜した組成の１又はそれ以上の領域は、デバイス中の界面と関連したV_fを削減するために、III-P発光デバイスに含まれる。本発明の実施形態によれば、半導体構造体は、n型領域とp型領域との間に配置されたIII-P発光層を有する。傾斜領域は、p型領域とGaP窓層との間に配置される。アルミニウム組成は、傾斜領域において傾斜される。傾斜領域は、少なくとも150nmの厚さをもつ。幾つかの実施形態において、p型領域とGaP窓層との間の傾斜領域に加えて又はこれの代わりに、アルミニウム組成は、エッチング停止層とn型領域との間に配置された傾斜領域において傾斜される。
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本発明は半導体発光素子に関する。本発明の半導体発光素子は第１導電型半導体層と、前記第１導電型半導体層の下に活性層と、前記活性層の下に第２導電型半導体層と、前記第２導電型半導体層の下に第２電極層と、前記第２電極層の一側上に絶縁膜と、前記絶縁膜の上に前記第１導電型半導体層の一端に電気的に連結された第１電極を含む。
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