ホスフィニルアミジン化合物、金属錯体、触媒系、およびオレフィンをオリゴマー化または重合するためのそれらの使用
Ｎ２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、Ｎ２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体が記載される。Ｎ２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ２を−ホスフィニルアミジナート、Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を製造する方法も開示される。Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体およびＮ２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体を使用する触媒系もまた、オレフィンのオリゴマー化および／または重合のための、Ｎ２−ホスフィニルアミジン化合物、Ｎ２−ホスフィニルアミジナート、Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、およびＮ２−ホスフィニルアミジナート金属塩錯体の使用と共に開示される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
式：
【化１】
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ３は、水素、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基、またはＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、また、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基である。］を有することを特徴とするＮ２−ホスフィニルアミジン化合物。
【請求項２】
ａ）金属アミジナートを形成することができる条件下で金属アミドをニトリルと接触させるステップ；および
ｂ）Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物を形成することができる条件下でホスフィンハライドを金属アミジナートと接触させるステップ
を含む、請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物を調製する方法。
【請求項３】
式：
【化２】
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ３は、水素、または本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
ＭＸｐは、Ｍが遷移金属であり、Ｘがモノ陰イオンであり、かつｐが２から６までの範囲である金属塩を表し、
Ｑは、中性配位子であり、また、
ａは０から６までの範囲である。］を有することを特徴とする、請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物の金属塩錯体。
【請求項４】
ａ）請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物と遷移金属塩を接触させるステップ；および
ｂ）Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体を形成するステップ
を含む、請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体を調製する方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体および金属アルキルを含む触媒系。
【請求項６】
請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む触媒系混合物を形成するステップを含む、請求項５に記載の触媒系を調製する方法。
【請求項７】
ａ）オレフィン、および請求項５に記載の金属アルキルがアルミノキサンである触媒系を接触させるステップ；および
ｂ）オレフィンオリゴマー生成物を形成するステップ
を含むオレフィンオリゴマー化工程。
【請求項８】
ａ）請求項６に記載の金属アルキルがアルミノキサンである触媒系を形成するステップ；
ｂ）触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ；および
ｃ）オレフィンオリゴマー生成物を形成するステップ
を含むオレフィンオリゴマー化工程。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の主題であって、Ｒ１が、金属錯体形成基、および、式：
【化３】
［式中、Ｑ１は、金属錯体形成基を表し、またジアルキルアミニル基、ジシクロアルキルアミニル基、ジ（置換シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（シクロアルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）アミニル基、ジアリールアミニル基、ジ（置換アリール）アミニル基、Ｎ−アリール−Ｎ−（置換アリール）アミニル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミニル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−（置換アリール）アミニル基、ジアルキルホスフィニル基、ジシクロアルキルホスフィニル基、ジ（置換シクロアルキル）ホスフィニル基）、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（シクロアルキル）ホスフィニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）ホスフィニル基、Ｎ−（シクロアルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）ホスフィニル基、ジアリールホスフィニル基、ジ（置換アリール）ホスフィニル基、Ｐ−アリール−Ｐ−（置換アリール）ホスフィニル基、Ｐ−アルキル−Ｐ−アリールホスフィニル基、Ｐ−アルキル−Ｐ−（置換アリール）ホスフィニル基、アルキルエーテリル基、アリールエーテリル基、置換アリールエーテリル基、アルキルスルフィジル基、アリールスルフィジル基、置換アリールスルフィジル基、フラニル基、置換フラニル基、チエニル基、置換チエニル基、テトラヒドロフラニル基、置換テトラヒドロフラニル基、チオファニル基、置換チオファニル基、ピリジニル基、置換ピリジニル基、モルフィリニル基、置換モルフィリニル基、ピラニル基、置換ピラニル基、テトラヒドロピラニル基、置換テトラヒドロピラニル基、キノリニル基、置換キノリニル基、ピロリル基、置換ピロリル基、ピロリジニル基、置換ピロリジニル基、ピペリジニル基、または置換ピペリジニル基であり、また
Ｌ３は、連結基を表し、結合またはＣ１〜Ｃ１０オルガニル基である。］を有することを特徴とするＮ２−ホスフィニルアミジン化合物のＮ２−ホスフィニルアミジン基のN１窒素原子に金属錯体形成基を連結する連結基を含む、主題。
【請求項１０】
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基である、主題。
【請求項１１】
Ｒ１がフェニル基または置換フェニル基である、請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１２】
Ｒ１がフェニル基、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基、または２，４，６−三置換フェニル基である請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１３】
置換フェニル基の各置換基が、独立してハライド、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基、またはＣ１〜Ｃ５アルコキシ基である、請求項１１または１２に記載の主題。
【請求項１４】
Ｒ１が、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−イソプロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−イソプロピル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２−メチル−６−イソプロピルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、または２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基である、請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１５】
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、Ｃ７〜Ｃ２０置換アラルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基、またはＣ３〜Ｃ２０置換ヘテロアリール基である、請求項１から１４に記載の主題。
【請求項１６】
Ｒ２が、Ｃ６〜Ｃ２０フェニル基またはＣ６〜Ｃ２０置換フェニル基である、請求項１から１５のいずれかに記載の主題。
【請求項１７】
Ｒ２が、Ｃ６〜Ｃ２０ベンジル基、Ｃ６〜Ｃ２０置換ベンジル基、Ｃ６〜Ｃ２０エチルフェニル基、またはＣ６〜Ｃ２０置換エチルフェニル基である、請求項１から１４のいずれかに記載の主題。
【請求項１８】
Ｒ３が、水素、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１５シクロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１５置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ１５アリール基、Ｃ６〜Ｃ１５置換アリール基、Ｃ３〜Ｃ１５ヘテロアリール基、または置換Ｃ３〜Ｃ１５ヘテロアリール基である、請求項１から１７のいずれかに記載の主題。
【請求項１９】
Ｒ３が水素である、請求項１から１７のいずれかに記載の主題。
【請求項２０】
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基、またはＣ３〜Ｃ２０置換ヘテロアリール基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２１】
Ｒ４およびＲ５が、独立してメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、またはネオペンチル基である、請求項１から２０のいずれかに記載の主題。
【請求項２２】
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立してシクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、または置換シクロヘキシル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２３】
Ｒ４およびＲ５が、独立してフェニル基または置換フェニル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。。
【請求項２４】
Ｒ４およびＲ５が、独立してフェニル基、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基、または２，４，６−三置換フェニル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２５】
Ｒ１が、フェニル基または置換フェニル基、であり、
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３が水素であり、また、
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０の置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０の置換アリール基である、
請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項２６】
ステップａ）の金属アミジナートが、プロトン性化合物で中和され非金属アミジン化合物を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項２７】
非金属アミジン化合物が、単離され、場合によって、精製され、次いで、金属アルキル化合物と接触されて、アミジナートを形成することができる条件下で金属アミジナートを形成する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ステップａ）の金属アミジナートが非金属アミジン化合物を形成せずに、ホスフィンハライドと接触される、請求項２に記載の方法。
【請求項２９】
Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が単離され、場合によって、精製される、請求項２に記載の方法。
【請求項３０】
金属アミドが、アミンおよび１族または２族金属アルキルを接触させることにより形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項３１】
金属アミドが、構造ＭＡ１を有し、ニトリルが、構造Ｎ１を有し、ホスフィンハライドが構造ＰＨ１を有し、
【化４】
また、Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が、式：
【化５】
［式中、
ＭＡは、１族または２族金属であり、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ４およびＲ５は、独立して、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基である。］
を有することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項３２】
金属アミドが、構造ＭＡ１を有し、ニトリルが、構造Ｎ１を有し、ホスフィンハライドが、構造ＰＨ１を有し、
【化６】
また、Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が、式：
【化７】
［式中、
ＭＡは、１族または２族金属であり、
Ｒ１は、フェニル基または置換フェニル基であり、
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３は、水素であり、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基である。］を有することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項３３】
金属塩が、３〜１０族遷移金属を含む、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３４】
金属塩の金属が＋２または＋３の酸化状態にある、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３５】
金属塩がクロムを含む、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３６】
金属塩が、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）、クロム（ＩＩＩ）β−ジケトナート、またはハロゲン化クロム（ＩＩＩ）である、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３７】
金属塩が塩化クロム（ＩＩＩ）である、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３８】
遷移金属塩およびＮ２−ホスフィニルアミジン化合物が、遷移金属塩対Ｎ２−ホスフィニルアミジン化合物の、少なくとも０．９：１の当量比で接触される、請求項４に記載の主題。
【請求項３９】
遷移金属塩およびＮ２−ホスフィニルアミジン化合物が、溶媒中で接触される、請求項４に記載の主題。
【請求項４０】
金属アルキルが、アルミノキサンを含み、また、アルミノキサンが、メチルアルミノキサン（ＭＡＯ）、修飾メチルアルミノキサン（ＭＭＡＯ）、エチルアルミノキサン、ｎ−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピルアルミノキサン、ｎ−ブチルアルミノキサン、ｓｅｃ−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、ｔ−ブチルアルミノキサン、１−ペンチルアルミノキサン、２−ペンチルアルミノキサン、３−ペンチルアルミノキサン、イソペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサン、またはその混合物を含む、請求項５から８のいずれかに記載の主題。
【請求項４１】
アルミノキサンが修飾メチルアルミノキサン（ＭＭＡＯ）を含む、請求項４０に記載の主題。
【請求項４２】
アルミノキサンのアルミニウム対金属錯体の金属のモル比が、少なくとも５：１である、請求項４０に記載の主題。
【請求項４３】
混合物が溶媒をさらに含む、請求項６から８に記載の主題。
【請求項４４】
金属アルキルがアルミノキサンであり、また、アルミノキサンが、それを金属錯体と接触させる前に、３０℃から１００ま℃での温度で少なくとも１２時間熱により熟成される、請求項６に記載の方法。
【請求項４５】
触媒系混合物が、オレフィンの実質的に存在しない状態で少なくとも１５分間熟成される、請求項６または８の方法。
【請求項４６】
触媒系混合物が第１の溶媒をさらに含む、請求項８に記載の工程。
【請求項４７】
第１の溶媒が、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素、Ｃ１〜Ｃ１０ハロゲン化炭化水素、またはその組み合わせである、請求項４６に記載の工程。
【請求項４８】
第１の溶媒が、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、またはその任意の組み合わせである、請求項４６に記載の工程。
【請求項４９】
触媒系混合物およびオレフィンが、第２の溶媒中で接触される、請求項４６に記載の工程。
【請求項５０】
第２の溶媒が、Ｃ２〜Ｃ２０脂肪族炭化水素、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素、またはその組み合わせである、請求項４９に記載の工程。
【請求項５１】
第２の溶媒が、シクロヘキサン、置換シクロヘキサン、またはその組み合わせである、請求項４９に記載の工程。
【請求項５２】
オレフィンオリゴマーが、２０℃から１５０℃までの範囲の温度を含むオレフィンオリゴマーを形成することができる反応条件で形成される、請求項７または８に記載の工程。
【請求項５３】
オレフィンがエチレンを含む、請求項７または８に記載の工程。
【請求項５４】
オレフィンオリゴマーが形成されるエチレン分圧が少なくとも５０ｐｓｉｇである、請求項５３に記載の工程。
【請求項５５】
オレフィンが本質的にエチレンからなり、また液体生成物が少なくとも７０重量％のＣ６およびＣ８オレフィンを含む、請求項７または８に記載の工程。。
【請求項５６】
Ｃ６オレフィン生成物が少なくとも９０重量％の１−ヘキセンを含む、請求項５５に記載の工程。
【請求項５７】
Ｃ８オレフィン生成物が少なくとも９０重量％の１−オクテンを含む、請求項５６に記載の工程。
【請求項５８】
触媒系混合物がオレフィンおよび水素と接触され、かつ、水素分圧が少なくとも５ｐｓｉｇである、請求項８に記載の工程。
【請求項５９】
Ｒ１が、フェニル基または置換フェニル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３が水素であり、
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基であり、
ＭＸｐがハロゲン化クロム（ＩＩＩ）を含み、
ＱがＴＨＦであり、
ａが０から６までの範囲である、
請求項７または８に記載の工程。
【請求項１】
式：
【化１】
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ３は、水素、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基、またはＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、また、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基である。］を有することを特徴とするＮ２−ホスフィニルアミジン化合物。
【請求項２】
ａ）金属アミジナートを形成することができる条件下で金属アミドをニトリルと接触させるステップ；および
ｂ）Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物を形成することができる条件下でホスフィンハライドを金属アミジナートと接触させるステップ
を含む、請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物を調製する方法。
【請求項３】
式：
【化２】
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ３は、水素、または本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立して、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
ＭＸｐは、Ｍが遷移金属であり、Ｘがモノ陰イオンであり、かつｐが２から６までの範囲である金属塩を表し、
Ｑは、中性配位子であり、また、
ａは０から６までの範囲である。］を有することを特徴とする、請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物の金属塩錯体。
【請求項４】
ａ）請求項１に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン化合物と遷移金属塩を接触させるステップ；および
ｂ）Ｎ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体を形成するステップ
を含む、請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体を調製する方法。
【請求項５】
請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体および金属アルキルを含む触媒系。
【請求項６】
請求項３に記載のＮ２−ホスフィニルアミジン金属塩錯体、および金属アルキルを含む触媒系混合物を形成するステップを含む、請求項５に記載の触媒系を調製する方法。
【請求項７】
ａ）オレフィン、および請求項５に記載の金属アルキルがアルミノキサンである触媒系を接触させるステップ；および
ｂ）オレフィンオリゴマー生成物を形成するステップ
を含むオレフィンオリゴマー化工程。
【請求項８】
ａ）請求項６に記載の金属アルキルがアルミノキサンである触媒系を形成するステップ；
ｂ）触媒系混合物をオレフィンと接触させるステップ；および
ｃ）オレフィンオリゴマー生成物を形成するステップ
を含むオレフィンオリゴマー化工程。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の主題であって、Ｒ１が、金属錯体形成基、および、式：
【化３】
［式中、Ｑ１は、金属錯体形成基を表し、またジアルキルアミニル基、ジシクロアルキルアミニル基、ジ（置換シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）アミニル基、Ｎ−（シクロアルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）アミニル基、ジアリールアミニル基、ジ（置換アリール）アミニル基、Ｎ−アリール−Ｎ−（置換アリール）アミニル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールアミニル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−（置換アリール）アミニル基、ジアルキルホスフィニル基、ジシクロアルキルホスフィニル基、ジ（置換シクロアルキル）ホスフィニル基）、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（シクロアルキル）ホスフィニル基、Ｎ−（アルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）ホスフィニル基、Ｎ−（シクロアルキル）−Ｎ−（置換シクロアルキル）ホスフィニル基、ジアリールホスフィニル基、ジ（置換アリール）ホスフィニル基、Ｐ−アリール−Ｐ−（置換アリール）ホスフィニル基、Ｐ−アルキル−Ｐ−アリールホスフィニル基、Ｐ−アルキル−Ｐ−（置換アリール）ホスフィニル基、アルキルエーテリル基、アリールエーテリル基、置換アリールエーテリル基、アルキルスルフィジル基、アリールスルフィジル基、置換アリールスルフィジル基、フラニル基、置換フラニル基、チエニル基、置換チエニル基、テトラヒドロフラニル基、置換テトラヒドロフラニル基、チオファニル基、置換チオファニル基、ピリジニル基、置換ピリジニル基、モルフィリニル基、置換モルフィリニル基、ピラニル基、置換ピラニル基、テトラヒドロピラニル基、置換テトラヒドロピラニル基、キノリニル基、置換キノリニル基、ピロリル基、置換ピロリル基、ピロリジニル基、置換ピロリジニル基、ピペリジニル基、または置換ピペリジニル基であり、また
Ｌ３は、連結基を表し、結合またはＣ１〜Ｃ１０オルガニル基である。］を有することを特徴とするＮ２−ホスフィニルアミジン化合物のＮ２−ホスフィニルアミジン基のN１窒素原子に金属錯体形成基を連結する連結基を含む、主題。
【請求項１０】
Ｒ１が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基である、主題。
【請求項１１】
Ｒ１がフェニル基または置換フェニル基である、請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１２】
Ｒ１がフェニル基、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基、または２，４，６−三置換フェニル基である請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１３】
置換フェニル基の各置換基が、独立してハライド、Ｃ１〜Ｃ５アルキル基、またはＣ１〜Ｃ５アルコキシ基である、請求項１１または１２に記載の主題。
【請求項１４】
Ｒ１が、フェニル基、２−メチルフェニル基、２−エチルフェニル基、２−イソプロピル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−イソプロピル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２−メチル−６−イソプロピルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、または２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基である、請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項１５】
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、Ｃ７〜Ｃ２０置換アラルキル基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基、またはＣ３〜Ｃ２０置換ヘテロアリール基である、請求項１から１４に記載の主題。
【請求項１６】
Ｒ２が、Ｃ６〜Ｃ２０フェニル基またはＣ６〜Ｃ２０置換フェニル基である、請求項１から１５のいずれかに記載の主題。
【請求項１７】
Ｒ２が、Ｃ６〜Ｃ２０ベンジル基、Ｃ６〜Ｃ２０置換ベンジル基、Ｃ６〜Ｃ２０エチルフェニル基、またはＣ６〜Ｃ２０置換エチルフェニル基である、請求項１から１４のいずれかに記載の主題。
【請求項１８】
Ｒ３が、水素、Ｃ１〜Ｃ１０アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１５シクロアルキル基、Ｃ１〜Ｃ１５置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ１５アリール基、Ｃ６〜Ｃ１５置換アリール基、Ｃ３〜Ｃ１５ヘテロアリール基、または置換Ｃ３〜Ｃ１５ヘテロアリール基である、請求項１から１７のいずれかに記載の主題。
【請求項１９】
Ｒ３が水素である、請求項１から１７のいずれかに記載の主題。
【請求項２０】
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ３〜Ｃ１５脂肪族複素環基、Ｃ３〜Ｃ１５置換脂肪族複素環基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ３〜Ｃ２０ヘテロアリール基、またはＣ３〜Ｃ２０置換ヘテロアリール基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２１】
Ｒ４およびＲ５が、独立してメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、またはネオペンチル基である、請求項１から２０のいずれかに記載の主題。
【請求項２２】
Ｒ４およびＲ５が、それぞれ独立してシクロペンチル基、置換シクロペンチル基、シクロヘキシル基、または置換シクロヘキシル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２３】
Ｒ４およびＲ５が、独立してフェニル基または置換フェニル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。。
【請求項２４】
Ｒ４およびＲ５が、独立してフェニル基、２−置換フェニル基、４−置換フェニル基、２，４−二置換フェニル基、２，６−二置換フェニル基、３，５−二置換フェニル基、または２，４，６−三置換フェニル基である、請求項１から１９のいずれかに記載の主題。
【請求項２５】
Ｒ１が、フェニル基または置換フェニル基、であり、
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３が水素であり、また、
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０の置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０の置換アリール基である、
請求項１から８のいずれかに記載の主題。
【請求項２６】
ステップａ）の金属アミジナートが、プロトン性化合物で中和され非金属アミジン化合物を形成する、請求項２に記載の方法。
【請求項２７】
非金属アミジン化合物が、単離され、場合によって、精製され、次いで、金属アルキル化合物と接触されて、アミジナートを形成することができる条件下で金属アミジナートを形成する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
ステップａ）の金属アミジナートが非金属アミジン化合物を形成せずに、ホスフィンハライドと接触される、請求項２に記載の方法。
【請求項２９】
Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が単離され、場合によって、精製される、請求項２に記載の方法。
【請求項３０】
金属アミドが、アミンおよび１族または２族金属アルキルを接触させることにより形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項３１】
金属アミドが、構造ＭＡ１を有し、ニトリルが、構造Ｎ１を有し、ホスフィンハライドが構造ＰＨ１を有し、
【化４】
また、Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が、式：
【化５】
［式中、
ＭＡは、１族または２族金属であり、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ２は、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基であり、
Ｒ４およびＲ５は、独立して、本質的に不活性官能基からなるＣ１〜Ｃ３０オルガニル基である。］
を有することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項３２】
金属アミドが、構造ＭＡ１を有し、ニトリルが、構造Ｎ１を有し、ホスフィンハライドが、構造ＰＨ１を有し、
【化６】
また、Ｎ２−ホスフィニルアミジン基を含む化合物が、式：
【化７】
［式中、
ＭＡは、１族または２族金属であり、
Ｒ１は、フェニル基または置換フェニル基であり、
Ｒ２は、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３は、水素であり、
Ｒ４およびＲ５は、それぞれ独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基である。］を有することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項３３】
金属塩が、３〜１０族遷移金属を含む、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３４】
金属塩の金属が＋２または＋３の酸化状態にある、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３５】
金属塩がクロムを含む、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３６】
金属塩が、カルボン酸クロム（ＩＩＩ）、クロム（ＩＩＩ）β−ジケトナート、またはハロゲン化クロム（ＩＩＩ）である、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３７】
金属塩が塩化クロム（ＩＩＩ）である、請求項３から８のいずれかに記載の主題。
【請求項３８】
遷移金属塩およびＮ２−ホスフィニルアミジン化合物が、遷移金属塩対Ｎ２−ホスフィニルアミジン化合物の、少なくとも０．９：１の当量比で接触される、請求項４に記載の主題。
【請求項３９】
遷移金属塩およびＮ２−ホスフィニルアミジン化合物が、溶媒中で接触される、請求項４に記載の主題。
【請求項４０】
金属アルキルが、アルミノキサンを含み、また、アルミノキサンが、メチルアルミノキサン（ＭＡＯ）、修飾メチルアルミノキサン（ＭＭＡＯ）、エチルアルミノキサン、ｎ−プロピルアルミノキサン、イソ−プロピルアルミノキサン、ｎ−ブチルアルミノキサン、ｓｅｃ−ブチルアルミノキサン、イソ−ブチルアルミノキサン、ｔ−ブチルアルミノキサン、１−ペンチルアルミノキサン、２−ペンチルアルミノキサン、３−ペンチルアルミノキサン、イソペンチルアルミノキサン、ネオペンチルアルミノキサン、またはその混合物を含む、請求項５から８のいずれかに記載の主題。
【請求項４１】
アルミノキサンが修飾メチルアルミノキサン（ＭＭＡＯ）を含む、請求項４０に記載の主題。
【請求項４２】
アルミノキサンのアルミニウム対金属錯体の金属のモル比が、少なくとも５：１である、請求項４０に記載の主題。
【請求項４３】
混合物が溶媒をさらに含む、請求項６から８に記載の主題。
【請求項４４】
金属アルキルがアルミノキサンであり、また、アルミノキサンが、それを金属錯体と接触させる前に、３０℃から１００ま℃での温度で少なくとも１２時間熱により熟成される、請求項６に記載の方法。
【請求項４５】
触媒系混合物が、オレフィンの実質的に存在しない状態で少なくとも１５分間熟成される、請求項６または８の方法。
【請求項４６】
触媒系混合物が第１の溶媒をさらに含む、請求項８に記載の工程。
【請求項４７】
第１の溶媒が、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素、Ｃ１〜Ｃ１０ハロゲン化炭化水素、またはその組み合わせである、請求項４６に記載の工程。
【請求項４８】
第１の溶媒が、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、メシチレン、ヘキサメチルベンゼン、またはその任意の組み合わせである、請求項４６に記載の工程。
【請求項４９】
触媒系混合物およびオレフィンが、第２の溶媒中で接触される、請求項４６に記載の工程。
【請求項５０】
第２の溶媒が、Ｃ２〜Ｃ２０脂肪族炭化水素、Ｃ６〜Ｃ２０芳香族炭化水素、またはその組み合わせである、請求項４９に記載の工程。
【請求項５１】
第２の溶媒が、シクロヘキサン、置換シクロヘキサン、またはその組み合わせである、請求項４９に記載の工程。
【請求項５２】
オレフィンオリゴマーが、２０℃から１５０℃までの範囲の温度を含むオレフィンオリゴマーを形成することができる反応条件で形成される、請求項７または８に記載の工程。
【請求項５３】
オレフィンがエチレンを含む、請求項７または８に記載の工程。
【請求項５４】
オレフィンオリゴマーが形成されるエチレン分圧が少なくとも５０ｐｓｉｇである、請求項５３に記載の工程。
【請求項５５】
オレフィンが本質的にエチレンからなり、また液体生成物が少なくとも７０重量％のＣ６およびＣ８オレフィンを含む、請求項７または８に記載の工程。。
【請求項５６】
Ｃ６オレフィン生成物が少なくとも９０重量％の１−ヘキセンを含む、請求項５５に記載の工程。
【請求項５７】
Ｃ８オレフィン生成物が少なくとも９０重量％の１−オクテンを含む、請求項５６に記載の工程。
【請求項５８】
触媒系混合物がオレフィンおよび水素と接触され、かつ、水素分圧が少なくとも５ｐｓｉｇである、請求項８に記載の工程。
【請求項５９】
Ｒ１が、フェニル基または置換フェニル基であり、
Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、Ｃ６〜Ｃ２０置換アリール基、Ｃ７〜Ｃ２０アラルキル基、またはＣ７〜Ｃ２０置換アラルキル基であり、
Ｒ３が水素であり、
Ｒ４およびＲ５が、独立してＣ１〜Ｃ１５アルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０シクロアルキル基、Ｃ４〜Ｃ２０置換シクロアルキル基、Ｃ６〜Ｃ２０アリール基、またはＣ６〜Ｃ２０置換アリール基であり、
ＭＸｐがハロゲン化クロム（ＩＩＩ）を含み、
ＱがＴＨＦであり、
ａが０から６までの範囲である、
請求項７または８に記載の工程。
【図１】
【公表番号】特表２０１３−５１６４１７（Ｐ２０１３−５１６４１７Ａ）
【公表日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−５４７２５２（Ｐ２０１２−５４７２５２）
【出願日】平成２２年１２月２９日（２０１０．１２．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０６２２８１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８２１９２
【国際公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（５０２３０３１７５）シェブロン フィリップス ケミカル カンパニー エルピー (42)
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２５年５月１３日（２０１３．５．１３）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月２９日（２０１０．１２．２９）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２０１０／０６２２８１
【国際公開番号】ＷＯ２０１１／０８２１９２
【国際公開日】平成２３年７月７日（２０１１．７．７）
【出願人】（５０２３０３１７５）シェブロン フィリップス ケミカル カンパニー エルピー (42)
【Ｆターム（参考）】
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