【課題】電圧制御発振器の制御利得を発振周波数に対して比較的一定に維持し、位相ノイズを低減したプログラマブルバラクタ装置を提供する。
【解決手段】プログラマブルバラクタ装置１００は、複数のデジタルバラクタビットＢ０、Ｂ１、Ｂ２によって制御される複数のバイナリ重み付けバラクタ１０４，１０６，１０８を含み得る。プログラマブルバラクタ装置は、複数のバイナリ重み付けバラクタと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとする制御とを含み得る。プログラマブルバラクタ装置の実効容量を変化させる方法は、複数のバイナリ重み付けバラクタを設けることと、プログラマブルバラクタ装置の実効容量を低減するために複数のバイナリ重み付けバラクタの１つまたはそれ以上を選択的にディセーブルとすることとを含み得る。 （もっと読む）

【課題】 位相雑音を劣化させずに２倍波の出力電力を増加できる高周波発振器を得る。
【解決手段】 第１から第３の端子を有する能動素子と、前記第１と第２の端子にそれぞれ接続され、所要の周波数において誘導性となる第１と第２のリアクタンス回路と、前記第３の端子に接続され、前記所要の周波数において容量性となる第３のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数の２倍の周波数においてインピーダンスがショートとなる第４のリアクタンス回路と、前記能動素子の前記第３の端子と前記第３のリアクタンス回路の間に並列に接続され、前記所要の周波数におけるリアクタンスが、前記所要の周波数における前記第４のリアクタンス回路のリアクタンスと絶対値が等しく符号が逆となる第５のリアクタンス回路と、を備える。 （もっと読む）

【課題】周波数変換利得の変動が少ない発振器のためのＬＣ共振回路、それを用いた発振器及び情報機器を提供する。
【解決手段】発振器のＬＣ共振回路が、インダクタＬ１、第１の微調容量と第１の容量バンクからなる並列回路と、第２の微調容量と第２の容量バンクの直列容量とを含む。発振器の周波数変換利得は、第１の容量バンクの容量値が大きくなるに従い低下する第１の微調容量による発振器の周波数変換利得と、第２の容量バンクの容量値が大きくなるに従い増大する第２の微調容量による周波数変換利得の和となる。 （もっと読む）

【課題】発振器の出力端子間に直接寄生する容量Ｃparaの大きさが無視できない場合でも温度特性を補償する発振器及び発振器を内蔵する半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】インダクタンス素子Ｌと、容量素子Ｃと、増幅器３０と、をそれぞれ第１の端子と第２の端子との間に並列に接続し、インダクタンス素子と容量素子とによって生じる共振を増幅器によって増幅し、第１の端子と第２の端子とから出力する発振器であって、第１の端子と第２の端子との間にインダクタンス素子の寄生抵抗Ｒ_Ｌより抵抗値の大きな第１の抵抗素子Ｒｃが第１の端子と第２の端子との間に容量素子と直列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力でキャリブレーションができる回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】回路装置は、無線による送信処理を行う送信回路１００と、送信回路１００を制御する制御部１１０とを含む。制御部１１０は、第１の送信期間では、送信回路１００のキャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１を設定し、送信回路１００は、第１の送信期間では、第１のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ１に基づく第１の送信処理を行う。制御部１１０は、第２の送信期間では、キャリブレーションパラメーターＣＬＰとして、第１の送信処理での送信状態の検出結果に基づいて更新された第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２を設定し、送信回路１００は、第２の送信期間では、第２のキャリブレーションパラメーターＣＬＰ２に基づく第２の送信処理を行う。 （もっと読む）

【課題】小型に構成され、高調波と基本波との電力比を増加可能な高周波発振器を得る。
【解決手段】印加された電源電圧に基づいて、発振周波数の基本波で発振動作を行い、発振周波数の２倍波を出力する２倍波取り出し型発振器１０と、２倍波取り出し型発振器１０の出力端子に接続され、発振周波数の２倍波を通過帯域とする出力回路２０とを備え、出力回路２０は、２倍波取り出し型発振器１０に電源電圧を供給する電源端子２１と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する結合線路２２と、２倍波取り出し型発振器１０と電源端子２１との間に直列に接続され、発振周波数の２倍波に対してほぼ１／４波長の長さを有する伝送線路２３と、結合線路２２の結合量に応じた出力電力を得る第１負荷抵抗２４と、電源端子２１に対して並列に接続されたキャパシタ２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】少ない電流で必要な負性抵抗が得られることにより、安定に動作することのできる発振器を提供する。
【解決手段】互いに並列に配設された容量素子１３４，２３４およびインダクタ１３３，２３３を有する共振回路１３，２３と、共振回路１３，２３の損失を打ち消す負性抵抗が生じるように配設された複数のトランジスタを有する負性抵抗発生器１４，２４と、第１バイアス端子１５，２５と、第２バイアス端子１６，２６と、を備えた複数の発振部１０，２０と、各共振回路１３，２３が互いに等価的に並列に接続されるように、複数の発振部１０，２０を電気的に結合する結合部３０Ａと、を備え、複数の発振部１０，２０は、それぞれの第１バイアス端子２５および第２バイアス端子１６において互いに直列に接続され、複数の発振部１０，２０における複数のトランジスタ１４３，１４４，２４３，２４４は、互いに同じ導電型で構成されている。 （もっと読む）

【課題】、数百メガヘルツの発振周波数を有する発振信号を出力する場合において、半導体集積回路内に設けられた他の回路の特性劣化を抑制することができる発振回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の内部に設けられた内部キャパシタと、半導体集積回路の外部に設けられた外部キャパシタ及び外部インダクタとからなる共振回路と、共振回路に入力端及び出力端が接続された増幅回路と、を有し、共振回路は、内部キャパシタ、外部インダクタ、並びに内部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなる第１閉回路と、外部キャパシタ、外部インダクタ、並びに外部キャパシタ及び外部インダクタを接続する配線からなり、第１閉回路の配線抵抗よりも小なる配線抵抗を有する第２閉回路と、を有することを特徴とする発振回路。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＶＣＯを備えた半導体装置において、発振信号の発振振幅のばらつきの抑制および低消費電力化を実現する。
【解決手段】ＶＣＯ３０は、ＣＭＯＳトランジスタによって構成されたＬＣタンクＶＣＯと、ＶＣＯの発振周波数帯域から一の発振周波数を選択するための周波数選択信号を生成する自動周波数選択回路４２と、ＶＣＯの制御電圧を生成するＰＬＬ３２と、周波数選択信号に基づいて差動型のＭＯＳトランジスタのゲートに供給するバイアス電圧を調整するバイアス回路５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】集積回路上に構成可能で、容量可変比率が大きくかつＱ値が高く、ＶＣＯを構成した時に直線性の高い制御電圧と発振周波数の関係を実現する電圧可変型容量を提供すること。
【解決手段】下部電極を共通接続した複数のＭＯＳ型容量素子（CM1〜CMn）と、該複数のＭＯＳ型容量素子の上部電極に一端を接続し、他端を共通接続する同数の非電圧可変型容量（C1〜Cn）と、これらのＭＯＳ型容量素子と非電圧可変型容量の接続点に夫々異なる固定バイアス電圧を与える手段（VB1〜VBn及び抵抗）により構成され、前記複数のＭＯＳ型容量の共通接続された下部電極に制御電圧を加える。 （もっと読む）