【課題】半導体スイッチング素子の実動作に応じて貫通電流を防止することで動作信頼性を向上する。
【解決手段】下アーム側のＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）に流れる通電電流を測定するときに、トランジスタＱ２がＩＧＢＴ（ＢＴＵ２）の通電電流を直列抵抗Ｒ１およびＲ２の印加電圧によってセンシングする。そしてトランジスタＱ３がトランジスタＱ２の出力信号をレベルシフトする。そして、トランジスタＱ４がトランジスタＱ３のエミッタ電圧に応じてＩＧＢＴ（ＢＴＵ１）を強制的にオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】電圧駆動型半導体素子のスイッチング時に配線インダクタンスにより発生する素子間のサージ電圧を低減するためにゲート駆動回路のゲート抵抗を大きくすると、スイッチングの動作遅れ時間が長くなる。
【解決手段】電圧駆動型半導体素子のターンオフ時において、オフ信号によりゲート電荷を放電させる時にはオフ信号印加の初めに第１の抵抗体とコンデンサにより早く放電させることにより、スイッチング動作時間遅れの増加を防止し、その後第２の抵抗体に切換ることによりゲート電流を減少させることによって、素子間のサージ電圧を低減する。また、電圧駆動型半導体素子のターンオン時には、ダイオードが導通状態となることにより、該第１の抵抗体と該第２の抵抗体が並列構成となるので、前記第１の抵抗体の抵抗値により、早くゲート電荷を充電することができる。 （もっと読む）

【課題】 高電位側スイッチング素子の導通を示す第１状態から前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第２状態への遷移、または前記第２状態から前記第１状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合であっても誤信号が発生することのない半導体回路を提供する。
【解決手段】 高電位側スイッチング素子駆動回路１は、レベルシフト回路２の第１の負荷抵抗２８、２８に発生するオン側、オフ側の第１のレベルシフト済み信号Ｓ４、Ｓ５のうち少なくとものいずれか一方に信号が発生したときに、第２の負荷抵抗３０、２９に同時に発生する第２のレベルシフト済み信号Ｓ６、Ｓ７によって制御され、他方の出力が発生しないようにレベルシフトの出力を抑制する短絡手段３１、３２を有する。 （もっと読む）

【課題】 電力用半導体をターンオフするために負電圧の電源を用いない単純な構成で、ゲート閾値電圧が低い電力用半導体素子でも、高速かつ確実に遮断させることを目的とする。
【解決手段】 主端子と制御基準端子と制御端子とを有しこの制御端子と制御基準端子との間に充電される電荷を制御して主端子と制御基準端子との間を流れる電流を制御するよう構成された電力用半導体を駆動する電力用半導体の駆動回路において、電源端子とグランド端子とを有する電源を備え、電源端子と制御端子の間に充電用制御回路を、制御基準端子とグランド端子の間に充電用スイッチを、電源端子と制御基準端子の間に放電用制御回路を、制御端子とグランド端子の間に放電用スイッチを、設けた。 （もっと読む）

整流回路は、前記整流回路の整流信号出力ノードに接続された出力を有するデプレッション型半導体と、前記デプレッション型半導体のソースに接続されたカソードと前記デプレッション型半導体のゲートノードに接続されたアノードとを有するホットキャリア半導体ダイオードとを含む。前記整流回路は、前記ホットキャリア半導体ダイオードのアノードと前記デプレッション型半導体のゲートノードに接続され、交流電流（ＡＣ）入力信号を受信するように構成された交流電流（ＡＣ）入力ノードを含み得る。 （もっと読む）

【課題】リカバリサージ電圧のピーク値が大きくなるのを抑制する。
【解決手段】バッテリ２９とフィルムキャパシタ２１とトランジスタ２３，２５とゲート抵抗２４，２６とフライホイールダイオード２２と電流センサ２７と制御ユニット３０とを備え、制御ユニット３０は、電流センサ２７により検出される負荷電流が所定値以下のときにはトランジスタ２３，２５のうち一方だけ（例えば、トランジスタ２３だけ）にオンとするための信号を出力し、負荷電流が所定値より大きいときにはトランジスタ２３，２５の両方にオンとするための信号を出力する。これにより、大きなゲート抵抗を用いることなくリカバリサージ電圧のピーク値が大きくなるのを抑制することができ、ゲート抵抗による損失も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】供給される電源電圧が変動する場合であっても、電力用の半導体スイッチング素子を安定に動作させることが可能な駆動制御回路を提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子（ＩＧＢＴ）２の駆動制御回路１は、分圧回路２０と、駆動部１０と、定電圧回路３０とを備える。分圧回路２０は、直流電源４０から供給された電源電圧ＶＳを分圧し、分圧された電源電圧ＶＳを取出すための分圧ノードＮＤを有する。分圧ノードＮＤは、ＩＧＢＴ２のエミッタＥと接続される。駆動部１０は、外部から入力された制御信号ＳＧに応じて、ゲート電極Ｇを、直流電源４０の正極側の電源ノードＮＰおよび分圧ノードＮＤのいずれかと電気的に接続することによってＩＧＢＴ２をオンまたはオフにする。定電圧回路３０は、正極側の電源ノードＮＰと分圧ノードＮＤとの間に接続され、これらのノードＮＰ，ＮＤ間の電圧を一定に保つ。 （もっと読む）

【課題】
動作時間の短縮と回路の小型化を図った半導体素子の駆動装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
ハイサイド駆動回路は、最終段ハイサイド素子の制御端子に駆動制御信号を供給するためにプッシュプル接続される第１ハイサイド素子及び第１ロウサイド素子を有し、ロウサイド駆動回路は、最終段ロウサイド素子の制御端子に駆動制御信号を供給するためにプッシュプル接続される第２ハイサイド素子及び第２ロウサイド素子を有し、第１ハイサイド素子は、入力信号と第１ロウサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第１ロウサイド素子は、入力信号とロウサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第２ハイサイド素子は、入力信号とハイサイド駆動回路の出力に基づいて駆動され、第２ロウサイド素子は、入力信号と第２ハイサイド駆動回路の出力に基づいて駆動される。 （もっと読む）

【課題】レベルシフト回路の電圧変動等に起因するコモンモードノイズ発生時でもクランプすることなく、信号を伝達できるレベルシフト回路、スイッチング素子駆動回路及びインバータ装置を提供する。
【解決手段】セットパルス及びリセットパルスを発生するパルス発生回路と、セットパルスを電流に変換する第１スイッチング素子及びリセットパルスを電流に変換する第２スイッチング素子と、浮動電位側にあり、第１スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するセット用負荷及び第２スイッチング素子で電流に変換された信号を電圧に変換するリセット用負荷と、セット用負荷の信号レベルおよびリセット用負荷の信号レベルから、制御パルス信号を再生するパルス再生回路を備えるレベルシフト回路において、セット用負荷及びリセット用負荷として非線形の負荷特性を有する回路を用いる。 （もっと読む）

【課題】応答性、温度に対するロバスト性、ならびに、半導体スイッチ素子の最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間に対するフレキシブル性に優れた半導体スイッチ素子用ドライバ回路および半導体スイッチ素子の制御方法を提供する。
【解決手段】半導体スイッチ素子用ドライバ回路１０１は、フリップフロップ素子９を含む論理回路からなり、外部からのＯＮ指令Ｌ１およびＯＦＦ指令Ｌ２に従いＩＧＢＴ１０の動作信号を生成するフリップフロップ回路６と、動作信号が半導体スイッチ素子９に関する最小ＯＮ時間および最小ＯＦＦ時間の要求を満たすようにフリップフロップ素子９のセット／リセットを操作するマイコン１と、を備える。フリップフロップ回路６により、外部からのＯＮ／ＯＦＦ指令に対して高応答で動作させ、マイコン１でフリップフリップ素子９のセット・リセットを制御することで、その出力信号をマスクし、最小ＯＮ／ＯＦＦ時間を満足する。 （もっと読む）