【課題】ほぼ１つの面内に形成された駆動電極と感知電極とを備えた高電圧駆動回路を提供する。
【解決手段】装置は、駆動回路と感知回路との間の信号の転送を、駆動電極および感知電極を介して容量性手段によって行い、かつＩＧＢＴなどの高電圧装置を高電圧トランジスタを使用せずに駆動することが可能にされ、これにより高電圧ゲート駆動回路及びＩＣを製造する場合、ＳＯＩなどの高価な製造工程を使用する必要がなくなる。 （もっと読む）

電力モジュレータは複数の切換パルスジェネレータ部（２２）と、電源装置（１０）と、変圧器装置（３０）を含む。スイッチ制御部（２４）が上記複数の切換パルスジェネレータ部（２２）に接続され、それ等をターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給する。スイッチ制御部（２４）は第１のサブセットの切換パルスジェネレータ部を第１の瞬時にターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給し、第２のサブセットの切換パルスジェネレータ部を、第１の瞬時とは異なる第２の瞬時にターンオン及び／又はターンオフするための制御信号を供給するようになっている。第２のサブセットは第１のサブセットとは異なるものとする。
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【課題】当該半導体スイッチモジュールが適用された機器の誤動作や自己の故障を防止できる半導体スイッチモジュールを提供する。
【解決手段】外部からの駆動信号に含まれる所定幅以下のパルスを除去するフィルタ回路１２〜１６、と、フィルタ回路で所定幅以下のパルスが除去された駆動信号をゲート信号としてオン／オフする半導体スイッチ１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】パワー半導体素子を有する半導体集積回路装置において、プルダウン用半導体素子を確実に動作させてパワー半導体素子をオフ状態にすること。
【解決手段】プルダウン用トランジスタ２６のゲート端子と、ゲート信号を入力とするしきい値回路２５の間に、バッファ回路２９が設けられる。バッファ回路２９には、外部のバッテリー電源２３からパワー半導体素子２４の出力端子に印加される電圧が抵抗型素子２８を介して供給される。しきい値回路２５から出力されるオン信号のレベルがバッファ回路２９でプルダウン用トランジスタ２６のしきい値よりも高い電圧に変換されることによって、ゲート信号のレベルが低くても、プルダウン用トランジスタ２６が確実に動作し、パワー半導体素子２４がオフ状態となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外付け部品を要することなく、出力トランジスタのゲート電圧を適切にクランプすることが可能なゲート駆動装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るゲート駆動装置は、出力トランジスタＴｒのゲート電圧ＶＧを駆動するものであって、ゲート電圧ＶＧ（図１ではゲート電圧ＶＧの分圧電圧Ｖａ）と所定の閾値電圧Ｖｂとの高低関係を検出する電圧検出回路４１と、電圧検出回路４１の検出結果に基づいて出力トランジスタＴｒのゲートと電源電圧ＶＣＣの印加端との間を導通／遮断するスイッチ５１と、を有して成る構成とされている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の課題は、スイッチング素子の駆動回路及び電力変換装置の発熱抑制及びスイッチング時の信頼性の両立を実現することである。
【解決手段】
電圧駆動型のスイッチング素子用駆動装置であって、前記スイッチング素子のゲート電極に電気的に接続され、かつ該ゲート電極にゲート電圧を印加するための駆動回路部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧を検出する電圧検出部と、前記ゲート電極に印加されたゲート電圧の変化率を検出する電圧変化率検出部と、前記電圧検出部の検出結果及び前記電圧変化率検出部による検出結果に基づいて、前記駆動回路部を制御し、前記ゲート電極に印加されるゲート電圧を変化させるように前記駆動回路部を制御する制御回路部と、を備えるスイッチング素子用駆動装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイオード内蔵ＩＧＢＴを備えた半導体装置において、ダイオード素子とＩＧＢＴ素子のゲート信号との干渉を回避してダイオードの順方向損失増加を防止する。
【解決手段】メイン用のダイオード素子２２ａに流れる電流を電流検出用のダイオードセンス素子２２ｂおよびセンス抵抗３０にて検出する。他方、フィードバック回路部４０にてセンス抵抗３０の両端の電位差Ｖｓがモニタされると共に、当該電位差Ｖｓに基づいてダイオード素子２２ａに電流が流れているか否かが判定される。そして、ダイオード素子２２ａに電流が流れていると判定された場合、フィードバック回路部４０からＩＧＢＴ素子２１ａの駆動を停止させる停止信号がＡＮＤ回路１０に入力され、ＡＮＤ回路１０にてＩＧＢＴ素子２１ａの駆動が停止される。 （もっと読む）

【課題】 レベルシフト回路のオン耐圧について配慮し、オン耐圧を高めて破壊を防止する回路を提供することにある。
【解決手段】 高圧出力ＤＯＵＴがＨｉの状態では、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１、Ｐ型トランジスタＨＶＰ２はＯＦＦ状態、Ｎ型トランジスタＨＶＮ２、Ｐ型トランジスタＨＶＰ１はＯＮ状態であり、ＨＶＮ１のドレイン−ソース間には高電圧ＶＨが印加されている。高圧出力ＤＯＵＴをＬｏに遷移させる過程において、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１のゲート電位を一旦、ＶＤＤとＧＮＤの中間状態に置き、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１のドレイン−ソース電圧を下げた後、ゲート電圧をＶＤＤに上昇させる。これにより、Ｎ型トランジスタＨＶＮ１のドレイン−ソース間電圧が高く、且つ、ドレイン電流が大きい状態を回避し、レベルシフト回路のオン耐圧を高めて破壊を防止する。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子を強制的に遮断する際、誘導負荷の大きさによらず所望のクランプ電圧で、精度よく誘導起電力の大きさを抑制する技術を提供する。
【解決手段】ＩＧＢＴ１（スイッチング素子）のゲート−コレクタ間に第１クランプ素子３が、ゲートに放電抵抗部１６が接続される。タイマー回路７は、ＩＧＢＴ１をオン状態に駆動するオン信号の入力が所定時間以上継続すると、Ｈレベルの信号をＮＭＯＳトランジスタ２６及びゲート駆動回路９に出力する。ゲート駆動回路９は、タイマー回路７からの信号に基づいてＩＧＢＴ１をオフ状態に駆動する。ＮＭＯＳトランジスタ２６は、タイマー回路７からの信号に応答して、選択的に第２クランプ素子２８をＩＧＢＴ１のゲート−コレクタ間に接続する。 （もっと読む）

【課題】
パワーモジュールに大きな電流を流すインバータ装置であっても、高電位側ＩＧＢＴを駆動する信号の基準電位端子とゲート駆動ＩＣの基準電位端子間の逆サージを効果的に回避する。
【解決手段】
高電位側のＩＧＢＴ１２１及び低電位側のＩＧＢＴ１２３を有するＩＧＢＴモジュール１１３と、高電位側ＩＧＢＴ１２１及びＩＧＢＴ１２３を駆動する信号を出力するゲート駆動ＩＣ１０１と、ゲート駆動ＩＣ１０１の高電位側ＩＧＢＴ駆動信号用基準電位端子１０６と低電位側のＩＧＢＴ１２３のコレクタ端子１１７との間に設けられた容量１２８と、ゲート駆動ＩＣ１０１の高電位側ＩＧＢＴ駆動信号用基準電位端子１０６と高電位側ＩＧＢＴ１２１のエミッタ端子１１６との間に設けられた抵抗１２７と、を有するインバータ装置。 （もっと読む）