【課題】 高電位側スイッチング素子の導通を示す第１状態から前記高電位側スイッチングデバイスの非導通を示す第２状態への遷移、または前記第２状態から前記第１状態への遷移に伴い発生する過渡的な電圧ノイズに曝された場合に発生する誤信号を確実に除去する半導体回路を提供する。
【解決手段】 高電位側スイッチング素子駆動回路１は、スイッチング素子７の導通状態を変化させる場合に第１、第２のレベルシフト素子２１、２４のオン／オフ状態を必ず同一状態にするためのフリップフロップ５２と、マスク信号Ｓ１１が確実にセット信号Ｓ９、リセット信号Ｓ１０を覆うようにするための第１、２、３の遅延回路４４、４５、４６を有する。 （もっと読む）

【課題】電力効率を低下させずに高速動作可能なスイッチング回路を提供する。
【解決手段】スイッチング回路は、入力電圧を第１の電圧に変換する第１のＤＣ／ＤＣコンバータＢ１と、制御信号に応じて第１の電圧を出力するか否か切り替える第１のスイッチ回路Ｃ１と、第１のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第１の制御回路Ｄ１と、高圧側電源に一端が、出力端子に他端が接続され、第１の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第１の能動素子Ａ１と、入力電圧を第２の電圧に変換する第２のＤＣ／ＤＣコンバータＢ２と、制御信号に応じて第１のスイッチ回路とは相補的に第２の電圧を出力するか否か切り替える第３のスイッチ回路Ｃ３と、第３のスイッチ回路からの電圧の過渡特性を制御する第２の制御回路Ｄ２と、出力端子に一端が、低圧側電源に他端が接続され、第２の制御回路からの電圧に応じてオンオフされる第２の能動素子Ａ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子をオンするために、スイッチング素子の制御端子に定電流を供給して電荷を充電するオン駆動用定電流回路の異常を検出できる電子装置を提供する。
【解決手段】制御装置１２は、オン駆動用定電流回路１２１と、オフ駆動用回路１２２と、制御回路１２８とを備えている。オン駆動用定電流回路１２１は、電流制御用ＦＥＴ１２１ａと、電流検出用抵抗１２１ｂとを有している。制御回路１２８は、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいて電流制御用ＦＥＴ１２１ａを制御し、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに定電流を流し込み、ＩＧＢＴ１１０ｄをオンする。オン駆動用定電流回路１２１の電流制御用ＦＥＴ１２１ａや電流検出用抵抗１２１ｂが故障すると、それらに流れる電流や、それらに印加される電圧が変化する。そのため、電流検出用抵抗１２１ｂの電圧に基づいてオン駆動用定電流回路１２１の異常を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】ターンオン時のゲート電流を所望の電流値に高精度に設定でき、スイッチング損失の低減が可能な電圧駆動型スイッチングデバイスの駆動回路を得る。
【解決手段】ＩＧＢＴ１のゲート端子に接続され、駆動用パルス信号２のオン／オフゲート制御信号に基づき、ＩＧＢＴ１をターンオン／ターンオフさせるゲート信号を前記ゲート端子に出力するゲート駆動定電流回路が示されている。このゲート駆動定電流回路は、正電源３とＧＮＤ電位４間に直列に接続された第１の抵抗５と第１のトランジスタ１５と第２の抵抗６と制御信号伝達トランジスタ７、および正電源３とＩＧＢＴ１のゲート端子間に直列に接続されたゲートオン抵抗８と定電流出力トランジスタ９を備え、第１のトランジスタ１５のベース端子は第１のトランジスタ１５のコレクタ端子と短絡接続されている。 （もっと読む）

【課題】オン駆動用定電流回路が故障しても、スイッチング素子の破損を抑えて駆動することができる電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】制御回路１２８は、オン駆動用定電流回路１２１が故障して、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに正常時に流れ込む電流より大きい電流が流れ込むようになったとき、オフ駆動用定電流回路１２２の電流を調整する。これにより、ＩＧＢＴ１１０ｄのゲートに流れ込む電流、及び、ゲートから引き抜く電流を調整することができる。そのため、オン駆動用定電流回路１２１が故障しても、ＩＧＢＴ１１０ｄの破損を抑えて駆動することができる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子駆動回路において、スイッチング素子のスイッチング損失を抑制する。
【解決手段】 ゲート電圧検出回路２０１は、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓを検出し、このゲート電圧がスイッチング素子１１の閾値電圧未満に設定された所定電圧未満のとき、Ｈレベルの昇圧指示信号を出力する。電圧制御回路１０３は、前記昇圧指示信号がＬレベルの間は、制御電源１０２の所定電圧Ｖ１をそのまま出力し、前記昇圧指示信号がＨレベルの間は、前記所定電圧Ｖ１を昇圧した電圧Ｖ２を出力する。駆動信号出力回路１０４は、ＰＷＭパルス出力回路１１１から出力されるＰＷＭパルスの電圧を電圧制御回路１０３から出力される電圧に増幅する。従って、駆動信号出力回路１０４からスイッチング素子１１への駆動信号は、前記ＰＷＭパルスがＨレベルになった時に、先ず昇圧された電圧Ｖ２となり、スイッチング素子１１のゲート電圧Ｖｇｓが所定電圧にまで上昇すると、所定電圧Ｖ１となる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン状態への切り替えによってこれを流れる電流が急激に大きくなると、ツェナーダイオード４０およびクランプ用スイッチング素子４２を備えて構成されるクランプ回路による対処が間に合わなくなるおそれがあること。
【解決手段】スイッチング素子Ｓ＊＃のオン操作指令に伴い、まず制限用電圧ＶＬを端子電圧とする直流電圧源２５を電源とし、定電流用スイッチング素子２７を用いてスイッチング素子Ｓ＊＃のゲート充電処理を行う。そして、所定時間が経過することで、定常用電圧ＶＨ（＞ＶＬ）を端子電圧とする直流電圧源２２を電源とし、定電圧用スイッチング素子２３を用いてスイッチング素子Ｓ＊＃のゲート充電処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ＶＭ電位のｄｖ／ｄｔに起因する上アーム電力用スイッチング素子の誤動作を抑制できるレベルシフト回路並びにこれを備えたインバータ装置を提供する。
【解決手段】支持体Ｓｉ基板上にＢＯＸ酸化膜を介しＮ型Ｓｉ活性層を形成したＳＯＩ基板により構成し、分離酸化膜により分離されＮ型ＭＯＳＦＥＴを形成する第１のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離されＰ型拡散層による拡散抵抗を形成する第２のＮ型Ｓｉ活性層、分離酸化膜により分離され上アーム制御電源の一端側に接続する第４のＮ型Ｓｉ活性層から構成され、第１のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜と第４のＮ型Ｓｉ活性層を形成する分離酸化膜は、隣接配置されるとともに、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極と拡散抵抗の第一の電極を接続し、拡散抵抗の第２の電極を上アーム制御電源の他端側に接続した。 （もっと読む）

【課題】定電流制御に異常が生じる場合、スイッチング素子S＊＃が熱破損するおそれが生じたり、スイッチング状態の切替に伴うサージが過度に大きくなったりするおそれがあること。
【解決手段】電源２０から出力される正の電荷は、異常検出用抵抗体２２、定電流用抵抗体２４および充電用スイッチング素子３２を介してスイッチング素子Ｓ＊＃のゲートに充電される。この際、定電流用抵抗体２４の電圧降下量が規定値となるように、オペアンプ３６によって充電用スイッチング素子３２のゲート電圧が操作される。異常検出用抵抗体２２の電圧降下量は、充電側異常判断部６２に取り込まれ、これに基づき定電流制御の異常の有無が判断される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング素子の立ち上がりの速度を高速に維持しつつ、スイッチング素子を駆動するドライバ回路の消費電流を削減することができる負荷駆動装置を提供する。
【解決手段】負荷１０に接続されるスイッチング素子５０と、定電流を生成する定電流生成部３０と、定電流生成部３０から流れ込む定電流の大きさに応じたオン時間でスイッチング素子５０をオンするドライバ回路４０と、を備えた構成とする。そして、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間に達するまではドライバ回路４０に第１電流量の大きさの定電流を流すことでスイッチング素子５０の立ち上がりの速度を高速に維持する。また、定電流生成部３０は、スイッチング素子５０がオンするオン時間が経過した後はドライバ回路４０に第１電流量よりも小さい第２電流量の定電流を流すことでドライバ回路４０の消費電流を削減する。 （もっと読む）