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国際特許分類[H03B5/12]の内容

国際特許分類[H03B5/12]に分類される特許

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【課題】小型で周波数特性の良好な電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】電圧制御発振器(VCO)の共振部1は、共振周波数の調整を行うために静電容量が変化する可変容量素子13、14と、インダクタンス素子11と、を含み、エミッタ接地型のトランジスタ21はこの共振部1からベース端子T1に入力された周波数信号を増幅する。帰還部2は帰還用の容量素子22、23を含み、前記トランジスタ21のエミッタ端子T2から出力された周波数信号を、前記ベース端子T1を介してトランジスタ21に帰還させる。そして前記ベース端子T1に印加されるバイアス電圧を調整するためのベース・ブリーダ抵抗R2、R3及びトランジスタ21が共通の集積回路3内に形成され、トランジスタ21の動作点を調整するためにエミッタ抵抗R1はこの集積回路3外に別体の抵抗素子として設けられる。 (もっと読む)


【課題】高温環境下でも正常に動作してセンサの測定値を正確に求めることができるようにする。
【解決手段】本発明のモニタリング装置1は、センサ2と、このセンサ2が接続され且つワイドバンドギャップ半導体を使用した発振器を備えたインタフェース3と、インターフェース3とは別に配置され且つインターフェース3から出力された発振信号を処理する演算装置4とを備えている。発振器は、基準となる発振信号を出力する第1発振器6aと、センサ2の出力に基づいて発振信号を出力する第2発振器6bとから構成されている。第演算装置4は、第1発振器6aからの発振信号と第2発振器6bからの発振信号とに基づいてセンサ2で測定した測定値を算出する演算部15とを備えている。 (もっと読む)


【課題】発振周波数が安定するまでに要する時間の短い発振回路及び電子機器を提供する。
【解決手段】周波数補正回路を有する共振回路と、前記共振回路の両端の間に接続された増幅回路とを備えた発振回路が提供される。前記周波数補正回路は、第1のコンデンサと、両端の電位が変動可能に前記第1のコンデンサと直列的に接続された第1のトランジスタと、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】VCOに含まれるスパイラルインダクタとMOSバラクタを接続する配線に付加される寄生インダクタ、および/または寄生容量を低減することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】LCタンクVCOは、第1および第2のスパイラルインダクタL1,L2と、第1および第2のMOSバラクタC1,C2とを備える。第1および第2のMOSバラクタC1,C2は、半導体基板に垂直な方向から見たときに、第1のスパイラルインダクタL1と第2のスパイラルインダクタL2の間の領域に配置される。 (もっと読む)


【課題】小型かつノイズ抑制に優れる発振回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる発振回路100は、インバータ1及び2、タンク回路3を有する。タンク回路3は、出力ノードOUTTと出力ノードOUTBとの間に並列に接続される。インバータ1は、ドレインが出力ノードOUTBに接続されたn型MISトランジスタM1及びp型MISトランジスタM3を有する。インバータ2は、ドレインが出力ノードOUTTに接続されたn型MISトランジスタM2及びp型MISトランジスタM4を有する。p型MISトランジスタM3及びM4のゲート端子は、それぞれ出力ノードOUTT及びOUTBと直接的に接続される。n型MISトランジスタM1及びM2のゲート端子は、それぞれ結合容量CG1及びCG2を介して出力ノードOUTT及びOUTBと接続され、抵抗CG1及びCG2を介してバイアス電圧VBIASが印加される。 (もっと読む)


【課題】低供給電圧の性能でのマイクロ波帯域における電圧制御発振器の効率を向上させるための二重正帰還電圧制御発振器を提供する。
【解決手段】2つのコルピッツ回路20、21は第1正帰還ループを提供し、第1負抵抗と等価である。NMOS交差結合ペア回路30は、第2正帰還ループを提供し第2負抵抗と等価である。2つのコルピッツ回路20、21及びNMOS交差結合ペア回路30によって生成される2つの各負抵抗は、LCタンクの寄生抵抗に対して並列に接続されている。この為2つの各負抵抗は、LCタンクの寄生抵抗をオフセットする。2つの各負抵抗が生成されるので、低電圧の稼動時において、及び、直流電流の共有において、高い負抵抗が二重正帰還電圧制御発振器10によって生成される。この為、二重正帰還電圧制御発振器10は、より低い電力下で発振可能である。 (もっと読む)


【課題】後段にフィルタを挿入しなくても、低歪みの発振波形を得ることが可能な発振器を提供する。
【解決手段】発振器100は、MOSFETである第1トランジスタM1および第2トランジスタM2を有するクロスカップルドインバータ10を備える。この発振器100は、発振動作中に、第1トランジスタM1、第2トランジスタM2それぞれのゲートソース間電圧Vgs1、Vgs2、ドレインソース間電圧Vds1、Vds2、ゲートソース間しきい値電圧Vth1、Vth2の間に、
Vds1≧Vgs1−Vth1
Vds2≧Vgs2−Vth2
なる関係が成り立つよう構成される。 (もっと読む)


【課題】周波数制御により生じるノイズを低減すると共に、制御線を減少させて消費電力および面積を削減することが可能なデジタル制御発振器を提供する。
【解決手段】発振器制御ワードに応じた発振周波数の発振信号を出力するデジタル制御発振器であって、Nビットの前記発振器制御ワードを、上位N−A(但し、A≧1で、N>A)ビットと下位Aビットに分割し、前記上位N−AビットをN−AビットのBynary制御を行う第1のコードOTWbに、前記下位Aビットを2^(A+1)−2ビットのUnary制御を行う第2のコードOTWuに変換して出力する制御手段と、前記制御手段から出力される前記第1および前記第2のコードに応じた発振周波数の発振信号を出力する発振器24と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】
発振周波数を切り替えたときの発振停止を抑制した発振回路を提供する。
【解決手段】
発振回路は,第1の基準電圧側に設けられた第1,第2のインダクタL,Lxと,第2の基準電圧と第1,第2のインダクタとの間にそれぞれ設けられゲートとドレインが交差接続された第1,第2のトランジスタP1,Px1と,第1,第2のインダクタンスそれぞれに接続され複数の周波数制御用キャパシタC0〜Cn,Cx0〜Cxnを並列に有する第1,第2のキャパシタ群と,第1,第2のキャパシタ群の対応する周波数制御用キャパシタ間に設けられ発振周波数制御信号に基づいて導通または非導通に制御される複数の第1のスイッチSW0〜SWnと,第1のスイッチの両端子と所定電圧との間にそれぞれ設けられた複数の第2のスイッチSWp,SWxpとを有し,発振周波数制御信号の切り替わり時に,導通から非導通に切り替えられる第1のスイッチの両端子に設けられた第2のスイッチが一時的に導通する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、従来の周波数逓倍器による悪い高調波抑圧比を改善し、又、周波数逓倍器からの発振周波数は、他の高調波に妨害されにくいため、周波数逓倍器装置及びその操作方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の周波数逓倍器装置は、高調波発生器、高調波抑制器及び特定高調波応用装置を含んでいる。前記高調波発生器は、基本周波数を有する入力信号を受信して、第一高調波信号成分及び第二高調波信号成分を含む高調波信号を発生させる。前記高調波抑制器は、前記高調波信号を受信して、前記第一高調波信号成分を抑制し、前記第二高調波信号成分を高める。前記周波数逓倍器装置は、高められた前記第二高調波信号成分を受信する。 (もっと読む)


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