ドーナッツ状の触媒金属層を利用したシリコンナノチューブの製造方法
基板上に非触媒金属アイランドを形成し、該非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、該触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。これにより、該触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを効果的に成長させることができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノチューブの製造方法に係り、さらに詳細には、シリコンナノチューブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、炭素ナノチューブは、新しい形態と機能との超高速、高集積電子素子やセンサとしての活用度が高まっている。前記炭素ナノチューブの場合には、触媒金属層を利用して適当な成長条件で、熱化学気相蒸着法によって製造が可能である。ところで、前記炭素ナノチューブは、半導体の特性と金属の特性とを有し、製造時に半導体の性質と金属の性質とを所望の通り調節し難い。
【０００３】
これにより、本発明者らは、シリコンナノチューブに着眼した。シリコンは、周知の通り半導体の性質を有するので前記シリコンナノチューブは、電子素子やセンサとして活用が可能である。さらに、前記シリコンナノチューブは、炭素ナノチューブのように、外部壁の構造によって特性が決定されるほど、これまで知られていなかった新しい特性を有するシリコン構造体になる可能性があり、これにより、知られていない多様な応用分野が存在しうる。
【０００４】
しかし、前記シリコンナノチューブは、前記炭素ナノチューブの製造方法を単純に採用する場合、ナノチューブに成長せずにナノワイヤに成長する。従って、これまでシリコンナノチューブを成長させるのはほぼ不可能に近い実情であり、これにより、シリコンナノチューブについての研究結果もほとんど発表されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明がなそうとする技術的課題は、前述のように、シリコンナノチューブを良好に成長させることを含むシリコンナノチューブの製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を達成するために、本発明の一側面によれば、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。
【０００７】
前記非触媒金属アイランドは、前記基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層を熱処理して形成できる。前記非触媒金属アイランドは、前記基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層をドライエッチングして形成できる。
【０００８】
前記触媒金属ドーナッツは、前記非触媒金属アイランドが形成された基板上に触媒金属層を形成し、前記触媒金属層を熱処理して形成できる。前記触媒金属層は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成できる。
【０００９】
また、本発明の他の側面によれば、基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層を熱処理し、前記非触媒金属層の表面エネルギーが減って凝集して非触媒金属アイランドを形成する。前記非触媒金属アイランドが形成された前記基板上に触媒金属層を形成し、前記触媒金属層を熱処理し、前記触媒金属層の表面エネルギーを減らし、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成する。前記触媒金属ドーナッツ上で、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によってシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。
【００１０】
前記非触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚に、クロム、白金またはバナジウムから形成できる。前記触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚にニッケル、金、亜鉛または鉄から形成できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、炭素ナノチューブの製造時に利用される触媒金属層を単純に利用せず、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【００１２】
また本発明は、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属層を形成して触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させる。これによって本発明は、触媒金属層を利用しつつも、効率的にシリコンナノチューブを成長させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、次に例示する本発明の実施形態は、さまざまな異なる形態に変形され、本発明の範囲が後述の実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現されうる。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有した者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるのである。図面で膜または領域の大きさまたは厚さは、明細書の明確性のために誇張されている。
【００１４】
前述のように、シリコンナノチューブの成長時に炭素ナノチューブに採用される方法を単純に利用する場合、ナノチューブに成長せずにナノワイヤに成長する。従って、本発明者らは、シリコンナノチューブを成長させることができるように、ドーナッツ状の触媒金属層を利用することに着眼した。換言すれば、基板上にシリコンナノチューブを成長するために、非触媒金属層をアイランドに成長させた後、前記非触媒金属層からなるアイランド周辺に、触媒金属層をドーナッツ状に形成する。かようにすれば、前記ドーナッツ状の触媒金属層上にシリコン層を形成させる場合、シリコンナノチューブを安全に成長させることができる。以下では、本発明に採用された製造方法についてさらに詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明によるシリコンナノチューブの製造方法のフローチャートであり、図２ないし図５は、本発明によるシリコンナノチューブの断面図であり、図６は、図４の平面図である。
【００１６】
具体的に、基板１００、例えば、シリコン基板を化学的方法によって洗浄して準備する（ステップ５０）。前記基板１００上に、図２に図示したように、非触媒金属層１０２を形成する。前記非触媒金属層１０２は、クロム、白金またはバナジウムから形成する。前記非触媒金属層１０２は、蒸着（evaporator）法やスパッタリング（sputter）法によって形成する。前記非触媒金属層１０２は、２ｎｍないし１０ｎｍ厚、望ましくは３ｎｍ厚に形成する（ステップ５２）。
【００１７】
前記非触媒金属層１０２を一次熱処理する。前記一次熱処理は、非触媒金属層１０２が形成された基板１００を熱処理装置の反応室（図示せず）内に入れ、反応室の温度を４００℃ないし７００℃の温度条件で、３０秒ないし５分間遂行する（ステップ５４）。前記一次熱処理を介して、前記非触媒金属層１０２は、表面エネルギーが減ってアイランド（island）状に凝集することになる。これにより、図３に図示したように、基板上に非触媒金属アイランド１０４が形成される。前記非触媒金属アイランド１０４は、円形や楕円形の形態に形成される。前記非触媒金属アイランド１０４の直径によって、後に形成されるシリコンナノチューブ１０８（（図５）の内部直径が決定される（ステップ５６）。
【００１８】
本実施形態で、前記非触媒金属アイランド１０４は、非触媒金属層１０２を熱処理して形成したが、非触媒金属層１０２をドライエッチングして形成することも可能である。すなわち、基板１００上に非触媒金属層１０２を形成した後、紫外線や電子線を利用して微細パターン処理を行い、前記非触媒金属層１０２をドライエッチングすれば、アイランド形態の非触媒金属アイランド１０４を形成できる。
【００１９】
前記非触媒金属アイランド１０４が形成された基板１００の上面に、図３に図示したように、触媒金属層１０５を形成する。前記触媒金属層１０５は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成する。前記触媒金属層１０５は、蒸着法やスパッタリング法によって形成する。前記触媒金属層１０５は、２ｎｍないし１０ｎｍ厚、望ましくは３ｎｍ厚に形成する（ステップ５８）。
【００２０】
前記触媒金属層１０５を二次熱処理する。前記二次熱処理は、触媒金属層１０５が形成された基板１００を熱処理装置の反応室（図示せず）内に入れ、反応室の温度を３００℃ないし５００℃の温度条件で、３０秒ないし５分間遂行する（ステップ６０）。前記二次熱処理を介して、前記触媒金属層１０５は、表面エネルギーが減ってドーナッツ状に凝集することになる。これにより、図４及び図６に図示したように、非触媒金属アイランド１０４の周囲を覆い包むように、触媒金属ドーナッツ１０６が形成される。すなわち、触媒金属層１０５が表面エネルギーを減らして非触媒金属アイランドのエッジに凝集することになり、ドーナッツ状の触媒金属ドーナッツ１０６が形成される。前記触媒金属ドーナッツ１０６の直径によって、後述するシリコンナノチューブ１０８（図５）の直径も決定される（ステップ６２）。
【００２１】
本実施形態で、前記触媒金属ドーナッツ１０６は、触媒金属層１０５を二次熱処理して形成したが、二次熱処理せずに、後工程のシリコンナノチューブ成長装置でシリコンナノチューブを成長する過程で形成することも可能である。換言すれば、後工程のシリコンナノチューブを成長する過程で、触媒金属層１０５は、若干の溶融が起きることとなり、互いに凝集したり、または基板１００で表面移動がある程度可能である。従って、前記触媒金属層１０５を二次熱処理せずに、すぐにシリコンナノチューブを成長させるために、成長室の温度を上げるときに、十分にドーナッツ状の触媒金属ドーナッツ１０６を形成できる。
【００２２】
図５に図示したように、前記触媒金属ドーナッツ１０６上にシリコンナノチューブ１０８を形成する。前記シリコンナノチューブ１０８は、触媒金属ドーナッツ１０６上でのみ形成され、非触媒金属層１０４上では形成されない。従って本発明は、触媒金属ドーナッツ１０６上に形成されるシリコンナノチューブ１０８を得ることができる（ステップ６４）。前記シリコンナノチューブ１０８の成長方法については、さらに詳細に後述する。
【００２３】
図７は、図５のシリコンナノチューブ成長に利用された装置の概略的な構成図であり、図８は、図５のシリコンナノチューブ成長のメカニズムについて概略的に図示した図面である。
【００２４】
具体的に、前記シリコンナノチューブ成長に利用される成長装置は、熱化学気相蒸着（thermal ＣＶＤ）装置を利用する。その構成について述べれば、ヒータ３０２を具備するチャンバ３００と、前記チャンバ３００の内部に基板１００が置かれるボート３０４と、前記ボート３０４に隣接してシリコン粉末ソース３０６とが位置する。前記シリコン粉末ソース３０６は、シリコン粉末であるか、シリコン酸化物と炭素とが含まれた粉末を利用する。前記チャンバ３００の両側部には、チャンバ３００内部に雰囲気ガスを注入及び排出できるガス注入口３０８及びガス排出口３１０を具備する。本発明のシリコンナノチューブ１０８の成長には、シリコン粉末ソース３０６を利用するが、前記ガス注入口３０８及びガス排出口３１０を利用し、シリコンソースガス、例えばＳｉＣｌ4、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6を利用することもできる。
【００２５】
このように構成される成長装置を利用してシリコンナノチューブ１０８を成長させる過程について説明する。ボート３０４上に基板１００を位置させる。次に、チャンバ３００を成長温度、例えば７００ないし１，０００℃、望ましくは８００℃に設定し、ガス注入口３０８を介してアルゴンガスを１００ないし１，０００ｓｃｃｍを流せば、シリコン粉末ソース３０６でシリコンが分解されてシリコンイオン（またはシリコン原子）が触媒金属ドーナッツ１０６に吸着されて溶解される。
【００２６】
次に、触媒金属ドーナッツ１０６の内部にシリコン原子が拡散して供給されれば、触媒金属ドーナッツ１０６上でシリコンナノチューブ１０８が成長することになる。前記シリコン粉末ソース３０６でシリコンが分解されるとき、前記触媒金属ドーナッツ１０６内には、非触媒金属アイランド１０４が形成されているが、非触媒金属アイランド１０４とシリコンとの反応度に比べ、触媒金属ドーナッツ１０６とシリコンとの反応都が優秀であり、シリコン構造物が非触媒金属アイランド１０４では成長しない。結果的に、前記シリコン粉末ソース３０６から供給されるシリコンソースの触媒金属ドーナッツ１０６との反応によって、シリコンナノチューブ１０８が成長する。
【００２７】
以上で説明した通り、本発明は、炭素ナノチューブの製造時に利用される触媒金属層を単純に利用せずに、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【００２８】
また本発明は、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属層を形成して触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させる。これにより本発明は、触媒金属層を利用しつつも、効率的にシリコンナノチューブを成長させることができる。
【００２９】
本発明について図面に示した実施形態を用いて説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者ならば、本発明の範囲および趣旨から逸脱しない範囲で多様な変更および変形が可能であるということを理解することができるであろう。従って、本発明の技術的範囲は、説明された実施形態によって定められず、特許請求の範囲によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させ、シリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図３】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図４】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図５】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図６】図４の平面図である。
【図７】図５のシリコンナノチューブ成長に利用された装置の概略的な構成図である。
【図８】図５のシリコンナノチューブ成長のメカニズムを概略的に図示した図面である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノチューブの製造方法に係り、さらに詳細には、シリコンナノチューブの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、炭素ナノチューブは、新しい形態と機能との超高速、高集積電子素子やセンサとしての活用度が高まっている。前記炭素ナノチューブの場合には、触媒金属層を利用して適当な成長条件で、熱化学気相蒸着法によって製造が可能である。ところで、前記炭素ナノチューブは、半導体の特性と金属の特性とを有し、製造時に半導体の性質と金属の性質とを所望の通り調節し難い。
【０００３】
これにより、本発明者らは、シリコンナノチューブに着眼した。シリコンは、周知の通り半導体の性質を有するので前記シリコンナノチューブは、電子素子やセンサとして活用が可能である。さらに、前記シリコンナノチューブは、炭素ナノチューブのように、外部壁の構造によって特性が決定されるほど、これまで知られていなかった新しい特性を有するシリコン構造体になる可能性があり、これにより、知られていない多様な応用分野が存在しうる。
【０００４】
しかし、前記シリコンナノチューブは、前記炭素ナノチューブの製造方法を単純に採用する場合、ナノチューブに成長せずにナノワイヤに成長する。従って、これまでシリコンナノチューブを成長させるのはほぼ不可能に近い実情であり、これにより、シリコンナノチューブについての研究結果もほとんど発表されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明がなそうとする技術的課題は、前述のように、シリコンナノチューブを良好に成長させることを含むシリコンナノチューブの製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を達成するために、本発明の一側面によれば、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。
【０００７】
前記非触媒金属アイランドは、前記基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層を熱処理して形成できる。前記非触媒金属アイランドは、前記基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層をドライエッチングして形成できる。
【０００８】
前記触媒金属ドーナッツは、前記非触媒金属アイランドが形成された基板上に触媒金属層を形成し、前記触媒金属層を熱処理して形成できる。前記触媒金属層は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成できる。
【０００９】
また、本発明の他の側面によれば、基板上に非触媒金属層を形成し、前記非触媒金属層を熱処理し、前記非触媒金属層の表面エネルギーが減って凝集して非触媒金属アイランドを形成する。前記非触媒金属アイランドが形成された前記基板上に触媒金属層を形成し、前記触媒金属層を熱処理し、前記触媒金属層の表面エネルギーを減らし、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成する。前記触媒金属ドーナッツ上で、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によってシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブを製造する。
【００１０】
前記非触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚に、クロム、白金またはバナジウムから形成できる。前記触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚にニッケル、金、亜鉛または鉄から形成できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、炭素ナノチューブの製造時に利用される触媒金属層を単純に利用せず、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【００１２】
また本発明は、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属層を形成して触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させる。これによって本発明は、触媒金属層を利用しつつも、効率的にシリコンナノチューブを成長させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。しかし、次に例示する本発明の実施形態は、さまざまな異なる形態に変形され、本発明の範囲が後述の実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態に具現されうる。本発明の実施形態は、当業界で平均的な知識を有した者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるのである。図面で膜または領域の大きさまたは厚さは、明細書の明確性のために誇張されている。
【００１４】
前述のように、シリコンナノチューブの成長時に炭素ナノチューブに採用される方法を単純に利用する場合、ナノチューブに成長せずにナノワイヤに成長する。従って、本発明者らは、シリコンナノチューブを成長させることができるように、ドーナッツ状の触媒金属層を利用することに着眼した。換言すれば、基板上にシリコンナノチューブを成長するために、非触媒金属層をアイランドに成長させた後、前記非触媒金属層からなるアイランド周辺に、触媒金属層をドーナッツ状に形成する。かようにすれば、前記ドーナッツ状の触媒金属層上にシリコン層を形成させる場合、シリコンナノチューブを安全に成長させることができる。以下では、本発明に採用された製造方法についてさらに詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明によるシリコンナノチューブの製造方法のフローチャートであり、図２ないし図５は、本発明によるシリコンナノチューブの断面図であり、図６は、図４の平面図である。
【００１６】
具体的に、基板１００、例えば、シリコン基板を化学的方法によって洗浄して準備する（ステップ５０）。前記基板１００上に、図２に図示したように、非触媒金属層１０２を形成する。前記非触媒金属層１０２は、クロム、白金またはバナジウムから形成する。前記非触媒金属層１０２は、蒸着（evaporator）法やスパッタリング（sputter）法によって形成する。前記非触媒金属層１０２は、２ｎｍないし１０ｎｍ厚、望ましくは３ｎｍ厚に形成する（ステップ５２）。
【００１７】
前記非触媒金属層１０２を一次熱処理する。前記一次熱処理は、非触媒金属層１０２が形成された基板１００を熱処理装置の反応室（図示せず）内に入れ、反応室の温度を４００℃ないし７００℃の温度条件で、３０秒ないし５分間遂行する（ステップ５４）。前記一次熱処理を介して、前記非触媒金属層１０２は、表面エネルギーが減ってアイランド（island）状に凝集することになる。これにより、図３に図示したように、基板上に非触媒金属アイランド１０４が形成される。前記非触媒金属アイランド１０４は、円形や楕円形の形態に形成される。前記非触媒金属アイランド１０４の直径によって、後に形成されるシリコンナノチューブ１０８（（図５）の内部直径が決定される（ステップ５６）。
【００１８】
本実施形態で、前記非触媒金属アイランド１０４は、非触媒金属層１０２を熱処理して形成したが、非触媒金属層１０２をドライエッチングして形成することも可能である。すなわち、基板１００上に非触媒金属層１０２を形成した後、紫外線や電子線を利用して微細パターン処理を行い、前記非触媒金属層１０２をドライエッチングすれば、アイランド形態の非触媒金属アイランド１０４を形成できる。
【００１９】
前記非触媒金属アイランド１０４が形成された基板１００の上面に、図３に図示したように、触媒金属層１０５を形成する。前記触媒金属層１０５は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成する。前記触媒金属層１０５は、蒸着法やスパッタリング法によって形成する。前記触媒金属層１０５は、２ｎｍないし１０ｎｍ厚、望ましくは３ｎｍ厚に形成する（ステップ５８）。
【００２０】
前記触媒金属層１０５を二次熱処理する。前記二次熱処理は、触媒金属層１０５が形成された基板１００を熱処理装置の反応室（図示せず）内に入れ、反応室の温度を３００℃ないし５００℃の温度条件で、３０秒ないし５分間遂行する（ステップ６０）。前記二次熱処理を介して、前記触媒金属層１０５は、表面エネルギーが減ってドーナッツ状に凝集することになる。これにより、図４及び図６に図示したように、非触媒金属アイランド１０４の周囲を覆い包むように、触媒金属ドーナッツ１０６が形成される。すなわち、触媒金属層１０５が表面エネルギーを減らして非触媒金属アイランドのエッジに凝集することになり、ドーナッツ状の触媒金属ドーナッツ１０６が形成される。前記触媒金属ドーナッツ１０６の直径によって、後述するシリコンナノチューブ１０８（図５）の直径も決定される（ステップ６２）。
【００２１】
本実施形態で、前記触媒金属ドーナッツ１０６は、触媒金属層１０５を二次熱処理して形成したが、二次熱処理せずに、後工程のシリコンナノチューブ成長装置でシリコンナノチューブを成長する過程で形成することも可能である。換言すれば、後工程のシリコンナノチューブを成長する過程で、触媒金属層１０５は、若干の溶融が起きることとなり、互いに凝集したり、または基板１００で表面移動がある程度可能である。従って、前記触媒金属層１０５を二次熱処理せずに、すぐにシリコンナノチューブを成長させるために、成長室の温度を上げるときに、十分にドーナッツ状の触媒金属ドーナッツ１０６を形成できる。
【００２２】
図５に図示したように、前記触媒金属ドーナッツ１０６上にシリコンナノチューブ１０８を形成する。前記シリコンナノチューブ１０８は、触媒金属ドーナッツ１０６上でのみ形成され、非触媒金属層１０４上では形成されない。従って本発明は、触媒金属ドーナッツ１０６上に形成されるシリコンナノチューブ１０８を得ることができる（ステップ６４）。前記シリコンナノチューブ１０８の成長方法については、さらに詳細に後述する。
【００２３】
図７は、図５のシリコンナノチューブ成長に利用された装置の概略的な構成図であり、図８は、図５のシリコンナノチューブ成長のメカニズムについて概略的に図示した図面である。
【００２４】
具体的に、前記シリコンナノチューブ成長に利用される成長装置は、熱化学気相蒸着（thermal ＣＶＤ）装置を利用する。その構成について述べれば、ヒータ３０２を具備するチャンバ３００と、前記チャンバ３００の内部に基板１００が置かれるボート３０４と、前記ボート３０４に隣接してシリコン粉末ソース３０６とが位置する。前記シリコン粉末ソース３０６は、シリコン粉末であるか、シリコン酸化物と炭素とが含まれた粉末を利用する。前記チャンバ３００の両側部には、チャンバ３００内部に雰囲気ガスを注入及び排出できるガス注入口３０８及びガス排出口３１０を具備する。本発明のシリコンナノチューブ１０８の成長には、シリコン粉末ソース３０６を利用するが、前記ガス注入口３０８及びガス排出口３１０を利用し、シリコンソースガス、例えばＳｉＣｌ4、ＳｉＨＣｌ3、ＳｉＨ2Ｃｌ2、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6を利用することもできる。
【００２５】
このように構成される成長装置を利用してシリコンナノチューブ１０８を成長させる過程について説明する。ボート３０４上に基板１００を位置させる。次に、チャンバ３００を成長温度、例えば７００ないし１，０００℃、望ましくは８００℃に設定し、ガス注入口３０８を介してアルゴンガスを１００ないし１，０００ｓｃｃｍを流せば、シリコン粉末ソース３０６でシリコンが分解されてシリコンイオン（またはシリコン原子）が触媒金属ドーナッツ１０６に吸着されて溶解される。
【００２６】
次に、触媒金属ドーナッツ１０６の内部にシリコン原子が拡散して供給されれば、触媒金属ドーナッツ１０６上でシリコンナノチューブ１０８が成長することになる。前記シリコン粉末ソース３０６でシリコンが分解されるとき、前記触媒金属ドーナッツ１０６内には、非触媒金属アイランド１０４が形成されているが、非触媒金属アイランド１０４とシリコンとの反応度に比べ、触媒金属ドーナッツ１０６とシリコンとの反応都が優秀であり、シリコン構造物が非触媒金属アイランド１０４では成長しない。結果的に、前記シリコン粉末ソース３０６から供給されるシリコンソースの触媒金属ドーナッツ１０６との反応によって、シリコンナノチューブ１０８が成長する。
【００２７】
以上で説明した通り、本発明は、炭素ナノチューブの製造時に利用される触媒金属層を単純に利用せずに、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させてシリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【００２８】
また本発明は、基板上に非触媒金属アイランドを形成し、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属層を形成して触媒金属ドーナッツを形成し、前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させる。これにより本発明は、触媒金属層を利用しつつも、効率的にシリコンナノチューブを成長させることができる。
【００２９】
本発明について図面に示した実施形態を用いて説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、本技術分野の当業者ならば、本発明の範囲および趣旨から逸脱しない範囲で多様な変更および変形が可能であるということを理解することができるであろう。従って、本発明の技術的範囲は、説明された実施形態によって定められず、特許請求の範囲によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、触媒金属ドーナッツを利用してシリコンナノチューブを成長させ、シリコンナノチューブをさらに効果的に製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法のフローチャートである。
【図２】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図３】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図４】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図５】本発明によるシリコンナノチューブの製造方法に係る断面図である。
【図６】図４の平面図である。
【図７】図５のシリコンナノチューブ成長に利用された装置の概略的な構成図である。
【図８】図５のシリコンナノチューブ成長のメカニズムを概略的に図示した図面である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非触媒金属アイランドを形成し、
前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、
前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させることを含んでなることを特徴とするシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項２】
前記非触媒金属アイランドは、
前記基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層を熱処理して形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項３】
前記非触媒金属層は、クロム、白金またはバナジウムから形成することを特徴とする請求項２に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項４】
前記非触媒金属アイランドは、
前記基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層をドライエッチングして形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項５】
前記触媒金属ドーナッツは、
前記非触媒金属アイランドが形成された基板上に触媒金属層を形成し、
前記触媒金属層を熱処理して形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項６】
前記触媒金属層は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成することを特徴とする請求項５に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項７】
前記シリコンナノチューブは、熱化学気相蒸着法により、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項８】
基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層を熱処理し、前記非触媒金属層の表面エネルギーが減って凝集して非触媒金属アイランドを形成し、
前記非触媒金属アイランドが形成された前記基板上に触媒金属層を形成し、
前記触媒金属層を熱処理し、前記触媒金属層の表面エネルギーを減らし、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、
前記触媒金属ドーナッツ上で、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によってシリコンナノチューブを成長させることを含んでなることを特徴とするシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項９】
前記非触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚に、クロム、白金またはバナジウムから形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項１０】
前記触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚にニッケル、金、亜鉛または鉄から形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項１１】
前記シリコンナノチューブは、熱化学気相蒸着法によって形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項１】
基板上に非触媒金属アイランドを形成し、
前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、
前記触媒金属ドーナッツ上にシリコンナノチューブを成長させることを含んでなることを特徴とするシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項２】
前記非触媒金属アイランドは、
前記基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層を熱処理して形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項３】
前記非触媒金属層は、クロム、白金またはバナジウムから形成することを特徴とする請求項２に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項４】
前記非触媒金属アイランドは、
前記基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層をドライエッチングして形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項５】
前記触媒金属ドーナッツは、
前記非触媒金属アイランドが形成された基板上に触媒金属層を形成し、
前記触媒金属層を熱処理して形成することを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項６】
前記触媒金属層は、ニッケル、金、亜鉛または鉄から形成することを特徴とする請求項５に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項７】
前記シリコンナノチューブは、熱化学気相蒸着法により、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によって形成されることを特徴とする請求項１に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項８】
基板上に非触媒金属層を形成し、
前記非触媒金属層を熱処理し、前記非触媒金属層の表面エネルギーが減って凝集して非触媒金属アイランドを形成し、
前記非触媒金属アイランドが形成された前記基板上に触媒金属層を形成し、
前記触媒金属層を熱処理し、前記触媒金属層の表面エネルギーを減らし、前記非触媒金属アイランドの周囲を覆い包むように触媒金属ドーナッツを形成し、
前記触媒金属ドーナッツ上で、前記触媒金属ドーナッツとシリコンソースとの反応によってシリコンナノチューブを成長させることを含んでなることを特徴とするシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項９】
前記非触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚に、クロム、白金またはバナジウムから形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項１０】
前記触媒金属層は、２ないし１０ｎｍ厚にニッケル、金、亜鉛または鉄から形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【請求項１１】
前記シリコンナノチューブは、熱化学気相蒸着法によって形成することを特徴とする請求項８に記載のシリコンナノチューブの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公表番号】特表２００９−５３９７５６（Ｐ２００９−５３９７５６Ａ）
【公表日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５１５２９０（Ｐ２００９−５１５２９０）
【出願日】平成１８年１２月８日（２００６．１２．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００６／００５３０８
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１４５４０６
【国際公開日】平成１９年１２月２１日（２００７．１２．２１）
【出願人】（５９６１８００７６）韓國電子通信研究院 (733)
【氏名又は名称原語表記】Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ
【住所又は居所原語表記】１６１ Ｋａｊｏｎｇ−ｄｏｎｇ， Ｙｕｓｏｎｇ−ｇｕ， Ｔａｅｊｏｎ ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年１２月８日（２００６．１２．８）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＫＲ２００６／００５３０８
【国際公開番号】ＷＯ２００７／１４５４０６
【国際公開日】平成１９年１２月２１日（２００７．１２．２１）
【出願人】（５９６１８００７６）韓國電子通信研究院 (733)
【氏名又は名称原語表記】Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ａｎｄ Ｔｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ
【住所又は居所原語表記】１６１ Ｋａｊｏｎｇ−ｄｏｎｇ， Ｙｕｓｏｎｇ−ｇｕ， Ｔａｅｊｏｎ ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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