本発明は、人工受容体または形成ブロックのグラジエント、グラジエントを作成する方法、およびグラジエントを使用する方法に関する。グラジエントは、１以上の形成ブロックを含み得る。グラジエントは、人工受容体または形成ブロックの濃度の変化；人工受容体または形成ブロックの同一性の変化：人工受容体または形成ブロックのトポグラフィーの変化；支持体への人工受容体または形成ブロックの結合のモードの変化；ローンまたはローン修飾因子の変化；人工受容体または形成ブロックの電荷、容量、親油性、または親水性の変化；または人工受容体または形成ブロックに対する分子記述因子の変化を含む人工受容体または形成ブロックの種々の特徴のいずれかの変化を含み得る。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体；および
少なくとも１つの形成ブロックを含む支持体の一部を含み；
ここに、該形成ブロックは支持体にカップリングし；
ここに、該形成ブロックはグラジエントを形成する形成ブロックグラジエント。
【請求項２】
該形成ブロックが、複数の形成ブロックを含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項３】
該形成ブロックの濃度の変化；
該形成ブロックの同一性の変化；
該形成ブロックのトポグラフィーの変化；
支持体への該形成ブロックの結合のモードの変化；または
ローンまたはローン修飾因子の変化
を含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項４】
該形成ブロックの電荷の変化；
該形成ブロックの容量の変化；
該形成ブロックの親油性の変化、または
該形成ブロックの親水性の変化
を含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項５】
該形成ブロックに対する分子記述子の変化を含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項６】
該グラジエントが、２、３、４、５、または６つの異なる形成ブロックを含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項７】
該支持体が固体支持体を含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項８】
支持体にカップリングした機能化されたローンおよびローンにスポットでカップリングした該形成ブロックを含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項９】
機能化されたガラス支持体を含む請求項８記載のグラジエント。
【請求項１０】
該支持体上に複数の領域を含み；
ここに、該領域は複数の形成ブロックを含み；
ここに、該形成ブロックは該支持体にカップリングし；次いで
ここに、該形成ブロックは該領域においてグラジエントを形成する請求項１記載のグラジエント。
【請求項１１】
該領域が２、３、４、５、または６つの形成ブロックを含む請求項１０記載のグラジエント。
【請求項１２】
該支持体が固体支持体を含む請求項１０記載のグラジエント。
【請求項１３】
該固体支持体の表面上に複数の領域を含む請求項１２記載のグラジエント。
【請求項１４】
該支持体にカップリングした機能化されたローンおよびローンにカップリングした該形成ブロックを含む請求項１１記載のグラジエント。
【請求項１５】
機能化されたガラス支持体を含む請求項１４記載のグラジエント。
【請求項１６】
該複数の形成ブロックが、独立して、フレームワーク、リンカー、第１の認識要素、および第２の認識要素を含む請求項１記載のグラジエント。
【請求項１７】
少なくとも１つの該形成ブロックがテザーを含む請求項１６記載のグラジエント。
【請求項１８】
該フレームワークがアミノ酸を含む請求項１６記載のグラジエント。
【請求項１９】
該アミノ酸がセリン、スレオニン、またはチロシンを含む請求項１８記載のグラジエント。
【請求項２０】
該アミノ酸がチロシンを含む請求項１８記載のグラジエント。
【請求項２１】
該リンカーが、n=1-16である式（CH₂)_nC(O)-を有する請求項１６記載のグラジエント。
【請求項２２】
該第１の認識要素および第２の認識要素が、独立して、式B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8、B9、A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7、A8、またはA9のものである請求項１６記載のグラジエント。
【請求項２３】
該支持体が支持体マトリックスを含み、該支持体マトリックスがアミンのローンを含む請求項１６記載のグラジエント。
【請求項２４】
表面；および
少なくとも１つの形成ブロックを含む表面上の領域を含み；
ここに、該形成ブロックは支持体にカップリングし；
ここに、該形成ブロックはグラジエントを形成する形成ブロックグラジエント。
【請求項２５】
形成ブロックグラジエントを作成する方法であって：
固体支持体上に領域を形成し、ここに、該領域は少なくとも１つの形成ブロックを含み、ここに、該形成ブロックはグラジエントを提供し；
該領域において、該固体支持体に、該形成ブロックをカップリングすることを特徴とする該方法。
【請求項２６】
複数の形成ブロックを、該領域において、該固体支持体にカップリングすることを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
該形成ブロックの濃度の変化；
該形成ブロックの同一性の変化；
該形成ブロックのトポグラフィーの変化；
該支持体への該形成ブロックの結合のモードの変化；または
ローンまたはローン修飾因子の変化を形成することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項２８】
該形成ブロックの電荷の変化；
該形成ブロックの容量の変化、
該形成ブロックの親油性の変化、または
該形成ブロックの親水性の変化を形成することを特徴とする請求項２５記載のグラジエント。
【請求項２９】
該形成ブロックに対する分子記述子の変化を形成することを特徴とする請求項２５記載のグラジエント。
【請求項３０】
さらに、複数の活性化された形成ブロックを混合し、該グラジエントを形成するのに、該混合物を使用することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３１】
個々の活性化された形成ブロックを、該支持体に対して適用することを特徴とする請求項２５記載の方法。
【請求項３２】
該固体支持体が、ガラスプレートまたは顕微鏡用スライドを含む請求項２５記載の方法。
【請求項３３】
該形成ブロックグラジエントをテストリガンドと接触させ；
ここに、該形成ブロックは：
支持体；および
ここに、該支持体の一部は少なくとも１つの形成ブロックを含み；
ここに、該形成ブロックは該支持体にカップリングし；
ここに、該形成ブロックはグラジエントを形成し：
該テストリガンドの結合のために、該グラジエントをモニタリングすることを特徴とする形成ブロックグラジエントを使用する方法。
【請求項３４】
該テストリガンドが蛋白質またはプロテオームを含む請求項３３記載の方法。
【請求項３５】
接触が、該テストリガンドを含む組成物を、該形成ブロックグラジエント上に流すことを含む請求項３３記載の方法。
【請求項３６】
接触が、該テストリガンドを含む組成物を、該形成ブロックグラジエントの少なくとも一部にわたり溶離することを含む請求項３３記載の方法。
【請求項３７】
該形成ブロックグラジエントが：
該形成ブロックの濃度の変化；
該形成ブロックの同一性の変化；
該形成ブロックのトポグラフィーの変化；
該支持体への該形成ブロックの結合のモードの変化；または
ローンまたはローン修飾因子の変化を含む請求項３３記載の方法。
【請求項３８】
該形成ブロックグラジエントが：
該形成ブロックの電荷の変化；
該形成ブロックの容量の変化、
該形成ブロックの親油性の変化、または
該形成ブロックの親水性の変化を含む請求項３３記載のグラジエント。
【請求項３９】
該形成ブロックグラジエントが、該形成ブロックに対する分子記述子の変化を含む請求項３３記載のグラジエント。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【図５８】

【図５９】

【図６０】

【図６１】

【図６２】

【図６３】

【図６４】

【図６５】

【図６６】

【図６７】

【図６８】

【図６９】

【図７０】

【図７１】

【図７２】

【図７３】

【図７４】

【図７５】

【図７６】

【図７７】

【図７８】

【図７９】

【図８０】

【公表番号】特表２００７−５２１４９３（Ｐ２００７−５２１４９３Ａ）
【公表日】平成１９年８月２日（２００７．８．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５４２８０４（Ｐ２００６−５４２８０４）
【出願日】平成１６年１２月２日（２００４．１２．２）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０４０５７８
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５３８３５
【国際公開日】平成１７年６月１６日（２００５．６．１６）
【出願人】（５０４３３０３１７）レセプターズ　エルエルシー (4)
【Ｆターム（参考）】