フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品
【課題】高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても電力損失Ｐｃｖが小さく、かつ初期透磁率および比抵抗が高いフェライト組成物と、該フェライト組成物で構成してあるフェライトコアと、該フェライトコアを有する電子部品とを、提供すること。
【解決手段】主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【解決手段】主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランス、チョークコイルおよびインダクタなどのフェライトコアの製造に好適なフェライト組成物と、該組成物から構成されるフェライトコアと、該フェライトコアの周囲に巻き線が巻回してあるコイル部品などの電子部品と、に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器等の各種電子機器の小型・軽量化が急速に進み、それに対応すべく、各種電子機器の電気回路に用いられる電子部品の小型化・高効率化・高周波数化への要求が急速に高まっている。
【０００３】
たとえば液晶バックライト用トランスなどは、ディスプレーの薄型化に伴い、より小さく、より薄い形状で、従来のものと同等以上の特性を持つことが要求されている。このようなトランスに用いられるコアに要求される特性としては、たとえば、使用周波数領域および使用温度領域での電力損失が小さいこと、初期透磁率が高いこと、比抵抗が高いことが挙げられる。従来、このようなトランスに用いられるコアの材料としては、電力損失の小さいＭｎ−Ｚｎ系フェライトが多く使用されてきた。
【０００４】
しかしながら、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が低く、直巻線ができないことから小型化・薄型化には限界があった。また、使用周波数が高周波数になるほど、渦電流損失が増加するため、高周波数領域、たとえば、ＭＨｚ領域における使用には適していないという問題があった。
【０００５】
これに対し、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、上記のＭｎ−Ｚｎ系フェライトに比べて電力損失が大きいものの、比抵抗が高く、直巻線が可能である。このため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの低損失化を図るための種々の提案がなされている。
【０００６】
たとえば、特許文献１では、主成分として、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４６．０〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１２．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２４．０〜３０．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜３．５モル％を含み、残部が酸化ニッケルで構成され、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．００１〜０．５ｗｔ％含む酸化物磁性材料が提案されている。
【０００７】
しかしながら、上記の酸化物磁性材料は５０ｋＨｚにおける電力損失を改善しているものの、高周波領域、たとえば、ＭＨｚ領域における電力損失については何ら考慮されておらず、高周波領域における低損失の実現が望まれていた。また、特に携帯用の小型電子機器では、高い初期透磁率と低電力損失（ＭＨｚ領域）の双方の特性を併せ持つフェライト組成物が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３２１２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても電力損失Ｐｃｖが小さく、かつ初期透磁率および比抵抗が高いフェライト組成物と、該フェライト組成物で構成してあるフェライトコアと、該フェライトコアを有する電子部品とを、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係るフェライト組成物は、
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８.１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部含有することを特徴とする。
【００１１】
あるいは、本発明に係るフェライト組成物は、
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８.１〜３２．０モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部含有することを特徴とする。
【００１２】
主成分を構成する酸化物の含有量を上記の範囲とし、さらに副成分としてリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンを上記の範囲で含有させることにより、初期透磁率μｉおよび比抵抗を高く保ちつつ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても電力損失（コアロス：Ｐｃｖ）を低減させることができる。特に、μｉ／Ｐｃｖを、好ましくは０．７０以上、さらに好ましくは０．８０以上とすることができる。
【００１３】
このような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、リンおよび酸化ジルコニウム及び酸化タングステンを上記の範囲で共存させることで得られる複合効果が大きく影響していると考えられる。
【００１４】
主成分中に酸化マンガンが含有される場合には、好ましくは、前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下である。
【００１５】
前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量を上記の範囲とすることで、上述した効果をさらに高めることができる。
【００１６】
本発明に係るフェライトコアは、上記のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、１ＭＨｚ以上の周波数領域で使用される。
【００１７】
本発明に係る電子部品は、上記のフェライトコアを有する電子部品である。
【００１８】
本発明に係る電子部品としては、特に制限されないが、コイル部品、トランス部品、磁気ヘッド部品などが挙げられる。本発明に係る電子部品は高いインダクタンスとキュリー点を有しているため、インダクタやチョークコイル等のコイル部品として好適である。また、スイッチング用、インバータ用等の電源トランス等のトランス部品にも好適である。
【００１９】
なお、使用される周波数の上限については特に制限されないが、本発明に係るフェライトコアや電子部品が用いられる機器の使用周波数を考慮すると、２０ＭＨｚ程度である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、初期透磁率および比抵抗を高く維持しつつ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても、電力損失（コアロス）が低減されたフェライト組成物を得ることができる。
【００２１】
このようなフェライト組成物を、フェライトコアおよび電子部品に適用することで、小型化、高効率化、高周波数化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るトランス用フェライトコアである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２４】
本実施形態に係るトランス用フェライトコアとしては、図１に示したトロイダル型のほか、ＦＴ型、ＥＴ型、ＥＩ型、ＵＵ型、ＥＥ型、ＥＥＲ型、ＵＩ型、ドラム型、ポット型、カップ型等を例示することができる。このトランス用フェライトコアの周囲に巻き線を所定巻数だけ巻回することにより所望のトランスを得る。
【００２５】
本実施形態に係るトランス用フェライトコアは、本実施形態に係るフェライト組成物で構成してある。
【００２６】
本実施形態に係るフェライト組成物は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり、主成分として、酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニッケルを含有している。また、必要に応じて、酸化マンガンを含有してもよい。
【００２７】
主成分１００モル％中、酸化鉄の含有量は、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算で、４７．１〜４９．９５モル％、好ましくは４８．０〜４９．７モル％、より好ましくは４９．０〜４９．５モル％である。酸化鉄の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下すると共に、電力損失（コアロス）が増加する傾向にある。多すぎると、初期透磁率および比抵抗が低下すると共に、電力損失が増加する傾向にある。
【００２８】
主成分１００モル％中、酸化銅の含有量は、ＣｕＯ換算で、２．３〜１０．０モル％、好ましくは４．０〜１０．０モル％、より好ましくは４．０〜５．６モル％である。酸化銅の含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
【００２９】
主成分１００モル％中、酸化亜鉛の含有量は、ＺｎＯ換算で、２８.１〜３２．０モル％、好ましくは２９．０〜３１．０モル％、より好ましくは２９．０〜３０．０モル％である。酸化亜鉛の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下する傾向にある。多すぎると、キュリー点が低下する傾向にある。
【００３０】
主成分の残部は、酸化ニッケルのみから構成されていてもよいし、酸化ニッケルと酸化マンガンとから構成されていてもよい。
【００３１】
主成分の残部に、酸化マンガンが含有される場合には、主成分１００モル％中、酸化マンガンの含有量は、Ｍｎ２ Ｏ３ 換算で、好ましくは０．０１〜２．１モル％、より好ましくは０．０１〜１．６モル％、さらに好ましくは０．０１〜１．１モル％である。多すぎると、初期透磁率が低下すると共に電力損失が増加する傾向にある。
【００３２】
通常、マンガンは、酸化鉄中に酸化マンガンの形態で不可避的不純物として含有されているが、上記の範囲内であれば、酸化マンガンを含有させてもよい。
【００３３】
また、主成分中に酸化マンガンが含有されている場合には、酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量（Ｆｅ２ Ｏ３ ＋Ｍｎ２ Ｏ３ ）が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下であることが好ましい。酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量の上限を上記の範囲とすることで、良好な特性を得ることができる。
【００３４】
本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の主成分に加え、副成分として、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンを含有している。
【００３５】
リンの含有量は、主成分１００重量部に対して、Ｐ換算で、２〜６３ｐｐｍである。リンの含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
【００３６】
酸化ジルコニウムの含有量は、主成分１００重量部に対して、ＺｒＯ２ 換算で、４３〜４５３０ｐｐｍ、好ましくは４３〜３２１０ｐｐｍ、より好ましくは４３〜１５３０ｐｐｍである。酸化ジルコニウムの含有量が少なすぎても多すぎても、電力損失が増加する傾向にある。
【００３７】
酸化タングステンの含有量は、主成分１００重量部に対して、ＷＯ３ 換算で、０．３〜０．６重量部、好ましくは、０．４〜０．６重量部、より好ましくは０．４〜０．５５重量部である。含有量が少なすぎても多すぎても、電力損失が増加する傾向にある。また含有量が多すぎると初期透磁率μｉが低下する傾向にある。
【００３８】
本実施形態に係るフェライト組成物においては、主成分の組成範囲を上記の範囲に制御されていることに加え、副成分として、上記のリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンが含有されている。その結果、初期透磁率および比抵抗は良好に維持しつつ、高周波数領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）における電力損失を低減させることができる。
【００３９】
なお、リンまたは酸化ジルコニウムまたは酸化タングステンが単独で含有されている場合には上記の効果は十分に得られない。すなわち、上記の効果は、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンが同時に特定量含有された場合に初めて得られる複合的な効果であると考えられる。
【００４０】
また、本実施形態に係るフェライト組成物には、マンガン以外の不可避的不純物元素の酸化物が含まれ得る。
【００４１】
具体的には、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｉや、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｂｉ等の典型金属元素や、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ等の遷移金属元素が挙げられる。
【００４２】
次に、本実施形態に係るフェライト組成物の製造方法の一例を説明する。
【００４３】
まず、出発原料（主成分の原料および副成分の原料）を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が０．１〜３μｍの出発原料を用いることが好ましい。
【００４４】
主成分の原料としては、酸化鉄（α−Ｆｅ２ Ｏ３ ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、必要に応じて酸化マンガン（Ｍｎ２ Ｏ３ ）、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
【００４５】
副成分の原料としては、リン（Ｐ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）、酸化タングステン（ＷＯ３ ）を用いることができる。リンについては、リン酸（Ｐ２ Ｏ５ ）の形態で用いることが好ましい。酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンについては、主成分の原料の場合と同様とすればよい。
【００４６】
次に、原料混合物の仮焼きを行い、仮焼き材料を得る。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。こうした仮焼きは、好ましくは８００〜１１００℃の温度で、通常１〜３時間程度行う。仮焼きは、大気（空気）中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気や純酸素雰囲気で行っても良い。なお、主成分の原料と副成分の原料との混合は、仮焼きの前に行なってもよく、仮焼き後に行なってもよい。
【００４７】
次に、仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、仮焼き材料の平均粒径が、好ましくは１〜２μｍ程度となるまで行う。
【００４８】
次に、粉砕材料の造粒（顆粒）を行い、造粒物を得る。造粒は、粉砕材料を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。こうした造粒法としては、たとえば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、粉砕材料に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられる結合剤を加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、低温乾燥する方法である。
【００４９】
次に、造粒物を所定形状に成形し、成形体を得る。造粒物の成形としては、たとえば、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。乾式成形法は、造粒物を、金型に充填して圧縮加圧（プレス）することにより行う成形法である。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態ではトロイダル型形状とされる。
【００５０】
次に、成形体の本焼成を行い、焼結体（本実施形態のフェライト組成物）を得る。本焼成は、多くの空隙を含んでいる成形体の粉体粒子間に、融点以下の温度で粉体が凝着する焼結を起こさせ、緻密な焼結体を得るために行われる。こうした本焼成は、好ましくは９００〜１３００℃の温度で、通常２〜５時間程度行う。本焼成は、大気（空気）中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気で行っても良い。
【００５１】
このような工程を経て、本実施形態に係るフェライト組成物は製造される。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００５３】
たとえば、上述した実施形態では、トロイダル型形状とするために、本焼成前に該形状に成形しているが、本焼成後に該形状に成形（加工）してもよい。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００５５】
まず、主成分の原料として、Ｆｅ２ Ｏ３ 、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ｍｎ２ Ｏ３ を準備した。副成分の原料として、Ｐ２ Ｏ５ およびＺｒＯ２ およびＷＯ３ を準備した。なお、出発原料の平均粒径は０．１〜３μｍであった。
【００５６】
次に、準備した主成分および副成分の原料の粉末を秤量した後、ボールミルで５時間湿式混合して原料混合物を得た。
【００５７】
次に、得られた原料混合物を、空気中において９００℃で２時間仮焼して仮焼き材料とした後、ボールミルで２０時間湿式粉砕して粉砕材料を得た。
【００５８】
次に、この粉砕材料を乾燥した後、該粉砕材料１００重量部に、バインダーとしてのポリビニルアルコールを１．０重量部添加して造粒し、２０メッシュの篩で整粒して顆粒とした。この顆粒を、１００ｋＰａの圧力で加圧成形して、トロイダル形状（寸法＝外径１８ｍｍ×内径１０ｍｍ×高さ５ｍｍ）の成形体と、ディスク形状（寸法＝直径２５ｍｍ×厚さ５ｍｍ）の成形体を得た。
【００５９】
次に、これら各成形体を、空気中において、１０００〜１２５０℃で２時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルおよびディスクコアサンプルを得た。得られたサンプルについて、蛍光Ｘ線分析を行い、フェライトコアの組成を測定した。結果を表１〜３に示す。なお、リン（Ｐ）の含有量は、吸光光度法により測定した。さらにサンプルに対し、以下の特性評価を行った。
【００６０】
電力損失（Ｐｃｖ）
得られたトロイダルコアサンプルに、１次巻線および２次巻線を５回ずつ巻回し、１ＭＨｚ、５０ｍＴ、２３℃および５０ｋＨｚ、１５０ｍＴ、１４０℃での電力損失Ｐｃｖを測定した（単位：ｋＷ／ｍ３ ）。測定は、Ｂ−Ｈアナライザー（岩崎通信機株式会社製ＳＹ−８２３２）を用いて行った。１ＭＨｚにおけるＰｃｖは１４００ｋＷ／ｍ３ 以下を良好とした。結果を表１〜３に示す。
【００６１】
なお、使用周波数が１ＭＨｚ以上であるフェライトコアや電子部品は、たとえば携帯電話等に適用されるため、本実施例では、このような機器が通常用いられる温度領域においてＰｃｖを測定した。
【００６２】
初期透磁率（μｉ）
得られたトロイダルコアサンプルに、銅線ワイヤを１０ターン巻きつけ、ＬＣＲメーター（ヒューレットパッカード ４２８４Ａ）を使用して、初期透磁率μｉを測定した。測定条件としては、測定周波数１００ｋＨｚ、測定温度２３℃、測定レベル０．４Ａ／ｍとした。結果を表１〜３に示す。
【００６３】
比抵抗（ρ）
得られたディスクコアサンプルの両面に、Ｉｎ−Ｇａ電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた（単位：Ωｍ）。測定は、ＩＲメーター（ＴＯＡ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製ＳＵＰＥＲ ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ ＳＭ−５Ｅ）を用いて行った。ρは１０８ Ωｍ以上を良好とした。結果を表１〜３に示す。
【００６４】
なお、表１〜３には、１ＭＨｚにおけるフェライトコアの性能指数を示すμｉ／Ｐｃｖも示した。μｉ／Ｐｃｖは０．７０以上を良好とした。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
【表３】
【００６８】
表１より、副成分であるＰおよびＺｒＯ２ およびＷＯ３ が同時に含有され、かつ含有量が本発明の範囲内である場合（実施例１〜１４）、高周波領域（１ＭＨｚ）において電力損失（Ｐｃｖ）が良好となり、しかも高い初期透磁率（μｉ）および比抵抗が得られる傾向にあることが確認された。したがって、高い性能指数が得られていることが確認できた。
【００６９】
これに対し、ＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ の何れかひとつ以上含有されていない場合（比較例１、２、４、５、７、８、１６および２０〜２４）、あるいはＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ のうち、ＰもしくはＺｒＯ２ の含有量が本発明の範囲外となっている場合（比較例６および９）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。
【００７０】
また、ＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ のうち、ＷＯ３ の含有量が本発明の範囲外となっている場合（比較例３）には、初期透磁率μｉが減少する傾向が確認された。
【００７１】
また、表２より、ＣｕＯの含有量が本発明の範囲外となる場合（比較例１０および１１）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。また、ＺｎＯの含有量が少なすぎる場合には、初期透磁率が低下し、ＺｎＯの含有量が多すぎる場合には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された（比較例１２および１３）。
【００７２】
さらに、表３より、Ｆｅ２ Ｏ３ およびＭｎ２ Ｏ３ の含有量が本発明の範囲外である場合（比較例１４、１５、および１７〜１９）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化することに加え、初期透磁率および比抵抗の少なくとも１つが悪化していることが確認された。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランス、チョークコイルおよびインダクタなどのフェライトコアの製造に好適なフェライト組成物と、該組成物から構成されるフェライトコアと、該フェライトコアの周囲に巻き線が巻回してあるコイル部品などの電子部品と、に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器等の各種電子機器の小型・軽量化が急速に進み、それに対応すべく、各種電子機器の電気回路に用いられる電子部品の小型化・高効率化・高周波数化への要求が急速に高まっている。
【０００３】
たとえば液晶バックライト用トランスなどは、ディスプレーの薄型化に伴い、より小さく、より薄い形状で、従来のものと同等以上の特性を持つことが要求されている。このようなトランスに用いられるコアに要求される特性としては、たとえば、使用周波数領域および使用温度領域での電力損失が小さいこと、初期透磁率が高いこと、比抵抗が高いことが挙げられる。従来、このようなトランスに用いられるコアの材料としては、電力損失の小さいＭｎ−Ｚｎ系フェライトが多く使用されてきた。
【０００４】
しかしながら、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトは、比抵抗が低く、直巻線ができないことから小型化・薄型化には限界があった。また、使用周波数が高周波数になるほど、渦電流損失が増加するため、高周波数領域、たとえば、ＭＨｚ領域における使用には適していないという問題があった。
【０００５】
これに対し、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは、上記のＭｎ−Ｚｎ系フェライトに比べて電力損失が大きいものの、比抵抗が高く、直巻線が可能である。このため、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの低損失化を図るための種々の提案がなされている。
【０００６】
たとえば、特許文献１では、主成分として、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４６．０〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１２．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２４．０〜３０．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜３．５モル％を含み、残部が酸化ニッケルで構成され、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．００１〜０．５ｗｔ％含む酸化物磁性材料が提案されている。
【０００７】
しかしながら、上記の酸化物磁性材料は５０ｋＨｚにおける電力損失を改善しているものの、高周波領域、たとえば、ＭＨｚ領域における電力損失については何ら考慮されておらず、高周波領域における低損失の実現が望まれていた。また、特に携帯用の小型電子機器では、高い初期透磁率と低電力損失（ＭＨｚ領域）の双方の特性を併せ持つフェライト組成物が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３２１２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても電力損失Ｐｃｖが小さく、かつ初期透磁率および比抵抗が高いフェライト組成物と、該フェライト組成物で構成してあるフェライトコアと、該フェライトコアを有する電子部品とを、提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係るフェライト組成物は、
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８.１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部含有することを特徴とする。
【００１１】
あるいは、本発明に係るフェライト組成物は、
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８.１〜３２．０モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部含有することを特徴とする。
【００１２】
主成分を構成する酸化物の含有量を上記の範囲とし、さらに副成分としてリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンを上記の範囲で含有させることにより、初期透磁率μｉおよび比抵抗を高く保ちつつ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても電力損失（コアロス：Ｐｃｖ）を低減させることができる。特に、μｉ／Ｐｃｖを、好ましくは０．７０以上、さらに好ましくは０．８０以上とすることができる。
【００１３】
このような効果が得られる理由は必ずしも明らかではないが、リンおよび酸化ジルコニウム及び酸化タングステンを上記の範囲で共存させることで得られる複合効果が大きく影響していると考えられる。
【００１４】
主成分中に酸化マンガンが含有される場合には、好ましくは、前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下である。
【００１５】
前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量を上記の範囲とすることで、上述した効果をさらに高めることができる。
【００１６】
本発明に係るフェライトコアは、上記のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、１ＭＨｚ以上の周波数領域で使用される。
【００１７】
本発明に係る電子部品は、上記のフェライトコアを有する電子部品である。
【００１８】
本発明に係る電子部品としては、特に制限されないが、コイル部品、トランス部品、磁気ヘッド部品などが挙げられる。本発明に係る電子部品は高いインダクタンスとキュリー点を有しているため、インダクタやチョークコイル等のコイル部品として好適である。また、スイッチング用、インバータ用等の電源トランス等のトランス部品にも好適である。
【００１９】
なお、使用される周波数の上限については特に制限されないが、本発明に係るフェライトコアや電子部品が用いられる機器の使用周波数を考慮すると、２０ＭＨｚ程度である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によると、初期透磁率および比抵抗を高く維持しつつ、高周波領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）においても、電力損失（コアロス）が低減されたフェライト組成物を得ることができる。
【００２１】
このようなフェライト組成物を、フェライトコアおよび電子部品に適用することで、小型化、高効率化、高周波数化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るトランス用フェライトコアである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を図面に示す実施形態に基づき説明する。
【００２４】
本実施形態に係るトランス用フェライトコアとしては、図１に示したトロイダル型のほか、ＦＴ型、ＥＴ型、ＥＩ型、ＵＵ型、ＥＥ型、ＥＥＲ型、ＵＩ型、ドラム型、ポット型、カップ型等を例示することができる。このトランス用フェライトコアの周囲に巻き線を所定巻数だけ巻回することにより所望のトランスを得る。
【００２５】
本実施形態に係るトランス用フェライトコアは、本実施形態に係るフェライト組成物で構成してある。
【００２６】
本実施形態に係るフェライト組成物は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり、主成分として、酸化鉄、酸化銅、酸化亜鉛および酸化ニッケルを含有している。また、必要に応じて、酸化マンガンを含有してもよい。
【００２７】
主成分１００モル％中、酸化鉄の含有量は、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算で、４７．１〜４９．９５モル％、好ましくは４８．０〜４９．７モル％、より好ましくは４９．０〜４９．５モル％である。酸化鉄の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下すると共に、電力損失（コアロス）が増加する傾向にある。多すぎると、初期透磁率および比抵抗が低下すると共に、電力損失が増加する傾向にある。
【００２８】
主成分１００モル％中、酸化銅の含有量は、ＣｕＯ換算で、２．３〜１０．０モル％、好ましくは４．０〜１０．０モル％、より好ましくは４．０〜５．６モル％である。酸化銅の含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
【００２９】
主成分１００モル％中、酸化亜鉛の含有量は、ＺｎＯ換算で、２８.１〜３２．０モル％、好ましくは２９．０〜３１．０モル％、より好ましくは２９．０〜３０．０モル％である。酸化亜鉛の含有量が少なすぎると、初期透磁率が低下する傾向にある。多すぎると、キュリー点が低下する傾向にある。
【００３０】
主成分の残部は、酸化ニッケルのみから構成されていてもよいし、酸化ニッケルと酸化マンガンとから構成されていてもよい。
【００３１】
主成分の残部に、酸化マンガンが含有される場合には、主成分１００モル％中、酸化マンガンの含有量は、Ｍｎ２ Ｏ３ 換算で、好ましくは０．０１〜２．１モル％、より好ましくは０．０１〜１．６モル％、さらに好ましくは０．０１〜１．１モル％である。多すぎると、初期透磁率が低下すると共に電力損失が増加する傾向にある。
【００３２】
通常、マンガンは、酸化鉄中に酸化マンガンの形態で不可避的不純物として含有されているが、上記の範囲内であれば、酸化マンガンを含有させてもよい。
【００３３】
また、主成分中に酸化マンガンが含有されている場合には、酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量（Ｆｅ２ Ｏ３ ＋Ｍｎ２ Ｏ３ ）が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下であることが好ましい。酸化鉄および酸化マンガンの合計含有量の上限を上記の範囲とすることで、良好な特性を得ることができる。
【００３４】
本実施形態に係るフェライト組成物は、上記の主成分に加え、副成分として、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンを含有している。
【００３５】
リンの含有量は、主成分１００重量部に対して、Ｐ換算で、２〜６３ｐｐｍである。リンの含有量が少なすぎると、焼結性が低下し、その結果、電力損失が増加する傾向にある。多すぎても電力損失が増加する傾向にある。
【００３６】
酸化ジルコニウムの含有量は、主成分１００重量部に対して、ＺｒＯ２ 換算で、４３〜４５３０ｐｐｍ、好ましくは４３〜３２１０ｐｐｍ、より好ましくは４３〜１５３０ｐｐｍである。酸化ジルコニウムの含有量が少なすぎても多すぎても、電力損失が増加する傾向にある。
【００３７】
酸化タングステンの含有量は、主成分１００重量部に対して、ＷＯ３ 換算で、０．３〜０．６重量部、好ましくは、０．４〜０．６重量部、より好ましくは０．４〜０．５５重量部である。含有量が少なすぎても多すぎても、電力損失が増加する傾向にある。また含有量が多すぎると初期透磁率μｉが低下する傾向にある。
【００３８】
本実施形態に係るフェライト組成物においては、主成分の組成範囲を上記の範囲に制御されていることに加え、副成分として、上記のリンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンが含有されている。その結果、初期透磁率および比抵抗は良好に維持しつつ、高周波数領域（たとえば、１ＭＨｚ以上）における電力損失を低減させることができる。
【００３９】
なお、リンまたは酸化ジルコニウムまたは酸化タングステンが単独で含有されている場合には上記の効果は十分に得られない。すなわち、上記の効果は、リンおよび酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンが同時に特定量含有された場合に初めて得られる複合的な効果であると考えられる。
【００４０】
また、本実施形態に係るフェライト組成物には、マンガン以外の不可避的不純物元素の酸化物が含まれ得る。
【００４１】
具体的には、Ｂ、Ｃ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｉや、Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｂ、Ｂｉ等の典型金属元素や、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｙ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ等の遷移金属元素が挙げられる。
【００４２】
次に、本実施形態に係るフェライト組成物の製造方法の一例を説明する。
【００４３】
まず、出発原料（主成分の原料および副成分の原料）を、所定の組成比となるように秤量して混合し、原料混合物を得る。混合する方法としては、たとえば、ボールミルを用いて行う湿式混合や、乾式ミキサーを用いて行う乾式混合が挙げられる。なお、平均粒径が０．１〜３μｍの出発原料を用いることが好ましい。
【００４４】
主成分の原料としては、酸化鉄（α−Ｆｅ２ Ｏ３ ）、酸化銅（ＣｕＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、必要に応じて酸化マンガン（Ｍｎ２ Ｏ３ ）、あるいは複合酸化物などを用いることができる。さらに、その他、焼成により上記した酸化物や複合酸化物となる各種化合物等を用いることができる。焼成により上記した酸化物になるものとしては、たとえば、金属単体、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、水酸化物、ハロゲン化物、有機金属化合物等が挙げられる。
【００４５】
副成分の原料としては、リン（Ｐ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２ ）、酸化タングステン（ＷＯ３ ）を用いることができる。リンについては、リン酸（Ｐ２ Ｏ５ ）の形態で用いることが好ましい。酸化ジルコニウムおよび酸化タングステンについては、主成分の原料の場合と同様とすればよい。
【００４６】
次に、原料混合物の仮焼きを行い、仮焼き材料を得る。仮焼きは、原料の熱分解、成分の均質化、フェライトの生成、焼結による超微粉の消失と適度の粒子サイズへの粒成長を起こさせ、原料混合物を後工程に適した形態に変換するために行われる。こうした仮焼きは、好ましくは８００〜１１００℃の温度で、通常１〜３時間程度行う。仮焼きは、大気（空気）中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気や純酸素雰囲気で行っても良い。なお、主成分の原料と副成分の原料との混合は、仮焼きの前に行なってもよく、仮焼き後に行なってもよい。
【００４７】
次に、仮焼き材料の粉砕を行い、粉砕材料を得る。粉砕は、仮焼き材料の凝集をくずして適度の焼結性を有する粉体とするために行われる。仮焼き材料が大きい塊を形成しているときには、粗粉砕を行ってからボールミルやアトライターなどを用いて湿式粉砕を行う。湿式粉砕は、仮焼き材料の平均粒径が、好ましくは１〜２μｍ程度となるまで行う。
【００４８】
次に、粉砕材料の造粒（顆粒）を行い、造粒物を得る。造粒は、粉砕材料を適度な大きさの凝集粒子とし、成形に適した形態に変換するために行われる。こうした造粒法としては、たとえば、加圧造粒法やスプレードライ法などが挙げられる。スプレードライ法は、粉砕材料に、ポリビニルアルコールなどの通常用いられる結合剤を加えた後、スプレードライヤー中で霧化し、低温乾燥する方法である。
【００４９】
次に、造粒物を所定形状に成形し、成形体を得る。造粒物の成形としては、たとえば、乾式成形、湿式成形、押出成形などが挙げられる。乾式成形法は、造粒物を、金型に充填して圧縮加圧（プレス）することにより行う成形法である。成形体の形状は、特に限定されず、用途に応じて適宜決定すればよいが、本実施形態ではトロイダル型形状とされる。
【００５０】
次に、成形体の本焼成を行い、焼結体（本実施形態のフェライト組成物）を得る。本焼成は、多くの空隙を含んでいる成形体の粉体粒子間に、融点以下の温度で粉体が凝着する焼結を起こさせ、緻密な焼結体を得るために行われる。こうした本焼成は、好ましくは９００〜１３００℃の温度で、通常２〜５時間程度行う。本焼成は、大気（空気）中で行ってもよく、大気中よりも酸素分圧が高い雰囲気で行っても良い。
【００５１】
このような工程を経て、本実施形態に係るフェライト組成物は製造される。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々なる態様で実施し得ることは勿論である。
【００５３】
たとえば、上述した実施形態では、トロイダル型形状とするために、本焼成前に該形状に成形しているが、本焼成後に該形状に成形（加工）してもよい。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００５５】
まず、主成分の原料として、Ｆｅ２ Ｏ３ 、ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯ、Ｍｎ２ Ｏ３ を準備した。副成分の原料として、Ｐ２ Ｏ５ およびＺｒＯ２ およびＷＯ３ を準備した。なお、出発原料の平均粒径は０．１〜３μｍであった。
【００５６】
次に、準備した主成分および副成分の原料の粉末を秤量した後、ボールミルで５時間湿式混合して原料混合物を得た。
【００５７】
次に、得られた原料混合物を、空気中において９００℃で２時間仮焼して仮焼き材料とした後、ボールミルで２０時間湿式粉砕して粉砕材料を得た。
【００５８】
次に、この粉砕材料を乾燥した後、該粉砕材料１００重量部に、バインダーとしてのポリビニルアルコールを１．０重量部添加して造粒し、２０メッシュの篩で整粒して顆粒とした。この顆粒を、１００ｋＰａの圧力で加圧成形して、トロイダル形状（寸法＝外径１８ｍｍ×内径１０ｍｍ×高さ５ｍｍ）の成形体と、ディスク形状（寸法＝直径２５ｍｍ×厚さ５ｍｍ）の成形体を得た。
【００５９】
次に、これら各成形体を、空気中において、１０００〜１２５０℃で２時間焼成して、焼結体としてのトロイダルコアサンプルおよびディスクコアサンプルを得た。得られたサンプルについて、蛍光Ｘ線分析を行い、フェライトコアの組成を測定した。結果を表１〜３に示す。なお、リン（Ｐ）の含有量は、吸光光度法により測定した。さらにサンプルに対し、以下の特性評価を行った。
【００６０】
電力損失（Ｐｃｖ）
得られたトロイダルコアサンプルに、１次巻線および２次巻線を５回ずつ巻回し、１ＭＨｚ、５０ｍＴ、２３℃および５０ｋＨｚ、１５０ｍＴ、１４０℃での電力損失Ｐｃｖを測定した（単位：ｋＷ／ｍ３ ）。測定は、Ｂ−Ｈアナライザー（岩崎通信機株式会社製ＳＹ−８２３２）を用いて行った。１ＭＨｚにおけるＰｃｖは１４００ｋＷ／ｍ３ 以下を良好とした。結果を表１〜３に示す。
【００６１】
なお、使用周波数が１ＭＨｚ以上であるフェライトコアや電子部品は、たとえば携帯電話等に適用されるため、本実施例では、このような機器が通常用いられる温度領域においてＰｃｖを測定した。
【００６２】
初期透磁率（μｉ）
得られたトロイダルコアサンプルに、銅線ワイヤを１０ターン巻きつけ、ＬＣＲメーター（ヒューレットパッカード ４２８４Ａ）を使用して、初期透磁率μｉを測定した。測定条件としては、測定周波数１００ｋＨｚ、測定温度２３℃、測定レベル０．４Ａ／ｍとした。結果を表１〜３に示す。
【００６３】
比抵抗（ρ）
得られたディスクコアサンプルの両面に、Ｉｎ−Ｇａ電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた（単位：Ωｍ）。測定は、ＩＲメーター（ＴＯＡ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製ＳＵＰＥＲ ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ ＭＯＤＥＬ ＳＭ−５Ｅ）を用いて行った。ρは１０８ Ωｍ以上を良好とした。結果を表１〜３に示す。
【００６４】
なお、表１〜３には、１ＭＨｚにおけるフェライトコアの性能指数を示すμｉ／Ｐｃｖも示した。μｉ／Ｐｃｖは０．７０以上を良好とした。
【００６５】
【表１】
【００６６】
【表２】
【００６７】
【表３】
【００６８】
表１より、副成分であるＰおよびＺｒＯ２ およびＷＯ３ が同時に含有され、かつ含有量が本発明の範囲内である場合（実施例１〜１４）、高周波領域（１ＭＨｚ）において電力損失（Ｐｃｖ）が良好となり、しかも高い初期透磁率（μｉ）および比抵抗が得られる傾向にあることが確認された。したがって、高い性能指数が得られていることが確認できた。
【００６９】
これに対し、ＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ の何れかひとつ以上含有されていない場合（比較例１、２、４、５、７、８、１６および２０〜２４）、あるいはＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ のうち、ＰもしくはＺｒＯ２ の含有量が本発明の範囲外となっている場合（比較例６および９）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。
【００７０】
また、ＰまたはＺｒＯ２ またはＷＯ３ のうち、ＷＯ３ の含有量が本発明の範囲外となっている場合（比較例３）には、初期透磁率μｉが減少する傾向が確認された。
【００７１】
また、表２より、ＣｕＯの含有量が本発明の範囲外となる場合（比較例１０および１１）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された。また、ＺｎＯの含有量が少なすぎる場合には、初期透磁率が低下し、ＺｎＯの含有量が多すぎる場合には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化する傾向が確認された（比較例１２および１３）。
【００７２】
さらに、表３より、Ｆｅ２ Ｏ３ およびＭｎ２ Ｏ３ の含有量が本発明の範囲外である場合（比較例１４、１５、および１７〜１９）には、１ＭＨｚにおける電力損失が悪化することに加え、初期透磁率および比抵抗の少なくとも１つが悪化していることが確認された。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【請求項２】
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【請求項３】
前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下である請求項１に記載のフェライト組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、１ＭＨｚ以上の周波数領域で使用されるフェライトコア。
【請求項５】
請求項４に記載のフェライトコアを有する電子部品。
【請求項１】
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％、酸化マンガンをＭｎ２ Ｏ３ 換算で０．０１〜２．１モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【請求項２】
主成分が、酸化鉄をＦｅ２ Ｏ３ 換算で４７．１〜４９．９５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で２．３〜１０．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で２８．１〜３２．０モル％を含有し、残部が酸化ニッケルで構成されており、
前記主成分１００重量部に対して、副成分として、リンをＰ換算で２〜６３ｐｐｍ、酸化ジルコニウムをＺｒＯ２ 換算で４３〜４５３０ｐｐｍ、酸化タングステンをＷＯ３ 換算で０．３１〜０．６重量部を含有することを特徴とするフェライト組成物。
【請求項３】
前記酸化鉄および前記酸化マンガンの合計含有量が、Ｆｅ２ Ｏ３ 換算およびＭｎ２ Ｏ３ 換算で、５０．１モル％以下である請求項１に記載のフェライト組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のフェライト組成物から構成され、１ＭＨｚ以上の周波数領域で使用されるフェライトコア。
【請求項５】
請求項４に記載のフェライトコアを有する電子部品。
【図１】
【公開番号】特開２０１２−９９６６２（Ｐ２０１２−９９６６２Ａ）
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２４６５６１（Ｐ２０１０−２４６５６１）
【出願日】平成２２年１１月２日（２０１０．１１．２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月２４日（２０１２．５．２４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月２日（２０１０．１１．２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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