【課題】 駆動中の論理ゲートを減らして消費電力を少なくし、クロックが通る論理ゲート数を減らしてクロック遅延を短くしたパルスエッジ選択回路と、それを使ったパルス生成回路、サンプルホールド回路及び固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 パルスエッジ選択回路が、複数のクロックから１つのクロックを選択して通過させる入力段と、前記１つのクロックをエッジ検出回路に出力する出力段とを有し、クロックの立ち下がりエッジを検出して、第１のクロックの立ち下がりエッジで立ち上がり、第２のクロックの立ち下がりエッジで立ち下がるパルスを生成するエッジ検出回路の場合に、前記出力段は、複数の入力端を有する複数のＮＯＲゲート及び複数の入力端を有する複数のＮＡＮＤゲートを交互に組み合わせて接続されており、前記第１及び第２のクロックを出力する出力ゲートにはＮＯＲゲートが使用される。立ち上がりエッジでパルスを生成する場合、出力ゲートにはＮＡＮＤゲートが使用される。 （もっと読む）

【課題】高速で遅延時間を行い、パフォーマンスを向上させる。
【解決手段】温度センサＳ１は、温度を検知し、温度情報として出力する。ＴＡＰ保持回路Ｓ２は、予め使用される周波数と電圧状態とにおいて、使用温度範囲でＤＬＬ回路Ｓ４をロックさせ、その時々の温度センサＳ１により検知された温度に対応付けて、ＤＬＬ回路Ｓ４のロック状態を初期遅延時間情報として保持する。実使用時には、ＤＬＬ回路Ｓ４は、遅延時間制御開始時に温度センサＳ１により生成された温度に対する初期遅延時間情報をＴＡＰ保持回路Ｓ２から読み出し、そのロック情報に基づいて遅延時間を開始させる。 （もっと読む）

【課題】デジタルＤＬＬ回路における消費電力を低減するとともに、ノイズによる電源電圧の変動の影響を軽減することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】デジタルＤＬＬ回路を備える半導体装置において、位相比較の間欠間隔を設定する間欠間隔設定回路を設ける。間欠間隔設定回路による間欠間隔の設定は、外部から入力される設定信号に基づいて制御する。これにより、ノイズによる電源電圧の変動の影響を軽減し、平均化された遅延素子の段数の調整が可能となる。 （もっと読む）

【課題】クロック生成回路において、カウンタ回路のスタックやロック動作の遅延を防止する。
【解決手段】位相判定信号ＰＤ０を生成する位相判定回路１２０と、位相判定信号ＰＤ０をサンプリングしこれに基づいて位相判定信号ＰＤ２を生成するサンプリング回路１３０と、位相判定信号ＰＤ２に基づいて内部クロック信号ＬＣＬＫを生成するクロック生成部１１０とを備える。サンプリング回路１３０は、サンプリング周期内に位相判定信号ＰＤ０の論理レベルが変化した場合に位相判定信号ＰＤ２を固定する連続判定回路１３２と、位相判定信号ＰＤ１がハイレベルを示すまで位相判定信号ＰＤ２をハイレベルに固定する初期動作回路１３３と、位相判定信号ＰＤ１がハイレベルを示した後、連続判定回路１３２の動作を無効化する無効化回路１３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】クロック生成回路の消費電力を低減する。
【解決手段】内部クロック信号ＬＣＬＫを生成するディレイライン１１０と、ディレイライン１１０を制御することによって内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を調整する位相制御部１２０と、位相制御部１２０の動作モードを切り替えるモード切り替え回路１３０とを備える。位相制御部１２０は、サンプリングクロック信号ＳＹＮＣＬＫ２に同期して内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を変化させる第１の動作モードと、内部クロック信号ＬＣＬＫの位相を固定させる第２の動作モードを有しており、モード切り替え回路１３０は、リフレッシュ信号ＲＥＦＢなどのトリガ信号に応答して位相制御部１２０を第１の動作モードに遷移させ、内部クロック信号ＬＣＬＫが所望の位相に達したことに応答して位相制御部１２０を第２の動作モードに遷移させる。 （もっと読む）

【課題】比較的小さな電源電圧による速度変動を高精度で抑制して比較的大きな電源電圧による速度変動を高速で抑制する。
【解決手段】半導体集積回路は、第１と第２の機能ブロックＭＯＤ００、０１、クロック生成回路ＰＬＬ、クロック供給回路ＣＳ０を具備する。第１と第２の機能ブロックＭＯＤ００、０１には、電圧値の相違する第１と第２の電源電圧ＶＤＤ００、１が供給される。ＭＯＤ００は一方の電源電圧ＶＤＤ０１が供給可能な第１の内部回路ＢＵＦ００と第１の論理回路ＭＦＦ００を含み、ＭＯＤ０１は他方の電源電圧ＶＤＤ００が供給可能な第２の内部回路ＢＵＦ０１と第２の論理回路ＭＦＦ０１を含む。クロック供給回路ＣＳ０は微調遅延段回路ＦＣ０と粗調遅延段回路ＣＣ０と位相差計測回路ＲＳＭ０を含み、ＲＳＭ０は第１と第２の動作クロック信号ＣOＵＴ００、０１の位相差に応答してＦＣ０の遅延時間ＴＦ０とＣＣ０の遅延時間ＴＣ０を制御する。 （もっと読む）

遅延ロックループ（ＤＬＬ）は、第１の信号を「遅延時間」だけ遅延させ、それによって第２の信号を生成するために、遅延線を使用する。キャパシタは、第１の信号の第１のエッジで開始して第２の信号のエッジまで続く第１の率で充電される。次いで、キャパシタは、第１の信号の別のエッジまで第２の率で放電される。制御ループは、キャパシタが充電される量が、キャパシタが放電される量と同じであるように、遅延時間を制御する。遅延時間は、一定であり、第１の信号のデューティサイクルの変動に実質的に依存しない。一例では、デューティサイクル歪み相殺（duty cycle distortion cancellation）は、第１の信号のデューティサイクルの変化に対して比例して第１の率を変更することによって達成される。別の例では、第１の率および第２の率は、第１の信号のデューティサイクルに依存しない。
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【課題】外部クロック信号が擾乱したとき、擬似ロックを検出し初期化したとき、電源を投入したとき、いずれの場合も確実にロックはずれを防止でき、レイアウトがコンパクトなＤＬＬ回路を提供する。
【解決手段】遅延同期ループ回路であって、入力クロックを、制御電圧の大きさに応じて遅延させて帰還クロックを出力する電圧制御遅延手段と、帰還クロックと基準クロックとを比較して位相差を検出し、該位相差に応じて、制御電圧を上昇させるための上昇信号と該制御電圧を下降させるための下降信号とを出力する位相比較器と、上昇信号と下降信号とに応じて制御電圧を決定し、電圧制御遅延手段に出力する制御電圧生成手段と、基準クロックと電圧制御遅延手段からの中間クロックとの論理和に基づき位相比較器をリセットする。 （もっと読む）

【課題】位相検知の誤判定を防止した高精度の位相検知回路を提供する。
【解決手段】電源線ＶＳＳ１とセンスノードＬＳＡＴ、ＬＳＡＢ間に、ｎＭＯＳトランジスタの組（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）、（Ｍ４、Ｍ５、Ｍ６）を備え、各トランジスタのゲートに内部クロックＲＣＬＫ、ＲＣＬＫのインバータＩＮＶ１による反転信号、外部ロックＣＫ、／ＣＫをそれぞれ入力し、電源線ＶＤＤ１とセンスノードＬＳＡＴ、ＬＳＡＢ間に、ｐＭＯＳトランジスタの組（ＭＰ１、ＭＰ２、ＭＰ３）、（ＭＰ４、ＭＰ５、ＭＰ６）を備え、各トランジスタのゲートにＦＣＬＫのインバータＩＮＶ２による反転信号、内部クロックＲＣＬＫ、外部ロックＣＫ、／ＣＫをそれぞれ入力し、センスノードＬＳＡＴ、ＬＳＡＢは差動アンプＡＭＰで増幅されラッチ回路Ｌ１でラッチされる。ｐＭＯＳトランジスタ（ＭＰ１１、ＭＰ１２、ＭＰ１３）はＬＳＡＴ、ＬＳＡＢをプリチャージ・イコライズする。 （もっと読む）

【課題】参照クロックの生成のために、３６０度の位相差の素子数が特定される際に、遅延素子の温度等が変化しても、特定時間が長くならないこと。
【解決手段】遅延素子の温度等の動作状況情報を取得する動作状況認識部１１０と、前記動作状況情報に対応する遅延制御情報を生成する初期遅延決定部１２０と、前記遅延制御情報による遅延クロックを生成する可変遅延回路１３０と、位相差を検出する位相比較回路１４０と、検出に応じ、３６０度の位相差の遅延制御情報を特定する遅延制御回路１５０とを含むＤＬＬ回路。 （もっと読む）