【課題】
安定的な動作を確保できる半導体回路装置、及び情報処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
半導体装置は、入力信号に遅延を与える遅延部と、前記遅延部から出力される出力信号の位相を検出する位相検出部と、前記位相検出部から出力される位相情報に基づき、前記出力信号の位相の安定動作範囲を設定する設定部と、前記安定動作範囲から位相が外れた前記出力信号の検出回数をカウントするカウンタと、前記遅延部の動作条件又は外的要因に応じて、前記カウンタのカウント数のディスカウント数を表すディスカウント信号を生成するディスカウント制御部と、前記カウンタのカウント数と前記ディスカウント信号が表すディスカウント数とに基づき、前記出力信号の位相のエラーの有無を判定するエラー判定部とを含む。 （もっと読む）

【課題】従来技術に比較して回路構成が簡単であってサイズが小さく、しかも高精度で位相補正することができるクロック生成回路を提供する。
【解決手段】基準クロックを、互いに縦続接続された複数の遅延素子により所定の遅延幅で遅延して所定の駆動クロックを発生し、上記複数の遅延素子の初段と最終段からの各駆動クロックを位相比較し、当該位相比較結果に基づいて上記複数の遅延素子の遅延量を制御することにより、上記位相比較結果の位相差が小さくなるように制御するＤＬＬ回路を備えたクロック生成回路であって、上記複数の遅延素子の初段からの駆動クロックのタイミングで、上記最終段からの駆動クロックのレベルを検出して、上記検出レベルを含む判断結果に基づいて、上記位相差が小さくなるように上記複数の遅延素子の遅延量を制御する位相オフセット手段を備えた。 （もっと読む）

【課題】 原振クロック信号を通過させる場合の遅延時間と分周クロックを生成する場合の遅延時間を等しくするために、遅延時間の算出や遅延回路の調整を行う必要がない半導体集積回路を提供する。
【解決手段】 外部制御信号ＳＥの論理値に基づいて、クロック信号ＣＬＫと外部入力信号ＳＤの何れか一方を選択して内部入力信号Ｓ０とし、クロック信号ＣＬＫの立ち下がりで内部入力信号Ｓ０をラッチして第１内部出力信号Ｓ１を生成し、クロック信号ＣＬＫの立ち上がりで内部入力信号Ｓ０をラッチして第２内部出力信号Ｓ２を生成し、クロック信号ＣＬＫまたはクロック信号ＣＬＫの遅延信号を内部制御信号Ｓ３とし、内部制御信号Ｓ３の論理値に基づいて、第１内部出力信号Ｓ１または第２内部出力信号Ｓ２の何れか一方を選択出力し、選択された一方の内部出力信号は、当該選択期間中は信号レベルが変化しない。 （もっと読む）

【課題】切り替えスイッチのオンオフに伴うノイズがバイアスラインに重畳するのを防ぐ。
【解決手段】バイアス電流が流れるバイアスラインＶＬと、バイアス電流の量を制御信号ＤＤに基づいて切り替える切り替えスイッチ７０と、制御信号ＤＤが供給される制御ラインとバイアスラインＶＬとの間の寄生容量を介して制御信号ＤＤの変化時に生じるバイアスラインＶＬの電位変動を相殺する相殺回路９１〜９３とを備える。本発明によれば、切り替えスイッチ７０のオンオフに伴ってバイアスラインＶＬに生じるノイズを相殺することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】マルチプレクサの選択から出力までの遅延を決定する方法を提供する。
【解決手段】出力リード２６、選択入力リード２５、第１データ入力リード２３および第２データ入力リード２４を有する第１のマルチプレクサ２１と、出力リード３０および選択入力リード２９を有する第２のマルチプレクサ２２とを備え、前記第１のマルチプレクサおよび前記第２のマルチプレクサは実質上同一の構造を有し、前記第２のマルチプレクサの前記出力リードは前記第１のマルチプレクサの前記選択入力リードに結合され、発振信号は前記第２のマルチプレクサの前記出力リード上に存在し、前記第１のマルチプレクサの前記出力リードは前記第２のマルチプレクサの前記選択入力リードに結合され、第１論理レベルは前記第１のマルチプレクサの前記第１データ入力リード上に常時存在し、第２論理レベルは前記第１のマルチプレクサの前記第２データ入力リード上に常時存在する回路。 （もっと読む）

【課題】立ち上がり時間と立ち下がり時間の差を解消しつつ、動作に伴う貫通電流の発生が防止されたレベルシフト回路を提供する。
【解決手段】互いに同じ回路構成を有するレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２に相補の入力信号をそれぞれ供給する入力回路と、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡する出力回路とを備える。本発明によれば、同じ回路構成を有する２つのレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２を用いるとともに、これらレベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２から出力される相補の出力信号を同相に変換した後に短絡していることから、レベルシフト回路ＬＶ１，ＬＶ２の動作速度差による貫通電流の発生がほとんど生じない。 （もっと読む）

【課題】起動時にＴＤＣにキャリブレーション処理を加えることで、時間分解能のばらつきが発生することを防ぎ、合わせて、遅延用の素子の冗長度を減らすことで回路規模の増大を防ぐ手段を提供する。
【解決手段】電源投入時等に多相発振器型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｃ及びバーニア型ＴＤＣであるＰＤＣ＿ｆのキャリブレーションを実行する。キャリブレーション時にはＰＤＣ＿ｆに入力するタイミング入力を参照クロックＣＬＫ＿ＲＥＦからＤＣＣＯの出力信号のうち一つを選択する。またデータは、先のＤＣＣＯの出力信号に隣接し、位相が進んだ出力信号とし、その間の遅延を導出する。これを全出力信号繰り返すことで、ＤＣＣＯの出力信号1周期を導出する。 （もっと読む）

【課題】再開トリガ信号を生成できないことによってリードデータの出力タイミングと外部クロック信号の同期が外れてしまうことを防止する。
【解決手段】ＤＬＬ回路１００には、当該ＤＬＬ回路１００を初期起動させるリセット信号ＲＥＳＥＴと、内部クロック信号ＬＣＬＫの内部クロック信号ＩＣＬＫに対する遅延量の制御を当該ＤＬＬ回路１００に再開させる再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴとが入力され、ＤＬＬ回路１００は、リセット信号ＲＥＳＥＴ又は再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化されたことに応じて遅延量の制御を開始し、リセット信ＲＥＳＥＴ号が活性化された後再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化される前には、当該ＤＬＬ回路１００のロック後にも遅延量の制御を継続し、再開トリガ信号ＲＥＳＴＡＲＴが活性化された後には、当該ＤＬＬ回路１００のロックに応じて遅延量の制御を停止する。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大させることなくトランジスタの閾値電圧に応じた制御電圧を精度良く生成することが可能な制御電圧生成回路を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる制御電圧生成回路は、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続された同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を参照電圧Ｖｐ１として生成する参照電圧生成部１１と、高電位側電源と低電位側電源との間に直列に接続され参照電圧生成部１１と同一導電型の複数のＭＯＳトランジスタを有し、何れかのＭＯＳトランジスタのゲートに参照電圧が供給され、何れかのＭＯＳトランジスタのドレイン電圧を制御電圧（バイアス電圧）として出力する電圧変換部１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】信号の位相を高精度に調整可能な位相調整回路、検出装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】位相調整回路は、位相主調整用のローパスフィルター２１０と、位相微調整用のハイパスフィルター２３０を含む。ローパスフィルター２１０は、周波数ｆｉｎの第１の信号が入力され、その周波数ｆｉｎにおける位相遅れ角度がＸ度（Ｘ≧０）となる周波数特性を有する。ハイパスフィルター２３０は、ローパスフィルター２１０からの出力信号ＬＱに基づく第２の信号ＧＱが入力され、周波数ｆｉｎにおける位相進み角度がＹ度（Ｙ≧０）となる周波数特性を有する。Ｙ度はＸ度よりも小さい値に設定される。 （もっと読む）