【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部と、薄膜ヒータ電極４０，４１を覆う酸化防止保護膜６０と、酸化防止保護膜６０と薄膜ヒータ電極４０，４１との間にＴｉＮを含む保護膜用中間膜層８０，８１を有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハをメタルマスクで覆ってスパッタリングを行う際に、ウエハを覆うメタルマスクの位置を精度良く定めることができるダイヤフラム構造体を有する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化性ガスを検知するガスセンサ素子の製造工程において、周知の方法によりシリコンウエハ１００の第二面１０１に電極５０，発熱体４０等を形成した後に、第一面１０２に、空洞部１２と、メタルマスクを保持する保持部材を取り付ける孔部７０を形成するための空洞部１４のパターニングを行う。そして、エッチング処理を行い空洞部１２，１４を形成し（図３（ａ）参照）、空洞部１４の底部をなす絶縁層２０を針等の貫通部材で貫通することにより、シリコンウエハ１００のデッドスペースに孔部７０を形成する（図３（ｂ）参照）。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能であると共に検出開始時並びに検出対象ガスの濃度変化時の応答性に優れるガス検出装置を提供する。
【解決手段】ガス検出装置１は、支持体２、リード線５１，５２，５３、センサ素子６、及び有孔の防曝部材７を備える。前記支持体２は、絶縁性の部材と、この部材の表面上に形成された導体配線とを有し、且つ外部へ開口する配置空間８が形成される。前記リード線５１，５２，５３は、前記導体配線に接続されて、前記支持体２から前記配置空間８へ突出する。前記センサ素子６は前記配置空間８内で前記リード線５１，５２，５３によって支持されると共に前記リード線５１，５２，５３に電気的に接続される。前記防曝部材７が前記配置空間８を覆っている。 （もっと読む）

【課題】半導体式薄膜ガスセンサにおいて、ガス検知の性能を十分に発揮させることである。
【解決手段】 薄膜ガスセンサ１０は、Ｓｉ基板の中央部に熱絶縁された薄膜メンブレン構造体と、薄膜メンブレン構造体上に形成される薄膜ヒータ３０と、感ガス膜７０と、ヒータ電極用中間膜層４２，４３と薄膜ヒータ電極４０，４１とを含む薄膜ヒータ電極部と、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３と感ガス膜電極５０，５１を含む感ガス膜電極部とを有して構成される。ここで、ヒータ電極用中間膜層４２，４３はＴｉＮまたはＴａＮを含み、感ガス膜電極用中間膜層５２，５３は、ＴｉＯ₂またはＴａ₂Ｏ₅またはＡｌ₂Ｏ₃の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）

【課題】電池駆動型であって、感知薄膜にクラックが生じることなく信頼性が高く、消費電力が低減された薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】貫通孔を有する基板と、貫通孔を有する基板と、前記基板の第一の表面に接し、前記貫通孔の開口部を覆うように設けられた支持絶縁薄膜と、前記支持絶縁薄膜の反基板側表面上に設けられる薄膜ヒータと、支持絶縁薄膜およびヒータ層を覆うように設けられる層間絶縁膜と、さらに前記層間絶縁膜の上に形成された、金属電極とガス感知薄膜とを有し、前記金属電極とガス感知薄膜とが選択燃焼層で覆われた薄膜ガスセンサにおいて、前記ガス感知薄膜がグラフェン薄膜からなるものとする。 （もっと読む）

【課題】 内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子において、応答時間短縮を実現した酸素分圧検出部を有する抵抗型酸素センサ素子を提供する。
【解決手段】 耐熱性の絶縁基板と、該絶縁基板の一方の主面側に形成された一対の電極と、前記主面側に前記一対の電極に接するように形成された酸素分圧検出膜とを備えた、内燃機関の空燃比の計測に用いられる抵抗型酸素センサ素子であって、前記酸素分圧検出膜として、４５０℃〜９００℃において酸素イオン伝導性を有する酸化物粒子と４５０℃〜９００℃において電子伝導性を有する酸化物粒子とを含む多孔質焼結体層を用いることにより、応答時間が短縮された抵抗型酸素センサ素子が得られる。 （もっと読む）

【課題】ダイヤフラム部に生じる歪(熱による歪・割れによって生じた歪)を検出し、故障を自己診断するようにして、検出特性の変化により発生する事故の未然防止に寄与する薄膜ガスセンサを提供する。更にこのような薄膜ガスセンサを製造する薄膜ガスセンサの製造方法も併せて提供する。
【解決手段】ダイヤフラム部の上に歪感知層８１を４個配置し、さらにホイートストンブリッジ回路を形成する。これにより、ピエゾ抵抗素子として機能する歪感知層８１によりダイヤフラム部の歪を抵抗値の変化として検出することが可能になる。また、歪感知層８１はガス感知層５３と同じ材料とし、歪感知層８１とガス感知層５３とを同時に形成するため工数低減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＳｎＯ_２を主成分とするガス検知層の被毒耐性を高め、感度を確保し、長期間の使用に対する耐久性を得ることのできるガスセンサを提供する。
【解決手段】ガスセンサ１の製造過程において、ガス検知層８を形成する際に、単に、純度の高い原材料を用いてＳｎＯ_２を調製するだけでなく、使用する器具や装置を厳選し、それらの使用方法や手順についても十分に注意を払い、不純物、特にＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉのＳｎＯ_２への混入を抑制する。その結果、Ｆｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計の含有量を、ＳｎＯ_２とＦｅ、Ｐｂ、およびＢｉの合計量に対し、０．０３０質量％未満に抑えたガス検知層８を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】サージ電圧等の印加に対しても破壊されることがなく、安定で信頼性の高い薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】図は薄膜ガスセンサの平面図であり、感知膜電極７間にバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子を形成した例である。つまり、感知膜電極７を形成する際に、ニードル状に突起のあるパターンを図示のように対向させる。そして、上層のSnO₂層を形成する際に、図示のようにSnO₂を形成する部分に窓開けし、ここにバリスタ（R）等の非直線性抵抗素子10を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】ダイアフラム構造の薄膜ガスセンサにおけるガス選択性を、従来のものより向上させる。
【解決手段】感知層７を、第１層としてドナーとなる＋５価または＋６価の元素を添加したＳｎＯ２層９、その上の第２層として触媒となる元素を添加したＳｎＯ２層１０の、２層構造とするものは既に公知であるが、ガス選択性の点でいまだ不十分なので、この発明では、第２層１０における触媒添加量を１０ｗｔ％を超え６０ｗｔ％以下とすることにより、水素ガス選択性，メタンガス選択性ともに向上させる。 （もっと読む）

【課題】超高感度、高応答性、高選択性、長期安定性の優秀な特性を有する商業的環境有害ガスセンサー具現のための半導体酸化物ナノ繊維を利用したガスセンサー及びそのナノ繊維の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるセンサーは、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されている金属電極と、前記金属電極上に形成されており、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）ナノ繊維を含む感知層とを含む。したがって、酸化物半導体Ｌａ_n+1Ｎｉ_nＯ_3n+1（ｎ＝１、２、３）は、ＡＢＯ₃型の基本結晶構造を有するので、構造的に安定し、酸素欠陥による非化学量論的な組成を有する代表的な物質であって、表面に多い酸素欠陥を有していて、酸化物の表面で反応ガス吸着及び酸化／還元反応によって大きい電気抵抗の変化を有することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス検知層が剥離することを防止するとともに、ガス感度に影響を与えずに特定ガスの濃度変化を良好に検知するガスセンサを提供する。
【解決手段】基体１５上に形成され、環境雰囲気中の特定ガスの濃度変化に応じて電気的特性が変化する金属酸化物半導体を主成分とするガス検知層４を有するガスセンサ１において、ガス検知層４は、複数の粒子が結合しつつ、複数の粒子間に存在する空隙を通じてガス検知層４の厚み方向にガス透過性を有するように構成され、かつ金属酸化物半導体とは異なる無機酸化物を含み、基体１５上に、ガス検知層４と接触しつつガス検知層４における電気的特性の変化を検出するための一対の検知電極６と、ガス検知層４と接触する密着層７とを備え、ガス検知層４と密着層７との界面の少なくとも一部には、ガス検知層４の最外側粒子４ａよりも内側の粒子４ｂと密着層７との間を接続するようにして、無機酸化物を含む中間領域部２２が存在している。 （もっと読む）

【課題】４００℃を越える温度で測定可能であり、耐熱安定性に優れたアンモニアセンサを提供する。
【解決手段】一対の電極２Ａと、該一対の電極に接して設けられ被検出ガス中のアンモニア成分に応じて電気的に変化する感応部４とを備え、感応部４は、固体超強酸物質とｎ型酸化物半導体の混合物とのみからなり、走査透過電子顕微鏡を用いて２０点の感応部を観察したとき、全ての観察点における感応部４中の固体超強酸物質は、担体の表面に、これより微小で非晶質成分からなる複数の微粒を結合させてなるアンモニアセンサ２００Ａである。 （もっと読む）

【課題】ガス感応層の温度を正確に算出するようにして、ガス感応層に最適なヒータ駆動を行うようにした薄膜ガスセンサを提供することにある。
【解決手段】ヒータ層３により加熱された感知電極層５１１、検出部５１１ａおよび測温抵抗体５１１ｂの温度に応じた抵抗値の変化を電圧の変化に変換して検出し、さらにこの電圧の変化に基づいてヒータ層３の温度の高低を判別し、この高低に基づいてヒータ層３の温度制御を行う薄膜ガスセンサとした。 （もっと読む）

【目的】感ガス素子の各電極ピンや補償素子の各電極ピンを外部基板へ直接半田付け可能とし、機器に実装する際の自由度を高めることを目的とする。
【構成】電極ピン４ａ、５ａのマウントベース２から外部へ突出した部分には、半田付け可能な材料からなる外部接続端子１０が取り付けられている。この外部接続端子１０は筒状に形成されており、各電極ピン４ａ、５ａのそれぞれが筒状の外部接続端子１０の空洞内に挿通され取り付けられている。各電極ピン４ａ、５ａと外部接続端子１０との固定はレーザー溶接法によって各々を接合固定するのが好ましい。尚、この外部接続端子１０は、ニッケル、銅、又はニッケルと銅の合金の何れかから選択された材料で形成されたものである。 （もっと読む）

【解決課題】 ガスセンサの駆動モードにおいて、消費電力の低下を図ることを目的とする。
【解決手段】 ヒータを内蔵し間欠的に駆動する半導体式ガスセンサを用いた検出方法であって、前記ヒータを駆動（Ｓ１）させて前記ガスセンサの温度を第１の温度に一定時間保ち、前記ガスセンサのクリーニングおよびその時のガスセンサの電気抵抗値の変化から予備検知（Ｓ３）を行い、該予備検知（Ｓ３）の結果によって、前記一酸化炭素［ＣＯ］が存在する可能性がある場合は、ガスセンサの温度を前記第１の温度より低い第２の温度になるようヒータを駆動（Ｓ４）して、または、ヒータを切って本検知（Ｓ６）を行い、前記ＣＯの存在可能性が無い場合は、前記ヒータの駆動を停止（Ｓ７）することよりなる薄膜ガスセンサのガス検出方法である。 （もっと読む）

【課題】フィルタ層の剥離やクラックの発生を防止した長寿命の薄膜ガスセンサを提供する。
【解決手段】
ヒータ層に通電する２本のヒータリードと、所定のガスを感知する感知層電極とを接続する２本の感知層リードを備えたダイヤフラム構造の薄膜センサにおいて、各ヒータリードおよび各感知層リードは、ダイヤフラムを構成する貫通孔の軸心に対して放射状に、かつ、この軸心を支点として各リード間の成す角を所定の角度以上、好ましくは３０度以上広げて位置付けた。 （もっと読む）

【課題】低濃度の含酸素有機化合物や含硫黄化合物を高感度で選択的に、しかも安定して検知することができるガス検知素子を提供する。
【解決手段】ガス感応部と、当該ガス感応部の電気抵抗値を検出する検出電極とを備え、ガス感応部の電気抵抗変化に基づき、被検知ガスを検知するガス検知素子であって、ガス感応部は酸化セリウムを主成分として構成してあり、被検知ガスは含酸素有機化合物及び含硫黄化合物のうちの少なくともいずれかのガスである。 （もっと読む）

【課題】感応層の亀裂や絶縁基板および感応層からの剥離が生じ難く、より高い検知感度を備えた抵抗変化型ガス検知素子を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の面に形成された一対の電極２ａ，２ｂと、一対の電極２ａ，２ｂどうしの間隙を接続するように配置された感応部３とを備え、感応部３が、絶縁基板１に設けられた凹部１ａに係入されたアンカー部３ａを有する抵抗変化型ガス検知素子とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つのパルス通電により加熱される一つのセンサ素子（ガス検知層）の電気抵抗値を用いて、検出対象ガスおよび湿度の検出を行い、装置構成の簡略化、消費電力の低減を図りつつ、より正確な湿度を検出できる技術の提供を提供する。
【解決手段】検出対象ガスとの接触により電気的特性が変化するガス検知層、及びガス検知層を加熱するヒータ層を形成したセンサ素子と、ヒータ層への通電を断続的に行って、ガス検知層の温度を変化させる通電駆動手段と、ヒータ層通電時のガス検知層の電気的特性に基づいて、検出対象ガスを検出するガス検出手段とを備えたガス検知装置であって、ヒータ層への通電を停止してから再度通電が開始されるまでのヒータ層通電停止時のガス検知層の電気的特性を用いて、検出対象ガスが含まれる被検出ガスの湿度を検出する湿度検出手段を備える。 （もっと読む）