【課題】光位相の連続可変と高速制御が可能であり、環境条件からの影響を受けにくく、偏波無依存型、自由空間型、光ファイバ型への適応が容易な可変光位相器を提供する。
【解決手段】前方からの入力光を互いに直交する第１および第２の直線偏光に偏光分離する第１の偏光子４１が配置され、第１および第２の直線偏光が出力光として出射するまでの第１および第２の光路上に、入力した直線偏光を円偏光に変換する第１および第２の四分の一波長板（１１，１２）と、入力した円偏光の偏光面を回転させるファラデー回転子２０と、それぞれに入力された円偏光を互いに直交する直線偏光に変換して出力する第３および第４の四分の一波長板（１３，１４）と、入力された互いに直交する二つの直線偏光を偏光合成して出力光として出射する第２の偏光子４２が順に配置され、ファラデー回転子による回転角に応じて出力光の位相を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ波検出器で広い波長範囲で用いることができる非線形結晶を用いた方法では、高感度、広帯域を両立することが難しい。
【解決手段】 テラヘルツ波素子は、電気光学結晶を含み光を伝搬する導波路（２、４、５）と導波路（２、４、５）にテラヘルツ波を入射させる結合部材（７）を備える。導波路（２、４、５）を伝搬する光の伝搬状態は、結合部材（７）を介して導波路（２、４、５）にテラヘルツ波が入射することで変化する。 （もっと読む）

【課題】容量性負荷に対して階段状の高電圧パルスを与えることができ、段数や各段の電圧変化量、各段の時間幅を様々に変更することが可能な回路を提供する。
【解決手段】駆動回路１Ａは、階段波及び矩形波の何れかを出力端１１から選択的に出力して容量性負荷５２を駆動する回路であって、定電圧ＶＨを供給する高電圧電源４１と、出力端１１と高電圧電源４１との間に直列接続されたＦＥＴ２１と、出力側コイルがＦＥＴ２１のゲートに接続された変圧器２２と、変圧器２２の入力側コイルに容量素子２３を介して接続された入力端１２ａと、定電圧ＶＨより低い定電圧ＶＬを供給する高電圧電源４２と、出力端１１と高電圧電源４２との間に直列接続されたＦＥＴ３１と、出力側コイルがＦＥＴ３１のゲートに接続された変圧器３２と、変圧器３２の入力側コイルに容量素子３３を介して接続された入力端１２ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
（ＢｉＲ）_３−ａＭ１_ａＦｅ_{５−ｂ−ｃ−ｄ}Ａｌ_ｂＰｔ_ｃＭ２_ｄＯ_１２
（Ｒ：ランタノイド金属及びＹのうちから選択される一種または二種以上の元素、
Ｍ１：Ｃａ及びＳｒから選択される一種または二種の元素、
Ｍ２：Ｇｅ及びＳｉから選択される一種または二種の元素、
０．０１＜ａ＜０．１，０．１５≦ｂ＋ｄ≦０．６，０．０１≦ｃ≦０．０４，ａ＝ｃ＋ｄ）
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】高出力の光が入射されてもファラデー回転子の温度上昇を抑制できる偏波無依存型光アイソレータを提供する。
【解決手段】ＬｉＮｂＯ_３単結晶から成る一対の楔形複屈折結晶板１、５と磁性ガーネット単結晶から成るファラデー回転子３を備え、ファラデー回転子の各光透過面にサファイア単結晶板が接合された偏波無依存型光アイソレータであって、各サファイア単結晶板の光透過面がサファイア単結晶板のｃ面からオフセットされるように形成され、かつ、楔形複屈折結晶板で分離された常光と異常光が共にサファイア単結晶板入射後にサファイア単結晶板のｃ軸とのなす角度が０．７４度以内の条件を満たすように、常光と異常光の光軸がなす角度の２等分線で表される仮想光のサファイア単結晶板への入射角θaと、サファイア単結晶板のｃ面からのオフセット角θoffが所定範囲に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光変調しない画素有効領域外からの出射光を抑制して、コントラストを向上させた反射型の空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に２次元配列された画素４からなる空間光変調器の画素アレイ４０は、各画素４の光変調素子同士を絶縁する素子間絶縁層５を、光の入射される側から順に低屈折率絶縁層５２およびそれよりも屈折率の高い高屈折率絶縁層５１の少なくとも２層を積層して備える。光が高屈折率絶縁層５１の上下界面で多重反射して閉じ込められることにより減衰して、出射光が抑制される。 （もっと読む）

【課題】効率的に磁界を発生させて、小型化と動作安定性とを両立させた可変ファラデー回転子を提供する
【解決手段】光軸１１方向を前後方向として、磁気光学材料からなるファラデー素子２と、当該ファラデー素子に磁界を印加するための磁気回路部とを含んで構成されるファラデー回転子１ａであって、前記ファラデー素子の前後に偏光子（３ｆ，３ｂ）が配置されて非相反部１０が構成され、前記光軸と一致する軸を有して前後に開口する中空筒状で、光路に沿って進行する光を中空部６１を介して通過させる高透磁率磁性材料からなるコア部６が前記非相反部の前後にそれぞれ配置され、前記磁気回路部は、前記光軸を螺旋軸として、前記非相反部と前記コア部の周囲に巻回されているコイル４によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】
部品点数の増加を抑えて小型に形成可能なパルス幅拡張装置を提供する。
【解決手段】
入射したパルスレーザを分割する偏光ビームスプリッター１と、印加された電圧に応じて入射したパルスレーザを偏光する電気光学素子２ａ，２ｂと、前記電気光学素子に電圧を印加するとともにその電圧を制御することで、前記電気光学素子に入射したパルスレーザの偏光を制御する偏光制御手段３と、前記電気光学素子を通過したパルスレーザを反射し、前記偏光ビームスプリッターに入射させる複数のミラー４ａ，４ｂ，４ｃを備え、パルスレーザを再度前記電気光学素子に入射させる光路を形成する光路形成手段４と、を含んで構成され、前記偏光ビームスプリッターにより分割されたパルスレーザを、前記光路を周回させて位相をずらし、この位相のずれたパルスレーザを重ね合わせることでパルス幅を拡張するものである。 （もっと読む）

【課題】ＭｇＯを障壁層として磁化反転電流を低減したＴＭＲ素子構造を備える光変調素子を提供する。
【解決手段】光変調素子５は、磁化固定層１１、ＭｇＯからなる障壁層１２、磁化自由層１３を積層してなるＴＭＲ素子構造１と、その上下に接続した上部電極３、下部電極２を備える。下部電極２は、組成がＣｕ_1-xＣｒ_x（０．０７＜ｘ＜０．４２）である非晶質のＣｕ−Ｃｒ合金からなり、磁化固定層１１は非晶質の磁性体からなり、このような非晶質の層の上に、障壁層１２としてＭｇＯ膜が形成されるため、ＭｇＯ膜が強い（００１）面配向を示して、ＴＭＲ素子構造１の磁化反転電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 光波長多重信号の偏光面を波長成分ごとに調整することができ，しかも各成分に時間的なずれが生じない，波長選択偏波制御器を提供する。
【解決手段】 この波長選択偏波制御器は，光波長多重信号が入射するテレセントリック光学系１１と，テレセントリック光学系から出力された光の偏波面を調整する偏波制御器１２と，偏波制御器からの出力を光路へと出力するための出力光学系１３と，を有する。テレセントリック光学系１１は，光波長多重信号が入射する第１の回折格子１５と，回折格子１５を経た光波長多重信号を集光する第１の集光レンズ１６と，を有する偏波制御器１２は，複数の位相変調器２１，２２，２３を有する。 （もっと読む）

【課題】環境温度の変化に伴う電気光学結晶の複屈折変化が存在する場合においても偏光状態を補償し、一定の感度を得ること。
【解決手段】印加される電界又は磁界により屈折率を変化させ、それによって通過する偏光を変調する電界検出用電気光学結晶９と同じ特性を有する複屈折補償用電気光学結晶８を、結晶軸が電界検出用電気光学結晶９の結晶軸に対して直交するように光の伝搬軸上に配置する。具体的には、遅（進）相軸が電界検出用電気光学結晶９の進（遅）相軸に対して平行になるように配置する。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子を用いた光変調素子の光変調度を向上することを目的とする。
【解決手段】磁化固定層１１と、非磁性中間層１２と、磁化自由層１３とをこの順で積層したスピン注入型磁化反転素子構造と、このスピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２，３とを備え、当該一対の電極２，３を介して電流を供給されることにより磁化自由層１３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する光変調素子１０において、一対の電極２，３のうち、磁化固定層１１側に設けられた電極である下部電極３は、少なくとも上層部がＡｇからなるように構成した。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、第１の複屈折率調整部１２０と、第２の複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを閃亜鉛鉱型構造を有する半導体基板１０１上に備える。第１の複屈折率調整部１２０及び第２の複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１の複屈折率調整部１２０は、第１の幅の第１の導波路部１０２Ａと、第２の幅の第２の導波路部１０３Ａと、第１の電極１０２Ｂと、第２の電極１０３Ｂとで構成され、ここで、第１の幅は第２の幅よりも大きい。第２の複屈折率調整部１３０は、第１の導波路部１０２Ａから傾斜して配置された第３の導波路部１０２Ｃと、第２の導波路部１０３Ｂから傾斜して第３の導波路部１０２Ｃと平行に配置された第４の導波路部１０３Ｃと、第３の電極１０２Ｄと、第４の電極１０３Ｄとで構成される。 （もっと読む）

【課題】精度の高い複屈折率調整が可能な半導体基板上の位相シフタを提供すること。
【解決手段】ＰＢＳ１００は、第１の光カプラ１１０と、複屈折率付与部１２０と、た複屈折率調整部１３０と、第２の光カプラ１４０とを、閃亜鉛鉱型構造を有する１０１半導体基板上に備える。複屈折率付与部１２０及び複屈折率調整部１３０が位相シフタとして機能する。第１のアーム導波路１０２の第５の導波路部１０２Ｃの上に、第１の電極１０２Ｄが配置され、第２のアーム導波路１０３の第４の導波路部１０３Ｂが有する第２の傾斜部分の上に第２の電極１０３Ｄが配置されている。第１の電極１０２Ｄが配置された第１の方向と、第２の電極１０３Ｄが配置された第２の方向は、複屈折率調整部１３０において、両電極に単位電圧を印加したときに、ＴＭ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が抑制され、ＴＥ偏光に対する上下アーム導波路間の位相差が増大される方向である。 （もっと読む）

【課題】周辺部分に非表示部分がある空間光変調器を複数並べた電子ホログラフィ表示装置で、隣の空間光変調器との境界部分で画像が途切れがちであるが、これがないようにする。
【解決手段】空間光変調器と拡大光学系を備える表示ユニットの複数を横に並べた面と、閲覧者との間に、光学系を配置して、上記の画像が途切れることを解決する。つまり、空間光変調器から出射した光を、拡大光学系を用いてそれぞれの表示ユニット毎に上記光学系で拡大し、複数の表示ユニットからの光を連結させて、表示面全体に広がる一連の画像にする。その際に、上記非表示部分からの光を遮光板で遮蔽する。次に、その一連の画像を縮小光学系で縮小する。これにより、その個々の空間光変調器の画素数や分解能などの表示特性を損なうことなく、上記の非表示部分の影響を除外でき、その部分で画像が途切れないようにする。 （もっと読む）

【課題】スピン注入型磁化反転素子の中間層におけるＭｇＯの（００１）面配向性を向上する。
【解決手段】光変調素子（スピン注入型磁化反転素子）５は、垂直磁気異方性を示す磁化固定層５１と、ＭｇＯからなる中間層５２と、垂直磁気異方性を示す磁化自由層５３とをこの順で積層したトンネル磁気抵抗型のスピン注入型磁化反転素子構造を備え、スピン注入型磁化反転素子構造の上下に設けられた一対の電極２、３を介して電流を供給されることにより磁化自由層５３の磁化方向を変化させて、入射した光をその偏光方向を変化させて出射する。ここで、磁化自由層５３は、遷移金属または遷移金属を含む合金からなる界面層５３ｂと、Ｔａ膜またはＲｕ膜からなる緩衝層５３ｃと、磁化方向が反転される磁性層である主層５３ａとをこの順で積層して構成した。 （もっと読む）

【課題】レーザ加工用等の用途に使用される高出力レーザ、例えばファイバーレーザに使用される光アイソレータ用に好適な小型化され高消光比の特性を有する光モジュールを提供すること。
【解決手段】波長１．０６μｍにおけるベルデ定数が０．２７ｍｉｎ／（Ｏｅ・ｃｍ）以上のファラディ回転子と、前記ファラディ回転子の外周に配置される中空マグネットとを備え、前記ファラディ回転子に印加される磁束密度Ｂ（Ｏｅ）は下記式（１）の範囲内にあり、前記ファラディ回転子が配置されるサンプル長Ｌ（ｃｍ）と外径Ｄ（ｃｍ）は下記式（２）及び（３）の範囲内にあることを特徴とし、更に前記ファラディ回転子は円筒形状であり、（２）及び（３）の寸法を満たし、１ｄＢ以下の挿入損失と３５ｄＢ以上の消光比を有する光モジュール。
０．５×１０⁴≦Ｂ≦１．５×１０⁴ （１）
０．７０≦Ｌ≦１．１０ （２）
０．２０≦Ｄ≦０．６０ （３） （もっと読む）