【課題】クロスポイント型セル構造の配線構造を正確に形成する。
【解決手段】
第１の配線を形成する第１配線層及びメモリセルを形成するメモリセル層を順次積層してなる第１積層構造を第１方向に延びるストライプ状にエッチングする。このとき、第１ストライプ部の側部から第２方向に突出する第１フック部を形成する。そして、第１積層構造の上層に第２積層構造を形成し、この第２積層構造を２方向に延びるストライプ状にエッチングする。このとき、第２ストライプ部の側部から第１方向に突出する第２フック部を形成する。上記を所定数繰り返す。そして、第１又は第２フックの側面に接するコンタクトプラグを形成する。第２フック部が形成されるべき領域では、第１積層構造を除去し、また、第１フック部が形成されるべき領域では、第２積層構造を除去する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を可逆的に変化させことを可能としつつ、データ保持特性を向上させる不揮発性抵抗変化素子を提供する。
【解決手段】第１電極１と、第２電極３と、可変抵抗層２とを備え、第２電極３は、Ａｌ元素が添加された１Ｂ族元素を有し、可変抵抗層２は、第１電極１と第２電極３との間に配置され、シリコン元素を有する。可変抵抗層２は非晶質シリコン層であってもよいし、多結晶シリコン層であってもよいし、単結晶シリコン層であってもよい。第１電極１は不純物ドープシリコンおよびＴｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｐｔ、Ｒｕ、ＺｒまたはＩｒや、その窒化物あるいは炭化物あるいはカルコゲナイド材料などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化素子の閾値電圧のばらつきを生じさせることなく、閾値電圧を低電圧化すること。
【解決手段】印加されたパルス電圧の極性に応じて抵抗値の異なる第１の状態と第２の状態との間で遷移する抵抗変化層と、抵抗変化層の一端に接続された第１の電極と、他端に接続された第２の電極とを備えた抵抗変化素子の制御方法であって、抵抗変化層を第１の状態から前記第２の状態へ遷移させる第１の極性とは逆の第２の極性を有する第１のパルス電圧を、抵抗変化層を第１の状態に保ちつつ、両電極間に印加した後、第１の極性を有する第２のパルス電圧を両電極間に印加して、抵抗変化層を第１の状態から第２の状態へ遷移させる。 （もっと読む）

【課題】高密度・高信頼の不揮発性記憶装置を実現する
【解決手段】基板の主面に沿って延在するワード線２上に交互に積層された層間絶縁膜１１〜１５およびゲートポリシリコン層２１ｐ〜２４ｐを含む積層体と、積層体上に形成され、ワード線２と直交して延在するビット線３と、ワード線２およびビット線３の交点に設けられたポリシリコンダイオードＰＤとを有する不揮発性半導体装置を形成する。積層体を貫通してポリシリコンダイオードＰＤの上面を露出する接続孔の内壁には、前記内壁側から順にゲート絶縁膜９、チャネルシリコン膜８ａ、８ｂおよび抵抗変化材料層７を設ける。ワード線２とビット線３とはポリシリコンダイオードＰＤ、チャネルシリコン膜８ａおよび８ｂを介して電気的に接続し、前記内壁に垂直な方向におけるチャネルシリコン膜８ａ、８ｂの合計の膜厚は、チャネルシリコン膜８ａ、８ｂを空乏化することができる膜厚とする。 （もっと読む）

【課題】低コストで量産性に優れた不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態の不揮発性記憶装置は、下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられ、第１酸化物を含有する第１記憶素子膜と、前記第１記憶素子膜の上に設けられた上側電極膜と、を有する第１状態と、もしくは、前記下側電極膜と、前記下側電極膜の上に設けられた前記第１記憶素子膜と、前記第１記憶素子膜の上に設けられ、第２酸化物を含有する第２記憶素子膜と、前記第２記憶素子膜の上に設けられた前記上側電極膜と、を有する第２状態と、を維持することが可能である。前記第２記憶素子膜に含まれる酸素濃度は、前記第１記憶素子膜に含まれる酸素濃度よりも高い。前記第２状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗は、前記第１状態における前記下側電極膜と前記上側電極膜との間の抵抗よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 パルスフォーミングと同程度の短時間で、スイッチング動作時の書き換え電流がＤＣフォーミングで達成される書き換え電流程度に抑えることのできる可変抵抗素子のフォーミング処理方法を提供する。
【解決手段】
可変抵抗素子に電圧パルスを印加して、製造直後の初期高抵抗状態にある可変抵抗素子をスイッチング動作が可能な可変抵抗状態に変化させるフォーミング処理が、可変抵抗素子が低抵抗化する閾値電圧より低い電圧振幅の第１パルスを可変抵抗素子の両電極間に印加する第１ステップと、第１ステップの後に、当該第１パルスと同極性であって閾値電圧以上の電圧振幅の第２パルスを可変抵抗素子の両電極間に印加する第２ステップとを含んでなる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性記憶素子の初期化電圧のばらつきの発生を抑えつつ、従来に比べて初期化電圧の低減を図ることができる抵抗変化型の不揮発性記憶素子を提供する。
【解決手段】第１の層間絶縁層１０２、下部電極１０５、上部電極１０７及び抵抗変化領域１０６を備え、抵抗変化領域１０６は積層された第１の抵抗変化領域１０６ｂと第２の抵抗変化領域１０６ａを有し、第１の抵抗変化領域１０６ｂは第１の遷移金属酸化物で構成され、第２の抵抗変化領域１０６ａは第２の遷移金属酸化物で構成され、第２の遷移金属酸化物の酸素不足度は第１の遷移金属酸化物の酸素不足度より小さく、抵抗変化領域１０６の上面は上部電極１０７と接し、抵抗変化領域１０６の底面は下部電極１０５及び第１の層間絶縁層１０２と接し、抵抗変化領域１０６の底面と下部電極１０５の接する面の面積は抵抗変化領域１０６の上面と上部電極１０７の接する面の面積より小さい。 （もっと読む）

【課題】ジュール熱を利用して情報を記憶する相変化メモリを採用した半導体記憶装置において、誤ライト動作を起こす可能性を抑制する。
【解決手段】本発明に係る半導体記憶装置は、積層体内のいずれかの半導体層に第１の電流を印加して積層体内の複数の半導体層の側面に配置されている抵抗変化材料層を一括して結晶化した後、第１の電流を印加した半導体層以外の半導体層に第２の電流を印加する。 （もっと読む）

【課題】混合原子価導電性酸化物を用いたメモリを提供する。
【解決手段】酸化されていない状態で導電性を有し、酸素欠乏状態で導電性が下がる混合原子価導電性酸化物酸素リザーバ６３５と、酸素に対する電解質であり、酸素イオンの移動を引き起こすのに有効な電場を促進する電解質トンネル障壁５０５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化を利用したマルチレベルのデータをセンシングする非揮発性メモリ装置において、読出し動作の回数を減らし、読出し動作の制御に係わる回路の面積を縮小する。
【解決手段】非揮発性メモリ装置は、１つ以上の単位セルを含んでデータの読出し又は書込みが行なわれるセルアレイと、単位セルに格納されたデータに対応するセンシング電圧ＳＡＩと基準電圧ＲＥＦを比較及び増幅して出力し、ビットラインがプリチャージされた以後にセンシングイネーブル信号ＳＥＮの活性化区間で、単位セルの抵抗値に応じてセンシング電圧がディスチャージされる時間の差を測定し、データをセンシングするセンシング部１００とを含む。 （もっと読む）