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国際特許分類[H05B33/08]の内容

電気 (1,674,590) | 他に分類されない電気技術 (122,472) | 電気加熱;他に分類されない電気照明 (50,146) | エレクトロルミネッセンス光源 (27,371) | 細部 (7,361) | 特殊な用途に適しない回路装置 (585)

国際特許分類[H05B33/08]に分類される特許

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【課題】EL素子の色のバランスが良く、なおかつ発光輝度のバランスが良い、色鮮やかな画像を表示することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】EL素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のEL素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の幅を大きくした。これによって、EL素子に流す電流を大きくしたい画素ほど、該画素のEL素子に電圧または電流を供給する引き回し配線の配線抵抗が小さくなる。配線抵抗が小さくなると、引き回し配線における電位降下が小さくなり、EL素子に流す電流を大きくすることが可能になる。なお実際のパネルでは、引き回し配線を配置するスペースは限られているので、各色における引き回し配線の幅の比を変えることで、各色のEL素子に流れる電流の大きさのバランスを取ることが可能である。 (もっと読む)


【課題】デジタル階調と時間階調とを組み合わせた駆動方法において、アドレス期間よりも短いサステイン期間を有する場合にも正常に画像(映像)の表示が可能であり、EL駆動用トランジスタが、劣化によりノーマリーオンとなった場合にも、信号線の電位を変えて動作を補償することの出来る画素を提供することを課題とする。
【解決手段】消去用TFT105のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線108に接続され、残る一方はゲート信号線106に接続されている。この構造により、EL駆動用TFT102のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線106の電位を変えることで、EL駆動用TFT102が確実に非導通状態となるように、EL駆動用TFT102のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 (もっと読む)


【課題】装置の小型化及び薄型化を図りつつ点灯制御の効率を向上させることのできる点灯装置及びそれを用いた照明装置、照明システム、並びに照明器具を提供する。
【解決手段】直流電源1からの直流電力を所望の直流電力に変換するとともに、無機LED素子又は有機EL素子から成る光源部3に点灯電力を供給する電源部4と、光源部3を流れる負荷電流が一定となるように電源部4をフィードバック制御する制御部7とを備え、電源部4は、光源部3と並列に接続される第1のスイッチング素子Q1と、光源部3と直列に接続される第2のスイッチング素子Q2とを有し、各スイッチング素子Q1,Q2のオン/オフを制御部7からの駆動制御信号によって切り換えることで光源部4に点灯電力を供給するチョッパ回路から成り、第1のスイッチング素子Q1を、ワイドギャップ半導体で形成された半導体スイッチング素子とした。 (もっと読む)


【課題】基板やゲート絶縁膜の露出表面と、ソース電極およびドレイン電極の露出表面とに、良好で均一な膜質の半導体薄膜を設けることが可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ1aは、有機材料または酸化物材料またはシリコン系材料からなるゲート絶縁膜(絶縁層)15上に、導電性酸化物材料からなる酸化物材料層17-aとこの上部の金属材料層17-bとからなるソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。そしてゲート絶縁膜(絶縁層)15とソース電極17sおよびドレイン電極17dとにおける酸化物材料層17-aとの露出面が、自己組織化膜19で覆われており、この自己組織化膜19で覆われた上部のソース電極17s−ドレイン電極17d間にわたって半導体薄膜21が設けられている。 (もっと読む)


【課題】装置の小型化及び薄型化を図りつつ点灯制御の効率を向上させることのできる点灯装置及びそれを用いた照明装置、照明システム、並びに照明器具を提供する。
【解決手段】直流電源1からの直流電力を所望の直流電力に変換するとともに、無機LED素子又は有機EL素子から成る光源部3に点灯電力を供給する電源部4と、光源部3を流れる負荷電流が一定となるように電源部4をフィードバック制御する制御部7とを備え、電源部4は、制御部7からの駆動制御信号によりオン/オフを切り換えるスイッチング素子Q1を有し、スイッチング素子Q1のオン/オフを切り換えることで光源部4に点灯電力を供給するチョッパ回路から成り、スイッチング素子Q1を、ワイドギャップ半導体で形成された半導体スイッチング素子とした。 (もっと読む)


【課題】 有機EL素子の輝度の補正を精度よく行うことができる有機EL表示装置を提供する。
【解決手段】 有機EL素子の輝度を補正する補正部を有する有機EL表示装置で、有機EL素子内の、第1電極にある第1反射面と発光面との間の光学距離Lと、第2電極にある第2反射面と第1反射面との間の光学距離Lとが、それぞれ式1と式2を満たす。
(m−Φ/(2π))×λ/2≦L≦(m+1/2−Φ/(2π))×λ/2 ・・・式1
(m+1−(Φ+Φ)/(2π))×λ/2≦L≦(m+3/2−(Φ+Φ)/(2π))×λ/2 ・・・式2
ここで、λは有機EL素子から発せられる光のスペクトルの最大ピーク波長、Φは発光層から発せられる光が第1反射面で反射する際の位相シフト量、Φは発光層から発せられる光が第2反射面で反射する際の位相シフト量、mは自然数である。 (もっと読む)


【課題】画素部の外郭側面にそれぞれ画素電源供給用FPCBが付着されてこれを通じて前記画素部の4面でそれぞれ画素電源を印加することで、画素部に供給される画素電源の電圧降下を最小化する有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】画素部が形成された有機電界発光表示パネルと、前記画素部の第1乃至第4外郭側面に位置されて、前記画素部にそれぞれ画素電源を供給するための複数の電源OLBパッドと、前記電源OLBパッドに連結されて前記画素部に画素電源を提供する画素電源線と、前記電源OLBパッドとポンディングされる画素電源供給用FPCBと、前記第1乃至第4外郭側面のうち少なくとも一つの外郭側面に位置され、前記画素部に駆動信号を供給するための複数の信号OLBパッドと、前記信号OLBパッドに連結されて前記画素部に駆動信号を提供する信号線と、前記信号OLBパッドとポンディングされる駆動ICが実装されたTCPと、を含む (もっと読む)


【課題】駆動トランジスタのしきい値電圧の変動を効果的に補償する。
【解決手段】ゲート電位Vgに応じた駆動電流を電源PVddから有機EL素子ELに流す駆動トランジスタT4を設ける。この駆動トランジスタT4と前記有機EL素子の間には駆動制御トランジスタT5を挿入配置するとともに、駆動トランジスタT4をダイオード接続するか否かを制御する短絡トランジスタT3を設ける。さらに、データラインDLからのデータ信号を駆動トランジスタT4の制御端へ供給するか否かを制御する選択トランジスタT1と、選択トランジスタT1と、駆動トランジスタT4の制御端との間にコンデンサCsを挿入配置するともに、このコンデンサCsの選択トランジスタT1側と、前記電源PVddとの間の接続をオンオフする電位制御トランジスタT2を設ける。 (もっと読む)


【課題】基板裏面からの二次ビームを原因とする干渉の影響を抑え、被照射物を均一にレーザアニールすることができ、且つスループットが良好である半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された半導体膜に、少なくとも1つのガルバノミラーとfθレンズとを用いた光学系を用いてパルス発振のレーザビームを照射する半導体装置の作製方法であって、前記基板の屈折率をn、前記基板の厚さをd(メートル)、真空中の光速をc(メートル/秒)とした場合に、前記レーザビームのパルス幅であるt(秒)を、t<2nd/cという式により算出し、前記レーザビームのパルス幅を前記算出したtの範囲から選択して、前記レーザビームを照射する。 (もっと読む)


【課題】オフ電流を抑制するとともにオン電流を確保することができる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板10と、基板の上方に形成されたゲート電極11及びゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜を介して配置されたチャネル層13と、チャネル層に接続されたバッファ層14と、バッファ層に接続され、不純物が添加された第1コンタクト層15a(15b)と、第1コンタクト層に接続され、第1コンタクト層よりも不純物濃度が高い第2コンタクト層16a(16b)と、第2コンタクト層に接続されたソース電極17S及びドレイン電極17Dとを備える。ソース電極とドレイン電極との間におけるキャリアの移動経路は、チャネル層、バッファ層、第1コンタクト層及び第2コンタクト層を経由してキャリアが移動する第1経路と、チャネル層及び第2コンタクト層を経由してキャリアが移動する第2経路とを含む。 (もっと読む)


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