【課題】粗面の割合が低い、高純度シリコンからの多結晶ロッドを、より経済的に製造する。
【解決手段】反応器壁、少なくとも２０本のフィラメントロッド、並びに反応器チャンバー内での反応ガス用のガス取り込み口を有する反応器チャンバーを包含する、多結晶シリコンを析出させるための装置であって、その際、各々のフィラメントロッドには、反応器壁付近のフィラメントロッドを除いて、１５０〜４５０ｍｍの間隔で、更に別の３本の隣接するフィラメントロッドと、１つ乃至３つの隣接するガス取り込み口とが存在している、多結晶シリコンを析出させるための装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】エネルギー密度の高い蓄電装置の構造および作製方法を提供する。
【解決手段】空気極の構造を、第１の集電体と、第１の集電体に接して設けられた凸状構造物を有する第２の集電体と、１層以上１００層以下のグラフェン膜を有する触媒層と、を備える構造とする。これにより、まず、第２の集電体の効果により空気極の表面積を飛躍的に増大させることが可能となる、そして、グラフェン膜は貴金属などの触媒を用いことなく触媒反応を発現できるため、第２の集電体上に触媒層を備える構造とすることにより、蓄電装置のエネルギー密度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】サイクル特性及び充放電容量が向上させることが可能であり、活物質層に適用可能なシリコン膜の作製方法を提供する。また、当該シリコン膜を用いた蓄電装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電層上に、ＬＰＣＶＤ法により、結晶性を有するシリコン膜を形成し、原料ガスの供給を停止し、当該原料ガスを排気すると共に、当該シリコン膜を加熱処理し、当該原料ガスを反応空間に供給し、ＬＰＣＶＤ法で当該シリコン膜をウィスカー形状に成長させることである。また、ウィスカー形状に成長させたシリコン膜を負極に含まれる活物質層に用いて蓄電装置を作製することである。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ反応器の電極保持部の封止部の保護を改善すること。
【解決手段】ＣＶＤ反応器の電極保持部と底板との間のスペースを封止する封止材料が、電極を環状に包囲するように配置され一体形であるかまたは複数の部分から成る保護体によって保護され、該保護体の高さが少なくとも局所的に、該電極保持部に向かうほど増大していく構成によって解決される。 （もっと読む）

【課題】析出サイクルにおける不純物の濃度を減らす方法を提供する
【解決手段】ａ）ＴＣＳを包含するシリコン含有成分及び水素を含有する反応ガスにより析出反応器中でフィラメント上に多結晶シリコンを析出させ、その際、水素を基準とした該シリコン含有成分のモル飽和度が少なくとも２５％である；ｂ）該析出からの排ガスを、該排ガスを冷却するための装置に供給し、ｃ）その際、吸着によって精製された、この凝縮しない成分の第一の物質流を取得し；かつ、ｄ）その際、該吸着ユニットの再生中に、脱着及び洗浄ガスを用いた洗浄により、この凝縮しない成分の第二の物質流を取得し、該物質流はＳＴＣを含有し、かつ、好ましくはＳＴＣをＴＣＳに変換するための変換器に供給することを包含する、ポリシリコンを製造する方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】高いスループット及びより良い収率を達成することができる方法を提供する。
【解決手段】高純度の半導体グレードの顆粒状シリコン、及びそのような顆粒状シリコンを製造する方法を開示する。第１の化学気相蒸着（ＣＶＤ）反応装置内で、シリコン・シードにシリコンをデポジットさせ、それによってシードをより大きな二次シードに成長させて、商業的品質の顆粒状シリコンを製造することができる。第２の化学気相蒸着反応装置内で、二次シードに追加のシリコンをデポジットさせる。この明細書に記載する方法を用いて、常套の方法よりも高いスループット及びより良い収率を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度が低く、かつ成形性が良好であるシリコン−成形助剤複合粉の製造方法、およびその複合粉を原料とした多結晶シリコン焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、新規な半導体シリコン膜及びそのような半導体シリコン膜を有する半導体デバイス、並びにそれらの製造方法を提供することである。
【解決手段】本発明の半導体シリコン膜（１６０）は、複数の細長シリコン粒子（２２）が短軸方向に隣接してなる半導体シリコン膜である。ここでは、細長シリコン粒子（２２）は、複数のシリコン粒子の焼結体である。また、このような半導体シリコン膜（１６０）を製造する本発明の方法は、第１のシリコン粒子分散体を、基材（１００）上に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射して、第１の半導体シリコン膜（１３０）を形成する工程、第２のシリコン粒子分散体を、第１の半導体シリコン膜（１３０）に塗布し、乾燥し、光（２００）を照射する工程を含む。ここで、この方法では、第１のシリコン粒子分散体の第１のシリコン粒子の分散が５ｎｍ^２以上である。 （もっと読む）

【課題】 連続的に、かつ安定的に多結晶シリコンを製造することができ、生産性を高め、製造原価を下げることができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、前記反応管内のシリコン粒子に流動ガスを供給する流動ガス供給部と、前記反応管で発生されたガスを排出するガス排出部と、前記ガス排出部あるいは前記流動ガス供給部内に装着された圧力センサーと、前記圧力センサーで測定された圧力が基準圧力値以上の場合、前記反応管の内部に形成された多結晶シリコンを外部に排出させる粒子排出口と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 反応ガスを安定的に供給することができ、シリコン析出の効率を向上することができ、シリコン析出工程時に不純物による多結晶シリコンの汚染を防止することができる流動層反応器を提供する。
【解決手段】 内部にシリコン粒子を含む反応管と、内部の反応ガスチャンネルに沿って前記反応管の内部にシリコン元素を含む反応ガスを供給し、前記反応ガスチャンネルを取り囲むチャンネルを有する反応ガス供給部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶半導体膜の作製方法を提供することを課題とする。また、電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する種結晶を絶縁膜上に形成した後、種結晶上に、第２の条件により混相粒を成長させて混相粒の隙間を埋めるように第１の微結晶半導体膜を形成し、第１の微結晶半導体膜上に、第１の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を広げず、且つ結晶性の高い微結晶半導体膜を成膜する第３の条件で第２の微結晶半導体膜を形成し、第２の微結晶半導体膜上に、第２の微結晶半導体膜に含まれる混相粒の隙間を埋めつつ、結晶成長を促す第４の条件で、第３の微結晶半導体膜を積層形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置１０は、気相成長室３６と、加熱室８と、混合室３８と、トリクロロシランガスを貯蔵する第１貯蔵庫４２と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第２貯蔵庫４０を備えている。加熱室８は、第１貯蔵庫４２と混合室３８に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室３８に供給している。混合室３８は、第２貯蔵庫４０と気相成長室３６に連通しており、加熱室８から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス３４を気相成長室３６に供給している。加熱室８の室内温度は、混合室３８の室内温度よりも高い。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、比較的低温において効率的に半導体シリコン膜を製造する方法を提供することである。また、本発明の目的は、基材がポリマー材料を有する半導体積層体を提供することである。
【解決手段】半導体積層体（１１０）を製造する本発明の方法は、（ａ）基材上にシリコン粒子分散体膜を形成する工程、（ｂ）シリコン粒子分散体膜を乾燥して、未焼結半導体シリコン膜を形成する工程、及び（ｃ）未焼結半導体シリコン膜に光を照射して、半導体シリコン膜を形成する工程を含む。また、本発明の半導体積層体（１１０）は、基材（１１２）及び半導体シリコン膜（１１８）を有し、基材が、ポリマー材料を有し、半導体シリコン膜が、互いに焼結されている複数のシリコン粒子から作られており、且つ半導体シリコン膜のキャリア移動度が、１．０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上である。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置において、新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置において、受光面となる半導体基板の表面をウィスカー群（ナノワイヤー群）で被覆されるようにして、表面反射を低減させる。すなわち、半導体基板の受光面側に、ウィスカー状の成長表面を有する半導体層を設ける。当該半導体層は、任意の凹凸構造を有することになるので、半導体基板での表面反射を低減させ、変換効率を向上させる効果を奏する。 （もっと読む）

【解決手段】非水電解質二次電池負極材に用いられる珪素酸化物であって、ＳｉＯガスとケイ素含有ガスの混合ガスを冷却析出させて得られ、酸素含有量が２０〜３５質量％であることを特徴とする非水電解質二次電池負極材用珪素酸化物。
【効果】本発明によれば、酸化珪素の高い電池容量と低い体積膨張率を維持しつつ、初回充放電効率が高く、サイクル特性に優れた非水電解質二次電池用の負極材として有効な活物質としての珪素酸化物及びその製造方法、ならびにこの珪素酸化物を用いた非水電解質二次電池負極が用いられた非水電解質二次電池を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】水素化物系ガスを含む混合ガスを高い回収率を維持しつつ分離して、水素化物系ガスを高純度に濃縮する。
【解決手段】気体分離膜が収容された密閉容器の未透過ガス排出口を閉止し、透過ガス排出口を開放した状態で、ガス供給口を開放して密閉容器内に混合ガスを供給し、充圧する第１の過程と、混合ガスの供給開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、ガス供給口を閉止して混合ガスの供給を停止し、当該状態を保持する第２の過程と、保持状態の開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を開放して水素化物系ガスを回収する第３の過程と、回収開始から所定時間が経過したとき又は密閉容器内が所定の圧力に到達したときに、未透過ガス排出口を閉止する第４の過程を備え、第１〜第４の過程を連続的に繰り返すことを特徴とするガス分離方法である。 （もっと読む）

【課題】電気伝導性及び光特性に優れたシリコンナノワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンナノワイヤは、金属ナノクラスターが、シリコンナノ構造体の表面上に形成されてなる点に特徴を有する。金属ナノクラスターは、シリコンナノワイヤの電気的特性及び光学的特性を向上させる役割を果たす。よって、本発明のシリコンナノワイヤは、リチウム電池、太陽電池、バイオセンサー、メモリ素子などの多様な電気素子に有効に使用できる。 （もっと読む）

本発明は、シリコン、特に高純度シリコンの製造方法に関し、（１）シリコン含有粉末、特にシリコンブロックのワイヤーによる切断に由来する粉末、が用意され；（２）シリコン含有粉末はガス流に供給され、ここで、ガスは、金属シリコン粒子を固体状態から液体および/またはガス状態に転換するのに十分に高い温度を有する；（３）シリコン蒸気は任意に凝縮され、液体シリコンは捕集され；ならびに（４）捕集された液体シリコンは、好ましくは鋳型内で、冷却される。 （もっと読む）

光ルミネセンスシリコンナノ粒子を調製するための方法および独特な特長を有するそのようなシリコンナノ粒子の組成物を提供する。調製方法には、低圧高周波数パルス反応機および反応機において形成されるナノ粒子の直接的流体捕捉の使用が含まれる。 （もっと読む）