【課題】スイッチング素子の立ち上がりの速度を高速に維持しつつ、スイッチング素子を駆動するドライバ回路の消費電流を削減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷１０に接続されるスイッチング素子５０と、定電流を生成する定電流生成部３０と、定電流生成部３０から流れ込む定電流の大きさに応じたオン時間でスイッチング素子５０をオンするドライバ回路４０と、を備えた構成とする。そして、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間に達するまではドライバ回路４０に第１電流量の大きさの定電流を流すことでスイッチング素子５０の立ち上がりの速度を高速に維持する。また、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間が経過した後はドライバ回路４０に第１電流量よりも小さい第２電流量の定電流を流すことでドライバ回路４０の消費電流を削減する。 （もっと読む）

【課題】パワー素子にクランプ回路を接続してパワー素子の駆動端子に印加される電圧を所定電圧にクランプするに際し、スイッチング素子を駆動するための定電流の消費電流を削減できる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】クランプ回路５０は駆動端子４１に接続されており、ドライバ回路３０が駆動端子４１に定電流を流すことにより駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達すると、駆動端子４１に印加される電圧を所定電圧にクランプする。また、ドライバ回路３０は、パワー素子４０の駆動端子４１に定電流を流すことでパワー素子４０をオン駆動する。さらに、ドライバ回路３０は、駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達した後、駆動端子４１に流す定電流の電流量を、駆動端子４１に印加される電圧が所定電圧に達するまでに駆動端子４１に流す定電流の電流量よりも低減する可変定電流回路３２を備えている。 （もっと読む）

【課題】ゲート駆動信号の伝達遅延時間のばらつきを低減することができるゲート駆動回路を提供する。
【解決手段】ゲート駆動回路１は、トランス２を駆動するトランス駆動回路部３と、トランス２の一次側の駆動タイミングを生成すると共に、入力ゲート駆動信号のＯＮ状態時とＯＦＦ状態時とでトランス２の一次側駆動電圧変化率を異なるように設定するタイミング生成部４と、トランス２の二次側電圧を微分することで、トランス２の二次側電圧変化率を検出する微分回路部５と、入力ゲート駆動信号のＯＦＦ状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部６と、入力ゲート駆動信号のＯＮ状態時の微分値レベルを検出するレベル検出回路部７と、検出レベル検出回路部６，７と接続されたＲ端子及びＳ端子を有し、出力ゲート駆動信号を生成・保持するフリップフロップ回路部８とを有している。 （もっと読む）

【課題】負荷駆動装置において負荷を駆動するためのスルーレートが狙い値となるように負荷駆動装置を製造する。
【解決手段】まず、半導体基板に第１基準電源３２、スイッチング素子３４、電流生成部３５、およびオペアンプ３３を備えた駆動回路３０を形成する。この場合、第１基準電源３２の第１基準電圧を調整することにより、負荷１０に流す定電流の大きさを調整する。続いて、電流生成部３５で生成されるテール電流が大きくなるようにテール電流のトリミングを行うことでオペアンプ３３のスルーレートを調整する。これにより、オペアンプ３３がスイッチング素子３４を駆動したときに負荷１０に流れる定電流が一定値に達するまでの定電流の立ち上がりの傾きを狙い値に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】負荷を駆動するための定電流のばらつきを低減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】シャント抵抗２０の一端側をオペアンプ３４の反転入力端子に接続し、シャント抵抗２０の他端側を基準電源３２を介してオペアンプ３４の非反転入力端子に接続する。シャント抵抗２０に流れる電流は、駆動回路３０内の第１スイッチング素子３５を介して負荷１０であるＩＧＢＴのゲートに流れるようになっている。これにより、基準電源３２の基準電圧の値をＶｒｅｆとし、シャント抵抗２０の抵抗値をＲｏｕｔとし、負荷１０に流れる定電流の値をＩｃとすると、Ｖｒｅｆ＝Ｒｏｕｔ×Ｉｃとなるようにオペアンプ３４が第１スイッチング素子３５のゲートをフィードバック制御する。これにより、シャント抵抗２０に流れる電流の大きさが一定に制御され、ひいては負荷１０に流す定電流のばらつきが低減される。 （もっと読む）

【課題】小型且つ低価格な高圧パルス発生装置を提供する。
【解決手段】高圧パルス発生装置は、パルス信号を発生するパルス発生部１と、高圧側電圧ＶＤＤを生成する高圧側電源２と、低圧側電圧ＶＳＳを生成する低圧側電源３と、前記パルス信号に応じて、入力された前記高圧側電圧ＶＤＤと前記低圧側電圧ＶＳＳとを何れか一方ずつ交互に出力端子Ｏ１から出力するスイッチング部４と、前記パルス信号の周波数と、前記高圧側電圧ＶＤＤと、前記低圧側電圧ＶＳＳとを制御する制御部５と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子のオン故障や誤動作によって発生する、スイッチング素子をオフできない異常状態を検出することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障や誤動作によってオンしたときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンすると、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が低下せず、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態が発生する。このとき、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａには、正常時には流れることがない、所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れる。制御回路１２８は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに所定閾値Ｉｔｈ以上の電流が所定時間Ｔｔｈ以上流れているとき、ＩＧＢＴ１１０ｄが異常状態にあると判断する。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａのオン故障や誤動作によって発生する、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】オン駆動用抵抗１２１ｂ、１２１ｄとオフ駆動用抵抗１２２ｂ、１２２ｄの抵抗値は、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがともにオンした場合、及び、オン駆動用ＦＥＴ１２１ｃとオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがともにオンした場合に、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲート電圧が、オン電圧が増加するオン、オフの閾値電圧付近の所定範囲外であって、オン、オフの閾値電圧より低くなるように設定されている。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａ、１２１ｃのいずれかがオン故障等したときにオフ駆動用ＦＥＴ１２２ａ、１２２ｃがオンしても、オン電圧が増加してＩＧＢＴ１１０ｄの発熱が増大することなく、ＩＧＢＴ１１０ｄをオフすることができる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用スイッチング素子がオン故障等してスイッチング素子をオフできない異常状態になっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用抵抗１２１ｂの端子間電圧に基づいてオン駆動用ＦＥＴ１２１ａに流れる電流を検出する。そして、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらず、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａに電流が流れているとき、駆動用電源回路１２０の動作を停止させ、駆動用電源回路１２０からの電圧の供給を遮断する。その結果、ゲート電圧がオン、オフする閾値電圧より低くなり、ＩＧＢＴ１１０ｄがオフする。従って、オン駆動用スイッチング素子がオン故障等した場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】駆動信号がスイッチング素子のオフを指示しているにもかかわらず、制御端子の電圧が低下せず、スイッチング素子をオフできない場合であっても、スイッチング素子の熱破壊を防止できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御回路は、正常時に、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオフするタイミング（ｔ６）、オフ駆動用ＦＥＴ１２２ａがオンするタイミング（ｔ７）、及び、オン保持用ＦＥＴ１２３ａがオンするタイミング（ｔ９）の後であって、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオン指示からオフ指示に切替わるタイミング（ｔ５）から一定の時間Ｔｏｆｆの経過後に、オン保持用ＦＥＴ１２３ａをオンする（ｔ１０）。そのため、オン駆動用ＦＥＴ１２１ａがオン故障し、駆動信号がＩＧＢＴ１１０ｄのオフを指示しているにもかかわらずＩＧＢＴ１１０ｄをオフできない異常状態であっても、ＩＧＢＴ１１０ｄを確実にオフできる。従って、ＩＧＢＴ１１０ｄの熱破壊を防止できる。 （もっと読む）