マルチレートＰＯＮ親局装置
【課題】マルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおける親局装置を得ること。
【解決手段】伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、上り光信号を上り高速光信号と上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、下り高速光信号と下り低速光信号とを合波して伝送路へ出力するフィルタ部１０と、フィルタ部１０から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する１０Ｇ光送受信部２０と、フィルタ部１０から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する１Ｇ光送受信部５０を備える。
【解決手段】伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、上り光信号を上り高速光信号と上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、下り高速光信号と下り低速光信号とを合波して伝送路へ出力するフィルタ部１０と、フィルタ部１０から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する１０Ｇ光送受信部２０と、フィルタ部１０から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する１Ｇ光送受信部５０を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮ（Time Division Multiple Access−Passive Optical Network）システムにおける親局装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、親局装置と複数の子局装置が、分岐装置（スプリッタ）を介して一芯の伝送路（光ファイバ）で接続されるＰＯＮ（Passive Optical Network）システムの開発が行われている。現在、上り下りともに１Ｇｂｐｓクラスの伝送速度でデ−タ通信を行う１Ｇ−ＰＯＮ（1gigabit−Passive Optical Network）システムが急速に普及しており、この普及を受けて、上り下りの伝送速度を１０Ｇｂｐｓクラスに高速化した１０Ｇ−ＰＯＮ（10gigabit−Passive Optical Network）システムの検討が始められている。１０Ｇ−ＰＯＮシステムの普及はユ−ザごとの各ＰＯＮシステムへの加入状況に依存するため、新たなＰＯＮシステムへの移行はユ−ザ単位で進行する。そのため、新たなＰＯＮシステムへの移行期では、１Ｇ−ＰＯＮと１０Ｇ−ＰＯＮとの併用状況が発生する。
【０００３】
１Ｇ−ＰＯＮシステム、特に子局装置では、上り通信の光信号の光源として低コストで波長占有帯域の広いＦＰ−ＬＤ（Fabry-Perot Laser Diode）が用いられている。そのため、ＰＯＮシステムの移行期における１Ｇ−ＰＯＮと１０Ｇ−ＰＯＮの混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ子局装置と１０Ｇ子局装置からの各上り信号の波長が重なる可能性が高い。そこで、下記特許文献１において、ＴＤＭＡ（Time Division Multiple Access）波長多重された１Ｇｂｐｓクラスの光信号と１０Ｇｂｐｓクラスの光信号を一括で受信し、光信号受信後に１Ｇｂｐｓクラスの信号と１０Ｇｂｐｓクラスの信号を分離する機能を有するマルチレート受信器が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−００８９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術によれば、従来の１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号の波長帯域が重なる混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号をＴＤＭＡ方式で多重する必要がある。そのため、１Ｇ上り帯域と１０Ｇ上り帯域の双方で帯域制限を受けてしまう、という問題点があった。
【０００６】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号をＴＤＭＡ方式で多重する必要がある。すなわち、同一の制御部によって１Ｇ上り信号のタイムスロットと１０Ｇ上り信号のタイムスロットを割り当てる必要があり、マルチレート用ＰＯＮＭＡＣが必要となる。そのため、既に普及している１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣを使用できず敷設コストがかかる、という問題点があった。また、マルチレート用ＰＯＮＭＡＣは、単一伝送レ−ト用のＰＯＮＭＡＣと比較して技術的難易度が高く開発費用が上昇する、という問題点があった。
【０００７】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、受信器において同一受光素子で異なる伝送速度の信号を一括で受信する必要がある。そのため、単一伝送レ−ト用の受信器と比較して設計的難易度が高く開発費用が上昇する、という問題点があった。
【０００８】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、親局装置としてマルチレート受信器が必要となる。そのため、既に普及している１Ｇ−ＰＯＮ親局装置を取り外し、マルチレート受信器を具備した親局装置へ置き換えるため敷設コストがかかる、という問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＰＯＮシステムにおいて、上り信号の帯域制限を受けず、かつ、新規１０Ｇ−ＰＯＮ親局装置の増設を容易にし、マルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムから１０Ｇ−ＰＯＮシステム単体へのシステム移行も容易に実現可能なマルチレートＰＯＮ親局装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の子局装置と親局装置が分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続され、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステム、における前記親局装置であって、前記伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、当該上り光信号を伝送速度が速い上り高速光信号と伝送速度が遅い上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、伝送速度が速い方の光信号である下り高速光信号と伝送速度が遅い方の光信号である下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力するフィルタ手段と、前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する高速光信号送受信手段と、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する低速光信号送受信手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、上り信号の帯域制限を受けず、かつ、新規１０Ｇ−ＰＯＮ親局装置の増設を容易にできる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかるマルチレートＰＯＮ親局装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
実施の形態１．
本実施の形態のマルチレートＰＯＮ親局装置（以下、親局装置とする）は、複数の子局装置と、分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続されており、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムを構成する。図１は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０と、１０Ｇ光送受信部２０と、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００１４】
フィルタ部１０は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０は、１：２ポ−トのフィルタモジュール部１１を備える。フィルタモジュール部１１は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。詳細には、フィルタモジュール部１１は、図２に示す波長帯域で透過を行う。図２は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図２に示すように、フィルタモジュール部１１は、１Ｇ上り信号と１Ｇ下り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。また、１０Ｇ上り信号と１０Ｇ下り信号の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。なお、図２における、他の特性等については後述する。
【００１５】
１０Ｇ光送受信部２０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１０Ｇ光送受信部２０は、１０Ｇ−ＢＩＤＩ（Bi Directional）部２１と、送信部２２と、受信部２３と、ＢＣＤＲ（Burst Clock and Data Recovery）部２４と、を備える。本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１を備える。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。また、フィルタ部１０からの光信号を受信し電気信号に変換する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）部２１１と、発光部２１２と、受光部２１３と、コネクタ部２１４と、を備える。ＷＤＭ部２１１は、図２に示す波長帯域で透過および反射を行う。発光部２１２からの高い周波数帯の光信号をフィルタ部１０へ透過し、フィルタ部１０からの低い周波数帯の光信号を受光部２１３へ反射する。発光部２１２は、送信部２２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する。受光部２１３は、フィルタ部１０からの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部２３へ出力する。コネクタ部２１４は、フィルタ部１０からの光信号を１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１内部へ入力し、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１内部からの光信号をフィルタ部１０へ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。送信部２２は、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０からの電気信号に基づいて発光部２１２を駆動する送信処理を行う。受信部２３は、受光部２１３からの電気信号に対して増幅処理を行う。ＢＣＤＲ部２４は、バースト的に受信した電気信号からクロックとデータの分離をし、ビット同期を行う。
【００１６】
１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける送受信を制御する。具体的には、送信時はＴＤＭＡにおける帯域の割り当てを行い、受信時は電気信号からデータを抽出し復調処理を行う。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおいて、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００１７】
１Ｇ光送受信部５０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１Ｇ光送受信部５０は、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１と、送信部５２と、受信部５３と、ＢＣＤＲ部５４と、を備える。本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１を備える。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換する。また、フィルタ部１０からの光信号を受信し電気信号に変換する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、ＷＤＭ部２１１と、発光部５１２と、受光部５１３と、コネクタ部５１４を備える。発光部５１２は、送信部５２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する。受光部５１３は、フィルタ部１０からの光信号を受信し、電気信号に変換して送信部５３へ出力する。コネクタ部５１４は、フィルタ部１０からの光信号を１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１内部へ入力し、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１内部からの光信号をフィルタ部１０へ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。送信部５２は、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０からの電気信号に基づいて発光部５１２を駆動する送信処理を行う。受信部５３は、受光部５１３からの電気信号に対して増幅処理を行う。ＢＣＤＲ部５４は、バースト的に受信した電気信号からクロックとデータの分離をし、ビット同期を行う。
【００１８】
１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける送受信を制御する。具体的には、送信時はＴＤＭＡにおける帯域の割り当てを行い、受信時は電気信号からデータを抽出し復調処理を行う。１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおいて、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００１９】
つぎに、本実施の形態で使用する各信号の波長帯域を説明する。図２に示すように、ここでは、１０Ｇ上り信号には１２６０〜１２７５ｎｍ、１Ｇ上り信号には１２８５〜１３６０ｎｍ、１Ｇ下り信号には１４８０〜１５００ｎｍ、１０Ｇ下り信号には１５７４〜１５８０ｎｍ、を波長帯域として割り当てる。なお、本実施の形態において、Video信号は具体的な処理として扱わないが、後述する隣接信号（１Ｇ下り信号および１０Ｇ下り信号）とのガイドバンドの関係から１５５０〜１５６０ｎｍを波長帯域として割り当てる。
【００２０】
本来、ＩＥＥＥ８０２．３−２００５で規定されているＧＥ−ＰＯＮ（Gigabit Ethernet（登録商標）−Passive Optical Network）では、上り信号として１２６０〜１３６０ｎｍ、下り信号として１４８０〜１５００ｎｍの波長帯域が割り当てられている。また、ＩＥＥＥ８０２．３ａｖ Ｄｒａｆｔ２．０ ＰＲ３０で規定されている１０Ｇ−ＥＰＯＮ（10Gigabit−Ethernet（登録商標） Passive Optical Network）では、上り信号として１２６０〜１２８０ｎｍ、下り信号として１５７４〜１５８０ｎｍの波長帯域が割り当てられている。本実施の形態では、１Ｇ上り信号用の光源として短波長側（１２６０〜１３８５ｎｍ）を使用しない光源を用い、１０Ｇ上り信号用の光源として長波長側（１２７５〜１３８０ｎｍ）を使用しない光源を用いることで、図２に示す波長配置を可能とする。なお、本波長配置は、１Ｇ−ＰＯＮの代表例であるＧＥ−ＰＯＮと、１０Ｇ−ＰＯＮの代表例である１０Ｇ−ＥＰＯＮの波長配置に基づいているが、一例であり、この波長帯域に限定するものではない。
【００２１】
図２に示す特性を実現するため、たとえば、フィルタモジュール部１１は、分岐／合波を行うガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１５００〜１５５０ｎｍ間の４０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、ＷＤＭ部２１１は、ガードバンドが１３６０〜１４８０ｎｍ間の４０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００２２】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。本実施の形態における１Ｇ／１０Ｇの混在システムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号の波長が異なるため、各１Ｇ子局装置と各１０Ｇ子局装置からの光信号は、各ＰＯＮＭＡＣ部（１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０，１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０）によってタイムスロットが割り当てられ、ＴＤＭＡ多重されている。親局装置は、１Ｇ／１０Ｇ間では非同期で波長多重された１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号を受信する。
【００２３】
親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１が１０Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０の１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１へ出力する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、ＷＤＭ部２１１によって、１０Ｇ光信号を反射して受光部２１３（たとえば、ＡＰＤ：Avalanche Photo Diode）へ分配する。受光部２１３は、１０Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部２３へ出力する。その後、受信部２３が電気信号を増幅処理し、ＢＣＤＲ部２４がクロックとデータを分離してビット同期をしてから１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０へ出力する。１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、受信した上り信号からデータを抽出して復調するデータ処理を行う。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、復調したデータに付されているＭＡＣアドレスに基づいてインターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００２４】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１が１Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０の１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１へ出力したポートと異なるポートから、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、ＷＤＭ部２１１によって、１Ｇ光信号を反射して受光部５１３（たとえば、ＡＰＤ）へ分配する。受光部５１３は、１Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部５３へ出力する。その後、受信部５３が電気信号を増幅処理し、ＢＣＤＲ部５４がクロックとデータを分離してビット同期をしてから１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０へ出力する。１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、受信した上り信号からデータを抽出して復調するデータ処理を行う。１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、復調したデータに付されているＭＡＣアドレスに基づいてインターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００２５】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、インターネットやコンテンツを提供するサーバから１０Ｇ下り信号が入力されると１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０へ転送する。１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、ＴＤＭＡにおける帯域割り当てを行い、送信部２２へ出力する。送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１の発光部２１２（たとえば、ＥＡ／ＬＤ：Electro Absorption／Laser Diode）を駆動し、発光部２１２が１０Ｇ下り信号である光信号を出力する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１のＷＤＭ部２１１は、発光部２１２からの１０Ｇ下り光信号を透過して、フィルタ部１０へ出力する。フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１は、ここで、１０Ｇ下り光信号と１Ｇ下り光信号を合波して伝送路へ出力する。
【００２６】
一方、親局装置が１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、インターネットやコンテンツを提供するサーバから１Ｇ下り信号が入力されると１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０へ転送する。１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、ＴＤＭＡにおける帯域割り当てを行い、送信部５２へ出力する。送信部５２は、割り当てられた帯域に従って、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１の発光部５１２（たとえば、ＤＦＢ−ＬＤ：Distributed Feed Back−Laser Diode）を駆動し、発光部５１２が１Ｇ下り信号である光信号を出力する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り光信号を透過して、フィルタ部１０へ出力する。フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１は、ここで、１Ｇ下り光信号と１０Ｇ下り光信号を合波して伝送路へ出力する。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００２８】
また、１０Ｇ光モジュールおよび１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてバンドパスフィルタおよびバンドリジェクションフィルタの機能を有する１つのフィルタのみを適用することとした。これにより、低コスト化、省スペース化が可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り下り信号に対して、フィルタ挿入による損失を最小とする親局装置の構成が可能となる。
【００２９】
なお、Ｌ２スイッチ部を１Ｇ用と１０Ｇ用で異なる構成としているがこれに限定するものではない。たとえば、１Ｇと１０Ｇの処理が同時に可能な１つの１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部を用いてもよい。図３は、親局装置の構成例を示す図である。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０に代えて、１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０を備える点が図１の親局装置と異なる。１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムおよび１０Ｇ−ＰＯＮシステムの両方について、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。１つのＬ２スイッチを使用することで、全体として簡易な構成が可能となる。なお、１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０を用いた場合の各ＰＯＮシステムにおける送受信の処理は、上記で説明した処理と同様である。
【００３０】
実施の形態２．
本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部および１０Ｇ−ＲＯＳＡ部を備える。実施の形態１と異なる部分について説明する。
【００３１】
図４は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ａと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００３２】
フィルタ部１０ａは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ａは、１：２ポ−トのフィルタモジュール部１２，１３を備える。フィルタモジュール部１２は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、合波された１Ｇ／１０Ｇ下り信号を伝送路へ出力する。フィルタモジュール部１３は、１Ｇ上り信号を１Ｇ光送受信部５０へ出力する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。詳細には、フィルタモジュール部１２，１３は、図５に示す波長帯域で透過を行う。図５は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図５に示すように、フィルタモジュール部１２は、１０Ｇ上り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）し、１０Ｇ上り信号以外の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。フィルタモジュール部１３は、１０Ｇ下り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）し、１０Ｇ下り信号の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。
【００３３】
図５に示す特性を実現するため、たとえば、フィルタモジュール部１２は、分岐／合波を行うガードバンドが１２６０ｎｍより短波長側の１０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、フィルタモジュール部１３は、分岐／合波を行うガードバンドが１５６０〜１５７４ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１５８０ｎｍより長波長側の１０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００３４】
１０Ｇ光送受信部２０ａは、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１０Ｇ光送受信部２０ａは、１０Ｇ−ＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub−Assembly）部２５と、送信部２２と、１０Ｇ−ＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub−Assembly）部２６と、受信部２３と、ＢＣＤＲ部２４と、を備える。本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５と１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６を備える。１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５は、発光部２５１と、コネクタ部２５２を備える。発光部２５１は、送信部２２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０ａへ出力する。コネクタ部２５２は、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５内部からの光信号をフィルタ部１０ａへ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６は、フィルタ部１０ａからの光信号を受光し電気信号に変換する。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６は、受光部２６１と、コネクタ部２６２を備える。受光部２６１は、フィルタ部１０ａからの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部２３へ出力する。コネクタ部２６２は、フィルタ部１０ａからの光信号を１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６内部へ入力する有線（光ファイバ）との接合部である。
【００３５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１２が１０Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６では、受光部２６１（たとえば、ＡＰＤ）が、１０Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部２３へ出力する。以降の処理は実施の形態１と同様である。
【００３６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１２が１Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからフィルタモジュール部１３へ出力する。さらに、フィルタモジュール部１３が１Ｇ上り信号を分岐し、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。以降の処理は実施の形態１と同様である。
【００３７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１（たとえば、ＥＡ／ＬＤ）を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ａへ出力する。フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１３は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。フィルタモジュール部１２は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００３８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り信号である光信号を、フィルタ部１０ａへ出力する。フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１３は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。フィルタモジュール部１２は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００４０】
また、１０Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてバンドパスフィルタおよびバンドリジェクションフィルタの機能を有する２つのフィルタを適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部を柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【００４１】
実施の形態３．
本実施の形態では、フィルタ部として２つのＷＤＭ部を備える。実施の形態２と異なる部分について説明する。
【００４２】
図６は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ｂと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００４３】
フィルタ部１０ｂは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ｂは、１：２ポ−トのＷＤＭ部１４，１５を備える。ＷＤＭ部１４は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、合波された１Ｇ／１０Ｇ下り信号を伝送路へ出力する。ＷＤＭ部１５は、１Ｇ上り信号を１Ｇ光送受信部５０へ出力する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。詳細には、ＷＤＭ部１４，１５は、図７に示す波長帯域で透過および反射を行う。図７は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図７に示すように、ＷＤＭ部１４は、１０Ｇ上り信号を反射させる特性を持つ。また、１０Ｇ上り信号よりも大きい帯域の信号を透過させる特性を持つ。ＷＤＭ部１５は、１０Ｇ下り信号を透過させる特性を持つ。また、１０Ｇ下り信号よりも小さい帯域の信号を反射させる特性を持つ。
【００４４】
図７に示す特性を実現するため、たとえば、ＷＤＭ部１４は、分岐／合波を行うガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、ＷＤＭ部１５は、分岐／合波を行うガードバンドが１５６０〜１５７４ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００４５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１４が１０Ｇ上り信号を反射して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。以降の処理は実施の形態２と同様である。
【００４６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１４が１Ｇ上り信号を透過して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからＷＤＭ部１５へ出力する。さらに、ＷＤＭ部１５が１Ｇ上り信号を反射して、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。以降の処理は実施の形態２と同様である。
【００４７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｂへ出力する。フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１５は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００４８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り信号である光信号を、フィルタ部１０ｂへ出力する。フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１５は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００５０】
また、１０Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてＷＤＭフィルタ２個を適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部を柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【００５１】
実施の形態４．
本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＴＯＳＡ部および１Ｇ−ＲＯＳＡ部を備え、さらにフィルタ部として３つのＷＤＭ部を備えて、１０Ｇ上り下り信号、１Ｇ上り下り信号、全ての光信号について異なるポートで入出力を行う。実施の形態３と異なる部分について説明する。
【００５２】
図８は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ｃと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０ａと、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００５３】
フィルタ部１０ｃは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ｃは、ＷＤＭ部１４，１５，２１１を備える。ＷＤＭ部２１１は、１Ｇ上り信号を反射して１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６へ出力する。また、１Ｇ下り信号を透過してＷＤＭ部１５へ出力する。各ＷＤＭ部の特性は実施の形態３（図７参照）と同様である。
【００５４】
１Ｇ光送受信部５０ａは、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１Ｇ光送受信部５０ａは、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５と、送信部５２と、１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６と、受信部５３と、ＢＣＤＲ部５４と、を備える。本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５と１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６を備える。１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５は、発光部５５１と、コネクタ部５５２を備える。発光部５５１は、送信部５２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０ｃへ出力する。コネクタ部５５２は、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５内部からの光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６は、フィルタ部１０ｃからの光信号を受光し電気信号に変換する。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６は、受光部５６１と、コネクタ部５６２を備える。受光部５６１は、フィルタ部１０ｃからの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部５３へ出力する。コネクタ部５６２は、フィルタ部１０ｃからの光信号を１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６内部へ入力する有線（光ファイバ）との接合部である。
【００５５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１４が１０Ｇ上り信号を反射して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。以降の処理は実施の形態３と同様である。
【００５６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１４が１Ｇ上り信号を透過して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからＷＤＭ部１５へ出力する。つぎに、ＷＤＭ部１５が１Ｇ上り信号を反射して、ＷＤＭ部２１１へ出力する。さらに、ＷＤＭ部２１１が１Ｇ上り信号を反射して、１Ｇ光送受信部５０ａの１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６へ出力する。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６では、受光部５６１（たとえば、ＡＰＤ）が、１Ｇ上り信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部５３へ出力する。以降の処理は実施の形態３と同様である。
【００５７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する。フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１５は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００５８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、送信部５２は、割り当てられた帯域に従って、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５の発光部５５１（たとえば、ＥＡ／ＬＤ）を駆動し、発光部５５１が１Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する。フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部２１１は、１Ｇ下り信号を透過してＷＤＭ部１５へ出力する。ＷＤＭ部１５は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００５９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００６０】
また、１０Ｇ光モジュールおよび１Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、フィルタ部としてＷＤＭフィルタ３個を適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部および１Ｇ光送受信部、ともに柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上のように、本発明にかかるマルチレートＰＯＮ親局装置は、ＰＯＮシステムに有用であり、特に、１Ｇ／１０Ｇの混在するＰＯＮシステムに適している。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図２】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図３】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図４】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図５】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図６】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図７】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図８】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ フィルタ部
１１，１２，１３ フィルタモジュール部
１４，１５ ＷＤＭ部
２０，２０ａ １０Ｇ光送受信部
２１ １０Ｇ−ＢＩＤＩ部
２２ 送信部
２３ 受信部
２４ ＢＣＤＲ部
２５ １０Ｇ−ＴＯＳＡ部
２６ １０Ｇ−ＲＯＳＡ部
３０ １０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部
４０ １０Ｇ−Ｌ２スイッチ部
５０，５０ａ １Ｇ光送受信部
５１ １Ｇ−ＢＩＤＩ部
５２ 送信部
５３ 受信部
５４ ＢＣＤＲ部
５５ １Ｇ−ＴＯＳＡ部
５６ １Ｇ−ＲＯＳＡ部
６０ １Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部
７０ １Ｇ−Ｌ２スイッチ部
８０ １Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部
２１１ ＷＤＭ部
２１２，２５１，５１２，５５１ 発光部
２１３，２６１，５１３，５６１ 受光部
２１４，２５２，２６２，５１４，５５２，５６２ コネクタ部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮ（Time Division Multiple Access−Passive Optical Network）システムにおける親局装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、親局装置と複数の子局装置が、分岐装置（スプリッタ）を介して一芯の伝送路（光ファイバ）で接続されるＰＯＮ（Passive Optical Network）システムの開発が行われている。現在、上り下りともに１Ｇｂｐｓクラスの伝送速度でデ−タ通信を行う１Ｇ−ＰＯＮ（1gigabit−Passive Optical Network）システムが急速に普及しており、この普及を受けて、上り下りの伝送速度を１０Ｇｂｐｓクラスに高速化した１０Ｇ−ＰＯＮ（10gigabit−Passive Optical Network）システムの検討が始められている。１０Ｇ−ＰＯＮシステムの普及はユ−ザごとの各ＰＯＮシステムへの加入状況に依存するため、新たなＰＯＮシステムへの移行はユ−ザ単位で進行する。そのため、新たなＰＯＮシステムへの移行期では、１Ｇ−ＰＯＮと１０Ｇ−ＰＯＮとの併用状況が発生する。
【０００３】
１Ｇ−ＰＯＮシステム、特に子局装置では、上り通信の光信号の光源として低コストで波長占有帯域の広いＦＰ−ＬＤ（Fabry-Perot Laser Diode）が用いられている。そのため、ＰＯＮシステムの移行期における１Ｇ−ＰＯＮと１０Ｇ−ＰＯＮの混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ子局装置と１０Ｇ子局装置からの各上り信号の波長が重なる可能性が高い。そこで、下記特許文献１において、ＴＤＭＡ（Time Division Multiple Access）波長多重された１Ｇｂｐｓクラスの光信号と１０Ｇｂｐｓクラスの光信号を一括で受信し、光信号受信後に１Ｇｂｐｓクラスの信号と１０Ｇｂｐｓクラスの信号を分離する機能を有するマルチレート受信器が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−００８９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術によれば、従来の１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号の波長帯域が重なる混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号をＴＤＭＡ方式で多重する必要がある。そのため、１Ｇ上り帯域と１０Ｇ上り帯域の双方で帯域制限を受けてしまう、という問題点があった。
【０００６】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号をＴＤＭＡ方式で多重する必要がある。すなわち、同一の制御部によって１Ｇ上り信号のタイムスロットと１０Ｇ上り信号のタイムスロットを割り当てる必要があり、マルチレート用ＰＯＮＭＡＣが必要となる。そのため、既に普及している１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣを使用できず敷設コストがかかる、という問題点があった。また、マルチレート用ＰＯＮＭＡＣは、単一伝送レ−ト用のＰＯＮＭＡＣと比較して技術的難易度が高く開発費用が上昇する、という問題点があった。
【０００７】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、受信器において同一受光素子で異なる伝送速度の信号を一括で受信する必要がある。そのため、単一伝送レ−ト用の受信器と比較して設計的難易度が高く開発費用が上昇する、という問題点があった。
【０００８】
また、上記従来の技術によれば、前記混在ＰＯＮシステムでは、親局装置としてマルチレート受信器が必要となる。そのため、既に普及している１Ｇ−ＰＯＮ親局装置を取り外し、マルチレート受信器を具備した親局装置へ置き換えるため敷設コストがかかる、という問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＰＯＮシステムにおいて、上り信号の帯域制限を受けず、かつ、新規１０Ｇ−ＰＯＮ親局装置の増設を容易にし、マルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムから１０Ｇ−ＰＯＮシステム単体へのシステム移行も容易に実現可能なマルチレートＰＯＮ親局装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の子局装置と親局装置が分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続され、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステム、における前記親局装置であって、前記伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、当該上り光信号を伝送速度が速い上り高速光信号と伝送速度が遅い上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、伝送速度が速い方の光信号である下り高速光信号と伝送速度が遅い方の光信号である下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力するフィルタ手段と、前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する高速光信号送受信手段と、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する低速光信号送受信手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
この発明によれば、上り信号の帯域制限を受けず、かつ、新規１０Ｇ−ＰＯＮ親局装置の増設を容易にできる、という効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明にかかるマルチレートＰＯＮ親局装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１３】
実施の形態１．
本実施の形態のマルチレートＰＯＮ親局装置（以下、親局装置とする）は、複数の子局装置と、分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続されており、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムを構成する。図１は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０と、１０Ｇ光送受信部２０と、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００１４】
フィルタ部１０は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０は、１：２ポ−トのフィルタモジュール部１１を備える。フィルタモジュール部１１は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。詳細には、フィルタモジュール部１１は、図２に示す波長帯域で透過を行う。図２は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図２に示すように、フィルタモジュール部１１は、１Ｇ上り信号と１Ｇ下り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。また、１０Ｇ上り信号と１０Ｇ下り信号の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。なお、図２における、他の特性等については後述する。
【００１５】
１０Ｇ光送受信部２０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１０Ｇ光送受信部２０は、１０Ｇ−ＢＩＤＩ（Bi Directional）部２１と、送信部２２と、受信部２３と、ＢＣＤＲ（Burst Clock and Data Recovery）部２４と、を備える。本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１を備える。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。また、フィルタ部１０からの光信号を受信し電気信号に変換する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）部２１１と、発光部２１２と、受光部２１３と、コネクタ部２１４と、を備える。ＷＤＭ部２１１は、図２に示す波長帯域で透過および反射を行う。発光部２１２からの高い周波数帯の光信号をフィルタ部１０へ透過し、フィルタ部１０からの低い周波数帯の光信号を受光部２１３へ反射する。発光部２１２は、送信部２２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する。受光部２１３は、フィルタ部１０からの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部２３へ出力する。コネクタ部２１４は、フィルタ部１０からの光信号を１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１内部へ入力し、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１内部からの光信号をフィルタ部１０へ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。送信部２２は、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０からの電気信号に基づいて発光部２１２を駆動する送信処理を行う。受信部２３は、受光部２１３からの電気信号に対して増幅処理を行う。ＢＣＤＲ部２４は、バースト的に受信した電気信号からクロックとデータの分離をし、ビット同期を行う。
【００１６】
１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける送受信を制御する。具体的には、送信時はＴＤＭＡにおける帯域の割り当てを行い、受信時は電気信号からデータを抽出し復調処理を行う。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおいて、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００１７】
１Ｇ光送受信部５０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１Ｇ光送受信部５０は、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１と、送信部５２と、受信部５３と、ＢＣＤＲ部５４と、を備える。本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１を備える。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換する。また、フィルタ部１０からの光信号を受信し電気信号に変換する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、ＷＤＭ部２１１と、発光部５１２と、受光部５１３と、コネクタ部５１４を備える。発光部５１２は、送信部５２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０へ出力する。受光部５１３は、フィルタ部１０からの光信号を受信し、電気信号に変換して送信部５３へ出力する。コネクタ部５１４は、フィルタ部１０からの光信号を１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１内部へ入力し、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１内部からの光信号をフィルタ部１０へ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。送信部５２は、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０からの電気信号に基づいて発光部５１２を駆動する送信処理を行う。受信部５３は、受光部５１３からの電気信号に対して増幅処理を行う。ＢＣＤＲ部５４は、バースト的に受信した電気信号からクロックとデータの分離をし、ビット同期を行う。
【００１８】
１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける送受信を制御する。具体的には、送信時はＴＤＭＡにおける帯域の割り当てを行い、受信時は電気信号からデータを抽出し復調処理を行う。１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおいて、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００１９】
つぎに、本実施の形態で使用する各信号の波長帯域を説明する。図２に示すように、ここでは、１０Ｇ上り信号には１２６０〜１２７５ｎｍ、１Ｇ上り信号には１２８５〜１３６０ｎｍ、１Ｇ下り信号には１４８０〜１５００ｎｍ、１０Ｇ下り信号には１５７４〜１５８０ｎｍ、を波長帯域として割り当てる。なお、本実施の形態において、Video信号は具体的な処理として扱わないが、後述する隣接信号（１Ｇ下り信号および１０Ｇ下り信号）とのガイドバンドの関係から１５５０〜１５６０ｎｍを波長帯域として割り当てる。
【００２０】
本来、ＩＥＥＥ８０２．３−２００５で規定されているＧＥ−ＰＯＮ（Gigabit Ethernet（登録商標）−Passive Optical Network）では、上り信号として１２６０〜１３６０ｎｍ、下り信号として１４８０〜１５００ｎｍの波長帯域が割り当てられている。また、ＩＥＥＥ８０２．３ａｖ Ｄｒａｆｔ２．０ ＰＲ３０で規定されている１０Ｇ−ＥＰＯＮ（10Gigabit−Ethernet（登録商標） Passive Optical Network）では、上り信号として１２６０〜１２８０ｎｍ、下り信号として１５７４〜１５８０ｎｍの波長帯域が割り当てられている。本実施の形態では、１Ｇ上り信号用の光源として短波長側（１２６０〜１３８５ｎｍ）を使用しない光源を用い、１０Ｇ上り信号用の光源として長波長側（１２７５〜１３８０ｎｍ）を使用しない光源を用いることで、図２に示す波長配置を可能とする。なお、本波長配置は、１Ｇ−ＰＯＮの代表例であるＧＥ−ＰＯＮと、１０Ｇ−ＰＯＮの代表例である１０Ｇ−ＥＰＯＮの波長配置に基づいているが、一例であり、この波長帯域に限定するものではない。
【００２１】
図２に示す特性を実現するため、たとえば、フィルタモジュール部１１は、分岐／合波を行うガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１５００〜１５５０ｎｍ間の４０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、ＷＤＭ部２１１は、ガードバンドが１３６０〜１４８０ｎｍ間の４０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００２２】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。本実施の形態における１Ｇ／１０Ｇの混在システムでは、１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号の波長が異なるため、各１Ｇ子局装置と各１０Ｇ子局装置からの光信号は、各ＰＯＮＭＡＣ部（１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０，１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０）によってタイムスロットが割り当てられ、ＴＤＭＡ多重されている。親局装置は、１Ｇ／１０Ｇ間では非同期で波長多重された１Ｇ上り信号と１０Ｇ上り信号を受信する。
【００２３】
親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１が１０Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０の１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１へ出力する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１は、ＷＤＭ部２１１によって、１０Ｇ光信号を反射して受光部２１３（たとえば、ＡＰＤ：Avalanche Photo Diode）へ分配する。受光部２１３は、１０Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部２３へ出力する。その後、受信部２３が電気信号を増幅処理し、ＢＣＤＲ部２４がクロックとデータを分離してビット同期をしてから１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０へ出力する。１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、受信した上り信号からデータを抽出して復調するデータ処理を行う。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、復調したデータに付されているＭＡＣアドレスに基づいてインターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００２４】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１が１Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０の１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１へ出力したポートと異なるポートから、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１は、ＷＤＭ部２１１によって、１Ｇ光信号を反射して受光部５１３（たとえば、ＡＰＤ）へ分配する。受光部５１３は、１Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部５３へ出力する。その後、受信部５３が電気信号を増幅処理し、ＢＣＤＲ部５４がクロックとデータを分離してビット同期をしてから１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０へ出力する。１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、受信した上り信号からデータを抽出して復調するデータ処理を行う。１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、復調したデータに付されているＭＡＣアドレスに基づいてインターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。
【００２５】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０は、インターネットやコンテンツを提供するサーバから１０Ｇ下り信号が入力されると１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０へ転送する。１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０は、ＴＤＭＡにおける帯域割り当てを行い、送信部２２へ出力する。送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１の発光部２１２（たとえば、ＥＡ／ＬＤ：Electro Absorption／Laser Diode）を駆動し、発光部２１２が１０Ｇ下り信号である光信号を出力する。１０Ｇ−ＢＩＤＩ部２１のＷＤＭ部２１１は、発光部２１２からの１０Ｇ下り光信号を透過して、フィルタ部１０へ出力する。フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１は、ここで、１０Ｇ下り光信号と１Ｇ下り光信号を合波して伝送路へ出力する。
【００２６】
一方、親局装置が１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０は、インターネットやコンテンツを提供するサーバから１Ｇ下り信号が入力されると１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０へ転送する。１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０は、ＴＤＭＡにおける帯域割り当てを行い、送信部５２へ出力する。送信部５２は、割り当てられた帯域に従って、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１の発光部５１２（たとえば、ＤＦＢ−ＬＤ：Distributed Feed Back−Laser Diode）を駆動し、発光部５１２が１Ｇ下り信号である光信号を出力する。１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り光信号を透過して、フィルタ部１０へ出力する。フィルタ部１０のフィルタモジュール部１１は、ここで、１Ｇ下り光信号と１０Ｇ下り光信号を合波して伝送路へ出力する。
【００２７】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００２８】
また、１０Ｇ光モジュールおよび１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてバンドパスフィルタおよびバンドリジェクションフィルタの機能を有する１つのフィルタのみを適用することとした。これにより、低コスト化、省スペース化が可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り下り信号に対して、フィルタ挿入による損失を最小とする親局装置の構成が可能となる。
【００２９】
なお、Ｌ２スイッチ部を１Ｇ用と１０Ｇ用で異なる構成としているがこれに限定するものではない。たとえば、１Ｇと１０Ｇの処理が同時に可能な１つの１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部を用いてもよい。図３は、親局装置の構成例を示す図である。１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０に代えて、１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０を備える点が図１の親局装置と異なる。１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０は、１Ｇ−ＰＯＮシステムおよび１０Ｇ−ＰＯＮシステムの両方について、インターネットやコンテンツを提供するサーバと送受信を行う。１つのＬ２スイッチを使用することで、全体として簡易な構成が可能となる。なお、１Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部８０を用いた場合の各ＰＯＮシステムにおける送受信の処理は、上記で説明した処理と同様である。
【００３０】
実施の形態２．
本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部および１０Ｇ−ＲＯＳＡ部を備える。実施の形態１と異なる部分について説明する。
【００３１】
図４は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ａと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００３２】
フィルタ部１０ａは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ａは、１：２ポ−トのフィルタモジュール部１２，１３を備える。フィルタモジュール部１２は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、合波された１Ｇ／１０Ｇ下り信号を伝送路へ出力する。フィルタモジュール部１３は、１Ｇ上り信号を１Ｇ光送受信部５０へ出力する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。詳細には、フィルタモジュール部１２，１３は、図５に示す波長帯域で透過を行う。図５は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図５に示すように、フィルタモジュール部１２は、１０Ｇ上り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）し、１０Ｇ上り信号以外の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。フィルタモジュール部１３は、１０Ｇ下り信号の帯域を一方のポートへ透過（出力）し、１０Ｇ下り信号の帯域を他方のポートへ透過（出力）する特性を持つ。
【００３３】
図５に示す特性を実現するため、たとえば、フィルタモジュール部１２は、分岐／合波を行うガードバンドが１２６０ｎｍより短波長側の１０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、フィルタモジュール部１３は、分岐／合波を行うガードバンドが１５６０〜１５７４ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上、ガードバンドが１５８０ｎｍより長波長側の１０ｎｍ程度でアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００３４】
１０Ｇ光送受信部２０ａは、１０Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１０Ｇ光送受信部２０ａは、１０Ｇ−ＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub−Assembly）部２５と、送信部２２と、１０Ｇ−ＲＯＳＡ（Receiver Optical Sub−Assembly）部２６と、受信部２３と、ＢＣＤＲ部２４と、を備える。本実施の形態では、１０Ｇ光モジュールとして、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５と１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６を備える。１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５は、発光部２５１と、コネクタ部２５２を備える。発光部２５１は、送信部２２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０ａへ出力する。コネクタ部２５２は、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５内部からの光信号をフィルタ部１０ａへ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６は、フィルタ部１０ａからの光信号を受光し電気信号に変換する。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６は、受光部２６１と、コネクタ部２６２を備える。受光部２６１は、フィルタ部１０ａからの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部２３へ出力する。コネクタ部２６２は、フィルタ部１０ａからの光信号を１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６内部へ入力する有線（光ファイバ）との接合部である。
【００３５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１２が１０Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６では、受光部２６１（たとえば、ＡＰＤ）が、１０Ｇ上り信号である光信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部２３へ出力する。以降の処理は実施の形態１と同様である。
【００３６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１２が１Ｇ上り信号を分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからフィルタモジュール部１３へ出力する。さらに、フィルタモジュール部１３が１Ｇ上り信号を分岐し、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。以降の処理は実施の形態１と同様である。
【００３７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１（たとえば、ＥＡ／ＬＤ）を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ａへ出力する。フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１３は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。フィルタモジュール部１２は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００３８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り信号である光信号を、フィルタ部１０ａへ出力する。フィルタ部１０ａのフィルタモジュール部１３は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してフィルタモジュール部１２へ出力する。フィルタモジュール部１２は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００４０】
また、１０Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてバンドパスフィルタおよびバンドリジェクションフィルタの機能を有する２つのフィルタを適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部を柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【００４１】
実施の形態３．
本実施の形態では、フィルタ部として２つのＷＤＭ部を備える。実施の形態２と異なる部分について説明する。
【００４２】
図６は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ｂと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０と、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００４３】
フィルタ部１０ｂは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ｂは、１：２ポ−トのＷＤＭ部１４，１５を備える。ＷＤＭ部１４は、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐する。また、合波された１Ｇ／１０Ｇ下り信号を伝送路へ出力する。ＷＤＭ部１５は、１Ｇ上り信号を１Ｇ光送受信部５０へ出力する。また、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。詳細には、ＷＤＭ部１４，１５は、図７に示す波長帯域で透過および反射を行う。図７は、１Ｇ上り下り信号と１０Ｇ上り下り信号の波長配置と各フィルタの特性を示す図である。図７に示すように、ＷＤＭ部１４は、１０Ｇ上り信号を反射させる特性を持つ。また、１０Ｇ上り信号よりも大きい帯域の信号を透過させる特性を持つ。ＷＤＭ部１５は、１０Ｇ下り信号を透過させる特性を持つ。また、１０Ｇ下り信号よりも小さい帯域の信号を反射させる特性を持つ。
【００４４】
図７に示す特性を実現するため、たとえば、ＷＤＭ部１４は、分岐／合波を行うガードバンドが１２７５〜１２８５ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。また、ＷＤＭ部１５は、分岐／合波を行うガードバンドが１５６０〜１５７４ｎｍ間の１０ｎｍでアイソレーション４０ｄＢ以上のフィルタを用いる。
【００４５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１４が１０Ｇ上り信号を反射して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。以降の処理は実施の形態２と同様である。
【００４６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１４が１Ｇ上り信号を透過して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからＷＤＭ部１５へ出力する。さらに、ＷＤＭ部１５が１Ｇ上り信号を反射して、１Ｇ光送受信部５０の１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１へ出力する。以降の処理は実施の形態２と同様である。
【００４７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｂへ出力する。フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１５は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００４８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、１Ｇ−ＢＩＤＩ部５１のＷＤＭ部２１１は、発光部５１２からの１Ｇ下り信号である光信号を、フィルタ部１０ｂへ出力する。フィルタ部１０ｂのＷＤＭ部１５は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００４９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００５０】
また、１０Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、１Ｇ光モジュールとしてＢＩＤＩを適用し、フィルタ部としてＷＤＭフィルタ２個を適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部を柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【００５１】
実施の形態４．
本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＴＯＳＡ部および１Ｇ−ＲＯＳＡ部を備え、さらにフィルタ部として３つのＷＤＭ部を備えて、１０Ｇ上り下り信号、１Ｇ上り下り信号、全ての光信号について異なるポートで入出力を行う。実施の形態３と異なる部分について説明する。
【００５２】
図８は、本実施の形態の親局装置の構成例を示す図である。親局装置は、フィルタ部１０ｃと、１０Ｇ光送受信部２０ａと、１０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部３０と、１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部４０と、１Ｇ光送受信部５０ａと、１Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部６０と、１Ｇ−Ｌ２スイッチ部７０と、を備える。
【００５３】
フィルタ部１０ｃは、受信した１Ｇ／１０Ｇ上り信号を分岐し、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波して伝送路へ出力する。フィルタ部１０ｃは、ＷＤＭ部１４，１５，２１１を備える。ＷＤＭ部２１１は、１Ｇ上り信号を反射して１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６へ出力する。また、１Ｇ下り信号を透過してＷＤＭ部１５へ出力する。各ＷＤＭ部の特性は実施の形態３（図７参照）と同様である。
【００５４】
１Ｇ光送受信部５０ａは、１Ｇ−ＰＯＮシステムにおける光信号を送受信する。１Ｇ光送受信部５０ａは、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５と、送信部５２と、１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６と、受信部５３と、ＢＣＤＲ部５４と、を備える。本実施の形態では、１Ｇ光モジュールとして、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５と１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６を備える。１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５は、自装置から送信する信号を電気信号から光信号に変換して出力する。１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５は、発光部５５１と、コネクタ部５５２を備える。発光部５５１は、送信部５２から電気信号を受信し、光信号に変換してフィルタ部１０ｃへ出力する。コネクタ部５５２は、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５内部からの光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する有線（光ファイバ）との接合部である。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６は、フィルタ部１０ｃからの光信号を受光し電気信号に変換する。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６は、受光部５６１と、コネクタ部５６２を備える。受光部５６１は、フィルタ部１０ｃからの光信号を受光し、電気信号に変換して受信部５３へ出力する。コネクタ部５６２は、フィルタ部１０ｃからの光信号を１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６内部へ入力する有線（光ファイバ）との接合部である。
【００５５】
つづいて、親局装置における光信号の送受信処理について説明する。まず、親局装置が１Ｇ／１０Ｇ混在の上り信号を受信した場合の受信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１４が１０Ｇ上り信号を反射して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力する。以降の処理は実施の形態３と同様である。
【００５６】
一方、親局装置が１Ｇ上り信号を受信する場合、フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１４が１Ｇ上り信号を透過して分岐し、１０Ｇ光送受信部２０ａの１０Ｇ−ＲＯＳＡ部２６へ出力したポートと異なるポートからＷＤＭ部１５へ出力する。つぎに、ＷＤＭ部１５が１Ｇ上り信号を反射して、ＷＤＭ部２１１へ出力する。さらに、ＷＤＭ部２１１が１Ｇ上り信号を反射して、１Ｇ光送受信部５０ａの１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６へ出力する。１Ｇ−ＲＯＳＡ部５６では、受光部５６１（たとえば、ＡＰＤ）が、１Ｇ上り信号を受光し、光電変換して電気信号を受信部５３へ出力する。以降の処理は実施の形態３と同様である。
【００５７】
つぎに、親局装置が１０Ｇ下り信号または１Ｇ下り信号を送信する場合の送信処理について説明する。親局装置が１０Ｇ下り信号を送信する場合、送信部２２は、割り当てられた帯域に従って、１０Ｇ−ＴＯＳＡ部２５の発光部２５１を駆動し、発光部２５１が１０Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する。フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部１５は、ここで、１０Ｇ下り信号と１Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００５８】
一方、１Ｇ下り信号を送信する場合、送信部５２は、割り当てられた帯域に従って、１Ｇ−ＴＯＳＡ部５５の発光部５５１（たとえば、ＥＡ／ＬＤ）を駆動し、発光部５５１が１Ｇ下り信号である光信号をフィルタ部１０ｃへ出力する。フィルタ部１０ｃのＷＤＭ部２１１は、１Ｇ下り信号を透過してＷＤＭ部１５へ出力する。ＷＤＭ部１５は、ここで、１Ｇ下り信号と１０Ｇ下り信号を合波してＷＤＭ部１４へ出力する。ＷＤＭ部１４は、合波された光信号を伝送路へ出力する。
【００５９】
以上説明したように、本実施の形態では、１Ｇ−ＰＯＮ用親局装置をそのまま使用しつつ、新たに波長分離／合波するフィルタ部と１０Ｇ−ＰＯＮ用親局装置を適用することとした。これにより、１Ｇ／１０Ｇ混在のマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステムにおいて、１Ｇ／１０Ｇそれぞれの上り信号に対して帯域が制限されない親局装置が可能となる。
【００６０】
また、１０Ｇ光モジュールおよび１Ｇ光モジュールとしてＴＯＳＡ／ＲＯＳＡを適用し、フィルタ部としてＷＤＭフィルタ３個を適用することとした。これにより、１０Ｇ光送受信部および１Ｇ光送受信部、ともに柔軟に構成することが可能となるうえ、ロスバジェットの厳しい１０Ｇ上り信号に対して、最もフィルタ挿入による損失が少ないフィルタ構成を取ることが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
以上のように、本発明にかかるマルチレートＰＯＮ親局装置は、ＰＯＮシステムに有用であり、特に、１Ｇ／１０Ｇの混在するＰＯＮシステムに適している。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図２】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図３】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図４】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図５】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図６】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【図７】各信号の波長配置とフィルタの特性を示す図である。
【図８】マルチレートＰＯＮ親局装置の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ フィルタ部
１１，１２，１３ フィルタモジュール部
１４，１５ ＷＤＭ部
２０，２０ａ １０Ｇ光送受信部
２１ １０Ｇ−ＢＩＤＩ部
２２ 送信部
２３ 受信部
２４ ＢＣＤＲ部
２５ １０Ｇ−ＴＯＳＡ部
２６ １０Ｇ−ＲＯＳＡ部
３０ １０Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部
４０ １０Ｇ−Ｌ２スイッチ部
５０，５０ａ １Ｇ光送受信部
５１ １Ｇ−ＢＩＤＩ部
５２ 送信部
５３ 受信部
５４ ＢＣＤＲ部
５５ １Ｇ−ＴＯＳＡ部
５６ １Ｇ−ＲＯＳＡ部
６０ １Ｇ−ＰＯＮＭＡＣ部
７０ １Ｇ−Ｌ２スイッチ部
８０ １Ｇ／１０Ｇ−Ｌ２スイッチ部
２１１ ＷＤＭ部
２１２，２５１，５１２，５５１ 発光部
２１３，２６１，５１３，５６１ 受光部
２１４，２５２，２６２，５１４，５５２，５６２ コネクタ部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の子局装置と親局装置が分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続され、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステム、における前記親局装置であって、
前記伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、当該上り光信号を伝送速度が速い上り高速光信号と伝送速度が遅い上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、伝送速度が速い方の光信号である下り高速光信号と伝送速度が遅い方の光信号である下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力するフィルタ手段と、
前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する高速光信号送受信手段と、
前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する低速光信号送受信手段と、
を備えることを特徴とするマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項２】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該高速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項３】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項２に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項４】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該高速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該高速用ＲＯＳＡ型光モジュール手段を用いて前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項５】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速光信号送受信手段内の高速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項４に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項６】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該高速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを用いて前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび低速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該低速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該低速用ＲＯＳＡ型光モジュールを用いて前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項７】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速光信号送受信手段内の高速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速光信号送受信手段内の低速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項６に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項８】
前記フィルタ手段は、
複数のフィルタ構成を多段従属接続することによって所望の波長帯域の信号を合波または分離する場合、上り高速光信号、下り高速光信号、上り低速光信号および下り低速光信号のうちの最もロスバジェットの厳しい光信号に対して、最もロスの小さな多段従属接続のフィルタ構成を適用することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項９】
さらに、
サービスを提供するサーバと通信を行う高速用中継処理手段と、
前記高速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合に、データ復号処理を実行して前記高速用中継処理手段へ出力し、また、前記高速用中継処理手段から電気信号が入力された場合に、下り高速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記高速光信号送受信手段へ出力する高速光信号制御手段と、
サービスを提供するサーバと通信を行う低速用中継処理手段と、
前記低速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合に、データ復号処理を実行して前記低速用中継処理手段へ出力し、また、前記低速用中継処理手段から電気信号が入力された場合に、下り低速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記低速光信号送受信手段へ出力する低速光信号制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項１０】
さらに、
サービスを提供するサーバと通信を行う中継処理手段と、
前記高速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合にデータ復号処理を実行して前記中継処理手段へ出力し、また、前記中継処理手段から電気信号が入力された場合に下り高速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記高速光信号送受信手段へ出力する高速光信号制御手段と、
前記低速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合にデータ復号処理を実行して前記中継処理手段へ出力し、また、前記中継処理手段から電気信号が入力された場合に下り低速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記低速光信号送受信手段へ出力する低速光信号制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項１】
複数の子局装置と親局装置が分岐装置を介して一芯の伝送路である光ファイバで接続され、異なる伝送速度の上り光信号と異なる伝送速度の下り光信号がそれぞれ異なる波長帯域で波長多重されたマルチレートＴＤＭＡ−ＰＯＮシステム、における前記親局装置であって、
前記伝送路から異なる伝送速度の信号が波長多重された上り光信号が入力された場合に、当該上り光信号を伝送速度が速い上り高速光信号と伝送速度が遅い上り低速光信号に分離して出力し、一方、異なる伝送速度の下り光信号が入力された場合に、伝送速度が速い方の光信号である下り高速光信号と伝送速度が遅い方の光信号である下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力するフィルタ手段と、
前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する高速光信号送受信手段と、
前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する低速光信号送受信手段と、
を備えることを特徴とするマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項２】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該高速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項３】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項２に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項４】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該高速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該高速用ＲＯＳＡ型光モジュール手段を用いて前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを備え、当該低速用ＢＩＤＩ型光モジュールを用いて、前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力し、また、電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項５】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＢＩＤＩ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速光信号送受信手段内の高速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速用ＢＩＤＩ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項４に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項６】
前記高速光信号送受信手段は、高速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該高速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り高速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該高速用ＲＯＳＡ型光モジュールを用いて前記フィルタ手段から受信した上り高速光信号を電気信号に変換して出力し、
前記低速光信号送受信手段は、低速用ＴＯＳＡ型光モジュールおよび低速用ＲＯＳＡ型光モジュールを備え、当該低速用ＴＯＳＡ型光モジュールを用いて電気信号を下り低速光信号に変換して前記フィルタ手段へ出力し、また、当該低速用ＲＯＳＡ型光モジュールを用いて前記フィルタ手段から受信した上り低速光信号を電気信号に変換して出力する、
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項７】
前記フィルタ手段は、
前記上り高速光信号を前記高速光信号送受信手段内の高速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、前記上り低速光信号を前記低速光信号送受信手段内の低速用ＲＯＳＡ型光モジュールへ出力し、
また、前記高速光信号送受信手段内の高速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り高速光信号と前記低速光信号送受信手段内の低速用ＴＯＳＡ型光モジュールからの下り低速光信号とを合波して前記伝送路へ出力する、
ことを特徴とする請求項６に記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項８】
前記フィルタ手段は、
複数のフィルタ構成を多段従属接続することによって所望の波長帯域の信号を合波または分離する場合、上り高速光信号、下り高速光信号、上り低速光信号および下り低速光信号のうちの最もロスバジェットの厳しい光信号に対して、最もロスの小さな多段従属接続のフィルタ構成を適用することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項９】
さらに、
サービスを提供するサーバと通信を行う高速用中継処理手段と、
前記高速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合に、データ復号処理を実行して前記高速用中継処理手段へ出力し、また、前記高速用中継処理手段から電気信号が入力された場合に、下り高速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記高速光信号送受信手段へ出力する高速光信号制御手段と、
サービスを提供するサーバと通信を行う低速用中継処理手段と、
前記低速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合に、データ復号処理を実行して前記低速用中継処理手段へ出力し、また、前記低速用中継処理手段から電気信号が入力された場合に、下り低速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記低速光信号送受信手段へ出力する低速光信号制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【請求項１０】
さらに、
サービスを提供するサーバと通信を行う中継処理手段と、
前記高速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合にデータ復号処理を実行して前記中継処理手段へ出力し、また、前記中継処理手段から電気信号が入力された場合に下り高速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記高速光信号送受信手段へ出力する高速光信号制御手段と、
前記低速光信号送受信手段から電気信号が入力された場合にデータ復号処理を実行して前記中継処理手段へ出力し、また、前記中継処理手段から電気信号が入力された場合に下り低速光信号を送信する波長帯域において帯域の割り当てを実行して前記低速光信号送受信手段へ出力する低速光信号制御手段と、
を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載のマルチレートＰＯＮ親局装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１０−１６１５６８（Ｐ２０１０−１６１５６８Ａ）
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１７８４（Ｐ２００９−１７８４）
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年７月２２日（２０１０．７．２２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１月７日（２００９．１．７）
【出願人】（０００００６０１３）三菱電機株式会社 (33,312)
【Ｆターム（参考）】
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