説明

セラミックヒータ

【課題】 加熱時間を短縮することができ、耐久性も向上したセラミックヒータを提供する。
【解決手段】 セラミックヒータ1は、セラミック基体2と、セラミック基体2内に埋設され、通電によって発熱する発熱抵抗体3とからなり、セラミック基体2は、外表面が、表面粗さが大きい表面粗領域4aと、表面粗さが表面粗領域4aよりも小さい表面平滑領域4bとを含む。これにより、セラミックヒータ1と被加熱物である流体との接触領域において、流体の流れを乱すことができ、セラミック基体2の外表面おける熱交換効率が向上して加熱時間を短縮することができる。さらに、流体の流れを乱すことにより、核沸騰、膜沸騰などによる局所的な温度上昇を抑制し、セラミック基体2の割れなどを防止することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、水加熱用ヒータ、酸素センサ、空燃比センサ、グロープラグ、半導体製造装置などに用いられるセラミックヒータに関する。
【背景技術】
【0002】
被加熱物を加熱するためのセラミックヒータは、耐久性を向上させるためにアルミナを主成分とするセラミック焼結体の中にタングステンなどの高融点金属の発熱抵抗体をパターンとして設ける構成が主に用いられている。
【0003】
セラミックヒータの全体形状は、平板状であるものが多く使用される(たとえば特許文献1参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】特開平7−106055号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
セラミックヒータは、その使用時に、被加熱物を所望の温度に加熱するのに時間が長くかかることがあるため、加熱時間を短縮することが求められている。また、被加熱物を加熱する際に、セラミックヒータ表面の温度分布により、被加熱物への熱の伝わりが不均一になって被加熱物に温度むらが生じてしまうことがあり、加熱中にセラミック基体が割れてしまうという問題もある。さらに、より高温での加熱冷却を繰り返すような過酷な使用環境下においても十分な耐久性を備えることが求められている。
【0006】
本発明の目的は、加熱時間を短縮することができ、耐久性も向上したセラミックヒータを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明は、外表面の少なくとも1つの面が、表面粗さが大きい表面粗領域と、表面粗さが前記表面粗領域よりも小さい表面平滑領域とを含むセラミック基体と、
前記セラミック基体内に埋設され、通電によって発熱する発熱抵抗体と、を有することを特徴とするセラミックヒータである。
【0008】
また本発明は、前記セラミック基体が、平板状であり、
前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面は、前記セラミック基体の側面であることを特徴とする。
【0009】
また本発明は、前記セラミック基体を側面から見たときに、前記表面平滑領域が、前記発熱抵抗体と重なるように配置されることを特徴とする。
【0010】
また本発明は、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面は、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とをそれぞれ2つ以上含むことを特徴とする。
【0011】
また本発明は、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面において、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とは、一方の領域が他方の領域を挟むように設けられることを特徴とする。
【0012】
また本発明は、前記セラミック基体が、面取りされている角部分か、または曲面状に形成される角部分を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【0013】
本発明のセラミックヒータによれば、セラミック基体と、セラミック基体内に埋設され、通電によって発熱する発熱抵抗体とからなり、セラミック基体は、外表面の少なくとも1つの面が、表面粗さが大きい表面粗領域と、表面粗さが前記表面粗領域よりも小さい表面平滑領域とを含む。
【0014】
これにより、セラミックヒータと被加熱物である流体との接触領域において、流体の流れを乱すことができ、セラミック基体の外表面おける熱交換効率が向上して加熱時間を短縮することができる。さらに、流体の流れを乱すことにより、核沸騰、膜沸騰などによる局所的な温度上昇を抑制し、セラミック基体の割れなどを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【0015】
【図1】本発明の第1実施形態であるセラミックヒータ1の構成を示す外観図である。
【図2】図1の切断面線A−Aで切断したセラミックヒータ1の断面図である。
【図3】本発明の第2実施形態であるセラミックヒータ10の構成を示す断面図である。
【図4】本発明の第3実施形態であるセラミックヒータ11の構成を示す断面図である。
【図5】本発明の第4実施形態であるセラミックヒータ12の構成を示す断面図である。
【図6】本発明の第5実施形態であるセラミックヒータ12の構成を示す断面図である。
【図7】カット刃30によるカットラインを形成する方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0016】
以下、本発明のセラミックヒータについて図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態であるセラミックヒータ1の構成を示す外観図である。図2は、図1の切断面線A−Aで切断したセラミックヒータ1の断面図である。
【0017】
本実施形態のセラミックヒータ1は、セラミック基体2と、セラミック基体2の内部に埋設された発熱抵抗体3とからなり、セラミック基体2の外表面の少なくとも1つの面である側面4には、表面の粗さが粗い表面粗領域4aと、表面の粗さが表面粗領域4aよりも平坦な表面平滑領域4bとが設けられる。また、本実施形態のセラミックヒータ1は、たとえば、水、油、空気などの非加熱物である流体が流れている状態で、その流体中に配置して使用するものである。したがって、セラミックヒータ1の表面に対して流体が所定の流速で流れている状態で、流体を加熱することができる。
【0018】
セラミック基体2は、複数のセラミック層21からなり、セラミック層21の間には、通電によって発熱する発熱抵抗体3が設けられる。
【0019】
またセラミック基体2の形状は、平板状に形成されたものである。発熱抵抗体3の端部には、リード部6が電気的に接続され、リード部6は、セラミック基体2の外表面に設けられたパッド部7に接続される。パッド部7には、ロウ材を介して電源配線8が接続される。電源配線8は、発熱抵抗体3に通電するための図示しない電源装置に接続される。
【0020】
発熱抵抗体3は、たとえばセラミック層21と同時焼成が可能な金属材料からなり、金属材料としてはタングステン、モリブデン、レニウムの1種または2種以上を用いることができる。また、発熱抵抗体3は、セラミック層21間の所定の領域、すなわち加熱したい領域に、たとえば、平板状または線状に設けられ、線状の場合、ミアンダ状、渦巻き状、波形状などの形状で設けられる。発熱抵抗体3の線幅は、たとえば0.1〜5mmであり、厚みは0.01〜1mmである。
【0021】
セラミック基体2は、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素などのセラミックス材料からなる。発熱抵抗体3で発生した熱は、セラミック基体2内を伝導し、セラミック基体2の外表面が加熱される。
【0022】
リード部6は、発熱抵抗体3と同じセラミック層21間に設けられ、発熱抵抗体3と同種の金属材料からなる内層配線である。リード部6とパッド部7との接続は、たとえばセラミック層21を厚み方向に外表面まで貫通するビア導体6aを設ける。
【0023】
セラミックヒータ1の全体の大きさは2〜320mm角程度であり、厚みは0.1〜10mm程度である。
【0024】
本実施形態のセラミックヒータ1は、セラミック基体2の側面4に表面粗領域4aと、表面平滑領域4bとを設けることで、セラミックヒータ1の側面4と被加熱物である流体、たとえば水との接触領域において、流体の流れを乱すことができ、セラミック基体2の側面4における熱交換効率が向上して加熱時間を短縮することができる。
【0025】
さらに、流体の流れを乱すことにより、核沸騰、膜沸騰などによる局所的な温度上昇を抑制し、セラミック基体2の割れなどを防止することができる。
【0026】
表面粗領域4aは、表面の粗さが表面平滑領域4bの表面よりも粗いものであればよいが、好ましくは、表面粗領域4aの十点平均粗さRzが3μm以上であり、表面平滑領域4b表面の十点平均粗さRzと、表面粗領域4a表面の十点平均粗さRzとの比が0.05以下である。すなわち、表面平滑領域4b表面の十点平均粗さRzと、表面粗領域4a表面の十点平均粗さRzとが、(表面平滑領域4b表面の十点平均粗さRz)/(表面粗領域4a表面の十点平均粗さRz)≦0.05を満たすことが好ましい。表面粗領域4aと表面平滑領域4b表面とが、このような表面粗さを有することで、セラミックヒータ1の側面4と被加熱物である流体との接触領域において、流体の流れを乱流とすることができ、さらに熱交換効率が向上して加熱時間をより短縮することができる。
【0027】
さらに、表面粗領域4aおよび表面平滑領域4bを、電子顕微鏡で観察したときに(倍率1000倍)、表面粗領域4aの表面凹凸の凸部分は鋭角に角張っており、表面平滑領域4bの凸部分は、曲面状で丸みを帯びた形状である。
【0028】
図3は、本発明の第2実施形態であるセラミックヒータ10の構成を示す断面図である。
本実施形態のセラミックヒータ10は、セラミック基体2を側面から見たときに、発熱抵抗体3が、表面平滑領域4bと重なるように配置される。
【0029】
本実施形態では、側面4において、中央部分に表面平滑領域4bが設けられ、表面平滑領域4bの厚み方向両側に表面粗領域4aが設けられる。発熱抵抗体3と表面平滑領域4bとの位置関係を詳細に説明すると、セラミック基体2の一方主面2aおよび他方主面2bのそれぞれから発熱抵抗体3までの距離D1,D2が、側面4において、セラミック基体2の一方主面2aおよび他方主面2bのそれぞれから表面平滑領域4bまでの距離d1,d2よりも長くなっている。
【0030】
発熱抵抗体3が発熱したときには、セラミック基体2の内部において熱膨張が生じる。発熱量が多くなり、発熱抵抗体3の熱膨張が顕著になると、主面に平行な方向であって、内部から外方に向かう大きな力がかかる。このとき、側面4では、中央部分で厚み方向に比較的大きな引っ張り応力が発生するため、セラミック基体2を側面から見たときに、発熱抵抗体3が、表面粗領域4aと重なるように配置される場合は、表面粗領域4aの凹凸部分に局所的な応力集中が起こり、表面粗領域4aでクラックが生じることがある。
【0031】
したがって、セラミック基体2の側面から見たときに、発熱抵抗体3を、表面平滑領域4bに重なる位置に設けることで、大きな引っ張り応力は、表面平滑領域4bにかかることになるので、クラックの発生を抑制することができる。
【0032】
図4は、本発明の第3実施形態であるセラミックヒータ11の構成を示す断面図である。
本実施形態のセラミックヒータ11は、セラミック基体2の1つの側面4が、表面粗領域4aと表面平滑領域4bとをそれぞれ2つ以上含んでいる。
【0033】
たとえば、側面4において、一方主面2aから他方主面2bに向かって、厚み方向に表面平滑領域4b、表面粗領域4a、表面平滑領域4b、表面粗領域4a、表面平滑領域4bの順に設けられている。
【0034】
これにより、1つ1つの表面粗領域4a、表面平滑領域4bが側面4を占める面積は、1つの側面4に、各領域をそれぞれ1つのみ含む場合に比べて小さくなる。各領域の面積を小さくすることにより、核沸騰、膜沸騰などによる局所的な温度上昇が発生し得る領域を小さくして、セラミック基体2の割れなどをさらに防止することができる。
【0035】
なお、表面粗領域4a、表面平滑領域4bは、同じ大きさである必要はなく、いずれかが大きくてもよい。また、同じ表面粗領域4aであっても、同じ大きさでなく異なる大きさであってもよく、同じ表面平滑領域4bであっても、同じ大きさでなく異なる大きさであってもよい。
【0036】
また、本実施形態では、表面粗領域4aと表面平滑領域4bのうち、一方の領域が他方の領域を挟むように設けられている。
【0037】
これにより、表面粗領域4aの近傍で発生した乱流が、さらに、一方主面2aおよび他方主面2bの近傍にまで影響を及ぼし、さらに熱交換効率が向上して加熱時間をより短縮することができる。
【0038】
図5は、本発明の第4実施形態であるセラミックヒータ12の構成を示す断面図である。
本実施形態のセラミックヒータ12は、セラミック基体2の角部分が、面取りされている。セラミック基体2の角部分が面取りされていない場合、角部分の付近で被加熱物である流体の流れが滞留する。熱交換効率は、ヒータ表面に接触する流体が更新されることで上昇し、流体が滞留してしまうと熱交換効率が低下する。
【0039】
本実施形態のように、セラミック基体2の角部分が面取りされていることで、流体が流れやすく、ヒータ表面に接触する流体が効率よく更新されるので、さらに熱交換効率が向上して加熱時間をより短縮することができる。
【0040】
図6は、本発明の第5実施形態であるセラミックヒータ13の構成を示す断面図である。
本実施形態のセラミックヒータ13は、セラミック基体2の角部分が、曲面状に形成されている。
【0041】
本実施形態では、セラミック基体2の角部分が曲面状に形成されていることで、第4実施形態と同様に、流体が流れやすく、ヒータ表面に接触する流体が効率よく更新されるので、さらに熱交換効率が向上して加熱時間をより短縮することができる。
【0042】
上記では、表面粗領域および表面平滑領域を、セラミック基体2の側面に設ける構成について説明したが、これに限らず、一方主面2a、他方主面2bに設けてもよい。主面2a,2bに設ける場合は、たとえば、主面の中央部分を表面粗領域とし、外周部を表面平滑領域としたり、表面粗領域と表面平滑領域とがストライプ状に交互に並ぶように設けてもよい。
【0043】
次に、セラミックヒータ1の製造方法について説明する。
セラミック基体2としては、酸化物セラミックス、窒化物セラミックス、炭化物セラミックスなどの絶縁性を備えたセラミックス材料を用いることができる。具体的には、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、炭化珪素などを用いることができる。これらの中でも、耐酸化性の点からは、アルミナを用いることが好ましい。
【0044】
まず、このようなセラミックス材料からなるセラミックヒータ1を作製するため、上記のセラミックス成分にSiO、CaO、MgO、ZrOなどの焼結助剤を含有させて調製したセラミックスラリーをシート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。または、上記成分を混合してプレス成型や押し出し成型などで板状や棒状の成型体を作製する。
【0045】
セラミックグリーンシートまたは成型体は、焼成によりセラミック層21となるもので一方の主面に、発熱抵抗体、リード部となる抵抗体ペーストまたは導電性ペーストのパターンをそれぞれスクリーン印刷などの手法を用いて形成する。発熱抵抗体およびリード部の材料としては、セラミックとの同時焼成によって作製が可能なタングステン、レニウム、モリブデン、レニウムとタングステンの混合物などの高融点金属を主成分とするものを用いる。抵抗体ペーストおよび導電性ペーストは、これらの高融点金属にセラミックス材料、バインダー、有機溶剤などを調合し混練することで作製できる。またこのとき、セラミックヒータ1の用途に応じて、発熱抵抗体3となる抵抗体ペーストまたは導電性ペーストのパターンの長さや折り返しパターンの距離および間隔、パターンの線幅を変更することにより、発熱抵抗体3の発熱位置や抵抗値を所望の値に設定することができる。
【0046】
そして、このパターンが形成されたセラミックグリーンシートまたは成型体に、さらに同一材質のセラミックグリーンシートまたは成型体と積層液を用いて積層して密着させることにより、内部に発熱抵抗体3およびリード部6を有するセラミック基体2となる平板状の成型体が得られる。
【0047】
次に、得られた成形体を1500℃〜1600℃程度で焼成することにより、混合層を有するセラミックヒータを作製することができる。なお、焼成は水素ガスなどの非酸化性ガス雰囲気中で行なうことが好ましい。
【0048】
ここで、表面粗領域4a、表面平滑領域4bの形成方法について説明する。形成方法には、大きく分けて、焼成前に形成する方法と焼成後に形成する方法とがある。
【0049】
たとえば、積層した平板状の成型体から製品となるセラミックヒータを複数個取りする場合には、製品の幅寸法となる間隔毎に、焼成前の成型体にカットラインを形成する。図7は、カット刃30によるカットラインを形成する方法を示す模式図である。
【0050】
成型体20に対してカットラインを形成する場合に、円径状のカット刃30を用いる。カット刃30の外周部30aは、樹脂などをコーティングし、カット刃30の内周部30bは、ブラストなどで表面を粗すか、ダイヤモンドなどを電着させたものを用いる。
【0051】
このようなカット刃30を用いて成型体20にカットラインを設けることで、カットライン浅い部分20aが表面粗領域4aとなり、深い部分20bが表面平滑領域4bとなる。
【0052】
また、成型体の表面粗領域4a、表面平滑領域4bを設けたい面に多数の微粒子をバインダー、有機溶剤などと調合し混練して作製したペーストをスクリーン印刷などで絶縁基体2となるセラミックグリーンシートあるいは成型体の面に塗布する方法がある。
【0053】
さらに他の方法としては、同様のペーストを用いたディッピング方法,スプレー方法などがある。ディッピング方法に用いるペーストは、スクリーン印刷法に用いるペーストよりも粘性を増して作製し、逆にスプレー方法で用いるペーストは、スクリーン印刷法で用いるペーストよりも粘性を下げて作製する。
【0054】
また、焼成後の形成方法としては、ブラストなどの手法を用いて表面粗領域4aを形成し、研磨などにより表面平滑領域4bを形成することができる。
【実施例】
【0055】
本発明の実施例であるセラミックヒータを以下のようにして作製した。
まず、Alを主成分とし、SiO、CaO、MgO、ZrOが合計で10質量%以内になるように調整したセラミックグリーンシートを作製した。そして、このセラミックグリーンシートの表面に、発熱抵抗体、リード部および電極パッドとなる、タングステンを主成分とする導電性ペーストを、スクリーン印刷法にてそれぞれのパターン形状で印刷した。
【0056】
パターン印刷されたセラミックグリーンシートと、印刷されていない同一材料、同一形状のセラミックグリーンシートとを、同一組成のセラミックスを分散させた積層液を塗布して積層して、平板状の成型体を得た。
【0057】
次に、この積層した平板状の成型体に、図7に示した円形のカット刃を用いて、製品の幅寸法となる間隔毎にカットラインを入れた。このときにカットラインは、発熱抵抗体が埋設されている深さまで入れた。こうして得られた板状の成型体を1500〜1600℃の還元雰囲気(窒素雰囲気)中で焼成した。
【0058】
焼成後にカットラインで分割し、セラミック基体の側面に表面粗領域、表面平滑領域が設けられたセラミックヒータを得た。なお、表面粗領域4aの十点平均粗さRzは5.0μmであり、表面平滑領域4b表面の十点平均粗さRzは0.15μmであり、(表面平滑領域4b表面の十点平均粗さRz)/(表面粗領域4a表面の十点平均粗さRz)は0.03であった。
【0059】
一方比較例は、成型体を、円形カット刃を用いずに、所望の寸法に切断して1500〜1600℃の還元雰囲気(窒素雰囲気)中で焼成した。
【0060】
次に、セラミック基体の外表面のパッド部上に電解めっきにて厚みが2〜4μmのNiめっき膜を設け、ロウ材としてAgロウを用いて、パッド部と、Niからなる直径0.8mm、長さ50mmの電源配線とを接合した。
【0061】
以上のようにして作製された実施例および比較例のセラミックヒータを、流れた状態の水中に投入して通電し、水温が20℃から80℃に到達するまでの時間を測定した。また、測定においては、それぞれ実施例、比較例のセラミックヒータに、水の温度が80℃となるような電圧を引加した。
【0062】
被加熱物(流体)の温度が80℃になる到達時間を測定すると、比較例では約150秒であったのに対し、実施例では約90秒であった。この結果から、実施例では、熱交換効率が向上して加熱時間をより短縮することができることがわかった。
【0063】
次にセラミックヒータの耐久性を確認するために、セラミックヒータに割れが生じるまで、電圧を印加した。
【0064】
比較例では、印加電圧が90Vで割れが発生したのに対し、実施例では、印加電圧170Vで割れが発生した。実施例は、より高電圧まで割れが生じず、耐久性が向上することがわかった。
【符号の説明】
【0065】
1,10,11,12,13 セラミックヒータ
2 セラミック基体
3 発熱抵抗体
4 側面
4a 表面粗領域
4b 表面平滑領域
6 リード部
6a ビア導体
7 パッド部
8 電源配線

【特許請求の範囲】
【請求項1】
外表面の少なくとも1つの面が、表面粗さが大きい表面粗領域と、表面粗さが前記表面粗領域よりも小さい表面平滑領域とを含むセラミック基体と、
前記セラミック基体内に埋設され、通電によって発熱する発熱抵抗体と、を有することを特徴とするセラミックヒータ。
【請求項2】
前記セラミック基体は、平板状であり、
前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面は、前記セラミック基体の側面であることを特徴とする請求項1記載のセラミックヒータ。
【請求項3】
前記セラミック基体を側面から見たときに、前記表面平滑領域は、前記発熱抵抗体と重なるように配置されることを特徴とする請求項2記載のセラミックヒータ。
【請求項4】
前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面は、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とをそれぞれ2つ以上含むことを特徴とする請求項1記載のセラミックヒータ。
【請求項5】
前記表面粗領域と前記表面平滑領域とを含む前記少なくとも1つの面において、前記表面粗領域と前記表面平滑領域とは、一方の領域が他方の領域を挟むように設けられることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つの記載のセラミックヒータ。
【請求項6】
前記セラミック基体は、面取りされている角部分か、または曲面状に形成される角部分を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のセラミックヒータ。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2012−216345(P2012−216345A)
【公開日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−79662(P2011−79662)
【出願日】平成23年3月31日(2011.3.31)
【出願人】(000006633)京セラ株式会社 (13,660)
【Fターム(参考)】