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Fターム[2G046BE03]の内容

流体の吸着、反応による材料の調査、分析 (10,319) | ヒータの構造 (380) | 直熱型 (243) | 基板中にヒータがあるもの (176)

Fターム[2G046BE03]に分類される特許

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【課題】予防保全により、信頼性を維持することが可能なガス検知技術を提供する。
【解決手段】フィルタパッケージ110に収容されたセンサ素子10のヒータ層3への間欠的な通電による加熱および感知層7への通電による電気抵抗値Rの検出によって雰囲気のガスの濃度を検出するガス検知装置100において、検出対象のガス以外の干渉ガスの有無を判別するガス種判定手段23を設け、干渉ガスが検出された場合には、検出対象ガスの検出のための閾値R2よりも大きな閾値R1を電気抵抗値Rが下回った場合にフィルタパッケージ110の劣化と判断して警報を出力することで、ガス検知装置100の予防保全を実現する。 (もっと読む)


【課題】ガス感応膜を挟む電極間のギャップを容易に非常に小さく形成することができるとともに、ガス感応膜が外気と接触できる面積及び電極がガス感応膜に対して接触できる面積を両方とも大きくとることができ、製造が容易でセンサ感度の優れた半導体ガスセンサを提供する。
【解決手段】電極層1、3、5、と、金属酸化物半導体からなるガス感応膜層2、4とが交互に複数回積層された積層体9を有する半導体ガスセンサであって、少なくとも1つのガス感応膜層4の両面を挟む2つの電極層3、5について、当該ガス感応膜層4の各面の略全域にわたって、金属からなる電極部31、51と、厚さ方向に貫通する空隙部32、52とを交互に形成した。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極40,41を覆う酸化防止保護膜60と、酸化防止保護膜60と薄膜ヒータ電極40,41との間にTiNを含む保護膜用中間膜層80,81を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】検出電極の貴金属層の縁端よりも外向きに突出する接着層の突出部を設けて貴金属層の反りを防ぐことができるガスセンサを提供する。
【解決手段】検出電極6は、基体15の主面17に形成されるチタン層62と、チタン層62の上面に形成されるプラチナ層61とからなる2層構造を有し、櫛歯形状のパターンに形成される。基体15の厚み方向に沿って見たときに、検出電極6は、プラチナ層61の幅方向Tにおける両側の縁端63よりも外向きにチタン層62が突出してなる突出部65を、少なくとも1カ所以上に有する。突出部65がプラチナ層61の反りを防止するクサビとして機能するため、ガス検知層の断層割れを防止することができる。 (もっと読む)


【構成】
MEMSガスセンサは、シリコン基板に設けた絶縁膜に、SnO2膜とヒータ膜とを設けると共に、SnO2へ到達するガスを処理するフィルタと備えている。電源によりヒータ膜に電力を供給し、SnO2膜を間欠的にかつパルス的に可燃性ガスの検出温度へ加熱し、可燃性ガスを検出すると共に、100〜200℃の被毒ガスの除去温度へSnO2膜を間欠的に加熱する。
【効果】 フィルタを通過した被毒ガスによる被毒を防止できる。 (もっと読む)


【課題】ガス種の判定ロジックを改良し、検知性能を維持しつつ低消費電力化を実現しようとするガス検知装置を提供する。
【解決手段】通常時にあっては干渉ガスまたは検知対象ガスの有無を検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれるか否かを判定し、さらに干渉ガスまたは検知対象ガスが含まれる場合には干渉ガスを燃焼させる温度であってガス感知層が検知対象ガスのみを検知する温度となるように加熱してガス感知層の電気抵抗特性に基づいて検知対象ガスの有無または濃度を判定するガス検知装置とした。 (もっと読む)


【課題】本発明は、十分な機械的強度を備え、かつ、安定で、信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】電気絶縁層上に形成されるガス感知層を備える薄膜ガスセンサであって、前記ガス感知層が、前記電気絶縁層上に形成される一対の感知電極層と、該一対の感知電極層の一部を覆うように、かつ、該一対の感知電極層の両方に渡って形成される感知層と、前記感知電極層及び該感知層を覆うように形成される選択燃焼層とを含み、前記選択燃焼層に含まれるバインダの粒径が、前記感知層を構成するSnOの粒径及び前記選択燃焼層を構成する金属酸化物の粒径よりも小さいことを特徴とする薄膜ガスセンサを提供する。 (もっと読む)


【課題】ダイアフラム構造のガスセンサにおいて、大きな応力が加わった場合でも、ガス感応膜を覆う外層膜等の剥離が発生し難いガスセンサを提供すること。
【解決手段】ダイアフラム上に特定ガスの検知を行うガス検知部5を備えたガスセンサ1において、ガス検知部5は、特定ガスの検知を行うガス感応膜47とガス感応膜47の表面及び周囲を覆う外層膜49とからなる2重構造を有する。そして、ガス検知部5を基板3に垂直に破断した破断面において、多重領域における外層膜50の外側表面の基板表面からの高さの平均値をAとし、変曲点のうち基板表面からの高さの高い方をBとした場合に、平均値Aと変曲点の高さBとの比B/Aを、0.00<B/A≦0.70の範囲とする。これにより、ダイアフラム構造のガスセンサ1において、大きな応力が加わった場合でも、ガス感応膜を覆う外層膜等の剥離が発生し難い。 (もっと読む)


【課題】検知感度を低下させることなく、簡素な構造からなるガス検知素子を提供する。
【解決手段】被検知ガスの濃度に応じた検知信号を出力するガス検知素子50は、絶縁基板1の一方の面に形成された検出電極2と、絶縁基板1の一方の面に検出電極2と離間して形成される加熱部3と、検出電極2と加熱部3とを含む絶縁基板1の一方の面を覆うように設けられる感応部4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】薄膜メンブレン構造体において、ヒータを含むセンサを搭載する際に、薄膜メンブレンの熱絶縁性をさらに向上させながら、薄膜メンブレンの保持性をさらに向上させることである。
【解決手段】薄膜メンブレン構造体10は、薄膜メンブレン20と、薄膜メンブレン20を保持する保持基板30とを備える。保持基板30は、薄膜メンブレン20の上下面のいずれか一方側の面を保持面として保持面の周縁部を保持する周壁部と、薄膜メンブレン20の周縁部の内側である内側部の少なくとも1箇所で薄膜メンブレンの保持面を保持する内側保持部と、周壁部と内側保持部とを接続しながら薄膜メンブレンの保持面との間に空隙31を有する接続部とを含む。 (もっと読む)


【課題】望ましい多数のセンサー素子を収容し、さらに、自動車用途に使用するための実質的にすべての適用可能なサイズ制限、またはその他の望ましい工業環境に適合する、ガスセンサーデバイス中の部品として使用するためのガス検知装置および/または導電性装置を提供する。
【解決手段】(a)センサー素子と、(b)センサー素子に電流を供給する導体とを含むガス検知装置であって、導体数対センサー素子数の比が約0.585以下である、ガス検知装置。 (もっと読む)


【課題】ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性ガスを検知するガスセンサ素子の製造工程において、周知の方法によりシリコンウエハ100の第二面101に電極50,発熱体40等を形成した後に、第一面102に、空洞部12と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付ける孔部70を形成するための空洞部14のパターニングを行う。そして、エッチング処理を行い空洞部12,14を形成し(図3(a)参照)、空洞部14の底部をなす絶縁層20を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ100のデッドスペースに孔部70を形成する(図3(b)参照)。 (もっと読む)


【課題】簡易な方法で、ガス中のフタル酸ジアルキルを検出できるガスセンサ及びガス検出方法を提供する。
【解決手段】メソポーラスシリカを充填した捕集カラム1と、捕集カラム1を加熱する加熱装置2と、SnOを主成分としてなる金属酸化物の表面に、所定の細孔を持ったシリカマスクが形成されたセンサ素子4と、センサ素子4の電気抵抗値を測定する検出器5と、測定すべき空間から採取された空気を試料ガスとして、捕集カラム1に流通させると共に、同空気を脱離用ガスとして、捕集カラム1及び前記センサ素子4に流通させる空気流通手段とを備えているガスセンサを用いてガス中のフタル酸ジアルキルを検出する。 (もっと読む)


【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ10は、Si基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ30と、感ガス膜70と、ヒータ電極用中間膜層42,43と薄膜ヒータ電極40,41とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層52,53と感ガス膜電極50,51を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層42,43はTiNまたはTaNを含み、感ガス膜電極用中間膜層52,53は、TiO2またはTa25またはAl23の少なくとも1つを含む。 (もっと読む)


【課題】検出対象ガスの有無及び濃度の検出を行うに、非検出対象ガスの影響を排除し、消費電力の低減を図ることができながらも、ガス漏れ発生から警報を発するまでの時間を短くして検知応答規定時間内に警報を発することが可能な技術を提供する。
【解決手段】ガス検知装置であって、筐体の外部に存在する検出対象ガスが筐体の内部に設けられたセンサ素子に到達してガス検知層にて検出対象ガスが警報すべき濃度以上存在することの検出が可能となる下限時間の検知応答時間と、筐体の外部に存在する検出対象ガスを筐体内のガス検知層にて検出することが必要とされる時間の検知応答規定時間とに関して、ガス種を判定するガス種判定手段による判定結果に基づいて、検出タイミングが、検知応答時間以上かつ検知応答規定時間よりも短く設定された時間帯内となるように、通常周期を変更する通電周期変更手段を備えた。 (もっと読む)


【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 (もっと読む)


【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、450℃〜900℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と450℃〜900℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 (もっと読む)


【課題】 内燃機関から排出された気体の酸素濃度を安定して検出することができる抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 絶縁基板1の一方の主面側に一対の酸素分圧検出電極2とCeOを含有する酸素分圧検出層3とが形成され、他方の主面上にヒータ電極4とヒータ保護層5とを有し、絶縁基板中に含まれるSi量が基板の重量に対して15ppm以下でかつ、酸素分圧検出電極2に含まれるSi量が酸素分圧検出層3の重量に対して1重量%以下であることにより、酸素分圧検出層の抵抗値の経時変化を小さくすることができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性が向上するガスセンサ用基板、ガスセンサ用容器、およびガスセンサを提供する。
【解決手段】設置対象物21に取り付けることにより検出対象ガスを検知するガスセンサ1に用いられるガスセンサ用基板であって、第1主面2a、および第1主面2aの反対側に位置しておりかつ設置対象物21に取り付けられるべき第2主面2bを有する基体2と、基体2の第1主面2aに設けられており、かつ検出対象ガスに対して活性であるガス感応体4を載置するための載置部3と、を備える。 (もっと読む)


【構成】 Si基板に設けたキャビティ上に絶縁膜からなる架橋部を設け、架橋部にヒータと感ガス膜とを設ける。架橋部を貫通するホールを設け、感ガス膜が架橋部の表面とホールの少なくとも一部、及び架橋部の周縁を覆い、ヒータがホールを取り巻くようにする。
【効果】 感ガス膜の周囲雰囲気への接触面積を増すことができる。 (もっと読む)


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