ダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法
【課題】ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性ガスを検知するガスセンサ素子の製造工程において、周知の方法によりシリコンウエハ１００の第二面１０１に電極５０，発熱体４０等を形成した後に、第一面１０２に、空洞部１２と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付ける孔部７０を形成するための空洞部１４のパターニングを行う。そして、エッチング処理を行い空洞部１２，１４を形成し（図３（ａ）参照）、空洞部１４の底部をなす絶縁層２０を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ１００のデッドスペースに孔部７０を形成する（図３（ｂ）参照）。
【解決手段】酸化性ガスを検知するガスセンサ素子の製造工程において、周知の方法によりシリコンウエハ１００の第二面１０１に電極５０，発熱体４０等を形成した後に、第一面１０２に、空洞部１２と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付ける孔部７０を形成するための空洞部１４のパターニングを行う。そして、エッチング処理を行い空洞部１２，１４を形成し（図３（ａ）参照）、空洞部１４の底部をなす絶縁層２０を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ１００のデッドスペースに孔部７０を形成する（図３（ｂ）参照）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法に関するものであり、その製造過程において、スパッタリングによる成膜がなされるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤフラム構造体を有する半導体素子として、ＮＯｘ等の特定のガスを検出するガスセンサ（ガスセンサ素子）が知られている。このようなガスセンサ素子は、空洞部を有するシリコンなどの半導体基板及びこの空洞部を覆うように半導体基板上に形成された絶縁膜からなるダイヤフラム構造体や、ダイヤフラム構造体の絶縁膜上に形成された酸化スズ等の材料にて構成される感応体や、絶縁膜の内部であって、空洞部に面する位置に設けられた発熱体等から構成されている。このダイヤフラム構造体は、ガスセンサ素子の熱容量を低下させるためのものであり、発熱体により加熱した状態で特定のガスに反応して変化する感応体の抵抗値を測定することにより、特定のガスの検出がなされる。
【０００３】
また、このガスセンサ素子の製造方法の一例として、シリコンウエハの一方の主表面に絶縁膜や発熱体等を形成し、シリコンウエハの反対側の主表面をエッチングして空洞部を設けてダイヤフラム構造体を形成し、その後に絶縁膜上にスパッタリングにより酸化スズ層を形成し、該酸化スズ層にウエットエッチング等を行うことにより感応体を形成するというものがある。
【０００４】
ここで、特許文献１には、マスクパターンが形成されたメタルマスクによりウエハを覆い、該メタルマスクの上からスパッタリングを行うことにより、ウエハの被処理面にマスクパターンに対応する形状の被膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１０７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の方法により上述したガスセンサ素子の感応体を形成する場合には、感応体の形状に対応するマスクパターンが形成されたメタルマスクにより、ダイヤフラム構造体が形成されたウエハの主表面を覆い、該メタルマスクの上からスパッタリングを行うと考えられる。ここで、上述したガスセンサ素子のシリコン基板の面積は数ｍｍ2程度と大変微少であるため、シリコンウエハを覆うメタルマスクの位置決めの際には、高い精度が要求されるが、特許文献１では、ウエハやメタルマスクに形成されたオリエンテーションフラットにより位置決めを行うことが記載されている。しかしながら、ウエハの感応体形成予定位置とオリエンテーションフラットとの位置関係は高い精度で一定に保たれているわけではなく、このような方法では、メタルマスクの位置決めをウエハの感応体形成予定位置に対して精度良く行うことはできない。
【０００７】
本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する為になされた本願発明は、空洞部を有する半導体基板及び該空洞部を覆うように該半導体基板上に形成される絶縁膜を含むダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法であって、絶縁膜が形成されており、かつ、空洞部が形成される前の状態である、半導体素子を切り出すウエハに対し、空洞部が形成される位置である空洞部形成位置を設定すると共に、該ウエハのデッドスペース上に形成される孔部の位置である孔部形成位置を、空洞部形成位置を基準として設定するためのパターニングを行う形成位置設定ステップと、ウエハの空洞部形成位置に空洞部を形成してダイヤフラム構造体を形成すると共に、孔部形成位置に孔部を形成するダイヤフラム形成ステップと、ウエハの孔部に取り付けられた保持部材により、マスクパターンが形成されたメタルマスクを、ウエハを覆った状態で保持させる保持ステップと、メタルマスクの上からウエハに対してスパッタリングを行い、ウエハに、メタルマスクに形成されたマスクパターンに応じた形状の被膜を形成する被膜形成ステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法によれば、空洞部（ダイヤフラム構造体）の位置と、ウエハのデッドスペースに形成される孔部との位置関係を高い精度で一定に保つことができる。このため、この孔部に取り付けられた保持部材によりウエハを覆うメタルマスクを保持することにより、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができ、ひいては被膜をウエハの狙いとする被処理位置（例えば、ウエハのうち空洞部に対応する位置）に適切に形成することができる。
【００１０】
尚、半導体素子としては、被膜が特定のガスを検出するための感応体であり、この感応体を絶縁膜上に形成してなるガスセンサ素子であっても良い。
既に述べたように、このようなガスセンサ素子を製造する際、ウエハに対してダイヤフラム構造体を形成した後に、このウエハ（詳細にはウエハの絶縁膜上）にスパッタリングにより感応体を形成する場合がある。上記製造方法を適用してガスセンサ素子を製造する場合には、メタルマスクによりウエハの一面を覆って感応体を形成するためのスパッタリングを行う際に、メタルマスクの位置決めを精度良く行うことができ、ひいては感応体をウエハの狙いとする被処理位置（例えば、ウエハのうち空洞部に対応する位置）に適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ガスセンサ素子や、ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図である。
【図２】ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図である。
【図３】ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図及び上面図である。
【図４】メタルマスクの上面図や、メタルマスクをシリコンウエハ上に載置する際の様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。
【００１３】
［構成の説明］
まず、本実施形態のガスセンサ素子の構成について説明する。本実施形態のガスセンサ素子は、被測定ガス中の窒素酸化物（ＮＯｘ）の濃度変化を検出するものであり、ＮＯｘの濃度に応じて電気抵抗値が変化する特性を有している。
【００１４】
図１（ａ）には、ガスセンサ素子１の断面図が記載されている。ガスセンサ素子１は、シリコンからなる半導体基板１０（以後、単に基板とも記載）と、基板１０の両面に形成された絶縁層２０と、基板１０の一方の面（第一面１１とも記載）から基板１０をエッチングすることにより形成された空洞部１２と、を有しており、空洞部１２の一方を覆うように基板１０の第一面とは反対側の面（第二面１３とも記載）上に絶縁層２０を形成することによりダイヤフラム構造体が形成されている。また、ガスセンサ素子１は、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０上に、空洞部１２の底部（換言すれば、絶縁層２０のうち、空洞部１２に露出する部位）に対面するように配置された感応体３０と、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０の内部であって、空洞部１２の底部に対応する位置（換言すれば、絶縁層２０の厚み方向に見たときに、空洞部１２の底部と重なる位置）に配置された発熱体４０と、感応体３０に覆われた状態で配置された一対の電極５０を備える。なお、感応体３０は、金属酸化物半導体（具体的には、後述する酸化スズ）から構成されている。
【００１５】
そして、このようなガスセンサ素子１は、発熱体４０により感応体３０が加熱されて活性化され、電極５０から感応体３０の抵抗値変化に応じた出力の変化を測定することにより、ＮＯｘの濃度変化が検出される。
【００１６】
絶縁層２０は、基板１０に積層された酸化ケイ素（ＳｉＯ2）で構成される第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１に積層された窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）で構成される第２絶縁層２２とを備える。また、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０は、さらに、第２絶縁層２２に積層された酸化ケイ素（ＳｉＯ2）により構成され、内部に発熱体４０が配置される発熱体絶縁層２３と、発熱体絶縁層２３に積層された窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）により構成される感応体側絶縁層２４とを備える。
【００１７】
一対の電極５０は、感応体側絶縁層２４上に積層されたＴｉ層と、Ｔｉ層上にさらに積層されたＰｔ層により構成されている。
感応体３０は、電極５０に接続された状態で感応体側絶縁層２４上に形成されており、酸化スズ（ＳｎＯ2）を主体とする材料により構成されている。
【００１８】
発熱体４０は、発熱体絶縁層２３内部に形成されており、Ｐｔ層とＴａ層の２層により構成されている。この発熱体４０は、ガスセンサ素子１を感応体３０の上面から投影したときに、略渦巻き状のパターンに形成されている。
【００１９】
また、ガスセンサ素子１は、発熱体４０に電力供給を行うための発熱体用リード部４１と、発熱体用リード部４１を外部の電力供給ラインに接続するためのコンタクト部４２と、電極５０に接続される電極用リード部５１と、電極用リード部５１を外部の出力取出しラインに接続するコンタクト部５２とを備える。
【００２０】
［製造方法について］
次に、ガスセンサ素子１の製造方法について説明する。本実施形態では、後述の第１１〜１２工程によりダイヤフラム構造体を有するシリコンウエハを作製し、第１４〜１５工程によりダイヤフラム構造体を有するシリコンウエハの一面をメタルマスクで覆い、該メタルマスクの上から酸化スズのスパッタリングを行うことにより、ガスセンサ素子１の感応体３０を形成する。尚、シリコンウエハの主表面のうち、空洞部１２の開口部が形成される面を第一面、第一面の反対側の面を第二面とする。
【００２１】
また、本実施形態の製造方法に用いるシリコンウエハは、複数のガスセンサ素子１を切り出せる大きさを有しており、外縁寄り部位にガスセンサ素子１が形成されないデットスペースが存在している（図３（ｃ）参照）。尚、図１（ｂ），（ｃ）、図２、図３（ａ），（ｂ）に示すシリコンウエハの断面図では、説明を容易にするために、１つのガスセンサ素子１を対象にした発熱体４０や空洞部１２等、及び、１つの孔部７０を示しているが、実際は複数のガスセンサ素子１に対応した発熱体４０や空洞部１２等、及び、複数の孔部７０が各工程を経ることでそれぞれ形成されるものである。
【００２２】
まず、第１工程では、基板１０が取り出されるシリコンウエハを洗浄液中に浸し、該シリコンウエハの主表面を洗浄する。
第２工程では、第１絶縁層２１となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハを熱処理炉に入れ、熱酸化処理にて膜厚が１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、第１絶縁層２１とする。
【００２３】
第３工程では、第２絶縁層２２となる窒化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハの各主表面に、ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＮＨ3をソースガスとするＬＰ−ＣＶＤにより層厚が２００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成し、第２絶縁層２２とする。
【００２４】
第４工程では、発熱体絶縁層２３のうち下部発熱体絶縁層２３１となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハ１００の第二面１０１に、ＴＥＯＳ，Ｏ2をソースガスとするプラズマＣＶＤにて層厚１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、下部発熱体絶縁層２３１とする。尚、図１（ｂ）には、第４工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２５】
第５工程では、発熱体４０と発熱体用リード部４１を形成する。つまり、ＤＣスパッタ装置を用いて、下部発熱体絶縁層２３１の表面に層厚２０ｎｍのＴａ層を形成し、その上に、層厚２２０ｎｍのＰｔ層を形成する。その後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で所定のパターン形状を有する発熱体４０と発熱体用リード部４１を形成する。尚、図１（ｃ）には、第５工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２６】
第６工程では、発熱体絶縁層２３のうち上部発熱体絶縁層２３２となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、下部発熱体絶縁層２３１の表面に、ＴＥＯＳ，Ｏ2をソースガスとするプラズマＣＶＤにて層厚１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、上部発熱体絶縁層２３２とする。
【００２７】
第７工程では、感応体側絶縁層２４となる窒化ケイ素膜を形成する。つまり、発熱体絶縁層２３の表面に、ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＮＨ3をソースガスとするＬＰ−ＣＶＤにて層厚２００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成し、感応体側絶縁層２４とする。尚、図２（ａ）には、第７工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２８】
第８工程では、一対の電極５０と電極用リード部５１とを形成する。つまり、ＤＣスパッタ装置を用いて、感応体側絶縁層２４に対して下層電極としての層厚２０ｎｍのＴｉ層を形成した後、上層電極としての層厚４０ｎｍのＰｔ層を形成する。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理を行うことで、所定のパターン形状を有する電極５０及び電極用リード部５１を形成する。
【００２９】
第９工程では、発熱体用リード部４１のコンタクト部４２が配される凹部２５を形成する。つまり、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ドライエッチング法で発熱体絶縁層２３と感応体側絶縁層２４のエッチングを行い、凹部２５を形成する。尚、図２（ｂ）には、第９工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００３０】
第１０工程では、発熱体用リード部４１のコンタクト部４２と、電極用リード部５１のコンタクト部５２とを形成する。
第１１工程では、空洞部１２と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付けるための孔部のパターニングを行う。つまり、空洞部１２とシリコンウエハのデッドスペースに配される孔部のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、シリコンウエハ１００の第一面１０２に形成された第２絶縁層２２に対し、フォトリソグラフィによりレジスト６０のパターニングを行う。尚、図２（ｃ）には、第１１工程が終了した時点のシリコンウエハの断面図が記載されている。
【００３１】
第１２工程では、空洞部１２と上記孔部を形成するための空洞部１４とを形成する。つまり、第１１工程におけるパターニングによりマスクとなる絶縁膜をドライエッチングし、第１絶縁層２１が露出したシリコンウエハ１００をＴＭＡＨ溶液中に浸してシリコンの異方性エッチングを行い、空洞部１２，１４を形成する。これにより、空洞部１２の一方を絶縁層２０にて覆うダイヤフラム構造体が形成される。尚、図３（ａ）には、第１２工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００３２】
第１３工程では、シリコンウエハ１００に形成された空洞部１４の底部をなす第二面１０１側の絶縁層２０を針等の貫通部材により貫通し、孔部７０を形成する。空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と、シリコンウエハ１００のデッドスペースに形成された空洞部１４とは、第１１工程におけるパターニングにより形成位置が定められたものであるため、孔部７０の形成位置と空洞部１２（ダイヤフラム構造体）との位置関係は、空洞部１２を配置する精度と同程度の高い精度で一定に保たれる。尚、図３（ｂ），（ｃ）には、第１３工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図と、該シリコンウエハ１００の上面図が記載されている。図３（ｃ）に記載されているように、シリコンウエハ１００のデッドスペース８０には、８個の孔部７０が外径に沿って等間隔に配置されている。
【００３３】
第１４工程では、複数の感応体３０をシリコンウエハ１００に形成するための感応体形成用開口部が複数形成されたメタルマスク３００（図４（ａ）参照）を、シリコンウエハ１００の第二面１０１に載置する。
【００３４】
尚、図４（ａ）に記載されているように、メタルマスク３００の外縁寄り部位のスペース３１０にも、シリコンウエハ１００に形成された孔部７０に対応するように、外径に沿って等間隔に配置された８個の孔部３２０が形成されている。このメタルマスク３００を製作する工程においては、孔部３２０と感応体形成用開口部の形成位置は、シリコンウエハ１００上の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と孔部７０の形成位置を基準として定められる。このため、メタルマスク３００上の孔部３２０と各感応体形成用開口部との位置関係と、シリコンウエハ１００上の孔部７０と各空洞部１２（ダイヤフラム構造体）との位置関係とは、一致したものとなっている。
【００３５】
そして、図４（ｂ）に記載されているように、シリコンウエハ１００の孔部７０に、上述の保持部材としての棒状部材２００を挿通させると共に、オリエンテーションフラットを合わせてメタルマスク３００の孔部３２０に棒状部材２００を挿通させ、メタルマスク３００を、シリコンウエハ１００の第二面を覆った状態で保持する。このとき、メタルマスク３００上の各感応体形成用開口部は、シリコンウエハ１００の第二面１０１における、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の底部をなす絶縁層２０の略中央の感応体３０の形成予定位置に配置される。
【００３６】
第１５工程では、ターゲットとして酸化スズを準備し、シリコンウエハ１００を５０〜４００℃に加熱し、ＲＦスパッタ装置を用いてメタルマスク３００の上からシリコンウエハ１００の第二面に対しスパッタリングを行い、層厚２００ｎｍの酸化スズ層を形成する。これにより、メタルマスク３００に形成された感応体形成用開口部（マスクパターン）と同形状の感応体３０が形成される。
【００３７】
第１６工程では、複数の感応体３０が形成されたシリコンウエハ１００をダイシングソーにより切断し、ダイヤフラム構造体を有する複数のガスセンサ素子１を切り出す。
以上の工程を実施することで製造された各ガスセンサ素子１は、Ａｕワイヤなどを介して配線基板と接続され、その後大気中にて２５０℃で１００時間にわたりエージング処理がなされ、最終的にガスセンサ素子１（あるいは、ガスセンサ素子１が備えられたガスセンサ）として完成される。
【００３８】
［効果］
本実施形態の製造方法によれば、第１１工程のパターニングにより空洞部１２（ダイヤフラム構造体）とシリコンウエハ１００のデッドスペース８０上の孔部７０の形成位置が定められ、第１２工程のエッチングにより、これらの位置に空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と、上記孔部７０を形成するための空洞部１４が形成される。このため、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の位置と、空洞部１４の底部を貫通させて形成される孔部７０との位置関係を、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）を配置する際の精度と同程度の高い精度で一定に保つことができる。
【００３９】
また、第１４，１５工程で用いられるメタルマスク３００は、感応体形成用開口部と外径に沿って形成されている孔部３２０との位置関係が、シリコンウエハ１００上の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と孔部７０の位置関係と一致している。
【００４０】
このため、孔部７０，３２０に保持部材２００を挿通させた状態でシリコンウエハ１００の第二面１０１上にメタルマスク３００を載置することで（第１４工程）、メタルマスク３００上の各感応体形成用開口部を、シリコンウエハ１００の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の底部をなす絶縁層２０における感応体３０の形成予定位置に精度良く配置することができるのである。
【００４１】
したがって、シリコンウエハ１００の第二面１０１上に載置されたメタルマスク３００の上からスパッタリングを行い、ガスセンサ素子１の感応体３０を形成することが可能となる。
【００４２】
［他の実施形態］
（１）本実施形態では、ダイヤフラム構造体を有するガスセンサ素子１の製造工程を例に挙げて説明したが、本実施形態における製造方法は、ダイヤフラム構造体を有する他の半導体素子の製造にも適用することができる。
（２）また、本実施形態では、一例として、メタルマスクを保持するための孔部をシリコンウエハのデッドスペースに８個設けているが、この孔部の数はこれに限定されることは無い。シリコンウエハのデッドスペースに、少なくとも３個の孔部が外径に沿って等間隔に配置されていれば、シリコンウエハに載置されたメタルマスクを安定して保持できると考えられる。
（３）また、本実施形態では、第１３工程にて、シリコンウエハ１００に形成された空洞部１４の底部をなす第二面１０１側の絶縁層２０を針等の貫通部材により貫通し、孔部７０を形成している。しかしながら、例えば、フォトリソグラフィによりパターニングを行った後にドライエッチングを行うことで、該絶縁層２０を貫通させても良い。
（４）さらに、本実施形態では、ＮＯｘを検出するガスセンサ素子を例に説明したが、感応体の材質を変更したり、適宜の触媒を担持させたりして、ＨＣやＣＯ，Ｈ2などの特定のガスの濃度変化を検出するガスセンサ素子としてもよい。なお、感応体３０の材質も、酸化スズに限られず、酸化インジウムや酸化タングステン等を用いてもよい。
【００４３】
［特許請求の範囲との対応］
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。
【００４４】
第１１工程が形成位置設定ステップに、第１２工程及び第１３工程がダイヤフラム形成ステップに、第１４工程が保持ステップに、第１５工程が被膜形成ステップに相当する。
【符号の説明】
【００４５】
１…ガスセンサ素子、１０…シリコン基板、１１…第一面、１２…空洞部、１３…第二面、１４…空洞部、２０…絶縁層、２１…第１絶縁層、２２…第２絶縁層、２３…発熱体絶縁層、２３１…下部発熱体絶縁層、２３２…上部発熱体絶縁層、２４…感応体側絶縁層、２５…凹部、３０…感応体、４０…発熱体、４１…発熱体用リード部、４２…コンタクト部、５０…電極、５１…電極用リード部、５２…コンタクト部、６０…レジスト、７０…孔部、８０…デッドスペース、１００…シリコンウエハ、１０１…第二面、１０２…第一面、２００…棒状部材、３００…メタルマスク、３１０…デッドスペース、３２０…孔部。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法に関するものであり、その製造過程において、スパッタリングによる成膜がなされるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ダイヤフラム構造体を有する半導体素子として、ＮＯｘ等の特定のガスを検出するガスセンサ（ガスセンサ素子）が知られている。このようなガスセンサ素子は、空洞部を有するシリコンなどの半導体基板及びこの空洞部を覆うように半導体基板上に形成された絶縁膜からなるダイヤフラム構造体や、ダイヤフラム構造体の絶縁膜上に形成された酸化スズ等の材料にて構成される感応体や、絶縁膜の内部であって、空洞部に面する位置に設けられた発熱体等から構成されている。このダイヤフラム構造体は、ガスセンサ素子の熱容量を低下させるためのものであり、発熱体により加熱した状態で特定のガスに反応して変化する感応体の抵抗値を測定することにより、特定のガスの検出がなされる。
【０００３】
また、このガスセンサ素子の製造方法の一例として、シリコンウエハの一方の主表面に絶縁膜や発熱体等を形成し、シリコンウエハの反対側の主表面をエッチングして空洞部を設けてダイヤフラム構造体を形成し、その後に絶縁膜上にスパッタリングにより酸化スズ層を形成し、該酸化スズ層にウエットエッチング等を行うことにより感応体を形成するというものがある。
【０００４】
ここで、特許文献１には、マスクパターンが形成されたメタルマスクによりウエハを覆い、該メタルマスクの上からスパッタリングを行うことにより、ウエハの被処理面にマスクパターンに対応する形状の被膜を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１０７１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の方法により上述したガスセンサ素子の感応体を形成する場合には、感応体の形状に対応するマスクパターンが形成されたメタルマスクにより、ダイヤフラム構造体が形成されたウエハの主表面を覆い、該メタルマスクの上からスパッタリングを行うと考えられる。ここで、上述したガスセンサ素子のシリコン基板の面積は数ｍｍ2程度と大変微少であるため、シリコンウエハを覆うメタルマスクの位置決めの際には、高い精度が要求されるが、特許文献１では、ウエハやメタルマスクに形成されたオリエンテーションフラットにより位置決めを行うことが記載されている。しかしながら、ウエハの感応体形成予定位置とオリエンテーションフラットとの位置関係は高い精度で一定に保たれているわけではなく、このような方法では、メタルマスクの位置決めをウエハの感応体形成予定位置に対して精度良く行うことはできない。
【０００７】
本願発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する為になされた本願発明は、空洞部を有する半導体基板及び該空洞部を覆うように該半導体基板上に形成される絶縁膜を含むダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法であって、絶縁膜が形成されており、かつ、空洞部が形成される前の状態である、半導体素子を切り出すウエハに対し、空洞部が形成される位置である空洞部形成位置を設定すると共に、該ウエハのデッドスペース上に形成される孔部の位置である孔部形成位置を、空洞部形成位置を基準として設定するためのパターニングを行う形成位置設定ステップと、ウエハの空洞部形成位置に空洞部を形成してダイヤフラム構造体を形成すると共に、孔部形成位置に孔部を形成するダイヤフラム形成ステップと、ウエハの孔部に取り付けられた保持部材により、マスクパターンが形成されたメタルマスクを、ウエハを覆った状態で保持させる保持ステップと、メタルマスクの上からウエハに対してスパッタリングを行い、ウエハに、メタルマスクに形成されたマスクパターンに応じた形状の被膜を形成する被膜形成ステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法によれば、空洞部（ダイヤフラム構造体）の位置と、ウエハのデッドスペースに形成される孔部との位置関係を高い精度で一定に保つことができる。このため、この孔部に取り付けられた保持部材によりウエハを覆うメタルマスクを保持することにより、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができ、ひいては被膜をウエハの狙いとする被処理位置（例えば、ウエハのうち空洞部に対応する位置）に適切に形成することができる。
【００１０】
尚、半導体素子としては、被膜が特定のガスを検出するための感応体であり、この感応体を絶縁膜上に形成してなるガスセンサ素子であっても良い。
既に述べたように、このようなガスセンサ素子を製造する際、ウエハに対してダイヤフラム構造体を形成した後に、このウエハ（詳細にはウエハの絶縁膜上）にスパッタリングにより感応体を形成する場合がある。上記製造方法を適用してガスセンサ素子を製造する場合には、メタルマスクによりウエハの一面を覆って感応体を形成するためのスパッタリングを行う際に、メタルマスクの位置決めを精度良く行うことができ、ひいては感応体をウエハの狙いとする被処理位置（例えば、ウエハのうち空洞部に対応する位置）に適切に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】ガスセンサ素子や、ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図である。
【図２】ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図である。
【図３】ガスセンサ素子を製造するためのシリコンウエハの断面図及び上面図である。
【図４】メタルマスクの上面図や、メタルマスクをシリコンウエハ上に載置する際の様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。尚、本発明の実施の形態は、下記の実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採りうる。
【００１３】
［構成の説明］
まず、本実施形態のガスセンサ素子の構成について説明する。本実施形態のガスセンサ素子は、被測定ガス中の窒素酸化物（ＮＯｘ）の濃度変化を検出するものであり、ＮＯｘの濃度に応じて電気抵抗値が変化する特性を有している。
【００１４】
図１（ａ）には、ガスセンサ素子１の断面図が記載されている。ガスセンサ素子１は、シリコンからなる半導体基板１０（以後、単に基板とも記載）と、基板１０の両面に形成された絶縁層２０と、基板１０の一方の面（第一面１１とも記載）から基板１０をエッチングすることにより形成された空洞部１２と、を有しており、空洞部１２の一方を覆うように基板１０の第一面とは反対側の面（第二面１３とも記載）上に絶縁層２０を形成することによりダイヤフラム構造体が形成されている。また、ガスセンサ素子１は、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０上に、空洞部１２の底部（換言すれば、絶縁層２０のうち、空洞部１２に露出する部位）に対面するように配置された感応体３０と、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０の内部であって、空洞部１２の底部に対応する位置（換言すれば、絶縁層２０の厚み方向に見たときに、空洞部１２の底部と重なる位置）に配置された発熱体４０と、感応体３０に覆われた状態で配置された一対の電極５０を備える。なお、感応体３０は、金属酸化物半導体（具体的には、後述する酸化スズ）から構成されている。
【００１５】
そして、このようなガスセンサ素子１は、発熱体４０により感応体３０が加熱されて活性化され、電極５０から感応体３０の抵抗値変化に応じた出力の変化を測定することにより、ＮＯｘの濃度変化が検出される。
【００１６】
絶縁層２０は、基板１０に積層された酸化ケイ素（ＳｉＯ2）で構成される第１絶縁層２１と、第１絶縁層２１に積層された窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）で構成される第２絶縁層２２とを備える。また、基板１０の第二面１３に形成された絶縁層２０は、さらに、第２絶縁層２２に積層された酸化ケイ素（ＳｉＯ2）により構成され、内部に発熱体４０が配置される発熱体絶縁層２３と、発熱体絶縁層２３に積層された窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）により構成される感応体側絶縁層２４とを備える。
【００１７】
一対の電極５０は、感応体側絶縁層２４上に積層されたＴｉ層と、Ｔｉ層上にさらに積層されたＰｔ層により構成されている。
感応体３０は、電極５０に接続された状態で感応体側絶縁層２４上に形成されており、酸化スズ（ＳｎＯ2）を主体とする材料により構成されている。
【００１８】
発熱体４０は、発熱体絶縁層２３内部に形成されており、Ｐｔ層とＴａ層の２層により構成されている。この発熱体４０は、ガスセンサ素子１を感応体３０の上面から投影したときに、略渦巻き状のパターンに形成されている。
【００１９】
また、ガスセンサ素子１は、発熱体４０に電力供給を行うための発熱体用リード部４１と、発熱体用リード部４１を外部の電力供給ラインに接続するためのコンタクト部４２と、電極５０に接続される電極用リード部５１と、電極用リード部５１を外部の出力取出しラインに接続するコンタクト部５２とを備える。
【００２０】
［製造方法について］
次に、ガスセンサ素子１の製造方法について説明する。本実施形態では、後述の第１１〜１２工程によりダイヤフラム構造体を有するシリコンウエハを作製し、第１４〜１５工程によりダイヤフラム構造体を有するシリコンウエハの一面をメタルマスクで覆い、該メタルマスクの上から酸化スズのスパッタリングを行うことにより、ガスセンサ素子１の感応体３０を形成する。尚、シリコンウエハの主表面のうち、空洞部１２の開口部が形成される面を第一面、第一面の反対側の面を第二面とする。
【００２１】
また、本実施形態の製造方法に用いるシリコンウエハは、複数のガスセンサ素子１を切り出せる大きさを有しており、外縁寄り部位にガスセンサ素子１が形成されないデットスペースが存在している（図３（ｃ）参照）。尚、図１（ｂ），（ｃ）、図２、図３（ａ），（ｂ）に示すシリコンウエハの断面図では、説明を容易にするために、１つのガスセンサ素子１を対象にした発熱体４０や空洞部１２等、及び、１つの孔部７０を示しているが、実際は複数のガスセンサ素子１に対応した発熱体４０や空洞部１２等、及び、複数の孔部７０が各工程を経ることでそれぞれ形成されるものである。
【００２２】
まず、第１工程では、基板１０が取り出されるシリコンウエハを洗浄液中に浸し、該シリコンウエハの主表面を洗浄する。
第２工程では、第１絶縁層２１となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハを熱処理炉に入れ、熱酸化処理にて膜厚が１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、第１絶縁層２１とする。
【００２３】
第３工程では、第２絶縁層２２となる窒化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハの各主表面に、ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＮＨ3をソースガスとするＬＰ−ＣＶＤにより層厚が２００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成し、第２絶縁層２２とする。
【００２４】
第４工程では、発熱体絶縁層２３のうち下部発熱体絶縁層２３１となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、シリコンウエハ１００の第二面１０１に、ＴＥＯＳ，Ｏ2をソースガスとするプラズマＣＶＤにて層厚１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、下部発熱体絶縁層２３１とする。尚、図１（ｂ）には、第４工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２５】
第５工程では、発熱体４０と発熱体用リード部４１を形成する。つまり、ＤＣスパッタ装置を用いて、下部発熱体絶縁層２３１の表面に層厚２０ｎｍのＴａ層を形成し、その上に、層厚２２０ｎｍのＰｔ層を形成する。その後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理で所定のパターン形状を有する発熱体４０と発熱体用リード部４１を形成する。尚、図１（ｃ）には、第５工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２６】
第６工程では、発熱体絶縁層２３のうち上部発熱体絶縁層２３２となる酸化ケイ素膜を形成する。つまり、下部発熱体絶縁層２３１の表面に、ＴＥＯＳ，Ｏ2をソースガスとするプラズマＣＶＤにて層厚１００ｎｍの酸化ケイ素膜を形成し、上部発熱体絶縁層２３２とする。
【００２７】
第７工程では、感応体側絶縁層２４となる窒化ケイ素膜を形成する。つまり、発熱体絶縁層２３の表面に、ＳｉＨ2Ｃｌ2，ＮＨ3をソースガスとするＬＰ−ＣＶＤにて層厚２００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成し、感応体側絶縁層２４とする。尚、図２（ａ）には、第７工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００２８】
第８工程では、一対の電極５０と電極用リード部５１とを形成する。つまり、ＤＣスパッタ装置を用いて、感応体側絶縁層２４に対して下層電極としての層厚２０ｎｍのＴｉ層を形成した後、上層電極としての層厚４０ｎｍのＰｔ層を形成する。スパッタ後、フォトリソグラフィによりレジストのパターニングを行い、ウエットエッチング処理を行うことで、所定のパターン形状を有する電極５０及び電極用リード部５１を形成する。
【００２９】
第９工程では、発熱体用リード部４１のコンタクト部４２が配される凹部２５を形成する。つまり、フォトリソグラフィによりパターニングを行い、ドライエッチング法で発熱体絶縁層２３と感応体側絶縁層２４のエッチングを行い、凹部２５を形成する。尚、図２（ｂ）には、第９工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００３０】
第１０工程では、発熱体用リード部４１のコンタクト部４２と、電極用リード部５１のコンタクト部５２とを形成する。
第１１工程では、空洞部１２と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付けるための孔部のパターニングを行う。つまり、空洞部１２とシリコンウエハのデッドスペースに配される孔部のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、シリコンウエハ１００の第一面１０２に形成された第２絶縁層２２に対し、フォトリソグラフィによりレジスト６０のパターニングを行う。尚、図２（ｃ）には、第１１工程が終了した時点のシリコンウエハの断面図が記載されている。
【００３１】
第１２工程では、空洞部１２と上記孔部を形成するための空洞部１４とを形成する。つまり、第１１工程におけるパターニングによりマスクとなる絶縁膜をドライエッチングし、第１絶縁層２１が露出したシリコンウエハ１００をＴＭＡＨ溶液中に浸してシリコンの異方性エッチングを行い、空洞部１２，１４を形成する。これにより、空洞部１２の一方を絶縁層２０にて覆うダイヤフラム構造体が形成される。尚、図３（ａ）には、第１２工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図が記載されている。
【００３２】
第１３工程では、シリコンウエハ１００に形成された空洞部１４の底部をなす第二面１０１側の絶縁層２０を針等の貫通部材により貫通し、孔部７０を形成する。空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と、シリコンウエハ１００のデッドスペースに形成された空洞部１４とは、第１１工程におけるパターニングにより形成位置が定められたものであるため、孔部７０の形成位置と空洞部１２（ダイヤフラム構造体）との位置関係は、空洞部１２を配置する精度と同程度の高い精度で一定に保たれる。尚、図３（ｂ），（ｃ）には、第１３工程が終了した時点のシリコンウエハ１００の断面図と、該シリコンウエハ１００の上面図が記載されている。図３（ｃ）に記載されているように、シリコンウエハ１００のデッドスペース８０には、８個の孔部７０が外径に沿って等間隔に配置されている。
【００３３】
第１４工程では、複数の感応体３０をシリコンウエハ１００に形成するための感応体形成用開口部が複数形成されたメタルマスク３００（図４（ａ）参照）を、シリコンウエハ１００の第二面１０１に載置する。
【００３４】
尚、図４（ａ）に記載されているように、メタルマスク３００の外縁寄り部位のスペース３１０にも、シリコンウエハ１００に形成された孔部７０に対応するように、外径に沿って等間隔に配置された８個の孔部３２０が形成されている。このメタルマスク３００を製作する工程においては、孔部３２０と感応体形成用開口部の形成位置は、シリコンウエハ１００上の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と孔部７０の形成位置を基準として定められる。このため、メタルマスク３００上の孔部３２０と各感応体形成用開口部との位置関係と、シリコンウエハ１００上の孔部７０と各空洞部１２（ダイヤフラム構造体）との位置関係とは、一致したものとなっている。
【００３５】
そして、図４（ｂ）に記載されているように、シリコンウエハ１００の孔部７０に、上述の保持部材としての棒状部材２００を挿通させると共に、オリエンテーションフラットを合わせてメタルマスク３００の孔部３２０に棒状部材２００を挿通させ、メタルマスク３００を、シリコンウエハ１００の第二面を覆った状態で保持する。このとき、メタルマスク３００上の各感応体形成用開口部は、シリコンウエハ１００の第二面１０１における、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の底部をなす絶縁層２０の略中央の感応体３０の形成予定位置に配置される。
【００３６】
第１５工程では、ターゲットとして酸化スズを準備し、シリコンウエハ１００を５０〜４００℃に加熱し、ＲＦスパッタ装置を用いてメタルマスク３００の上からシリコンウエハ１００の第二面に対しスパッタリングを行い、層厚２００ｎｍの酸化スズ層を形成する。これにより、メタルマスク３００に形成された感応体形成用開口部（マスクパターン）と同形状の感応体３０が形成される。
【００３７】
第１６工程では、複数の感応体３０が形成されたシリコンウエハ１００をダイシングソーにより切断し、ダイヤフラム構造体を有する複数のガスセンサ素子１を切り出す。
以上の工程を実施することで製造された各ガスセンサ素子１は、Ａｕワイヤなどを介して配線基板と接続され、その後大気中にて２５０℃で１００時間にわたりエージング処理がなされ、最終的にガスセンサ素子１（あるいは、ガスセンサ素子１が備えられたガスセンサ）として完成される。
【００３８】
［効果］
本実施形態の製造方法によれば、第１１工程のパターニングにより空洞部１２（ダイヤフラム構造体）とシリコンウエハ１００のデッドスペース８０上の孔部７０の形成位置が定められ、第１２工程のエッチングにより、これらの位置に空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と、上記孔部７０を形成するための空洞部１４が形成される。このため、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の位置と、空洞部１４の底部を貫通させて形成される孔部７０との位置関係を、空洞部１２（ダイヤフラム構造体）を配置する際の精度と同程度の高い精度で一定に保つことができる。
【００３９】
また、第１４，１５工程で用いられるメタルマスク３００は、感応体形成用開口部と外径に沿って形成されている孔部３２０との位置関係が、シリコンウエハ１００上の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）と孔部７０の位置関係と一致している。
【００４０】
このため、孔部７０，３２０に保持部材２００を挿通させた状態でシリコンウエハ１００の第二面１０１上にメタルマスク３００を載置することで（第１４工程）、メタルマスク３００上の各感応体形成用開口部を、シリコンウエハ１００の空洞部１２（ダイヤフラム構造体）の底部をなす絶縁層２０における感応体３０の形成予定位置に精度良く配置することができるのである。
【００４１】
したがって、シリコンウエハ１００の第二面１０１上に載置されたメタルマスク３００の上からスパッタリングを行い、ガスセンサ素子１の感応体３０を形成することが可能となる。
【００４２】
［他の実施形態］
（１）本実施形態では、ダイヤフラム構造体を有するガスセンサ素子１の製造工程を例に挙げて説明したが、本実施形態における製造方法は、ダイヤフラム構造体を有する他の半導体素子の製造にも適用することができる。
（２）また、本実施形態では、一例として、メタルマスクを保持するための孔部をシリコンウエハのデッドスペースに８個設けているが、この孔部の数はこれに限定されることは無い。シリコンウエハのデッドスペースに、少なくとも３個の孔部が外径に沿って等間隔に配置されていれば、シリコンウエハに載置されたメタルマスクを安定して保持できると考えられる。
（３）また、本実施形態では、第１３工程にて、シリコンウエハ１００に形成された空洞部１４の底部をなす第二面１０１側の絶縁層２０を針等の貫通部材により貫通し、孔部７０を形成している。しかしながら、例えば、フォトリソグラフィによりパターニングを行った後にドライエッチングを行うことで、該絶縁層２０を貫通させても良い。
（４）さらに、本実施形態では、ＮＯｘを検出するガスセンサ素子を例に説明したが、感応体の材質を変更したり、適宜の触媒を担持させたりして、ＨＣやＣＯ，Ｈ2などの特定のガスの濃度変化を検出するガスセンサ素子としてもよい。なお、感応体３０の材質も、酸化スズに限られず、酸化インジウムや酸化タングステン等を用いてもよい。
【００４３】
［特許請求の範囲との対応］
上記実施形態の説明で用いた用語と、特許請求の範囲の記載に用いた用語との対応を示す。
【００４４】
第１１工程が形成位置設定ステップに、第１２工程及び第１３工程がダイヤフラム形成ステップに、第１４工程が保持ステップに、第１５工程が被膜形成ステップに相当する。
【符号の説明】
【００４５】
１…ガスセンサ素子、１０…シリコン基板、１１…第一面、１２…空洞部、１３…第二面、１４…空洞部、２０…絶縁層、２１…第１絶縁層、２２…第２絶縁層、２３…発熱体絶縁層、２３１…下部発熱体絶縁層、２３２…上部発熱体絶縁層、２４…感応体側絶縁層、２５…凹部、３０…感応体、４０…発熱体、４１…発熱体用リード部、４２…コンタクト部、５０…電極、５１…電極用リード部、５２…コンタクト部、６０…レジスト、７０…孔部、８０…デッドスペース、１００…シリコンウエハ、１０１…第二面、１０２…第一面、２００…棒状部材、３００…メタルマスク、３１０…デッドスペース、３２０…孔部。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空洞部を有する半導体基板及び該空洞部を覆うように該半導体基板上に形成される絶縁膜を含むダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法であって、
前記絶縁膜が形成されており、かつ、前記空洞部が形成される前の状態である、前記半導体素子を切り出すウエハに対し、前記空洞部が形成される位置である空洞部形成位置を設定すると共に、該ウエハのデッドスペース上に形成される孔部の位置である孔部形成位置を、前記空洞部形成位置を基準として設定するためのパターニングを行う形成位置設定ステップと、
前記ウエハ上の前記空洞部形成位置に前記空洞部を形成して前記ダイヤフラム構造体を形成すると共に、前記孔部形成位置に前記孔部を形成するダイヤフラム形成ステップと、
前記ウエハの前記孔部に取り付けられた保持部材により、マスクパターンが形成されたメタルマスクを、前記ウエハを覆った状態で保持させる保持ステップと、
前記メタルマスクの上から前記ウエハに対してスパッタリングを行い、前記ウエハに、前記メタルマスクに形成された前記マスクパターンに応じた形状の被膜を形成する被膜形成ステップと、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、
前記半導体素子とは、前記被膜が特定のガスを検出するための感応体であり、この感応体を前記絶縁膜上に形成してなるガスセンサ素子であること、
を特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１】
空洞部を有する半導体基板及び該空洞部を覆うように該半導体基板上に形成される絶縁膜を含むダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法であって、
前記絶縁膜が形成されており、かつ、前記空洞部が形成される前の状態である、前記半導体素子を切り出すウエハに対し、前記空洞部が形成される位置である空洞部形成位置を設定すると共に、該ウエハのデッドスペース上に形成される孔部の位置である孔部形成位置を、前記空洞部形成位置を基準として設定するためのパターニングを行う形成位置設定ステップと、
前記ウエハ上の前記空洞部形成位置に前記空洞部を形成して前記ダイヤフラム構造体を形成すると共に、前記孔部形成位置に前記孔部を形成するダイヤフラム形成ステップと、
前記ウエハの前記孔部に取り付けられた保持部材により、マスクパターンが形成されたメタルマスクを、前記ウエハを覆った状態で保持させる保持ステップと、
前記メタルマスクの上から前記ウエハに対してスパッタリングを行い、前記ウエハに、前記メタルマスクに形成された前記マスクパターンに応じた形状の被膜を形成する被膜形成ステップと、
を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の製造方法において、
前記半導体素子とは、前記被膜が特定のガスを検出するための感応体であり、この感応体を前記絶縁膜上に形成してなるガスセンサ素子であること、
を特徴とする半導体素子の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１２−２５９０（Ｐ２０１２−２５９０Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３６２６７（Ｐ２０１０−１３６２６７）
【出願日】平成２２年６月１５日（２０１０．６．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１５日（２０１０．６．１５）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
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