ウエハ移送システム中の清浄度評価方法
【課題】半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させる。
【解決手段】ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させ、次いで、前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する。そして、計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価する。
【解決手段】ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させ、次いで、前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する。そして、計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化が進むにつれて、ウエハに付着する塵埃が前記半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性に対して高い影響を及ぼすようになってきている。したがって、前記半導体デバイスを製造するための半導体製造装置のクリーン化が重要な課題となってきている。
【０００３】
前記半導体製造装置内には、所定のウエハキャリアから前記半導体デバイスの基板となるべきウエハが随時搬入されることになるが、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内に直接ウエハを搬入すると、前記半導体製造装置の内部が一旦外気に晒されることになる。したがって、前記半導体製造装置がクリーンルーム内に設置されているとしても、前記半導体製造装置内にウエハを搬入する際に、前記半導体製造装置内が汚染されてしまうことになる。結果として、上述した半導体製造装置のクリーン化の要請に反することになる。
【０００４】
このような問題に鑑み、近年では前記ウエハキャリアと前記半導体製造装置との間に、比較的高いクリーン度に保持されたウエハ移送システムを配置し、前記ウエハキャリアからのウエハを前記ウエハ移送システム内に搬送して収納した後、前記ウエハ移送システムから前記半導体製造装置内へ前記ウエハを移送するような構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１８８３２０号公報
【０００５】
しかしながら、上記ウエハ移送システムを用いた場合においても、前記ウエハキャリアの蓋を開にして前記ウエハ移送システムと連通させて、所定のウエハを前記ウエハキャリアから前記ウエハ移送システム内に移送する際に、前記蓋の開動作に伴って多量の塵埃が生じてしまう。したがって、ウエハキャリアの所定のバッチにおいては、前記蓋の開動作に伴って、内部のウエハに多量の塵埃が付着してしまい、最終的に得る半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性を劣化させてしまうことになる。
【０００６】
かかる観点より、上記ウエハ移送システム内の清浄度を適宜モニタリングし、清浄度が劣化した場合は、前記ウエハ移送システム内を適宜清浄する必要がある。
【０００７】
従来、前記ウエハ移送システム内の清浄度のモニタリングは、例えば清浄度測定用のウエハを別途用意し、このウエハを前記ウエハ移送システム内に複数回出し入れし、前記ウエハに付着した塵埃を前記ウエハ移送システム内に出し入れした回数で除し、前記ウエハ移送システム内への１回当たりの移送において付着した塵埃の量（濃度）を計測することにより実施していた。なお、このような操作は一般にＰＷＰ（Particle Wafer per Pass）と称される。
【０００８】
しかしながら、上述したＰＷＰにおいては、その操作に対して専用のウエハを準備する必要があるとともに、通常の半導体製造工程とは別にＰＷＰ専用の工程を設ける必要があり、実質的な半導体デバイスの製造時間が長時間化してしまうという問題があった。このような観点から、従来のＰＷＰでは前記半導体デバイスの製造コストを必然的に押上げてしまう結果となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【００１２】
さらに、本発明のその他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【発明の効果】
【００１３】
上記態様によれば、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。図１に示すように、ウエハキャリア１０と半導体製造装置３０との間には、ウエハ移送システム２０が設けられている。ウエハキャリア１０は、特に明示していないものの、複数のウエハが所定の間隔で上下方向に積層されて収納されるようにして構成されている。また、その一端には、開閉自在な蓋１１が設けられている。半導体製造装置３０は、製造しようとする半導体デバイスの種類などに応じて適宜に設計され、例えばエッチング室や成膜室などの複数の処理室を有する。また、必要に応じて、ロード室及び／又はアンロード室を有することができる。
【００１６】
ウエハ移送システム２０は、通称ミニエンバイロンメントと呼ばれるウエハ搬送室２１と、その上部に設けられた清浄空気供給ユニット２２とを有している。この清浄空気供給ユニット２２は、上側にファン２２１が設けられ、下側に設けられた吹出し口２２２を介してウエハ搬送室２１内に矢印で示す方向に清浄空気が供給されるように構成されている。なお、ウエハ搬送室２１内に供給された前記清浄空気は、図示しない排気ファンを介して外部に放出されるようになっている。
【００１７】
また、ウエハ搬送室２１内には、図示しないウエハ搬送ロボットが配置され、ウエハキャリア１０から供給されたウエハを随時半導体製造装置３０内に搬入するようになっている。さらに、ウエハ移送システム２０は、ウエハ搬送室２１の外部においてウエハキャリア１０を載置するための台２３を有している。
【００１８】
さらに、ウエハキャリア１０の蓋１１側と対向する位置には、吸引チューブ１２が取り付けられ、その一端には塵埃濃度測定装置１３が取り付けられている。さらに、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ａが形成され、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１と連通したチューブ１４が設けられている。
【００１９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。ウエハキャリア１０内の体積は数十リットルであり、塵埃濃度測定装置１３による吸引量も数十リットル／分であるので、通常はウエハキャリア１０内の圧力は吸引と同時に負圧になる。一方、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１内は、清浄空気が常に供給されていることから常に加圧の状態にある。
【００２０】
したがって、このままではウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が大きくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１を開にすることができず、ウエハ移送システム２０内の塵埃を計測し、その清浄度を評価することができない。
【００２１】
しかしながら、本実施形態では、ウエハキャリア１０とウエハ搬送室２１とがチューブ１４で連通しているので、ウエハキャリア１０内の吸引による圧力低下はチューブ１４を介してウエハ搬送室２１から供給される清浄空気で補償されることになる。したがって、ウエハキャリア１０内の圧力は大きな負圧となることがなく、ウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が小さくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１の開動作を容易に行うことができるようになる。
【００２２】
上述のような構成に基づき、ウエハキャリア１０内の吸引を開始した後、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。
【００２３】
なお、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。
【００２４】
また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができる。
【００２５】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図２において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００２７】
本実施形態は、上記第１の実施形態の変形例に相当するものであって、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に直接配置されている点において、上記第１の実施形態と相違する。また、以下に説明するように、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に配置されているので、装置による吸引及び排気を同じウエハキャリア１０内で行うようになる。したがって、上記第１の実施形態のようにウエハキャリア１０内が負圧になって蓋１１の開動作を実施できなくなることがない。このような観点から、本実施形態においては、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００２８】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００２９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。この際、吸引した空気は図示しない所定のフィルターを介して同じウエハキャリア１０内に排出される。この結果、ウエハキャリア１０内の圧力変化をほとんど生じることなく、上述した吸引操作を行うことができる。
【００３０】
次に、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。
【００３１】
なお、この場合においても、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。
【００３２】
また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができるが、ウエハキャリア１０内に設置する観点から小型のものを選択する。
【００３３】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図３において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００３５】
第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態では、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。
【００３６】
上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ｃが形成されるとともに、開口部１０Ｃには受光素子２４が連結されている。さらに、受光素子２４の後方には光計測器２５が連結されており、受光素子２４で受光した光の量を計測するように構成されている。
【００３７】
本実施形態においては、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００３８】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００３９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。
【００４０】
したがって、レーザ光Ｌ１から塵埃ｄによって生成された散乱光Ｌ２を受光素子２４で受光し、電気信号に変換した後光計測器２５に送信することにより、光計測器２５では散乱光Ｌ２の光量に応じた強度の電気信号を受信することになる。すなわち、受光素子２４及び光計測器２５によって、散乱光Ｌ２の光量を計測できることになる。一方、散乱光Ｌ２の光量は、ウエハキャリア１０内に流入した塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度に応じて変化し、塵埃ｄの濃度が増大するにつれて散乱光Ｌ２の光量も増大する。
【００４１】
その結果、予め散乱光Ｌ２の光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、散乱光Ｌ２の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図４は、塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。図４（ａ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在しない場合は、光計測器２５のノイズ成分のみが観測されるのに対し、図４（ｂ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在する場合は、塵埃ｄに起因した散乱光Ｌ２が、時間の経過とともにランダムに計測されるようになる。
【００４２】
なお、受光素子２４及び光計測器２５は、ＣＣＤ素子及びそれに付随した計測器を有するＣＣＤイメージセンサなど汎用のものから適宜に選択して用いることができる。
【００４３】
また、上述のように散乱光Ｌ２を生成できるものであれば、レーザ光源を用いる必要はなく、任意の光源を使用することができる。
【００４４】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００４５】
（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図５において、図１及び図３に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００４６】
第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態でも、第３の実施形態と同様に、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。
【００４７】
上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は、レーザ光源２３及びウエハキャリア１０間に設けられた絞り２７によって適宜所定のビーム径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の蓋１１が設けられた側の側面には、受光素子２４が開口部１０Ｂと対向するようにして配置されている。
【００４８】
なお、受光素子２４は、レーザ光Ｌ１と干渉しないようにして配置された配線２８によって駆動用電源２６に接続されるとともに光計測器２５に接続されている。
【００４９】
本実施形態においても、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００５０】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００５１】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、絞り２７でビーム径を所定の径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。
【００５２】
したがって、ウエハキャリア１０内に配置された受光素子２４では、塵埃ｄの流入前後によってレーザ光源２３からのレーザ光Ｌ１の受光量が異なるようになる。すなわち、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合は、レーザ光Ｌ１はそのまま受光素子２４で受光されるようになるので、受光する光量は比較的大きくなる。一方、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、レーザ光Ｌ１は塵埃ｄによって散乱されるので、受光素子２４で受光する光量が減少することになる。結果として、受光素子２４によるレーザ光Ｌ１の受光量の減少度合いから、ウエハキャリア１０内の塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を間接的に知ることができる。
【００５３】
具体的には、受光素子２４の受光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、受光素子２４の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図６は、受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。図６から明らかなように、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合、受光素子２４における受光量はほぼ一定となるが（図６（ａ）参照）、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、受光素子得２４における受光量は、例えば塵埃ｄによる散乱により所定の測定時間において減少するような傾向を呈する（図６（ｂ）参照）。
【００５４】
なお、受光素子２４及び光計測器２５は、フォトダイオード及びそれに付随した汎用の計測器などから適宜に選択して用いることができる。また、受光素子２４の前面には必要に応じてフィルターを設けることもできる。
【００５５】
また、レーザ光源２３の代わりに他の光源をも用いることができるが、上記のようにフォトダイオードなどを受光素子２４として用いる場合は、特定の波長の光しか受光することができないので、上述のようにレーザ光源２３を用いることが好ましい。
【００５６】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００５７】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５８】
例えば、上記第１の実施形態では、チューブ１４をウエハキャリア１０の上面に取り付けたが、ウエハ搬送室２１内の清浄な空気を取り込み、吸引による負圧を補償するものであれば、任意の箇所に取り付けることができる。例えば、特に図示しないが、ウエハキャリア１０のブリージングフィルターを介して供給するようにすることもできる。
【００５９】
また、本発明は、ウエハ移送システム２０内に清浄度を評価する場合の他、その他の密閉容器であって、塵埃の発生が問題となるようなあらゆる製品及び装置の清浄度評価に対しても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図２】第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図３】第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図４】塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。
【図５】第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図６】受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。
【符号の説明】
【００６１】
１０ ウエハキャリア
１１ ウエハキャリアの蓋
１２ 吸引チューブ
１３ 塵埃濃度測定装置
１４ チューブ
２０ ウエハ移送システム
２１ ウエハ搬送室
２２ 清浄空気供給ユニット
２３ レーザ光源
２４ 受光素子
２５ 光計測器
２６ 駆動用電源
２７ 絞り
２８ 配線
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化が進むにつれて、ウエハに付着する塵埃が前記半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性に対して高い影響を及ぼすようになってきている。したがって、前記半導体デバイスを製造するための半導体製造装置のクリーン化が重要な課題となってきている。
【０００３】
前記半導体製造装置内には、所定のウエハキャリアから前記半導体デバイスの基板となるべきウエハが随時搬入されることになるが、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内に直接ウエハを搬入すると、前記半導体製造装置の内部が一旦外気に晒されることになる。したがって、前記半導体製造装置がクリーンルーム内に設置されているとしても、前記半導体製造装置内にウエハを搬入する際に、前記半導体製造装置内が汚染されてしまうことになる。結果として、上述した半導体製造装置のクリーン化の要請に反することになる。
【０００４】
このような問題に鑑み、近年では前記ウエハキャリアと前記半導体製造装置との間に、比較的高いクリーン度に保持されたウエハ移送システムを配置し、前記ウエハキャリアからのウエハを前記ウエハ移送システム内に搬送して収納した後、前記ウエハ移送システムから前記半導体製造装置内へ前記ウエハを移送するような構成を採っている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−１８８３２０号公報
【０００５】
しかしながら、上記ウエハ移送システムを用いた場合においても、前記ウエハキャリアの蓋を開にして前記ウエハ移送システムと連通させて、所定のウエハを前記ウエハキャリアから前記ウエハ移送システム内に移送する際に、前記蓋の開動作に伴って多量の塵埃が生じてしまう。したがって、ウエハキャリアの所定のバッチにおいては、前記蓋の開動作に伴って、内部のウエハに多量の塵埃が付着してしまい、最終的に得る半導体デバイスの製造歩留まりや品質、信頼性を劣化させてしまうことになる。
【０００６】
かかる観点より、上記ウエハ移送システム内の清浄度を適宜モニタリングし、清浄度が劣化した場合は、前記ウエハ移送システム内を適宜清浄する必要がある。
【０００７】
従来、前記ウエハ移送システム内の清浄度のモニタリングは、例えば清浄度測定用のウエハを別途用意し、このウエハを前記ウエハ移送システム内に複数回出し入れし、前記ウエハに付着した塵埃を前記ウエハ移送システム内に出し入れした回数で除し、前記ウエハ移送システム内への１回当たりの移送において付着した塵埃の量（濃度）を計測することにより実施していた。なお、このような操作は一般にＰＷＰ（Particle Wafer per Pass）と称される。
【０００８】
しかしながら、上述したＰＷＰにおいては、その操作に対して専用のウエハを準備する必要があるとともに、通常の半導体製造工程とは別にＰＷＰ専用の工程を設ける必要があり、実質的な半導体デバイスの製造時間が長時間化してしまうという問題があった。このような観点から、従来のＰＷＰでは前記半導体デバイスの製造コストを必然的に押上げてしまう結果となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【００１２】
さらに、本発明のその他の態様は、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法に関する。
【発明の効果】
【００１３】
上記態様によれば、半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の、塵埃に起因した清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。図１に示すように、ウエハキャリア１０と半導体製造装置３０との間には、ウエハ移送システム２０が設けられている。ウエハキャリア１０は、特に明示していないものの、複数のウエハが所定の間隔で上下方向に積層されて収納されるようにして構成されている。また、その一端には、開閉自在な蓋１１が設けられている。半導体製造装置３０は、製造しようとする半導体デバイスの種類などに応じて適宜に設計され、例えばエッチング室や成膜室などの複数の処理室を有する。また、必要に応じて、ロード室及び／又はアンロード室を有することができる。
【００１６】
ウエハ移送システム２０は、通称ミニエンバイロンメントと呼ばれるウエハ搬送室２１と、その上部に設けられた清浄空気供給ユニット２２とを有している。この清浄空気供給ユニット２２は、上側にファン２２１が設けられ、下側に設けられた吹出し口２２２を介してウエハ搬送室２１内に矢印で示す方向に清浄空気が供給されるように構成されている。なお、ウエハ搬送室２１内に供給された前記清浄空気は、図示しない排気ファンを介して外部に放出されるようになっている。
【００１７】
また、ウエハ搬送室２１内には、図示しないウエハ搬送ロボットが配置され、ウエハキャリア１０から供給されたウエハを随時半導体製造装置３０内に搬入するようになっている。さらに、ウエハ移送システム２０は、ウエハ搬送室２１の外部においてウエハキャリア１０を載置するための台２３を有している。
【００１８】
さらに、ウエハキャリア１０の蓋１１側と対向する位置には、吸引チューブ１２が取り付けられ、その一端には塵埃濃度測定装置１３が取り付けられている。さらに、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ａが形成され、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１と連通したチューブ１４が設けられている。
【００１９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。ウエハキャリア１０内の体積は数十リットルであり、塵埃濃度測定装置１３による吸引量も数十リットル／分であるので、通常はウエハキャリア１０内の圧力は吸引と同時に負圧になる。一方、ウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１内は、清浄空気が常に供給されていることから常に加圧の状態にある。
【００２０】
したがって、このままではウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が大きくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１を開にすることができず、ウエハ移送システム２０内の塵埃を計測し、その清浄度を評価することができない。
【００２１】
しかしながら、本実施形態では、ウエハキャリア１０とウエハ搬送室２１とがチューブ１４で連通しているので、ウエハキャリア１０内の吸引による圧力低下はチューブ１４を介してウエハ搬送室２１から供給される清浄空気で補償されることになる。したがって、ウエハキャリア１０内の圧力は大きな負圧となることがなく、ウエハキャリア１０内の圧力とウエハ搬送室２１内の圧力との差が小さくなって、ウエハキャリア１０の蓋１１の開動作を容易に行うことができるようになる。
【００２２】
上述のような構成に基づき、ウエハキャリア１０内の吸引を開始した後、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。
【００２３】
なお、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。
【００２４】
また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができる。
【００２５】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００２６】
（第２の実施形態）
図２は、第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図２において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００２７】
本実施形態は、上記第１の実施形態の変形例に相当するものであって、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に直接配置されている点において、上記第１の実施形態と相違する。また、以下に説明するように、塵埃濃度測定装置１３がウエハキャリア１０内に配置されているので、装置による吸引及び排気を同じウエハキャリア１０内で行うようになる。したがって、上記第１の実施形態のようにウエハキャリア１０内が負圧になって蓋１１の開動作を実施できなくなることがない。このような観点から、本実施形態においては、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００２８】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００２９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、塵埃濃度測定装置１３を駆動させ、吸引チューブ１２を介してウエハキャリア１０内の空気を常に吸引した状態としておく。この際、吸引した空気は図示しない所定のフィルターを介して同じウエハキャリア１０内に排出される。この結果、ウエハキャリア１０内の圧力変化をほとんど生じることなく、上述した吸引操作を行うことができる。
【００３０】
次に、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に吸い込まれ、さらに吸引チューブ１２を介して塵埃濃度測定装置１３内に吸い込まれるようになる。したがって、前記塵埃ｄの量を塵埃濃度測定装置１３で計測することによって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度を評価することができる。
【００３１】
なお、この場合においても、ウエハ搬送室２１内で発生する塵埃ｄは、そのほとんどがウエハキャリア１０の蓋１１の開動作に伴って、蓋１１の近傍から発生するものであるので、上述した吸引による塵埃ｄの濃度計測によって、ウエハ搬送室２１、すなわちウエハ移送システム２０の清浄度をほぼ正確に評価することができる。
【００３２】
また、塵埃濃度測定装置１３は、質量法、比色法、計数法などを利用した汎用の濃度測定装置を用いることができるが、ウエハキャリア１０内に設置する観点から小型のものを選択する。
【００３３】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００３４】
（第３の実施形態）
図３は、第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図３において、図１に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００３５】
第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態では、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。
【００３６】
上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の上面には開口部１０Ｃが形成されるとともに、開口部１０Ｃには受光素子２４が連結されている。さらに、受光素子２４の後方には光計測器２５が連結されており、受光素子２４で受光した光の量を計測するように構成されている。
【００３７】
本実施形態においては、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００３８】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００３９】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。
【００４０】
したがって、レーザ光Ｌ１から塵埃ｄによって生成された散乱光Ｌ２を受光素子２４で受光し、電気信号に変換した後光計測器２５に送信することにより、光計測器２５では散乱光Ｌ２の光量に応じた強度の電気信号を受信することになる。すなわち、受光素子２４及び光計測器２５によって、散乱光Ｌ２の光量を計測できることになる。一方、散乱光Ｌ２の光量は、ウエハキャリア１０内に流入した塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度に応じて変化し、塵埃ｄの濃度が増大するにつれて散乱光Ｌ２の光量も増大する。
【００４１】
その結果、予め散乱光Ｌ２の光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、散乱光Ｌ２の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図４は、塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。図４（ａ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在しない場合は、光計測器２５のノイズ成分のみが観測されるのに対し、図４（ｂ）に示すように、ウエハ移送システム２０内に塵埃ｄが存在する場合は、塵埃ｄに起因した散乱光Ｌ２が、時間の経過とともにランダムに計測されるようになる。
【００４２】
なお、受光素子２４及び光計測器２５は、ＣＣＤ素子及びそれに付随した計測器を有するＣＣＤイメージセンサなど汎用のものから適宜に選択して用いることができる。
【００４３】
また、上述のように散乱光Ｌ２を生成できるものであれば、レーザ光源を用いる必要はなく、任意の光源を使用することができる。
【００４４】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００４５】
（第４の実施形態）
図５は、第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。なお、図５において、図１及び図３に示す構成要素と同一又は類似の構成要素に関しては同一の参照数字を用いて表している。
【００４６】
第１の実施形態では、塵埃濃度測定装置１３を用い、ウエハキャリア１０内の空気を吸引して直接的に塵埃ｄの濃度を計測してウエハ移送システム２０の清浄度を評価したが、本実施形態でも、第３の実施形態と同様に、塵埃ｄの濃度を光学的手法を用いて間接的に計測し、ウエハ移送システム２０の清浄度を評価するようにしている。
【００４７】
上記観点から、本実施形態では、ウエハキャリア１０の蓋１１と対向する側に開口部１０Ｂを形成するとともに、その後方にレーザ光源２３を配置している。なお、レーザ光源２３から発せられたレーザ光Ｌ１は、レーザ光源２３及びウエハキャリア１０間に設けられた絞り２７によって適宜所定のビーム径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入されるようになっている。また、ウエハキャリア１０の蓋１１が設けられた側の側面には、受光素子２４が開口部１０Ｂと対向するようにして配置されている。
【００４８】
なお、受光素子２４は、レーザ光Ｌ１と干渉しないようにして配置された配線２８によって駆動用電源２６に接続されるとともに光計測器２５に接続されている。
【００４９】
本実施形態においても、第１の実施形態のように、吸引による塵埃ｄの直接的な計測を目的としているものではないので、ウエハキャリア１０内が吸引によって負圧となるようなことがない。したがって、前記負圧を補償するようなウエハキャリア１０とウエハ移送システム２０のウエハ搬送室２１とを連結するチューブ１４が設けられていない。
【００５０】
なお、その他の構成については上記第１の実施形態と同じであるので説明を省略する。
【００５１】
本実施形態におけるウエハ移送システム２０の清浄度評価は次のようにして行われる。最初に、レーザ光源２３を駆動させ、レーザ光Ｌ１を、絞り２７でビーム径を所定の径にまで絞った後、開口部１０Ｂを介してウエハキャリア１０内に導入する。次いで、ウエハキャリア１０の蓋１１を開とする。すると、ウエハ移送システム２０、すなわちウエハ搬送室２１内の塵埃ｄがウエハキャリア１０内に流入するようになる。このとき、ウエハキャリア１０内にはレーザ光Ｌ１が導入されているので、レーザ光Ｌ１は流入した塵埃ｄによって反射され、散乱される。
【００５２】
したがって、ウエハキャリア１０内に配置された受光素子２４では、塵埃ｄの流入前後によってレーザ光源２３からのレーザ光Ｌ１の受光量が異なるようになる。すなわち、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合は、レーザ光Ｌ１はそのまま受光素子２４で受光されるようになるので、受光する光量は比較的大きくなる。一方、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、レーザ光Ｌ１は塵埃ｄによって散乱されるので、受光素子２４で受光する光量が減少することになる。結果として、受光素子２４によるレーザ光Ｌ１の受光量の減少度合いから、ウエハキャリア１０内の塵埃ｄ、すなわちウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を間接的に知ることができる。
【００５３】
具体的には、受光素子２４の受光量と塵埃ｄの濃度との相関を求めておくことにより、受光素子２４の光量を計測することによって、ウエハ移送システム２０内の塵埃ｄの濃度を後に適宜間接的に同定することができるようになる。図６は、受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。図６から明らかなように、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在しない場合、受光素子２４における受光量はほぼ一定となるが（図６（ａ）参照）、ウエハキャリア１０内に塵埃ｄが存在する場合、受光素子得２４における受光量は、例えば塵埃ｄによる散乱により所定の測定時間において減少するような傾向を呈する（図６（ｂ）参照）。
【００５４】
なお、受光素子２４及び光計測器２５は、フォトダイオード及びそれに付随した汎用の計測器などから適宜に選択して用いることができる。また、受光素子２４の前面には必要に応じてフィルターを設けることもできる。
【００５５】
また、レーザ光源２３の代わりに他の光源をも用いることができるが、上記のようにフォトダイオードなどを受光素子２４として用いる場合は、特定の波長の光しか受光することができないので、上述のようにレーザ光源２３を用いることが好ましい。
【００５６】
本実施形態によれば、ＰＷＰのように別途塵埃濃度計測用のウエハを準備することなく、また、実際の半導体デバイスの製造工程において、ウエハキャリア１０からウエハ移送システム２０を介して半導体製造装置３０内にウエハを搬送する際に、前記半導体デバイスを構成するウエハを直接用いてウエハ移送システム２０内の清浄度を評価することができるので、ウエハ移送システム２０内の清浄度の評価効率を低コストで向上させることができる。
【００５７】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００５８】
例えば、上記第１の実施形態では、チューブ１４をウエハキャリア１０の上面に取り付けたが、ウエハ搬送室２１内の清浄な空気を取り込み、吸引による負圧を補償するものであれば、任意の箇所に取り付けることができる。例えば、特に図示しないが、ウエハキャリア１０のブリージングフィルターを介して供給するようにすることもできる。
【００５９】
また、本発明は、ウエハ移送システム２０内に清浄度を評価する場合の他、その他の密閉容器であって、塵埃の発生が問題となるようなあらゆる製品及び装置の清浄度評価に対しても用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図２】第２の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図３】第３の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図４】塵埃ｄの濃度と散乱光Ｌ２の光量との相関の一例を示すグラフである。
【図５】第４の実施形態におけるウエハ移送システム中の清浄度評価方法を説明するための図である。
【図６】受光素子２４における受光量の測定時間依存性を示すグラフの一例を示すものである。
【符号の説明】
【００６１】
１０ ウエハキャリア
１１ ウエハキャリアの蓋
１２ 吸引チューブ
１３ 塵埃濃度測定装置
１４ チューブ
２０ ウエハ移送システム
２１ ウエハ搬送室
２２ 清浄空気供給ユニット
２３ レーザ光源
２４ 受光素子
２５ 光計測器
２６ 駆動用電源
２７ 絞り
２８ 配線
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、
計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項２】
前記吸引は、前記ウエハキャリアの前記一端と対向する他端側から行うとともに、前記ウエハキャリアの、前記一端と異なる所定の位置に設けられた開口部を介して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと再度連通させ、前記吸引に伴う前記ウエハキャリア内の圧力減少を抑制することを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項３】
前記吸引は前記ウエハキャリア内で行い、前記塵埃の濃度を計測した後、前記吸引に伴う排気を前記ウエハキャリア内で行うことを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項４】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項５】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項１】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システム内の塵埃を前記ウエハキャリアを介して吸引し、前記塵埃の濃度を計測する工程とを具え、
計測された前記塵埃の濃度から前記ウエハ移送システム中の清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項２】
前記吸引は、前記ウエハキャリアの前記一端と対向する他端側から行うとともに、前記ウエハキャリアの、前記一端と異なる所定の位置に設けられた開口部を介して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと再度連通させ、前記吸引に伴う前記ウエハキャリア内の圧力減少を抑制することを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項３】
前記吸引は前記ウエハキャリア内で行い、前記塵埃の濃度を計測した後、前記吸引に伴う排気を前記ウエハキャリア内で行うことを特徴とする、請求項１に記載のウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項４】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記塵埃からの散乱光の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【請求項５】
半導体製造装置とウエハキャリアとの間に設けられ、前記ウエハキャリアから前記半導体製造装置内へウエハを移送するためのウエハ移送システム中の清浄度評価方法であって、
前記ウエハキャリアの一端を開放して、前記ウエハキャリアを前記ウエハ移送システムと連通させる工程と、
前記ウエハ移送システムから前記ウエハキャリア内に流入してきた塵埃に対して光照射を行い、前記光の前記塵埃を介して透過した成分の光量を計測する工程とを具え、
計測された前記光量から前記ウエハ移送システム中の塵埃の濃度を定量し、前記ウエハ移送システムの清浄度を評価することを特徴とする、ウエハ移送システム中の清浄度評価方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００９−６００２５（Ｐ２００９−６００２５Ａ）
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２２７８９９（Ｐ２００７−２２７８９９）
【出願日】平成１９年９月３日（２００７．９．３）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年３月１９日（２００９．３．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月３日（２００７．９．３）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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