【課題】入力クロックの周波数が高まっても、第２ＤＬＬクロックＦＣＬＫ＿ＤＬＬＯＥにより、ライジング／ポーリングアウトイネーブル信号Ｒ／ＦＯＵＴＥＮを生成することができる動作マージンを確保することにより、ＤＲＡＭの動作周波数を高めることができる遅延固定ループを提供すること。
【解決手段】本発明の出力ドライバーは、遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、読み出しデータの出力に用いられる第１ＤＬＬクロックを生成し、第１タイミング遅延によってドライビングする第１ドライビング部と、前記遅延固定ループから出力されたクロックを受信し、書き込み動作時の電流消費の低減のために用いられる第２ＤＬＬクロックを生成し、前記第１タイミング遅延より少ない第２タイミング遅延によってドライビングする第２ドライビング部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のデータ入力回路における消費電力を削減すること。
【解決手段】半導体装置は、クロック信号の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの少なくともいずれか一方の近傍の期間において活性状態となる制御信号を生成して出力する制御信号生成回路と、制御信号が活性状態である期間においてデータ信号を受信可能な活性状態となり、それ以外の期間において非活性状態となるデータ入力回路と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出して、マスク解除信号に対する制御信号のセットアップ時間またはホールド時間のマージンを大きくする。
【解決手段】 モニタモード中に、通常より低い参照電位を受信回路に供給して伝送信号の論理レベルを判定することで、半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出する。検出したプロセス状態に応じて可変遅延回路を制御し、内部同期信号および外部同期信号の少なくともいずれかの遅延時間を調整する。これにより、内部同期信号に応じて生成されるマスク解除信号に対する半導体チップからの制御信号のセットアップ時間またはホールド時間を、半導体チップのプロセス状態に拘わらず一定にできる。 （もっと読む）

【課題】マスクタイミングを制御する回路規模を小さい構成で実現すること。
【解決手段】ドライブ制御コードに応じてドライブ特性が変化する第１素子と、Ｉ／Ｏバッファの特性と比例関係にあるドライブ特性の第２素子とを比較し、両素子の特性が一致するか否かを示す調整用モニタ信号を出力するドライブ調整用バッファ２０と、調整用モニタ信号に応じて、Ｉ／Ｏバッファの特性と比例関係にあるドライブ制御コードを出力するドライブ能力制御回路１４と、システムクロックに応じて、システムクロックの１クロックに相当する遅延値に対応する遅延制御コードを出力する遅延制御回路１３と、ドライブ制御コードと遅延制御コードとに基づいて遅延データを計算する遅延計算回路１６と、遅延データに基づいて、リード時のデータストローブ信号のマスクタイミングを制御するマスク制御回路１７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】位相差が減少された差動信号を生成するようにした差動信号生成回路を提供する。
【解決手段】入力信号を順次反転させて複数の遅延信号を生成するように構成されたインバータアレイと、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号とを予め設定された混合比で混合して第１の差動信号を生成するように構成された位相混合器とを備え、複数の遅延信号のうち、第１の遅延信号と第２の遅延信号との中間に該当する遅延時間を持つ第３の遅延信号を第２の差動信号として生成するように構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】消費電力を低減し、かつ回路面積も小さい位相調整回路を提供すること
【解決手段】位相調整回路１００は、複数の遅延素子回路１２１〜１２４をリング状に結合したＶＣＯ１２０を有するＰＬＬ発振回路１００を備える。また位相調整回路１００は遅延素子回路を所望の遅延量に応じた数（１２５〜１２７）だけ有し、入力信号に前記所望の遅延量を与える位相遅延回路２００、２１０を備える。ＰＬＬ発振回路１００は基準クロックの入力に応じた基準信号に、基準信号の所定周期分の遅延を与えた発振信号をＶＣＯ１２０において生成する。ＰＬＬ発振回路１００は、基準信号と、発振信号に応じた信号と、が略同位相となるように算出された遅延量に応じた遅延制御信号を遅延素子回路１２１〜１２４、及び遅延素子回路１２５〜１２７の各々に対して入力する。 （もっと読む）

【課題】クロック信号の位相を遅延させる遅延回路とその遅延量を調整する回路とを備えた半導体装置において遅延量がクロック信号の周期的なジッタの影響を受けないようにする半導体装置及び遅延量調整方法を提供する。
【解決手段】第１のクロック信号を遅延させた第２のクロック信号を出力する可変遅延回路と、可変遅延回路における遅延量を制御する制御信号を出力する遅延量調整回路と、遅延量調整回路が制御信号を更新するタイミングを決定するタイミング信号を出力するタイミング信号発生回路と、を備えた半導体装置であって、タイミング信号発生回路は連続してタイミング信号を出力するものであって、互いに隣接するタイミング信号の間隔の内、少なくとも２つの間隔が互いに異なる。 （もっと読む）

【課題】電源スイッチを非導通状態から導通状態に遷移させる時間を最適化できる半導体集積回路及びその電源スイッチ制御方法を提供する。
【解決手段】共通電源配線と、第１の回路と、それぞれ電源スイッチ制御信号に基づいて導通、非導通が制御され共通電源配線と第１の回路との間を並列に接続する複数の電源スイッチと、電源スイッチ制御信号と複数の電源スイッチとの間に接続され電源スイッチ制御信号が非導通状態から導通状態に遷移するときに電源スイッチ制御信号の遷移をそれぞれ異なった遅延時間だけ遅延させて複数の電源スイッチに伝え複数の電源スイッチをそれぞれ時間をずらして非導通状態から導通状態に遷移させる遅延回路と、各遅延回路の遅延時間の増減を制御する遅延時間制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置の動作テストに際し、ストローブ信号の発生タイミングを適切に設定する。
【解決手段】遅延回路１３２は、外部クロック信号ＣＬＫＴを遅延させることにより内部クロック信号ＤＣＬＫを出力する。位相差判定回路１４４に含まれる検出電位発生回路は、内部クロック信号ＲＤＣＬＫＴのアクティブエッジのタイミングと、目標となる外部クロック信号ＣＬＫＴのタイミングとの差分に対応する検出電位を第１ノードに発生させる。位相差判定回路１４４に含まれる基準電位発生回路は、基準電位を第２ノードに発生させる。位相制御回路１３４は、検出電位にしたがって内部クロック信号ＤＣＬＫを遅延させる。このとき、検出電位が基準電位よりも大きいときには内部クロック信号ＤＣＬＫの１回あたりの調整量が変化する。 （もっと読む）

【課題】ＥＭＩを低減する半導体集積回路、インタフェース回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路装置（１００）は、抵抗値を切り替え可能な可変抵抗部（１０）と、可変遅延部（２０）と、データ取り込み部（２６）とを具備する。抵抗値を切り替え可能な可変抵抗部（１０）は、入力されるデータ信号（ＤＴ）をダンピングする。可変遅延部（２０）は、データ信号（ＤＴ）の入力タイミングを示すクロック信号（ＣＬＫ）に変更可能な遅延を与える。データ取り込み部（２６）は、可変抵抗部（１０）によってダンピングされた信号から可変遅延部（２０）によって遅延された遅延クロック信号によって示されるタイミングでデータを取り込む。 （もっと読む）