ダイナミックフォトリソグラフィを行うための空間光変調器及び方法
空間光変調器（１１０）は、帯域幅を低減して画像を基板（１５０）上にフォトリソグラフィ転写するように構成される。空間光変調器（１１０）は、データを記憶し相互間でデータを移動させるように構成された複数のメモリ素子（９０２）を備える。光変調素子（２１０）は、メモリ素子（９０２）のそれぞれと通信し、各メモリ素子（９０２）に記憶されているデータに応答して変化するように動作可能である。メモリ素子（９０２）は、データをメモリ素子（９０２）間で双方向にシフトするシフトレジスタとして構成することができる。各メモリ素子（９０２）はフィードバック素子（９２０）をさらに備えることができ、フィードバック素子は、光電流効果を最小化するように電圧を維持する一助とするために利用される「弱」フィードバック素子である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的にはフォトリソグラフィに関し、特にダイナミックフォトリソグラフィシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
［関連出願の相互参照］
本願は、それぞれ本願と同日に出願された特許代理人整理番号１００３０５１８、「REAL TIME IMAGE RESIZING FOR DYNAMIC DIGITAL PHOTOLITHOGRAPHY」と題する米国特許出願、特許代理人整理番号１００３１３７５、「DEFECT MITIGATION IN SPATIAL LIGHT MODULATOR USED FOR DYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY」と題する米国特許出願、及び特許代理人整理番号１００４００７０、「LIQUID CRYSTAL CELL THAT RESISTS DEGRADATION FROM CXPOSURE TO RADIATION」という名称の米国特許出願に主題により関連する。
【０００３】
［関連技術の説明］
フォトリソグラフィとは、基板上にパターン又は画像を転写する方法である。フォトリソグラフィのいくつかの工業用途としては、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、ＩＣパッケージ、平面光波回路（フォトニクス）、プリント回路基板、フレキシブル回路／ディスプレイ、及びウェハバンプ等の製品の製造が挙げられる。その最も単純な形態では、フォトリソグラフィシステムは、フォトレジスト層等の感光表面を有する基板の上に配置されたマスク又は器具に光を透過させることによって動作する。通常、マスクは、固定で不透明のパターンが表面上に刻まれた透明材料で形成される。基板表面の感光性により、マスクに接触して露光されると、マスクに刻まれたパターンが基板表面上に転写される。
【０００４】
マスクの使用は高度の精度及び反復性をもたらすが、従来の接触フォトリソグラフィシステムにはいくつかの制約がある。１つの制約は、基板のサイズをマスクのサイズ以下に制約する製造仕様である。大きな基板の場合、基板面積全体を覆うのに十分なサイズのマスクを製造して取り扱うことは困難である。これに加えて、技術が進歩したため、基板表面上にフォトリソグラフィ転写される外観（feature:特徴）のサイズは０．５μｍ以下に微細化した。このような小さな外観サイズを実現するには、より高度なシステムにおいて投射光学系を使用してマスクを基板から切り離し、転写される外観のサイズを光学的に低減することができる。しかし、光学的低減システムを使用して基板全体のパターンを転写するには、マスクのサイズは必然的に基板のサイズよりも大きいであろう。大きなマスクは扱いにくいとともに製造費が高い。大きなマスクに関連する問題を解消するために、多くのフォトリソグラフィシステムが、パターン全体の異なる部分を含む複数のマスクを使用している。パターンは、マスクに対して基板表面の位置を変えることにより基板表面上で共につなぎ合わせられる。
【０００５】
しかし、マスクを設計し、パターンをマスクに埋め込むコストは相当なものであるため、多数のマスクを製作するには法外なコストがかかり得る。同様に、頻繁な変更が行われる用途では、変更が行われる度に新しいマスクを製作することは費用効率的ではないであろう。そのため、製造業者が、変更の都度、新しいマスクを必要とすることなくマスクパターンを動的に変更可能なダイナミックフォトリソグラフィシステムが開発された。ダイナミックフォトリソグラフィシステムは一般に、空間光変調器（ＳＬＭ）を採用して、基板表面上にイメージングされるパターンを画定する。ＳＬＭは、電気信号に応答して画像のピクセルを画定する個々に制御可能な光変調素子を含む電気的に制御される装置である。
【０００６】
通常、０．５μｍ以下の外観サイズでは、数平方ｃｍ以下の面積のＳＬＭ内に数千万もの光変調素子がある。ＳＬＭサイズが小さい場合、基板の全面積のイメージングに複数回の露光が一般に必要である。ＳＬＭにより形成される画像は容易に再構成可能なため、最終画像をセクションに分け、画像セクションの１つを基板表面の適切な領域に転写するようにＳＬＭを構成し、基板とＳＬＭとの相対位置をシフトさせ、画像全体が基板表面上に転写されるまで画像セクション毎にこのプロセスを繰り返すという比較的単純なプロセスである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＳＬＭに欠陥がないと仮定するのは非現実的である。統計上、ＳＬＭの数千万もの光変調素子のうち少なくとも数個に欠陥があることになる。複数のイメージングプロセスにより、欠陥のある各光変調素子は基板表面上に多くの欠陥を生じさせることになる。欠陥のある光変調素子の影響を軽減するためのメカニズムが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［発明の概要］
本発明の実施の形態は、フォトリソグラフィシステムに使用するための空間光変調器を提供する。空間光変調器は、データを記憶し相互間でデータを移動させるように構成された複数のメモリ素子を備える。光変調素子は、各メモリ素子と通信し、各メモリ素子に記憶されているデータに応答して変化するように動作可能である。一実施の形態では、データをメモリ素子間で移動させるには、メモリ素子をシフトレジスタとして構成することができる。更なる実施の形態では、シフトレジスタ構成は、データを双方向にシフトするように構成することができる。別の実施の形態では、各メモリ素子はフィードバック素子を備えることができ、このフィードバック素子は、光電流効果を最小化するように電圧を維持する一助とするために利用することができる「弱」フィードバック素子である。
【０００９】
本発明の他の実施の形態は、画像を表すデータが、各光変調素子と通信するメモリ素子にロードされる、フォトリソグラフィを行うプロセスを提供する。光変調素子のうちの特定のものが、各メモリ素子にロードされたデータに応答して変化し、画像を基板上に転写する。データはメモリ素子間でシフトされ、光変調素子のうちの更なるものが、シフトされたデータに応答して変化し、画像を基板上に転写する。
【００１０】
フォトリソグラフィシステム内の空間光変調器のメモリ素子を通してデータをシフトすることにより、画像転写毎に空間光変調器にロードされるデータ量が低減し、それによってスループットレートが上がる。これに加えて、空間光変調器のメモリは、データを双方向に移動するように構成することができるため、基板を双方向に平行移動することができ、これによりスループットレートをさらに上げることができる。さらに、本発明は、上述した特徴及び利点に加えて、又はこれらに代えて他の特徴及び利点を有する実施の形態を提供する。こういった特徴及び利点の多くは、以下の図面を参照して以下の説明から明らかである。
【００１１】
開示する本発明について、本発明のサンプルの実施の形態を示し、参照により本明細書に援用される添付図面を参照して説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［例示的な実施形態の詳細な説明］
図１は、本発明の実施形態による、画像を基板１５０上にフォトリソグラフィ転写するダイナミックフォトリソグラフィシステム１００を示す。フォトリソグラフィシステム１００は、光１０４を出力するように動作可能な光源１０２を備える。光源１０２は、エキシマレーザ等のレーザ、又は当該技術分野において理解される他の非レーザ源であることができる。光源１０２は、ビーム整形光学系１０６に光学的に結合される。ビーム整形光学系１０６の出力は、空間光変調器１１０に向けられる光１０８である。空間光変調器１１０は、光１０８を選択的に伝達するように動作可能な光変調素子（図示せず）を備える。光変調素子については図２Ａ及び図２Ｂと併せて以下さらに詳述する。一実施形態では、光変調素子は液晶素子である。しかし、他の実施形態では、光変調素子はマイクロミラー又は反射、透過、又は別の方法で光を選択的に伝達することができる別の種類の光学素子であることを理解されたい。
【００１３】
空間光変調器１１０の出力は、光のない暗領域及び選択された光変調素子により伝達された複数の光ビーム１１２ａ〜１１２ｎ（まとめて１１２）で構成される明領域を含み、パターンを含む画像の少なくとも一部を成すようにしている。光ビーム１１２は投射光学系（projection optics）１１４に向けられ、光ビーム１１２を基板１５０上に向けるように投射光学系１１４は光学的に位置合わせされる。フォトレジスト層等の感光層（図示せず）が、基板１５０の表面上にある。感光層は、光ビーム１１２に応答して反応し、基板１５０の表面上にパターンを生成する。一実施形態では、基板１５０は走査台１２０に取り付けられて、基板１５０を空間光変調器１１０に対して任意の方向に移動させる。走査台１２０は、例えば、高精度走査台であることができる。別の実施形態では、基板１５０は静止したままであり、光学系及び／又は光ビーム１１２が基板１５０に対して移動する。いずれの構成でも、基板１５０及び空間光変調器１１０のうちのいずれか一方が他方に対して移動して、画像を基板１５０上に転写する。
【００１４】
空間光変調器１１０は、光変調素子に一意に結合されるピクセル駆動回路（図示せず）をさらに備える。ピクセル駆動回路については図２Ａ、図２Ｂ、及び図９と併せてより詳細に後述する。ピクセル駆動回路は、光変調素子の状態を定義するデータを記憶する。例えば、反射式の光変調素子は、光変調素子に関連するピクセル駆動回路にデータ（例えば、論理ローデータ値及び論理ハイデータ値）を記憶することによって、受け取った光１０８を、基板１５０上に反射させるか、又は反射させないように、反射状態又は非反射状態に選択的に変更することが可能である。実質的に、空間光変調器１１０は、基板１５０の感光層上にイメージングされるパターンを形成するダイナミックマスク（dynamic mask:動的マスク）として動作する。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂは、画像のピクセルを画定する液晶（ＬＣ）光変調素子２１０を有するＳＬＭ１１０の例を示す。図２Ａ及び図２ＢでのＳＬＭは、特定の偏光の光を選択的に反射して、１つ又は複数の特徴を含むパターン画像を基板上に転写する個々のＬＣ光変調素子２１０を備えた反射型液晶（ＬＣＯＳ：liquid crystal on silicon）ＳＬＭ１００である。図２ＡはＬＣＯＳ ＳＬＭの部分の分解組立図であり、図２ＢはＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０のＬＣ光変調素子２１０の断面図である。図２Ａに見ることができるように、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は、上にピクセル電極２１５が配置された基板２００を備える。ピクセル電極２１５は、行列配列に、又は非直交パターンに配置することができる。各ピクセル電極２１５の下の基板２００内には、上にあるピクセル電極２１５を駆動するために接続されたピクセル駆動回路２５０が配置される。基板２００の上には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電材料の層２３５が被覆された透明ガラス２３０が配置される。ＩＴＯ層２３５は、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０の共通電極である。基板２００とガラス２３０の間には、共通電極２３５とピクセル電極２１５の間に電界が確立されることに応答して反応する液晶材料の層２２０が封入される。
【００１６】
したがって、図２Ｂに示すように、ピクセル電極２１５は液晶材料２２０、共通電極２３５、ピクセル駆動回路２５０、及び偏光子２６０と併せて、画像のピクセルを画定する個々の光変調素子２１０のそれぞれを形成する。ピクセル電極２１５と共通電極２３５の間に印加される電圧に応じて、液晶材料２２０は各光変調素子２１０において、入射光の偏光状態を変化させるか、又は変化させないように反応する。光変調素子２１０はＳＬＭ１１０の偏光子２６０と併せて、特定の偏光の光を図１の基板１５０上に向けて反射させるか、又は反射させないことを可能とする。偏光子２６０は当該技術分野において既知のように１つ又は複数の偏光子を含むことを理解されたい。
【００１７】
別の実施形態では、光変調素子２１０が非２値（すなわち、完全にオン又はオフではない）状態になって「グレースケール」反射を生成するように、ピクセル電極２１５を、液晶材料２２０の不完全反応（partial reaction:部分反応）を発生させる電圧で駆動することができる。例えば、液晶材料２２０の部分反応を発生させる電圧は通常、完全に位相があっていない、すなわち位相がずれた信号をピクセル電極２１５及び共通電極２３５に印加し、それによって当該技術分野において理解されるように０パーセントと１００パーセントの間のデューティサイクルを発生させることによって生成される。
【００１８】
数個の光変調素子２１０しか図２Ａ及び図２Ｂに示していないが、各ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は通常、数千万もの光変調素子を備える。例えば、一実施形態では、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は、光変調素子の１６，３８４列×６０６行の行列を備える。このような多数の光変調素子の場合、欠陥のないＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０を製造することは難しく、また費用がかさむ。これに加えて、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０の面積は通常、数平方ｃｍ以下である。
【００１９】
このため、これより図３を参照すると、基板１５０の全面積をイメージングするには複数回の露光が一般に必要である。各露光において、最終画像３００の異なるセクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎが基板１５０の対応する領域３２０上に転写される。大きな基板１５０の場合、基板面積全体をイメージングするには基板１５０の列３２０を複数回通過する必要があり得る。精密ステージを使用する場合、各露光の位置合わせを入念に制御して、画像セクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎを共にシームレスに(seamlessly:継ぎ目なく)つなぎ合わせることができる。しかし、欠陥のある各光変調素子では、対応するピクセル欠陥３１０が基板表面上に現れる。複数回の露光により、欠陥のある各光変調素子は基板表面上にＮ個のピクセル欠陥３１０を発生させる。但し、Ｎは、最終画像３００が分けられるセクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎの数である。
【００２０】
したがって、本発明の実施形態によれば、図４に示すように、各画像セクション（例えば、図３からの画像セクション３００ａ）が画像サブセクション４００ａ〜４００ｆに分けられ、このうちの１つ又は複数が画像の一部に対応し、空間光変調器１１０の光変調素子２１０は光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆに論理的に分けられる。図４では、ＳＬＭ１１０の光変調素子２１０を行列状に配置して示す。行数及び列数は用途に依存する。光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆは、光変調素子２１０の１つ又は複数の行、光変調素子２１０の１つ又は複数の列、又はこれらの任意の組み合わせを含むことができる。例えば、図４では、光変調素子２１０の行が６つの行バンク４５０ａ〜４５０ｆに分けられた。各バンク４５０ａ〜４５０ｆは、１つのみの画像サブセクション４００ａ〜４００ｆを転写する。したがって、バンク４５０ａは画像サブセクション４００ａを転写し、バンク４５０ｂは画像サブセクション４００ｂを転写し、以下同様である。欠陥のある光変調素子の影響を最小化するために、各画像サブセクション４００ａ〜４００ｆは、ＳＬＭ１１０内の２つ以上の光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆにより複数回基板上に転写される。このプロセスを本明細書では光学的オーバーサンプリングと呼ぶ。
【００２１】
光学的オーバーサンプリングの例を図５及び図６に示す。図５は、タイムシーケンスＴ１〜Ｔ３にわたり画像の画像サブセクションをフォトリソグラフィ転写する場合の例示的なＳＬＭ１１０を示し、図６は、同じタイムシーケンスＴ１〜Ｔ３にわたり画像の転写された画像サブセクションをフォトリソグラフィにより受け取る場合の例示的な基板の部分を示す。図５では、時間Ｔ１において、画像セクション３００ａのすべての画像サブセクション４００ａ〜４００ｅが、基板への転写のためにＳＬＭ１１０の各バンク４５０ａ〜４５０ｆにロードされて示される。時間ｔ２において、画像サブセクション４００ａはＳＬＭ１１０の外へ移されており、画像サブセクション４００ｂ〜４００ｆは、ＳＬＭ１１０内のバンク４５０ａ〜４５０ｅにそれぞれ移されている。これに加えて、新しい画像セクション３００ｂの画像サブセクション５００ａがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｆにロードされている。時間Ｔ３において、画像サブセクション４００ｂはＳＬＭ１１０の外へ移され、画像サブセクション４００ｃ〜４００ｆがＳＬＭ１１０内のバンク４５０ａ〜４５０ｄにそれぞれ移されている。これに加えて、画像セクション３００ｂの画像サブセクション５００ａがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｅに移され、画像セクション３００ｂの新しい画像サブセクション５００ｂがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｆにロードされている。
【００２２】
これより図６を参照して、基板１５０の一部（例えば、列３２０）を複数の行ｒ１〜ｒｎに分けて示す。各行ｒ１〜ｒｎは、画像の画像サブセクションの１つを受け取る基板１５０の領域を画定する。各行ｒ１〜ｒｎは、随時、空間光変調器のバンク４５０ａ〜４５０ｆ（図５に示す）のうちの１つのみによって露光される。図５の考察と併せて、時間Ｔ１において、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ａが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ１〜ｒ６を覆って示される。フットプリント６００内の基板１５０の各行は、ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆ内の光変調素子の状態に応じて照明源（例えば、図１のレーザ１０２）のフラッシュ又はストロボによって露光される。その結果、画像サブセクション４００ａ〜４００ｆが各行ｒ１〜ｒ６上に転写される。時間Ｔ２において、基板１５０は空間光変調器に対して１行に等しい距離だけ移動しており、照明源の次のストロボにおいて、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ｂが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ２〜ｒ７を覆って示される。ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆに記憶されている画像サブセクション４００ｂ〜４００ｆは、基板１５０の各行ｒ２〜ｒ７上に転写される。時間Ｔ３において、基板１５０は空間光変調器に対してさらに１行移動しており、照明源の次のストロボにおいて、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ｃが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ３〜ｒ８を覆って示される。ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆに記憶されている画像サブセクション４００ｃ〜４００ｆ及び５００ａ、５００ｂは、基板１５０の各行ｒ３〜ｒ８上に転写される。一般に、基板１５０の行は基板１５０と空間光変調器との相対移動により上向きにシフトするために、空間光変調器の光変調バンクに記憶されている画像サブセクションもそれに従って、光変調バンク内で上向きにシフトする。
【００２３】
画像サブセクションをバンク４５０ａ〜４５０ｆの間で、基板１５０が空間光変調器１１０に対して移動する距離に光学的に等しい空間光変調器１１０上の距離だけ移動させることにより、各画像サブセクションは各バンク毎に基板１５０上に別個に転写され、それによって各画像サブセクションが複数回でイメージング又は転写される。６回の露光の過程で（このうちの３つのみを図６に示す）、基板１５０の各行（例えば、行ｒ１〜ｒｎ）が、空間光変調器１１０の６つの異なる組（バンク）の光変調素子により別々に６回露光される。各画像サブセクションの基板のこの「オーバーサンプリング」は、欠陥のある「オフのままの(stuck off)」光変調素子による、最終製品中の欠陥を最小化する。更なる実施形態では、欠陥のある「オンのままの(stuck on)」光変調素子による欠陥の数を低減するために、基板１５０上の感光層は２回以上の露光に等しい反応しきい値を有する。
【００２４】
したがって、光変調バンク４５０ａに欠陥のあるオン又はオフの光変調素子がある場合であっても、残りのバンク４５０ｂ〜４５０ｆのそれぞれの行及び列により対応する光変調素子に欠陥がある可能性はかなり低い。したがって、基板上に最終的に転写されるパターンに欠陥がある確率は低い。基板１５０の各領域を露光する回数は、空間光変調器内の光変調素子の数及び空間光変調器１１０を光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆに分ける様式に依存することを理解されたい。さらに、用途に応じて、基板及び画像サブセクションを更なる光学的オーバーサンプリングのために双方向に移動させることができる。
【００２５】
基板上に転写されるパターンの欠陥を低減することに加えて、光学的オーバーサンプリングはいくつかの他の利益ももたらす。オーバーサンプリングにより、基板が露光される光エネルギーの総量が、複数回の露光にわたって積分され、それによって基板上により多くのエネルギーを衝突させることができる。光学的オーバーサンプリングは、光変調素子が「オン」又は「オフ」であるような２値特性を有するＳＬＭを使用する場合に、画像にグレースケールを実現するためにも使用することができる。画像サブセクションは、露光毎に、所望のグレースケールを生成するように光変調素子の状態を変更することができる。光学的オーバーサンプリングの別の利益は、レーザベースのフォトリソグラフィシステムでのスペックルの低減である。当該技術分野において理解されるように、レーザにより発生する光のコヒーレント性質により、干渉パターンが光強度にスペックル又は空間的なばらつきを発生させ、これはリソグラフィプロセスの品質を劣化させる恐れがある。光学的オーバーサンプリングは、欠陥のある光変調素子の影響を低減するのと同じように、基板上のスペックルパターンの影響を低減する。
【００２６】
図７Ａは、本発明の実施形態による、基板の光学的オーバーサンプリングを行う例示的なフォトリソグラフィプロセス７００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック７０２において開始する。ブロック７０４において、感光層を有する基板がＳＬＭに対して位置決めされる。ブロック７０６において、感光層の領域が、ＳＬＭの第１の組の光変調素子の状態によって画定される画像の部分で露光される。ブロック７０８において、基板とＳＬＭとの相対位置が変更される。ブロック７１０において、感光層の同じ領域が、ＳＬＭの第２の組の光変調素子の状態によって画定される画像の同じ部分で露光される。一実施形態では、第２の組の光変調素子内の個々の光変調素子の状態は、第１の組の光変調素子内の対応する光変調素子の状態と同じである。別の実施形態では、第２の組の光変調素子内の個々の光変調素子の状態は、第１の組の光変調素子内の対応する光変調素子の状態から変更される。フォトリソグラフィプロセスはブロック７１２において終了する。
【００２７】
図７Ｂは、本発明の実施形態による画像の部分の複数回の転写を行う例示的なフォトリソグラフィプロセス７５０を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック７５２において開始する。ブロック７５４において、ＳＬＭに、基板の領域上にフォトリソグラフィ転写する画像の一部が提供される。ブロック７５６において、ＳＬＭは、ＳＬＭ内の第１の組の光変調素子を使用して画像の一部を基板の領域上に転写する。ブロック７５８において、ＳＬＭは、ＳＬＭ内の第２の組の光変調素子を使用して画像の一部を基板の同じ領域上に転写する。フォトリソグラフィプロセスはブロック７６０において終了する。
【００２８】
図８は、図１のフォトリソグラフィシステム１００を制御するように動作可能なコンピューティングシステム８０２の構成８００を示すブロック図である。コンピューティングシステム８０２は、ソフトウェア８０６を実行するように動作可能な処理ユニット８０４を備える。処理ユニット８０４は、いずれの種類のマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルロジックデバイス、デジタル信号プロセッサ、又は他の処理装置であってもよい。処理ユニット８０４は、メモリユニット８０８及び入出力（Ｉ／Ｏ）ユニット８１０に結合される。Ｉ／Ｏユニット８１０は有線であっても無線であってもよい。処理ユニット８０４は、記憶ユニット８１２、及びフォトリソグラフィシステム１００にタイミング信号８１６を生成するタイミング回路８１４にさらに結合される。電子ディスプレイ８２０がコンピューティングシステム８０２に拡張的に（optionaly:随意に）結合され、図１の基板１５０上にイメージングするために空間光変調器１１０に伝達する画像（又は画像の一部）３００を表示するように動作可能である。
【００２９】
一実施形態では、タイミング信号８１６は、露光サイクル中に台１２０、空間光変調器１１０、及びレーザ１０２の動作を制御する。タイミング信号８１６の例としては、画像３００の一部を表すデータ８２２を空間光変調器１１０に順次クロックするアクセス制御信号、レーザ１０２のフラッシュを開始するストロボ又は露光信号、並びに空間光変調器１１０、レーザ１０２、及び台１０２を駆動する他のクロック信号が挙げられる。プロセッサ８０４はタイミング回路８１４及びＩ／Ｏユニット８１０と通信して、データ８２２及びタイミング信号８１６を、空間光変調器１１０並びにレーザ１０２及び台１２０等のフォトリソグラフィシステム１００の他の構成要素に伝達する。例えば、露光サイクル中、データ８２２は、アクセス制御信号を使用してコンピューティングシステム８０２から空間光変調器１１０に送られ、クロック信号がＳＬＭ１１０、台１２０、及びレーザ１０２を駆動して、データ８２２に応じてＳＬＭ１１０内の光変調素子の状態を変更し、画像転写のためにＳＬＭ１１０と台１２０を位置合わせし、レーザ１０２のフラッシュを開始するストロボ又は露光信号のタイミングを制御する。
【００３０】
光学的オーバーサンプリングを実施するために、各露光サイクル中にＳＬＭ１１０に伝達されるデータ８２２は、画像の少なくとも１つの新しい画像サブセクションを含む（図４に示すように）。一実施形態では、データ８２２は新しい画像サブセクション（複数可）及び前の露光サイクル中に基板に転写された１つ又は複数の画像サブセクションの両方を含む。例えば、各画像セクションが６つの画像サブセクションに分けられる場合、データ８２２は、先に基板に転写されている５つの画像サブセクション及び１つの新しい画像サブセクションを含む。しかし、数千万もの光変調素子があり得る状態であれば、全ての画像サブセクションを表すために必要なデータ８２２をＳＬＭ１１０に毎回書き込むには、多量のデータ８２２をＩ／Ｏユニット８１０とＳＬＭ１１０の間でやりとりする必要がある。このような大きなＩ／Ｏ帯域幅により、フォトリソグラフィシステム１００の消費電力は高く、スループットスピードは制限される。
【００３１】
したがって、別の実施形態では、各露光サイクル中にＳＬＭ１１０に伝達されるデータ８２２は、帯域幅低減のために画像の新しい画像サブセクション（複数可）のみを含み、先に転送済みの画像サブセクションはいずれも含まず、それによって消費電力を低減するとともにスループットスピードを上げる。基板に先に転写済みの画像サブセクションはＳＬＭ１１０内に記憶され、ＳＬＭ１１０内部で移動する。
【００３２】
図９は、リソグラフィプロセス中に内部でデータを移動することができる例示的な空間光変調器１１０の部分概略図である。ＳＬＭは光変調素子２１０のアレイ９００を備え、各光変調素子２１０は、光変調素子２１０により画定されるピクセルの状態の制御を少なくとも部分的に担当する関連のピクセルコントローラ９０４と通信する、図２Ａ及び図２Ｂのピクセル駆動回路２５０の少なくとも一部に対応するメモリ素子９０２を備える。図９では、各メモリ素子９０２は、入力ライン９０６及びフォワードアクセス制御素子９０８を含むスタティック（static:静的な）メモリ素子である。図示の例では、フォワードアクセス制御素子９０８は、シフトフォワード動作中にフォワードアクセス制御素子９０８の状態を制御するように動作可能なフォワードアクセス制御ライン９１０を有するトランジスタである。各メモリ素子９０２は、シフトリバース動作中にリバースアクセス制御素子９１２の状態を制御するように動作可能なリバースアクセス制御ライン９１４を有するリバースアクセス制御素子９１２をさらに備える。したがって、メモリ素子９０２は、データをアレイ９００の隣接する列の間で双方向にシフトするように構成される。これに加えて、アレイ９００内の光変調素子２１０の単一の行しか示していないが、メモリ素子９０２は、データをアレイ９００の隣接する、又は隣接しない行及び／又は列の間で双方向にシフトするようにさらに構成可能なことを理解されたい。
【００３３】
フォワードアクセス制御素子９０８及びリバースアクセス制御素子９１２のそれぞれの共通ノード９１６が、メモリセル９１７に結合される。一実施形態では、メモリセル９１７は画像の１つのピクセルを表すデータを記憶するために利用される双安定回路又はスタティックラッチである。メモリセル９１７は、リプルクロック（ripple clock：脈動的なクロック）を使用してデータをメモリセル９１７間で伝搬させるラッチ（すなわち、スイッチ及びバックツーバック（back-to-back：相互補完の）インバータ）として実施されて示される。リプルクロックについては図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して以下さらに詳細に説明する。しかし、他の実施形態では、メモリセル９１７は、データをメモリセル９１７間で伝搬するためにリプルクロックを必要としないマスタ−スレーブフリップフロップとして実施することができる。
【００３４】
各メモリセル９１７は、フォワードインバータ９１８及びフィードバックインバータ９２０を備える。フィードバックインバータ９２０は、現在の状態（すなわち、ロー状態又はハイ状態）を安定位置に向けて補強するために利用される「弱」フィードバック素子である。したがって、共通ノード９１６がロー電圧レベル（すなわち、ロー状態）である場合、フォワードインバータ９１８は、出力ノード９２２に結合された出力においてロー状態をハイ状態に反転させる。出力ノード９２２でのハイ状態はフィードバックインバータ９２０への入力であり、フィードバックインバータ９２０はノード９１６上にロー電圧レベルを出力する。弱フィードバックインバータ９２０から出力されたロー電圧レベルは、ノード９１６上のロー状態を補強するが、制御はしない。同様に、弱フィードバックインバータ９２０から出力されたハイ電圧レベルは、ノード９１６上のハイ状態を補強するが、制御はしない。
【００３５】
出力ノード９２２はピクセルコントローラ９０４に結合され、これもまた光変調素子２１０の出力ノードである。一実施形態では、ピクセルコントローラ９０４は、ＬＣ光変調素子のピクセル電極（図２Ａ及び図２Ｂに示す２１５）である。出力ノード９２２上の電圧レベルは、ＬＣ光変調素子のピクセル電極に印加されて、ピクセル電極に印加された電圧レベルがＬＣ光変調素子の共通電極２３５に印加された電圧と異なる場合に、ＬＣ光変調素子の状態を変更させる。他の実施形態では、ピクセルコントローラ９０４は、マイクロミラーの状態又は位置を制御する電気機械装置である。
【００３６】
複数の光変調素子２１０が電子的に相互接続される。一実施形態では、光変調素子２１０は、図９に示すようなシフトレジスタ構成で接続される。シフトレジスタ構成では、第１の光変調素子（例えば、光変調素子２１０ａ）の出力ノード９２２は、第２の光変調素子（例えば、光変調素子２１０ｂ）の入力ライン９０６に接続される。第２の光変調素子２１０ｂの出力ノード９２２は、第３の光変調素子（図示せず）の入力ラインに接続され、（Ｎ−１）番目のピクセル（図示せず）の出力ノードがＮ番目のピクセル（図示せず）の入力ライン９０６に接続されるまで以下同様であり、それによってフォワード接続回路網が形成される。入力データをフォワード接続回路網にロードするには、入力データが第１の光変調素子２１０ａの入力ライン９０６に提供され、データが第１の光変調素子２１０ａから第２の光変調素子２１０ｂにシフトされ、以下同様である。並列データロード及びシフト構成を、データがアレイ９００内の最後の光変調素子２１０に入力されるリバース接続回路網について実施することができることを理解されたい。
【００３７】
別の実施形態では、図１０に示すように、従来のダイナミックメモリセル８００が、図９に示すスタティックメモリセル９１７に代えて空間光変調器１１０に使用される。図示するように、メモリセル８００は、データを記憶する充電コンデンサ８０２を備える。充電コンデンサ８０２はインバータ８０４に結合される。しかし、メモリセル８００は、メモリセル８００のシリコンへの照射入射によって発生する、光で誘起されたキャリアを受ける。光で誘起されたキャリアは、充電コンデンサ８０２の電荷又は電圧の値を増加させる傾向がある。増加した電荷は、充電コンデンサ８０２のロー状態を望ましくないことにハイ状態に切り替えてしまう恐れがある。しかし、光によって発生するキャリアの影響を最小化するように取りはからうことができる。遮光等の物理的な技法を使用して、この問題の程度を軽減することができる。不要なキャリアを収集することに頼る他の技法について、米国特許第６，５８６，２８３号に記載されており、これを参照により本明細書に援用する。しかし、光で誘起されるキャリアに関連する問題を実質的に回避するには、ＳＬＭ１１０に、図９に示すスタティックメモリセル９１７を設計することができる。
【００３８】
図１１Ａは、光変調素子２１０の例示的な構成１１００のブロック図である。光変調素子２１０には、入力ライン９０６上のデータがメモリ素子９０２（図９に示す）を通して伝搬するようにするためのフォワードアクセス制御ライン９１０が結合される。光変調素子２１０は素子Ｎ、Ｎ−１、Ｎ−２、Ｎ−３等と見なすことができ、Ｎ番目の光変調素子２１０は最後の光変調素子であり、（Ｎ−３）番目の光変調素子２１０は第１の光変調素子である。
【００３９】
図１１Ｂは、データを図１１Ａの光変調素子２１０間でシフトするためのタイミング図１１０５である。図１１Ｂに示すように、リプルクロックにより、又は他の方法で発生する非重複パルスシーケンスを利用して、光変調素子を通してデータをシフトする。図示するように、アクセスパルス１１０２が、時間ｔ１とｔ２の間にフォワードアクセス制御９１０ラインを介してＮ番目の光変調素子のフォワードアクセス制御素子９０８に印加されて、Ｎ番目の光変調素子の外へデータを移動させる。（Ｎ−１）番目、（Ｎ−２）番目、及び（Ｎ−３）番目の光変調素子のメモリ素子の他のアクセスパルス１１０２のそれぞれは、データが、時間ｔ３とｔ４の間に（Ｎ−１）番目の光変調素子からＮ番目の光変調素子に、時間ｔ５とｔ６の間に（Ｎ−２）番目の光変調素子から（Ｎ−１）番目の光変調パルスに、時間ｔ７とｔ８の間に（Ｎ−３）番目の光変調素子から（Ｎ−２）番目の光変調素子に順次移動するように順次パルスされて、データが光変調素子を通してシフトされる際に保持されるように保証する。同様のシフトメカニズムを使用して、データを逆順にシフトして双方向でのデータ移動を可能にできることを理解されたい。
【００４０】
光変調素子が、図２Ａ及び図２Ｂに示すように液晶素子である場合、液晶素子の両端の正味ＤＣ値は、液晶素子への損傷を回避するためにゼロであるべきである。本発明の実施形態では、共通電極の電圧を交互にし、露光間隔間でデータを反転させることによりＤＣバランスを実現することができる。
【００４１】
例えば、図１２Ａは、交互になっている共通電極電圧１２０２を示すタイミング図である。当該技術分野において理解されるように、液晶素子の状態は、共通電極とピクセル電極の間の電位差によって決まる。図示の例では、オフ状態１２１０が、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間に電位差が存在しない場合であり、したがって電界は発生せず、光を基板１５０上に反射させる。オン状態１２１２（すなわち、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間に電位差が存在する場合）では、電界が発生し、光は基板１５０上に反射されない。他の構成では、オン状態とオフ状態とを逆にすることができる。
【００４２】
電界の符号は、共通電極信号１２０２の値及びピクセル電極信号１２０４の値に依存する。例えば、電界は、ピクセル電極信号１２０４をゼロ電位にし、共通電極信号１２０２を単位電位（unit potential）（論理１に対応する）にすることにより、又は共通電極信号１２０２をゼロ電位にし、ピクセル電極信号１２０４を単位電位にすることによって得ることができる。いずれの場合でも、共通電極とピクセル電極の間に電位差が存在し、したがって図１２Ａに示す例では、電界は非ゼロであり、液晶素子はオン状態にある。電界の符号は液晶素子の状態を決定するに際して重要ではないが、液晶素子のイオン化を回避するために、電界の正味値は平均してゼロになるべきである。
【００４３】
図１２Ａに示すように、時間間隔ｔ１中、共通電極信号１２０２は電圧レベル０ボルトを有し、ピクセル電極信号１２０４は電圧レベル０ボルトを有する。共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差はゼロであるため、液晶素子のピクセル状態１２０６はオフ１２１０である。時間間隔ｔ２及びｔ３中でも、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差はゼロであるため、ピクセル状態１２０６はオフ状態１２１０に保たれる。時間間隔ｔ４及びｔ５中、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差により、ピクセル状態１２０６はオン１２１２になる。しかし、オン状態１２１２は、ピクセル電極信号１２０４に対して共通電極信号１２０２を交番することによって実現されるため、電界の符号は時間ｔ４及びｔ５で逆になる。したがって、ＤＣバランスが保たれる。時間間隔ｔ６及びｔ７中、ピクセル状態１２０６は再びオフ１２１０である。
【００４４】
共通電極はデータシフト毎に交番してＤＣバランスを保つことから、液晶素子を通してデータをシフトさせ、画像の光学的オーバーサンプリングに正しいピクセル状態を保持するためにデータ反転技法が必要である。図１２Ｂは例示的なデータ反転技法を示す。図１２Ｂは、図１１Ａに示す例示的なピクセル構成を使用して、液晶素子を通してのデータのシフトを示す。図１２Ｂに見て取ることができるように、共通電極信号１１０２の電圧レベル（論理状態）は時間ｔ１〜ｔ４にわたって交互になる。ピクセル電極信号に対応するデータが（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子、（Ｎ−１）番目の液晶素子、Ｎ番目の液晶素子に液晶素子を通して伝搬するにつれ、ピクセル電極信号の論理状態は各シフト毎に反転して同じピクセル状態を保つ。例えば、時間ｔ１において、共通電極信号は論理１状態であり、（Ｎ−３）番目の液晶素子のピクセル電極信号もまた論理１状態である。したがって、電界は時間ｔ１において（Ｎ−３）番目の液晶素子において発生せず、（Ｎ−３）番目の液晶素子はオフ状態である。時間ｔ２において、データは（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子にシフトされており、時間ｔ２において（Ｎ−２）番目の液晶素子を、時間ｔ１における（Ｎ−３）番目の液晶素子の状態と同じ状態（オフ状態）にさせる。しかし、ＤＣバランスを保つために、共通電極信号は時間ｔ２では０論理状態に反転している。したがって、データが（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子にシフトするとき、（Ｎ−２）番目の液晶素子も時間ｔ２において０論理状態であるようにデータは反転され、それによって（Ｎ−２）番目の液晶素子を時間ｔ２でオフ状態にすることを可能にする。再び図９を参照すると、このようなデータ反転技法は、メモリセル９１７内のインバータ９１８によって行われる。
【００４５】
図１３は、光学的オーバーサンプリング及びデータシフトを使用した例示的な基板露光タイミングシーケンスを示す。図１３は、ＬＣ材料が露光後に安定する一連のＬＣ安定(LC settling)間隔１３０２ａ〜１３０２ｅ（まとめて１３０２）を示す。各ＬＣ安定間隔１３０２の終了後、レーザがフラッシュする（１３１０で表す）。各ＬＣ安定間隔１３０２の間に、遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５がある。各遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５の間に、データは、次の露光に備えるためにＳＬＭ内のメモリ素子間を移動する。タイミング回路８１４（図８に示す）を利用してタイミング信号を生成し、アクセス制御ライン９１０（図９に示す）上のアクセス制御信号、共通電極信号１２０２（図１２Ａ及び図１２Ｂに示す）、及びクロック信号（図示せず）を介してデータ伝搬を駆動して、ＳＬＭ、台、及びレーザを制御する。
【００４６】
共通電極信号１３０２は、各時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５毎に交互になる。共通電極信号１３０２の遷移間隔１３０８ａ〜１３０８ｅは、レーザがフラッシュした（１３１０）後に時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５中に発生する。図１３では、２つの例示的なピクセル電極信号１３０４及び１３０６を示し、ピクセル電極信号１３０４はオン液晶素子を表し、ピクセル電極信号１３０６はオフ液晶素子を表す。各レーザフラッシュ１３１０でのピクセル信号１３０４は、ピクセル電極上で、共通電極と同じ電位を有し、ピクセル電極信号１３０６は、レーザフラッシュ１３１０時にピクセル電極上で、共通電極と逆の電位を有する。遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５の間、データがメモリアレイを通してシフトするにつれてデータ反転が行われ、液晶素子のＤＣバランスが保たれる。一実施形態では、データは、遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５中に液晶素子のメモリ素子間を約６０マイクロ秒でシフトし、１ミリ秒のデューティサイクルの９４０マイクロ秒で、液晶材料がピクセル電極と共通電極の間に印加された電界に応答することができる。レーザの２０ナノ秒（２０ｎｓ）フラッシュ１３１０が、液晶材料が遷移した後にＬＣ安定間隔１３０２の終了時に行われる。液晶材料の遷移速度及び空間光変調器に対する基板の移動速度に基づいて、他のタイミングを確立してＬＣ安定間隔１３０２及びデータシフト速度を増減することができることを理解されたい。
【００４７】
図１４は、データを内部で移動させることによって画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的なプロセス１４００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック１４０２において開始する。ブロック１４０４において、画像を表すデータが、空間光変調器内の各光変調素子と通信するメモリ素子にロードされる。ブロック１４０６において、光変調素子は、メモリにロードされたデータに応答して変更される。ブロック１４０８において、変更された光変調素子が照射され、照射パターンが基板上に向けられる。ブロック１４１０において、画像が必要な回数分転写されたかが判断される。転写されていない場合、ブロック１４１２において、データがメモリ素子間で移動され、ブロック１４１４において、基板と光変調素子の相対的な位置決めが変更される。プロセスはブロック１４０６に戻り、メモリ素子を移動するデータに応答して再び光変調素子を変更する。ブロック１４１０において画像が必要な回数分転写されている場合、フォトリソグラフィプロセスはブロック１４１６において終了する。
【００４８】
図１５は、空間光変調器内でデータをシフトして、画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的なプロセス１５００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック１５０２において開始する。ブロック１５０４において、画像の第１のセクションを表す第１のデータが空間光変調器にロードされる。ブロック１５０６において、空間光変調器が照射され、画像の第１のセクションが基板上に向けられる。ブロック１５０８において、第１のデータの一部が空間光変調器の外へ移され、ブロック１５１０において、残りのデータがＳＬＭ内で移され、ブロック１５１２において、画像の第２のセクションを表す第２のデータの一部が空間光変調器にロードされる。ブロック１５１４において、空間光変調器が照射され、第１の画像セクション及び第２の画像セクションの部分が基板上に向けられる。フォトリソグラフィプロセスはブロック１５１６において終了する。
【００４９】
本願に記載した革新的な概念は、広範囲の用途にわたって変更及び変形が可能である。したがって、特許請求する主題の範囲は、説明した特定の例示的な教示のいずれにも限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲によって規定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態による、空間光変調器を利用して画像を基板にフォトリソグラフィ転写するフォトリソグラフィシステムを示す。
【図２Ａ】液晶光変調素子を利用した空間光変調器の分解組立図である。
【図２Ｂ】図２Ａの液晶光変調素子の断面図である。
【図３】図１のフォトリソグラフィシステムを使用して、転写された画像を画像セクションでフォトリソグラフィにより受け取る基板の図である。
【図４】空間光変調器内の光変調バンクへの画像サブセクションのマッピングの図である。
【図５】本発明の実施形態による、空間光変調器により基板上に光学的なオーバーサンプリングを行うタイムシーケンスの図である。
【図６】本発明の実施形態による、空間光変調器により基板上に光学的なオーバーサンプリングを行うタイムシーケンスの図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態による、基板の光学的なオーバーサンプリングを行う例示的なフォトリソグラフィプロセスを示すフローチャートである。
【図７Ｂ】本発明の実施形態による、画像の部分の複数の転写を行う例示的なフォトリソグラフィプロセスを示すフローチャートである。
【図８】図１のフォトリソグラフィシステムを制御するように動作可能なコンピューティングシステムを示すブロック図である。
【図９】本発明の実施形態による、光変調素子と通信するメモリ素子を有し、メモリ素子を通してデータをシフトする例示的な空間光変調器の概略図である。
【図１０】図９の空間光変調器において使用する代替のメモリ素子の概略図である。
【図１１Ａ】図９の空間光変調器の例示的な構成のブロック図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａのメモリ素子間でのデータシフトのタイミング図である。
【図１２Ａ】液晶光変調素子を制御し、ＤＣバランスを保つための例示的な制御信号を示すタイミング図である。
【図１２Ｂ】液晶光変調素子のＤＣバランスを保つためのデータシフト技法を示す。
【図１３】例示的な基板露光タイミングシーケンスを示す。
【図１４】データを内部で移動させることによって画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的な方法を示すフローチャートである。
【図１５】空間光変調機内でデータをシフトして画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的な方法を示すフローチャートである。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的にはフォトリソグラフィに関し、特にダイナミックフォトリソグラフィシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
［関連出願の相互参照］
本願は、それぞれ本願と同日に出願された特許代理人整理番号１００３０５１８、「REAL TIME IMAGE RESIZING FOR DYNAMIC DIGITAL PHOTOLITHOGRAPHY」と題する米国特許出願、特許代理人整理番号１００３１３７５、「DEFECT MITIGATION IN SPATIAL LIGHT MODULATOR USED FOR DYNAMIC PHOTOLITHOGRAPHY」と題する米国特許出願、及び特許代理人整理番号１００４００７０、「LIQUID CRYSTAL CELL THAT RESISTS DEGRADATION FROM CXPOSURE TO RADIATION」という名称の米国特許出願に主題により関連する。
【０００３】
［関連技術の説明］
フォトリソグラフィとは、基板上にパターン又は画像を転写する方法である。フォトリソグラフィのいくつかの工業用途としては、フラットパネルディスプレイ、集積回路（ＩＣ）、ＩＣパッケージ、平面光波回路（フォトニクス）、プリント回路基板、フレキシブル回路／ディスプレイ、及びウェハバンプ等の製品の製造が挙げられる。その最も単純な形態では、フォトリソグラフィシステムは、フォトレジスト層等の感光表面を有する基板の上に配置されたマスク又は器具に光を透過させることによって動作する。通常、マスクは、固定で不透明のパターンが表面上に刻まれた透明材料で形成される。基板表面の感光性により、マスクに接触して露光されると、マスクに刻まれたパターンが基板表面上に転写される。
【０００４】
マスクの使用は高度の精度及び反復性をもたらすが、従来の接触フォトリソグラフィシステムにはいくつかの制約がある。１つの制約は、基板のサイズをマスクのサイズ以下に制約する製造仕様である。大きな基板の場合、基板面積全体を覆うのに十分なサイズのマスクを製造して取り扱うことは困難である。これに加えて、技術が進歩したため、基板表面上にフォトリソグラフィ転写される外観（feature:特徴）のサイズは０．５μｍ以下に微細化した。このような小さな外観サイズを実現するには、より高度なシステムにおいて投射光学系を使用してマスクを基板から切り離し、転写される外観のサイズを光学的に低減することができる。しかし、光学的低減システムを使用して基板全体のパターンを転写するには、マスクのサイズは必然的に基板のサイズよりも大きいであろう。大きなマスクは扱いにくいとともに製造費が高い。大きなマスクに関連する問題を解消するために、多くのフォトリソグラフィシステムが、パターン全体の異なる部分を含む複数のマスクを使用している。パターンは、マスクに対して基板表面の位置を変えることにより基板表面上で共につなぎ合わせられる。
【０００５】
しかし、マスクを設計し、パターンをマスクに埋め込むコストは相当なものであるため、多数のマスクを製作するには法外なコストがかかり得る。同様に、頻繁な変更が行われる用途では、変更が行われる度に新しいマスクを製作することは費用効率的ではないであろう。そのため、製造業者が、変更の都度、新しいマスクを必要とすることなくマスクパターンを動的に変更可能なダイナミックフォトリソグラフィシステムが開発された。ダイナミックフォトリソグラフィシステムは一般に、空間光変調器（ＳＬＭ）を採用して、基板表面上にイメージングされるパターンを画定する。ＳＬＭは、電気信号に応答して画像のピクセルを画定する個々に制御可能な光変調素子を含む電気的に制御される装置である。
【０００６】
通常、０．５μｍ以下の外観サイズでは、数平方ｃｍ以下の面積のＳＬＭ内に数千万もの光変調素子がある。ＳＬＭサイズが小さい場合、基板の全面積のイメージングに複数回の露光が一般に必要である。ＳＬＭにより形成される画像は容易に再構成可能なため、最終画像をセクションに分け、画像セクションの１つを基板表面の適切な領域に転写するようにＳＬＭを構成し、基板とＳＬＭとの相対位置をシフトさせ、画像全体が基板表面上に転写されるまで画像セクション毎にこのプロセスを繰り返すという比較的単純なプロセスである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、ＳＬＭに欠陥がないと仮定するのは非現実的である。統計上、ＳＬＭの数千万もの光変調素子のうち少なくとも数個に欠陥があることになる。複数のイメージングプロセスにより、欠陥のある各光変調素子は基板表面上に多くの欠陥を生じさせることになる。欠陥のある光変調素子の影響を軽減するためのメカニズムが必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［発明の概要］
本発明の実施の形態は、フォトリソグラフィシステムに使用するための空間光変調器を提供する。空間光変調器は、データを記憶し相互間でデータを移動させるように構成された複数のメモリ素子を備える。光変調素子は、各メモリ素子と通信し、各メモリ素子に記憶されているデータに応答して変化するように動作可能である。一実施の形態では、データをメモリ素子間で移動させるには、メモリ素子をシフトレジスタとして構成することができる。更なる実施の形態では、シフトレジスタ構成は、データを双方向にシフトするように構成することができる。別の実施の形態では、各メモリ素子はフィードバック素子を備えることができ、このフィードバック素子は、光電流効果を最小化するように電圧を維持する一助とするために利用することができる「弱」フィードバック素子である。
【０００９】
本発明の他の実施の形態は、画像を表すデータが、各光変調素子と通信するメモリ素子にロードされる、フォトリソグラフィを行うプロセスを提供する。光変調素子のうちの特定のものが、各メモリ素子にロードされたデータに応答して変化し、画像を基板上に転写する。データはメモリ素子間でシフトされ、光変調素子のうちの更なるものが、シフトされたデータに応答して変化し、画像を基板上に転写する。
【００１０】
フォトリソグラフィシステム内の空間光変調器のメモリ素子を通してデータをシフトすることにより、画像転写毎に空間光変調器にロードされるデータ量が低減し、それによってスループットレートが上がる。これに加えて、空間光変調器のメモリは、データを双方向に移動するように構成することができるため、基板を双方向に平行移動することができ、これによりスループットレートをさらに上げることができる。さらに、本発明は、上述した特徴及び利点に加えて、又はこれらに代えて他の特徴及び利点を有する実施の形態を提供する。こういった特徴及び利点の多くは、以下の図面を参照して以下の説明から明らかである。
【００１１】
開示する本発明について、本発明のサンプルの実施の形態を示し、参照により本明細書に援用される添付図面を参照して説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［例示的な実施形態の詳細な説明］
図１は、本発明の実施形態による、画像を基板１５０上にフォトリソグラフィ転写するダイナミックフォトリソグラフィシステム１００を示す。フォトリソグラフィシステム１００は、光１０４を出力するように動作可能な光源１０２を備える。光源１０２は、エキシマレーザ等のレーザ、又は当該技術分野において理解される他の非レーザ源であることができる。光源１０２は、ビーム整形光学系１０６に光学的に結合される。ビーム整形光学系１０６の出力は、空間光変調器１１０に向けられる光１０８である。空間光変調器１１０は、光１０８を選択的に伝達するように動作可能な光変調素子（図示せず）を備える。光変調素子については図２Ａ及び図２Ｂと併せて以下さらに詳述する。一実施形態では、光変調素子は液晶素子である。しかし、他の実施形態では、光変調素子はマイクロミラー又は反射、透過、又は別の方法で光を選択的に伝達することができる別の種類の光学素子であることを理解されたい。
【００１３】
空間光変調器１１０の出力は、光のない暗領域及び選択された光変調素子により伝達された複数の光ビーム１１２ａ〜１１２ｎ（まとめて１１２）で構成される明領域を含み、パターンを含む画像の少なくとも一部を成すようにしている。光ビーム１１２は投射光学系（projection optics）１１４に向けられ、光ビーム１１２を基板１５０上に向けるように投射光学系１１４は光学的に位置合わせされる。フォトレジスト層等の感光層（図示せず）が、基板１５０の表面上にある。感光層は、光ビーム１１２に応答して反応し、基板１５０の表面上にパターンを生成する。一実施形態では、基板１５０は走査台１２０に取り付けられて、基板１５０を空間光変調器１１０に対して任意の方向に移動させる。走査台１２０は、例えば、高精度走査台であることができる。別の実施形態では、基板１５０は静止したままであり、光学系及び／又は光ビーム１１２が基板１５０に対して移動する。いずれの構成でも、基板１５０及び空間光変調器１１０のうちのいずれか一方が他方に対して移動して、画像を基板１５０上に転写する。
【００１４】
空間光変調器１１０は、光変調素子に一意に結合されるピクセル駆動回路（図示せず）をさらに備える。ピクセル駆動回路については図２Ａ、図２Ｂ、及び図９と併せてより詳細に後述する。ピクセル駆動回路は、光変調素子の状態を定義するデータを記憶する。例えば、反射式の光変調素子は、光変調素子に関連するピクセル駆動回路にデータ（例えば、論理ローデータ値及び論理ハイデータ値）を記憶することによって、受け取った光１０８を、基板１５０上に反射させるか、又は反射させないように、反射状態又は非反射状態に選択的に変更することが可能である。実質的に、空間光変調器１１０は、基板１５０の感光層上にイメージングされるパターンを形成するダイナミックマスク（dynamic mask:動的マスク）として動作する。
【００１５】
図２Ａ及び図２Ｂは、画像のピクセルを画定する液晶（ＬＣ）光変調素子２１０を有するＳＬＭ１１０の例を示す。図２Ａ及び図２ＢでのＳＬＭは、特定の偏光の光を選択的に反射して、１つ又は複数の特徴を含むパターン画像を基板上に転写する個々のＬＣ光変調素子２１０を備えた反射型液晶（ＬＣＯＳ：liquid crystal on silicon）ＳＬＭ１００である。図２ＡはＬＣＯＳ ＳＬＭの部分の分解組立図であり、図２ＢはＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０のＬＣ光変調素子２１０の断面図である。図２Ａに見ることができるように、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は、上にピクセル電極２１５が配置された基板２００を備える。ピクセル電極２１５は、行列配列に、又は非直交パターンに配置することができる。各ピクセル電極２１５の下の基板２００内には、上にあるピクセル電極２１５を駆動するために接続されたピクセル駆動回路２５０が配置される。基板２００の上には、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電材料の層２３５が被覆された透明ガラス２３０が配置される。ＩＴＯ層２３５は、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０の共通電極である。基板２００とガラス２３０の間には、共通電極２３５とピクセル電極２１５の間に電界が確立されることに応答して反応する液晶材料の層２２０が封入される。
【００１６】
したがって、図２Ｂに示すように、ピクセル電極２１５は液晶材料２２０、共通電極２３５、ピクセル駆動回路２５０、及び偏光子２６０と併せて、画像のピクセルを画定する個々の光変調素子２１０のそれぞれを形成する。ピクセル電極２１５と共通電極２３５の間に印加される電圧に応じて、液晶材料２２０は各光変調素子２１０において、入射光の偏光状態を変化させるか、又は変化させないように反応する。光変調素子２１０はＳＬＭ１１０の偏光子２６０と併せて、特定の偏光の光を図１の基板１５０上に向けて反射させるか、又は反射させないことを可能とする。偏光子２６０は当該技術分野において既知のように１つ又は複数の偏光子を含むことを理解されたい。
【００１７】
別の実施形態では、光変調素子２１０が非２値（すなわち、完全にオン又はオフではない）状態になって「グレースケール」反射を生成するように、ピクセル電極２１５を、液晶材料２２０の不完全反応（partial reaction:部分反応）を発生させる電圧で駆動することができる。例えば、液晶材料２２０の部分反応を発生させる電圧は通常、完全に位相があっていない、すなわち位相がずれた信号をピクセル電極２１５及び共通電極２３５に印加し、それによって当該技術分野において理解されるように０パーセントと１００パーセントの間のデューティサイクルを発生させることによって生成される。
【００１８】
数個の光変調素子２１０しか図２Ａ及び図２Ｂに示していないが、各ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は通常、数千万もの光変調素子を備える。例えば、一実施形態では、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０は、光変調素子の１６，３８４列×６０６行の行列を備える。このような多数の光変調素子の場合、欠陥のないＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０を製造することは難しく、また費用がかさむ。これに加えて、ＬＣＯＳ ＳＬＭ１１０の面積は通常、数平方ｃｍ以下である。
【００１９】
このため、これより図３を参照すると、基板１５０の全面積をイメージングするには複数回の露光が一般に必要である。各露光において、最終画像３００の異なるセクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎが基板１５０の対応する領域３２０上に転写される。大きな基板１５０の場合、基板面積全体をイメージングするには基板１５０の列３２０を複数回通過する必要があり得る。精密ステージを使用する場合、各露光の位置合わせを入念に制御して、画像セクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎを共にシームレスに(seamlessly:継ぎ目なく)つなぎ合わせることができる。しかし、欠陥のある各光変調素子では、対応するピクセル欠陥３１０が基板表面上に現れる。複数回の露光により、欠陥のある各光変調素子は基板表面上にＮ個のピクセル欠陥３１０を発生させる。但し、Ｎは、最終画像３００が分けられるセクション３００ａ〜３００ｇ、…、３００Ｎの数である。
【００２０】
したがって、本発明の実施形態によれば、図４に示すように、各画像セクション（例えば、図３からの画像セクション３００ａ）が画像サブセクション４００ａ〜４００ｆに分けられ、このうちの１つ又は複数が画像の一部に対応し、空間光変調器１１０の光変調素子２１０は光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆに論理的に分けられる。図４では、ＳＬＭ１１０の光変調素子２１０を行列状に配置して示す。行数及び列数は用途に依存する。光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆは、光変調素子２１０の１つ又は複数の行、光変調素子２１０の１つ又は複数の列、又はこれらの任意の組み合わせを含むことができる。例えば、図４では、光変調素子２１０の行が６つの行バンク４５０ａ〜４５０ｆに分けられた。各バンク４５０ａ〜４５０ｆは、１つのみの画像サブセクション４００ａ〜４００ｆを転写する。したがって、バンク４５０ａは画像サブセクション４００ａを転写し、バンク４５０ｂは画像サブセクション４００ｂを転写し、以下同様である。欠陥のある光変調素子の影響を最小化するために、各画像サブセクション４００ａ〜４００ｆは、ＳＬＭ１１０内の２つ以上の光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆにより複数回基板上に転写される。このプロセスを本明細書では光学的オーバーサンプリングと呼ぶ。
【００２１】
光学的オーバーサンプリングの例を図５及び図６に示す。図５は、タイムシーケンスＴ１〜Ｔ３にわたり画像の画像サブセクションをフォトリソグラフィ転写する場合の例示的なＳＬＭ１１０を示し、図６は、同じタイムシーケンスＴ１〜Ｔ３にわたり画像の転写された画像サブセクションをフォトリソグラフィにより受け取る場合の例示的な基板の部分を示す。図５では、時間Ｔ１において、画像セクション３００ａのすべての画像サブセクション４００ａ〜４００ｅが、基板への転写のためにＳＬＭ１１０の各バンク４５０ａ〜４５０ｆにロードされて示される。時間ｔ２において、画像サブセクション４００ａはＳＬＭ１１０の外へ移されており、画像サブセクション４００ｂ〜４００ｆは、ＳＬＭ１１０内のバンク４５０ａ〜４５０ｅにそれぞれ移されている。これに加えて、新しい画像セクション３００ｂの画像サブセクション５００ａがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｆにロードされている。時間Ｔ３において、画像サブセクション４００ｂはＳＬＭ１１０の外へ移され、画像サブセクション４００ｃ〜４００ｆがＳＬＭ１１０内のバンク４５０ａ〜４５０ｄにそれぞれ移されている。これに加えて、画像セクション３００ｂの画像サブセクション５００ａがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｅに移され、画像セクション３００ｂの新しい画像サブセクション５００ｂがＳＬＭ１１０のバンク４５０ｆにロードされている。
【００２２】
これより図６を参照して、基板１５０の一部（例えば、列３２０）を複数の行ｒ１〜ｒｎに分けて示す。各行ｒ１〜ｒｎは、画像の画像サブセクションの１つを受け取る基板１５０の領域を画定する。各行ｒ１〜ｒｎは、随時、空間光変調器のバンク４５０ａ〜４５０ｆ（図５に示す）のうちの１つのみによって露光される。図５の考察と併せて、時間Ｔ１において、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ａが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ１〜ｒ６を覆って示される。フットプリント６００内の基板１５０の各行は、ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆ内の光変調素子の状態に応じて照明源（例えば、図１のレーザ１０２）のフラッシュ又はストロボによって露光される。その結果、画像サブセクション４００ａ〜４００ｆが各行ｒ１〜ｒ６上に転写される。時間Ｔ２において、基板１５０は空間光変調器に対して１行に等しい距離だけ移動しており、照明源の次のストロボにおいて、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ｂが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ２〜ｒ７を覆って示される。ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆに記憶されている画像サブセクション４００ｂ〜４００ｆは、基板１５０の各行ｒ２〜ｒ７上に転写される。時間Ｔ３において、基板１５０は空間光変調器に対してさらに１行移動しており、照明源の次のストロボにおいて、ＳＬＭ１１０のフットプリント６００ｃが、ＳＬＭ１１０の６つのバンク４５０ａ〜４５０ｆに対応する、基板１５０の６つの行ｒ３〜ｒ８を覆って示される。ＳＬＭのバンク４５０ａ〜４５０ｆに記憶されている画像サブセクション４００ｃ〜４００ｆ及び５００ａ、５００ｂは、基板１５０の各行ｒ３〜ｒ８上に転写される。一般に、基板１５０の行は基板１５０と空間光変調器との相対移動により上向きにシフトするために、空間光変調器の光変調バンクに記憶されている画像サブセクションもそれに従って、光変調バンク内で上向きにシフトする。
【００２３】
画像サブセクションをバンク４５０ａ〜４５０ｆの間で、基板１５０が空間光変調器１１０に対して移動する距離に光学的に等しい空間光変調器１１０上の距離だけ移動させることにより、各画像サブセクションは各バンク毎に基板１５０上に別個に転写され、それによって各画像サブセクションが複数回でイメージング又は転写される。６回の露光の過程で（このうちの３つのみを図６に示す）、基板１５０の各行（例えば、行ｒ１〜ｒｎ）が、空間光変調器１１０の６つの異なる組（バンク）の光変調素子により別々に６回露光される。各画像サブセクションの基板のこの「オーバーサンプリング」は、欠陥のある「オフのままの(stuck off)」光変調素子による、最終製品中の欠陥を最小化する。更なる実施形態では、欠陥のある「オンのままの(stuck on)」光変調素子による欠陥の数を低減するために、基板１５０上の感光層は２回以上の露光に等しい反応しきい値を有する。
【００２４】
したがって、光変調バンク４５０ａに欠陥のあるオン又はオフの光変調素子がある場合であっても、残りのバンク４５０ｂ〜４５０ｆのそれぞれの行及び列により対応する光変調素子に欠陥がある可能性はかなり低い。したがって、基板上に最終的に転写されるパターンに欠陥がある確率は低い。基板１５０の各領域を露光する回数は、空間光変調器内の光変調素子の数及び空間光変調器１１０を光変調バンク４５０ａ〜４５０ｆに分ける様式に依存することを理解されたい。さらに、用途に応じて、基板及び画像サブセクションを更なる光学的オーバーサンプリングのために双方向に移動させることができる。
【００２５】
基板上に転写されるパターンの欠陥を低減することに加えて、光学的オーバーサンプリングはいくつかの他の利益ももたらす。オーバーサンプリングにより、基板が露光される光エネルギーの総量が、複数回の露光にわたって積分され、それによって基板上により多くのエネルギーを衝突させることができる。光学的オーバーサンプリングは、光変調素子が「オン」又は「オフ」であるような２値特性を有するＳＬＭを使用する場合に、画像にグレースケールを実現するためにも使用することができる。画像サブセクションは、露光毎に、所望のグレースケールを生成するように光変調素子の状態を変更することができる。光学的オーバーサンプリングの別の利益は、レーザベースのフォトリソグラフィシステムでのスペックルの低減である。当該技術分野において理解されるように、レーザにより発生する光のコヒーレント性質により、干渉パターンが光強度にスペックル又は空間的なばらつきを発生させ、これはリソグラフィプロセスの品質を劣化させる恐れがある。光学的オーバーサンプリングは、欠陥のある光変調素子の影響を低減するのと同じように、基板上のスペックルパターンの影響を低減する。
【００２６】
図７Ａは、本発明の実施形態による、基板の光学的オーバーサンプリングを行う例示的なフォトリソグラフィプロセス７００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック７０２において開始する。ブロック７０４において、感光層を有する基板がＳＬＭに対して位置決めされる。ブロック７０６において、感光層の領域が、ＳＬＭの第１の組の光変調素子の状態によって画定される画像の部分で露光される。ブロック７０８において、基板とＳＬＭとの相対位置が変更される。ブロック７１０において、感光層の同じ領域が、ＳＬＭの第２の組の光変調素子の状態によって画定される画像の同じ部分で露光される。一実施形態では、第２の組の光変調素子内の個々の光変調素子の状態は、第１の組の光変調素子内の対応する光変調素子の状態と同じである。別の実施形態では、第２の組の光変調素子内の個々の光変調素子の状態は、第１の組の光変調素子内の対応する光変調素子の状態から変更される。フォトリソグラフィプロセスはブロック７１２において終了する。
【００２７】
図７Ｂは、本発明の実施形態による画像の部分の複数回の転写を行う例示的なフォトリソグラフィプロセス７５０を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック７５２において開始する。ブロック７５４において、ＳＬＭに、基板の領域上にフォトリソグラフィ転写する画像の一部が提供される。ブロック７５６において、ＳＬＭは、ＳＬＭ内の第１の組の光変調素子を使用して画像の一部を基板の領域上に転写する。ブロック７５８において、ＳＬＭは、ＳＬＭ内の第２の組の光変調素子を使用して画像の一部を基板の同じ領域上に転写する。フォトリソグラフィプロセスはブロック７６０において終了する。
【００２８】
図８は、図１のフォトリソグラフィシステム１００を制御するように動作可能なコンピューティングシステム８０２の構成８００を示すブロック図である。コンピューティングシステム８０２は、ソフトウェア８０６を実行するように動作可能な処理ユニット８０４を備える。処理ユニット８０４は、いずれの種類のマイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、プログラマブルロジックデバイス、デジタル信号プロセッサ、又は他の処理装置であってもよい。処理ユニット８０４は、メモリユニット８０８及び入出力（Ｉ／Ｏ）ユニット８１０に結合される。Ｉ／Ｏユニット８１０は有線であっても無線であってもよい。処理ユニット８０４は、記憶ユニット８１２、及びフォトリソグラフィシステム１００にタイミング信号８１６を生成するタイミング回路８１４にさらに結合される。電子ディスプレイ８２０がコンピューティングシステム８０２に拡張的に（optionaly:随意に）結合され、図１の基板１５０上にイメージングするために空間光変調器１１０に伝達する画像（又は画像の一部）３００を表示するように動作可能である。
【００２９】
一実施形態では、タイミング信号８１６は、露光サイクル中に台１２０、空間光変調器１１０、及びレーザ１０２の動作を制御する。タイミング信号８１６の例としては、画像３００の一部を表すデータ８２２を空間光変調器１１０に順次クロックするアクセス制御信号、レーザ１０２のフラッシュを開始するストロボ又は露光信号、並びに空間光変調器１１０、レーザ１０２、及び台１０２を駆動する他のクロック信号が挙げられる。プロセッサ８０４はタイミング回路８１４及びＩ／Ｏユニット８１０と通信して、データ８２２及びタイミング信号８１６を、空間光変調器１１０並びにレーザ１０２及び台１２０等のフォトリソグラフィシステム１００の他の構成要素に伝達する。例えば、露光サイクル中、データ８２２は、アクセス制御信号を使用してコンピューティングシステム８０２から空間光変調器１１０に送られ、クロック信号がＳＬＭ１１０、台１２０、及びレーザ１０２を駆動して、データ８２２に応じてＳＬＭ１１０内の光変調素子の状態を変更し、画像転写のためにＳＬＭ１１０と台１２０を位置合わせし、レーザ１０２のフラッシュを開始するストロボ又は露光信号のタイミングを制御する。
【００３０】
光学的オーバーサンプリングを実施するために、各露光サイクル中にＳＬＭ１１０に伝達されるデータ８２２は、画像の少なくとも１つの新しい画像サブセクションを含む（図４に示すように）。一実施形態では、データ８２２は新しい画像サブセクション（複数可）及び前の露光サイクル中に基板に転写された１つ又は複数の画像サブセクションの両方を含む。例えば、各画像セクションが６つの画像サブセクションに分けられる場合、データ８２２は、先に基板に転写されている５つの画像サブセクション及び１つの新しい画像サブセクションを含む。しかし、数千万もの光変調素子があり得る状態であれば、全ての画像サブセクションを表すために必要なデータ８２２をＳＬＭ１１０に毎回書き込むには、多量のデータ８２２をＩ／Ｏユニット８１０とＳＬＭ１１０の間でやりとりする必要がある。このような大きなＩ／Ｏ帯域幅により、フォトリソグラフィシステム１００の消費電力は高く、スループットスピードは制限される。
【００３１】
したがって、別の実施形態では、各露光サイクル中にＳＬＭ１１０に伝達されるデータ８２２は、帯域幅低減のために画像の新しい画像サブセクション（複数可）のみを含み、先に転送済みの画像サブセクションはいずれも含まず、それによって消費電力を低減するとともにスループットスピードを上げる。基板に先に転写済みの画像サブセクションはＳＬＭ１１０内に記憶され、ＳＬＭ１１０内部で移動する。
【００３２】
図９は、リソグラフィプロセス中に内部でデータを移動することができる例示的な空間光変調器１１０の部分概略図である。ＳＬＭは光変調素子２１０のアレイ９００を備え、各光変調素子２１０は、光変調素子２１０により画定されるピクセルの状態の制御を少なくとも部分的に担当する関連のピクセルコントローラ９０４と通信する、図２Ａ及び図２Ｂのピクセル駆動回路２５０の少なくとも一部に対応するメモリ素子９０２を備える。図９では、各メモリ素子９０２は、入力ライン９０６及びフォワードアクセス制御素子９０８を含むスタティック（static:静的な）メモリ素子である。図示の例では、フォワードアクセス制御素子９０８は、シフトフォワード動作中にフォワードアクセス制御素子９０８の状態を制御するように動作可能なフォワードアクセス制御ライン９１０を有するトランジスタである。各メモリ素子９０２は、シフトリバース動作中にリバースアクセス制御素子９１２の状態を制御するように動作可能なリバースアクセス制御ライン９１４を有するリバースアクセス制御素子９１２をさらに備える。したがって、メモリ素子９０２は、データをアレイ９００の隣接する列の間で双方向にシフトするように構成される。これに加えて、アレイ９００内の光変調素子２１０の単一の行しか示していないが、メモリ素子９０２は、データをアレイ９００の隣接する、又は隣接しない行及び／又は列の間で双方向にシフトするようにさらに構成可能なことを理解されたい。
【００３３】
フォワードアクセス制御素子９０８及びリバースアクセス制御素子９１２のそれぞれの共通ノード９１６が、メモリセル９１７に結合される。一実施形態では、メモリセル９１７は画像の１つのピクセルを表すデータを記憶するために利用される双安定回路又はスタティックラッチである。メモリセル９１７は、リプルクロック（ripple clock：脈動的なクロック）を使用してデータをメモリセル９１７間で伝搬させるラッチ（すなわち、スイッチ及びバックツーバック（back-to-back：相互補完の）インバータ）として実施されて示される。リプルクロックについては図１１Ａ及び図１１Ｂを参照して以下さらに詳細に説明する。しかし、他の実施形態では、メモリセル９１７は、データをメモリセル９１７間で伝搬するためにリプルクロックを必要としないマスタ−スレーブフリップフロップとして実施することができる。
【００３４】
各メモリセル９１７は、フォワードインバータ９１８及びフィードバックインバータ９２０を備える。フィードバックインバータ９２０は、現在の状態（すなわち、ロー状態又はハイ状態）を安定位置に向けて補強するために利用される「弱」フィードバック素子である。したがって、共通ノード９１６がロー電圧レベル（すなわち、ロー状態）である場合、フォワードインバータ９１８は、出力ノード９２２に結合された出力においてロー状態をハイ状態に反転させる。出力ノード９２２でのハイ状態はフィードバックインバータ９２０への入力であり、フィードバックインバータ９２０はノード９１６上にロー電圧レベルを出力する。弱フィードバックインバータ９２０から出力されたロー電圧レベルは、ノード９１６上のロー状態を補強するが、制御はしない。同様に、弱フィードバックインバータ９２０から出力されたハイ電圧レベルは、ノード９１６上のハイ状態を補強するが、制御はしない。
【００３５】
出力ノード９２２はピクセルコントローラ９０４に結合され、これもまた光変調素子２１０の出力ノードである。一実施形態では、ピクセルコントローラ９０４は、ＬＣ光変調素子のピクセル電極（図２Ａ及び図２Ｂに示す２１５）である。出力ノード９２２上の電圧レベルは、ＬＣ光変調素子のピクセル電極に印加されて、ピクセル電極に印加された電圧レベルがＬＣ光変調素子の共通電極２３５に印加された電圧と異なる場合に、ＬＣ光変調素子の状態を変更させる。他の実施形態では、ピクセルコントローラ９０４は、マイクロミラーの状態又は位置を制御する電気機械装置である。
【００３６】
複数の光変調素子２１０が電子的に相互接続される。一実施形態では、光変調素子２１０は、図９に示すようなシフトレジスタ構成で接続される。シフトレジスタ構成では、第１の光変調素子（例えば、光変調素子２１０ａ）の出力ノード９２２は、第２の光変調素子（例えば、光変調素子２１０ｂ）の入力ライン９０６に接続される。第２の光変調素子２１０ｂの出力ノード９２２は、第３の光変調素子（図示せず）の入力ラインに接続され、（Ｎ−１）番目のピクセル（図示せず）の出力ノードがＮ番目のピクセル（図示せず）の入力ライン９０６に接続されるまで以下同様であり、それによってフォワード接続回路網が形成される。入力データをフォワード接続回路網にロードするには、入力データが第１の光変調素子２１０ａの入力ライン９０６に提供され、データが第１の光変調素子２１０ａから第２の光変調素子２１０ｂにシフトされ、以下同様である。並列データロード及びシフト構成を、データがアレイ９００内の最後の光変調素子２１０に入力されるリバース接続回路網について実施することができることを理解されたい。
【００３７】
別の実施形態では、図１０に示すように、従来のダイナミックメモリセル８００が、図９に示すスタティックメモリセル９１７に代えて空間光変調器１１０に使用される。図示するように、メモリセル８００は、データを記憶する充電コンデンサ８０２を備える。充電コンデンサ８０２はインバータ８０４に結合される。しかし、メモリセル８００は、メモリセル８００のシリコンへの照射入射によって発生する、光で誘起されたキャリアを受ける。光で誘起されたキャリアは、充電コンデンサ８０２の電荷又は電圧の値を増加させる傾向がある。増加した電荷は、充電コンデンサ８０２のロー状態を望ましくないことにハイ状態に切り替えてしまう恐れがある。しかし、光によって発生するキャリアの影響を最小化するように取りはからうことができる。遮光等の物理的な技法を使用して、この問題の程度を軽減することができる。不要なキャリアを収集することに頼る他の技法について、米国特許第６，５８６，２８３号に記載されており、これを参照により本明細書に援用する。しかし、光で誘起されるキャリアに関連する問題を実質的に回避するには、ＳＬＭ１１０に、図９に示すスタティックメモリセル９１７を設計することができる。
【００３８】
図１１Ａは、光変調素子２１０の例示的な構成１１００のブロック図である。光変調素子２１０には、入力ライン９０６上のデータがメモリ素子９０２（図９に示す）を通して伝搬するようにするためのフォワードアクセス制御ライン９１０が結合される。光変調素子２１０は素子Ｎ、Ｎ−１、Ｎ−２、Ｎ−３等と見なすことができ、Ｎ番目の光変調素子２１０は最後の光変調素子であり、（Ｎ−３）番目の光変調素子２１０は第１の光変調素子である。
【００３９】
図１１Ｂは、データを図１１Ａの光変調素子２１０間でシフトするためのタイミング図１１０５である。図１１Ｂに示すように、リプルクロックにより、又は他の方法で発生する非重複パルスシーケンスを利用して、光変調素子を通してデータをシフトする。図示するように、アクセスパルス１１０２が、時間ｔ１とｔ２の間にフォワードアクセス制御９１０ラインを介してＮ番目の光変調素子のフォワードアクセス制御素子９０８に印加されて、Ｎ番目の光変調素子の外へデータを移動させる。（Ｎ−１）番目、（Ｎ−２）番目、及び（Ｎ−３）番目の光変調素子のメモリ素子の他のアクセスパルス１１０２のそれぞれは、データが、時間ｔ３とｔ４の間に（Ｎ−１）番目の光変調素子からＮ番目の光変調素子に、時間ｔ５とｔ６の間に（Ｎ−２）番目の光変調素子から（Ｎ−１）番目の光変調パルスに、時間ｔ７とｔ８の間に（Ｎ−３）番目の光変調素子から（Ｎ−２）番目の光変調素子に順次移動するように順次パルスされて、データが光変調素子を通してシフトされる際に保持されるように保証する。同様のシフトメカニズムを使用して、データを逆順にシフトして双方向でのデータ移動を可能にできることを理解されたい。
【００４０】
光変調素子が、図２Ａ及び図２Ｂに示すように液晶素子である場合、液晶素子の両端の正味ＤＣ値は、液晶素子への損傷を回避するためにゼロであるべきである。本発明の実施形態では、共通電極の電圧を交互にし、露光間隔間でデータを反転させることによりＤＣバランスを実現することができる。
【００４１】
例えば、図１２Ａは、交互になっている共通電極電圧１２０２を示すタイミング図である。当該技術分野において理解されるように、液晶素子の状態は、共通電極とピクセル電極の間の電位差によって決まる。図示の例では、オフ状態１２１０が、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間に電位差が存在しない場合であり、したがって電界は発生せず、光を基板１５０上に反射させる。オン状態１２１２（すなわち、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間に電位差が存在する場合）では、電界が発生し、光は基板１５０上に反射されない。他の構成では、オン状態とオフ状態とを逆にすることができる。
【００４２】
電界の符号は、共通電極信号１２０２の値及びピクセル電極信号１２０４の値に依存する。例えば、電界は、ピクセル電極信号１２０４をゼロ電位にし、共通電極信号１２０２を単位電位（unit potential）（論理１に対応する）にすることにより、又は共通電極信号１２０２をゼロ電位にし、ピクセル電極信号１２０４を単位電位にすることによって得ることができる。いずれの場合でも、共通電極とピクセル電極の間に電位差が存在し、したがって図１２Ａに示す例では、電界は非ゼロであり、液晶素子はオン状態にある。電界の符号は液晶素子の状態を決定するに際して重要ではないが、液晶素子のイオン化を回避するために、電界の正味値は平均してゼロになるべきである。
【００４３】
図１２Ａに示すように、時間間隔ｔ１中、共通電極信号１２０２は電圧レベル０ボルトを有し、ピクセル電極信号１２０４は電圧レベル０ボルトを有する。共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差はゼロであるため、液晶素子のピクセル状態１２０６はオフ１２１０である。時間間隔ｔ２及びｔ３中でも、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差はゼロであるため、ピクセル状態１２０６はオフ状態１２１０に保たれる。時間間隔ｔ４及びｔ５中、共通電極信号１２０２とピクセル電極信号１２０４の間の電圧差により、ピクセル状態１２０６はオン１２１２になる。しかし、オン状態１２１２は、ピクセル電極信号１２０４に対して共通電極信号１２０２を交番することによって実現されるため、電界の符号は時間ｔ４及びｔ５で逆になる。したがって、ＤＣバランスが保たれる。時間間隔ｔ６及びｔ７中、ピクセル状態１２０６は再びオフ１２１０である。
【００４４】
共通電極はデータシフト毎に交番してＤＣバランスを保つことから、液晶素子を通してデータをシフトさせ、画像の光学的オーバーサンプリングに正しいピクセル状態を保持するためにデータ反転技法が必要である。図１２Ｂは例示的なデータ反転技法を示す。図１２Ｂは、図１１Ａに示す例示的なピクセル構成を使用して、液晶素子を通してのデータのシフトを示す。図１２Ｂに見て取ることができるように、共通電極信号１１０２の電圧レベル（論理状態）は時間ｔ１〜ｔ４にわたって交互になる。ピクセル電極信号に対応するデータが（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子、（Ｎ−１）番目の液晶素子、Ｎ番目の液晶素子に液晶素子を通して伝搬するにつれ、ピクセル電極信号の論理状態は各シフト毎に反転して同じピクセル状態を保つ。例えば、時間ｔ１において、共通電極信号は論理１状態であり、（Ｎ−３）番目の液晶素子のピクセル電極信号もまた論理１状態である。したがって、電界は時間ｔ１において（Ｎ−３）番目の液晶素子において発生せず、（Ｎ−３）番目の液晶素子はオフ状態である。時間ｔ２において、データは（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子にシフトされており、時間ｔ２において（Ｎ−２）番目の液晶素子を、時間ｔ１における（Ｎ−３）番目の液晶素子の状態と同じ状態（オフ状態）にさせる。しかし、ＤＣバランスを保つために、共通電極信号は時間ｔ２では０論理状態に反転している。したがって、データが（Ｎ−３）番目の液晶素子から（Ｎ−２）番目の液晶素子にシフトするとき、（Ｎ−２）番目の液晶素子も時間ｔ２において０論理状態であるようにデータは反転され、それによって（Ｎ−２）番目の液晶素子を時間ｔ２でオフ状態にすることを可能にする。再び図９を参照すると、このようなデータ反転技法は、メモリセル９１７内のインバータ９１８によって行われる。
【００４５】
図１３は、光学的オーバーサンプリング及びデータシフトを使用した例示的な基板露光タイミングシーケンスを示す。図１３は、ＬＣ材料が露光後に安定する一連のＬＣ安定(LC settling)間隔１３０２ａ〜１３０２ｅ（まとめて１３０２）を示す。各ＬＣ安定間隔１３０２の終了後、レーザがフラッシュする（１３１０で表す）。各ＬＣ安定間隔１３０２の間に、遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５がある。各遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５の間に、データは、次の露光に備えるためにＳＬＭ内のメモリ素子間を移動する。タイミング回路８１４（図８に示す）を利用してタイミング信号を生成し、アクセス制御ライン９１０（図９に示す）上のアクセス制御信号、共通電極信号１２０２（図１２Ａ及び図１２Ｂに示す）、及びクロック信号（図示せず）を介してデータ伝搬を駆動して、ＳＬＭ、台、及びレーザを制御する。
【００４６】
共通電極信号１３０２は、各時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５毎に交互になる。共通電極信号１３０２の遷移間隔１３０８ａ〜１３０８ｅは、レーザがフラッシュした（１３１０）後に時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５中に発生する。図１３では、２つの例示的なピクセル電極信号１３０４及び１３０６を示し、ピクセル電極信号１３０４はオン液晶素子を表し、ピクセル電極信号１３０６はオフ液晶素子を表す。各レーザフラッシュ１３１０でのピクセル信号１３０４は、ピクセル電極上で、共通電極と同じ電位を有し、ピクセル電極信号１３０６は、レーザフラッシュ１３１０時にピクセル電極上で、共通電極と逆の電位を有する。遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５の間、データがメモリアレイを通してシフトするにつれてデータ反転が行われ、液晶素子のＤＣバランスが保たれる。一実施形態では、データは、遷移時間間隔ｔｔ１〜ｔｔ５中に液晶素子のメモリ素子間を約６０マイクロ秒でシフトし、１ミリ秒のデューティサイクルの９４０マイクロ秒で、液晶材料がピクセル電極と共通電極の間に印加された電界に応答することができる。レーザの２０ナノ秒（２０ｎｓ）フラッシュ１３１０が、液晶材料が遷移した後にＬＣ安定間隔１３０２の終了時に行われる。液晶材料の遷移速度及び空間光変調器に対する基板の移動速度に基づいて、他のタイミングを確立してＬＣ安定間隔１３０２及びデータシフト速度を増減することができることを理解されたい。
【００４７】
図１４は、データを内部で移動させることによって画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的なプロセス１４００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック１４０２において開始する。ブロック１４０４において、画像を表すデータが、空間光変調器内の各光変調素子と通信するメモリ素子にロードされる。ブロック１４０６において、光変調素子は、メモリにロードされたデータに応答して変更される。ブロック１４０８において、変更された光変調素子が照射され、照射パターンが基板上に向けられる。ブロック１４１０において、画像が必要な回数分転写されたかが判断される。転写されていない場合、ブロック１４１２において、データがメモリ素子間で移動され、ブロック１４１４において、基板と光変調素子の相対的な位置決めが変更される。プロセスはブロック１４０６に戻り、メモリ素子を移動するデータに応答して再び光変調素子を変更する。ブロック１４１０において画像が必要な回数分転写されている場合、フォトリソグラフィプロセスはブロック１４１６において終了する。
【００４８】
図１５は、空間光変調器内でデータをシフトして、画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的なプロセス１５００を示すフローチャートである。フォトリソグラフィプロセスはブロック１５０２において開始する。ブロック１５０４において、画像の第１のセクションを表す第１のデータが空間光変調器にロードされる。ブロック１５０６において、空間光変調器が照射され、画像の第１のセクションが基板上に向けられる。ブロック１５０８において、第１のデータの一部が空間光変調器の外へ移され、ブロック１５１０において、残りのデータがＳＬＭ内で移され、ブロック１５１２において、画像の第２のセクションを表す第２のデータの一部が空間光変調器にロードされる。ブロック１５１４において、空間光変調器が照射され、第１の画像セクション及び第２の画像セクションの部分が基板上に向けられる。フォトリソグラフィプロセスはブロック１５１６において終了する。
【００４９】
本願に記載した革新的な概念は、広範囲の用途にわたって変更及び変形が可能である。したがって、特許請求する主題の範囲は、説明した特定の例示的な教示のいずれにも限定されるべきではなく、添付の特許請求の範囲によって規定されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態による、空間光変調器を利用して画像を基板にフォトリソグラフィ転写するフォトリソグラフィシステムを示す。
【図２Ａ】液晶光変調素子を利用した空間光変調器の分解組立図である。
【図２Ｂ】図２Ａの液晶光変調素子の断面図である。
【図３】図１のフォトリソグラフィシステムを使用して、転写された画像を画像セクションでフォトリソグラフィにより受け取る基板の図である。
【図４】空間光変調器内の光変調バンクへの画像サブセクションのマッピングの図である。
【図５】本発明の実施形態による、空間光変調器により基板上に光学的なオーバーサンプリングを行うタイムシーケンスの図である。
【図６】本発明の実施形態による、空間光変調器により基板上に光学的なオーバーサンプリングを行うタイムシーケンスの図である。
【図７Ａ】本発明の実施形態による、基板の光学的なオーバーサンプリングを行う例示的なフォトリソグラフィプロセスを示すフローチャートである。
【図７Ｂ】本発明の実施形態による、画像の部分の複数の転写を行う例示的なフォトリソグラフィプロセスを示すフローチャートである。
【図８】図１のフォトリソグラフィシステムを制御するように動作可能なコンピューティングシステムを示すブロック図である。
【図９】本発明の実施形態による、光変調素子と通信するメモリ素子を有し、メモリ素子を通してデータをシフトする例示的な空間光変調器の概略図である。
【図１０】図９の空間光変調器において使用する代替のメモリ素子の概略図である。
【図１１Ａ】図９の空間光変調器の例示的な構成のブロック図である。
【図１１Ｂ】図１１Ａのメモリ素子間でのデータシフトのタイミング図である。
【図１２Ａ】液晶光変調素子を制御し、ＤＣバランスを保つための例示的な制御信号を示すタイミング図である。
【図１２Ｂ】液晶光変調素子のＤＣバランスを保つためのデータシフト技法を示す。
【図１３】例示的な基板露光タイミングシーケンスを示す。
【図１４】データを内部で移動させることによって画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的な方法を示すフローチャートである。
【図１５】空間光変調機内でデータをシフトして画像を基板上に動的にフォトリソグラフィ転写する例示的な方法を示すフローチャートである。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空間光変調器（１１０）であって、
データを記憶すると共に相互間でデータをシフトするように構成される複数のメモリ素子（９０２）と、
前記メモリ素子（９０２）のそれぞれに記憶されている前記データに応答して変更可能な光変調素子（２１０）と、
を備える、空間光変調器。
【請求項２】
前記メモリ素子は、行及び列を有するアレイに配置され、該メモリ素子は、前記データを行間及び列間で双方向にシフトするように構成される、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項３】
前記メモリ素子のそれぞれはフィードバック素子を備える、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項４】
前記メモリ素子はシフトレジスタ構成で相互接続される、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項５】
前記メモリ素子のそれぞれと通信して前記データを前記メモリ素子間でシフトするためのタイミング回路をさらに備える、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項６】
前記タイミング回路はリプルクロックを含む、請求項５記載の空間光変調器。
【請求項７】
前記光変調素子は液晶材料を含み、
前記光変調素子の共通電極信号を受け取るように構成される共通電極と、
前記メモリ素子のそれぞれに記憶されている前記データを受け取るように構成される各ピクセル電極と、
をさらに備える、請求項５記載の空間光変調器。
【請求項８】
前記タイミング回路は、反転データを前記メモリ素子のうちの第１のメモリ素子から第２のメモリ素子にシフトし、該反転データに応じて前記第２のメモリ素子に関連する前記光変調素子を変更するように前記共通電極信号を切り替えるように動作可能である、請求項７記載の空間光変調器。
【請求項９】
フォトリソグラフィを行う方法であって、
画像を表すデータを、各光変調素子と通信する複数のメモリ素子にロードすること（１４０４）、
前記画像を基板上に転写するためにロードされた前記データに応答して前記光変調素子のそれぞれを変更すること（１４０６）、
前記データを前記メモリ素子間でシフトすること（１４１２）、
前記画像を前記基板上に転写するためにシフトされた前記データに応答して前記光変調素子のそれぞれを変更すること（１４０６）、
を含む、フォトリソグラフィを行う方法。
【請求項１０】
前記基板及び前記光変調素子のうちの少なくとも一方を他方に対して移動させること
をさらに含む、請求項９記載のフォトリソグラフィを行う方法。
【請求項１】
空間光変調器（１１０）であって、
データを記憶すると共に相互間でデータをシフトするように構成される複数のメモリ素子（９０２）と、
前記メモリ素子（９０２）のそれぞれに記憶されている前記データに応答して変更可能な光変調素子（２１０）と、
を備える、空間光変調器。
【請求項２】
前記メモリ素子は、行及び列を有するアレイに配置され、該メモリ素子は、前記データを行間及び列間で双方向にシフトするように構成される、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項３】
前記メモリ素子のそれぞれはフィードバック素子を備える、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項４】
前記メモリ素子はシフトレジスタ構成で相互接続される、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項５】
前記メモリ素子のそれぞれと通信して前記データを前記メモリ素子間でシフトするためのタイミング回路をさらに備える、請求項１記載の空間光変調器。
【請求項６】
前記タイミング回路はリプルクロックを含む、請求項５記載の空間光変調器。
【請求項７】
前記光変調素子は液晶材料を含み、
前記光変調素子の共通電極信号を受け取るように構成される共通電極と、
前記メモリ素子のそれぞれに記憶されている前記データを受け取るように構成される各ピクセル電極と、
をさらに備える、請求項５記載の空間光変調器。
【請求項８】
前記タイミング回路は、反転データを前記メモリ素子のうちの第１のメモリ素子から第２のメモリ素子にシフトし、該反転データに応じて前記第２のメモリ素子に関連する前記光変調素子を変更するように前記共通電極信号を切り替えるように動作可能である、請求項７記載の空間光変調器。
【請求項９】
フォトリソグラフィを行う方法であって、
画像を表すデータを、各光変調素子と通信する複数のメモリ素子にロードすること（１４０４）、
前記画像を基板上に転写するためにロードされた前記データに応答して前記光変調素子のそれぞれを変更すること（１４０６）、
前記データを前記メモリ素子間でシフトすること（１４１２）、
前記画像を前記基板上に転写するためにシフトされた前記データに応答して前記光変調素子のそれぞれを変更すること（１４０６）、
を含む、フォトリソグラフィを行う方法。
【請求項１０】
前記基板及び前記光変調素子のうちの少なくとも一方を他方に対して移動させること
をさらに含む、請求項９記載のフォトリソグラフィを行う方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１Ａ】
【図１１Ｂ】
【図１２Ａ】
【図１２Ｂ】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公表番号】特表２００７−５１５６７９（Ｐ２００７−５１５６７９Ａ）
【公表日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−５４４１３３（Ｐ２００６−５４４１３３）
【出願日】平成１６年１２月１４日（２００４．１２．１４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０４２２８０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５９５９８
【国際公開日】平成１７年６月３０日（２００５．６．３０）
【出願人】（３９９１１７１２１）アジレント・テクノロジーズ・インク (710)
【氏名又は名称原語表記】ＡＧＩＬＥＮＴ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ， ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】５３０１ Ｓｔｅｖｅｎｓ Ｃｒｅｅｋ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１６年１２月１４日（２００４．１２．１４）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００４／０４２２８０
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０５９５９８
【国際公開日】平成１７年６月３０日（２００５．６．３０）
【出願人】（３９９１１７１２１）アジレント・テクノロジーズ・インク (710)
【氏名又は名称原語表記】ＡＧＩＬＥＮＴ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＩＥＳ， ＩＮＣ．
【住所又は居所原語表記】５３０１ Ｓｔｅｖｅｎｓ Ｃｒｅｅｋ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ Ｓａｎｔａ Ｃｌａｒａ Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ Ｕ．Ｓ．Ａ．
【Ｆターム（参考）】
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