説明

伝送器及びメモリ装置

【課題】機器の機能停止状態が回避出来ると共に、機器の機能停止をデバイス故障のみに制限することの出来るメモリ装置及び伝送器を提供する。
【解決手段】センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータをバックアップする待機不揮発性メモリを備えた。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、再読み込み可能な不揮発性メモリを有するメモリ装置及び伝送器に係り、特に不揮発性メモリのデバイス故障に係る問題を解決するメモリ装置及び伝送器に関する。
【背景技術】
【0002】
図5に不揮発性メモリのメモリ装置を搭載した従来の伝送器(差圧伝送器)の一例を示す。図5において、差圧伝送器10は、AD(アナログ・デジタル)変換器11、マイクロプロセッサ(CPU;Central Processing Unit)12、作業メモリ13、保存不揮発性メモリ14、稼働不揮発性メモリ15,出力回路16、通信回路17等から構成されている。
【0003】
稼動不揮発性メモリ15には、メーカが設定した差圧伝送器10を動かすプログラムが格納されている。具体的には、稼動不揮発性メモリ15には、センサ信号Sから圧力値を算出し出力仕様に変換するプログラム等が格納されている。
【0004】
また、保存不揮発性メモリ14には、ユーザが設定したデータが格納されている。具体的には、保存不揮発性メモリ14には、圧力単位を設定するデータ等が格納されている。
【0005】
さらに、作業メモリ13は、例えば、RAM(Random Access read write memory)から形成され、保存不揮発性メモリ14に格納されたデータを一時的に保存するものである。なお、作業メモリ13は揮発性メモリで形成され、作業メモリ13に格納されたデータは、差圧伝送器10の電源がなくなると消滅する。
【0006】
以上の構成において、図示しない差圧センサからセンサ信号SがAD変換器11を介してデジタル信号に変換されてCPU12に取り込まれる。そして、CPU12は、稼動不揮発性メモリ15に格納されたプログラム及び作業メモリ13に格納されたデータを用いながら、リニアリティ、スパン調整等の演算を実行して圧力値を算出し、出力回路16を介して、例えば4−20mAの電流信号として出力する。
【0007】
また、CPU12は、稼働中に、通信回路17から通信データを受信して差圧演算に割り込みの処理を実行する。
【0008】
以下に、図6のフローチャートを用いて、図5の従来例の初期化処理の手順(起動シーケンスA)について説明する。差圧伝送器10に電源を入れて稼働させその後も正常に動作させるためには、所定の処理手順を踏んで正常動作をすることを確認しなければならない。
【0009】
図6において、差圧伝送器10の初期化処理は、ステップST1、ST2、ST3、ST4の4つのステップからなり、これらの一連の処理は起動シーケンスAをなす。
【0010】
ステップST1では、電源を入れて差圧伝送器10を起動させる時のブート(Boot)情報を保存不揮発性メモリ14から差圧伝送器10の作業メモリ13にアップロードする。即ち、CPU12は、保存不揮発性メモリ14に格納されたデータの一部を作業メモリ13に複製する。
【0011】
次に、ステップST2で、CPU12は、保存不揮発性メモリ14のデバイス(ハードウエア)の診断を実行する。
この後、ステップST3で、CPU12は、保存不揮発性メモリ14に格納されているデータの診断を行う。
【0012】
さらに、その次に、ステップST4で、CPU12は、これらの診断結果に基づき、保存不揮発性メモリ14に異常があるかどうかの異常判定を行う。そして、正常であれば定常処理(2)に移行し、異常であれば差圧伝送器故障のアラーム表示をする。
【0013】
ここで、異常には、保存不揮発性メモリ14自体のデバイス異常(デバイス故障)と、格納されているデータの異常の2種類の異常が含まれ、そのいずれか1つ以上が異常だとアラーム表示され、差圧伝送器10の差圧演算が全て停止される。
【0014】
以下に、図7のフローチャートを用いて、定常処理(2)の手順(稼動シーケンス)について、説明する。
【0015】
定常処理(2)は、差圧伝送器10が稼働しているときの処理とそのチェックを行う。ここで行われる処理は、主として3つの処理(ステップST5、ST6、ST7)と、1つの判断(ステップST8)となり、これらは一括して稼働シーケンスAを構成する。
【0016】
このうち、ステップST5はソフトウエアの割り込みによる保存不揮発性メモリ14への定周期の書込み処理であり、ステップST6は自己診断周期データのチェックであり、更に、ステップST7は外部から通信回路17を介しての通信割込みによる書込み処理である。
【0017】
次に、ステップST8において、CPU12は、ステップST5、ステップST6及びステップST7の処理から保存不揮発性メモリ14に異常がないかどうかを判断する。
【0018】
そして、正常であれば、CPU12は、作業メモリに格納されたデータを保存不揮発性メモリ14に保存する。このことにより、例えば、ステップST7でユーザが設定を変更した内容が反映される。
【0019】
また、各ステップST5からST8を繰り返す。さらにまた、異常であれば、CPU12は、差圧伝送器故障のアラーム表示をして、差圧伝送器固有の各種演算を停止する。
【0020】
以上説明した起動シーケンスAと稼働シーケンスAにより動作シーケンスAを構成する。さらに、CPU12により保存不揮発性メモリ14から動作シーケンスAを一時的に作業メモリ13にアップロードする。
【0021】
また、不揮発性メモリを搭載したメモリ装置において、不揮発性メモリの故障に対処する技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
【0022】
【特許文献1】特開平8−203293号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0023】
しかし、従来の差圧伝送器等に搭載されたこの種のメモリ装置の場合、保存不揮発性メモリ14のいずれかのセル自身が寿命等で故障した場合だけでなく、ビット化け等のデータ不良の場合も保存不揮発性メモリ14のデバイス故障扱いとなり、差圧伝送器故障のアラームが出て、差圧演算等の機能停止状態となり、異常前の保存不揮発性メモリ14のデータを得ることも出来ないという課題がある。
【0024】
従って、本発明の目的は、機器の機能停止状態が回避出来ると共に、機器の機能停止をデバイス故障のみに制限することの出来るメモリ装置及び伝送器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0025】
このような課題を達成するために、本発明は以下のとおりである。
(1)センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータをバックアップする待機不揮発性メモリを備えたことを特徴とする伝送器。
(2)センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備え、前記マイクロプロセッサは、前記保存不揮発性メモリが正常のときには前記保存不揮発性メモリを用いて前記演算を実行し、前記保存不揮発性メモリが異常のときには前記待機不揮発性メモリを用いて前記演算を実行することを特徴とする伝送器。
(3)センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを一時的に保存する作業メモリと、前記作業メモリに格納されたデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記作業メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記作業メモリに保存するステップ、第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記作業メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記作業メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、第3の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備えることを特徴とする伝送器。
(4)前記待機不揮発性メモリは、前記保存不揮発性メモリの異常判定の異常履歴データが保存されることを特徴とする(2)または(3)記載の伝送器。
(5)前記待機不揮発性メモリは、FlashROMで形成され、前記プロセッサのサブのプログラムが保存される前記保存不揮発性メモリは、EEPROMで形成されることを特徴とする(4)記載の伝送器。
(6)プログラムに従って所定の演算を行なうマイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備えるメモリ装置において、前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備え、前記マイクロプロセッサは、前記保存不揮発性メモリが正常のときには前記保存不揮発性メモリを用いて前記演算を実行し、前記保存不揮発性メモリが異常のときには前記待機不揮発性メモリを用いて前記演算を実行することを特徴とするメモリ装置。
【発明の効果】
【0026】
以上説明したことから明らかなように、本発明によれば次のような効果がある。
本発明によれば、オンライン時に正常な(保存)不揮発性メモリの保存データをバックアップとして空領域の(待機)不揮発性メモリに保存しておき、異常時に(待機)不揮発性メモリの保存データをバックアップとして読み込み、機器の機能停止状態が回避出来る。
【0027】
さらに、異常前のデータも待機不揮発性メモリから読み出して使用できるので、異常後も異常前のデータを確保できる効果がある。即ち、CPUにより保存不揮発性メモリから待機不揮発性メモリにバックアップを取るしくみとなる。
【0028】
また、本発明によれば、デバイス異常の際に読み込んだ待機不揮発性メモリの正常なバックアップデータに基づき動作を継続することができるので、メモリ装置の故障後も交換まで継続して伝送器及びメモリ装置を使用でき、その寿命を延ばすことが出来る効果がある。
【0029】
更に、本発明によれば、デバイス異常の際に、異常情報を待機不揮発性メモリに書込むようにしたので、この保存された異常情報から異常解析に役立ち、更に交換メモリ装置に設置情報をダウンロード出来る効果がある。
【0030】
そして、本発明によれば、待機不揮発性メモリをセクタで切り分けて、一部に保存不揮発性メモリのバックアップデータを保存し、他の一部を稼働不揮発性メモリとして使用することができるので、メモリデバイスの数を節約でき、効率的な運用が出来る効果がある。
【0031】
さらに、本発明によれば、不揮発性メモリのデバイス故障を効果的に検知でき、不揮発性メモリのデバイス故障が発生した場合でも有益な動作を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【0032】
以下、本発明について図面を用いて詳細に説明する。図1は本発明に係るメモリ装置の一実施例を示す説明図である。なお、図5から図7に示す従来の装置と同一の機能を有する部分には同一の符号を付して、適宜に説明を省略する。
【0033】
図1の実施例の特徴は、待機不揮発性メモリ20に係る構成にある。
【0034】
待機不揮発性メモリ20は、例えば、FlashROMサイズ1Mbyteで形成される。また、待機不揮発性メモリ20は、保存不揮発性メモリ14のバックアップデータBD20と、保存不揮発性メモリ14の異常履歴データADとが格納される。この異常履歴データADは故障解析に利用される。
【0035】
さらに、待機不揮発性メモリ20は、サブのプログラムが格納され、また、バージョンアップの際に新しいプログラムが格納され、稼働不揮発性メモリ15に格納されたメインのプログラムと待機不揮発性メモリ20に格納されたサブのプログラムとを切り換えることに使用されることもある。
【0036】
また、稼動不揮発性メモリ15は、例えば、FlashROMサイズ1Mbyteで形成され、メーカが設定した差圧伝送器10を動かすプログラムが格納される。
【0037】
さらに、保存不揮発性メモリ14は、例えば、EEPROMサイズ32kByteで形成され、ユーザが設定した保存データHDが格納される。
【0038】
また、作業メモリ13は、例えば、揮発性RAM512kByteで形成され、保存不揮発性メモリ14に格納された保存データHDが保存されて、一時的に、バックアップデータBD13として、格納される。
【0039】
そして、作業メモリ13に格納されるデータを用いて、保存不揮発性メモリ14に異常がないかどうかが検知される。このようにすることで、保存不揮発性メモリ14へのアクセスを軽減する。また、CPU12は、作業メモリ13に格納されるデータと待機不揮発性メモリ20に格納されるデータとを定期的に等値化する。
【0040】
図1において、保存不揮発性メモリ14が正常の場合には、CPU12は、保存不揮発性メモリ14が正常時の保存データHDを定周期で作業メモリ13にバックアップデータBD13として読み込み、これを待機不揮発性メモリ20の所定領域に健全なバックアップデータBD20として書き込みバックアップする。
【0041】
また、保存不揮発性メモリ14のデバイス故障の場合には、待機不揮発性メモリ20の健全な保存不揮発性バックアップデータBD20を使用して、メモリ装置21はこれが搭載されている差圧伝送器などの機器の演算を継続して実行する。この場合、ワーニングを発生させて、警告する。詳しくは、CPU12は、稼動不揮発性メモリ15に格納されたプログラム及び待機不揮発性メモリ20に格納されたバックアップデータBD20を用いながら、リニアリティ、スパン調整等の演算を実行して圧力値を算出し、出力回路16を介して、例えば4―20mAの電流信号として出力する。
【0042】
さらに、保存不揮発性メモリ14のデバイス故障ではなく、保存不揮発性メモリ14の保存データのチェックサム異常(ビット化けによる異常)等が発生した場合には、CPU12は、待機不揮発性メモリ20の健全なバックアップデータBD20を作業メモリ13のバックアップデータBD13に保存し、作業メモリ13のバックアップデータBD13を保存不揮発性メモリ14の保存データHDに保存する。こうしてリカバリされる。
【0043】
以上のようにして、保存不揮発性メモリ14のデバイス自体が故障(デバイス故障)しても、差圧伝送器は継続して動作する。
【0044】
また、保存不揮発性メモリ14のデバイス故障発生時の異常の履歴を待機不揮発性メモリ20の所定領域に異常履歴データADとして記録することにより、その後、異常解析に役立てることができる。
【0045】
次に、以上の点について、図2、図3に示すフローチャート図を用いて詳細に説明する。図2は、起動シーケンスBの手順を示したフローである。ステップST1からST4までは図6の従来例と同じ起動シーケンスAと同じであり、その説明を省略する。
【0046】
図2の実施例の特徴は、ステップST10からステップST17に係るフローにある。
【0047】
ステップST4において、保存不揮発性メモリ14が正常と判断された場合は、ステップST10に移行する。そしてステップST10では、CPU12は、保存不揮発性メモリ14の保存データHDを複製し作業メモリ13にバックアップデータBD13として保存する。
【0048】
次に、ステップST11では、CPU12は、この作業メモリ13のバックアップデータBD13を複製し、待機不揮発性メモリ20のバックアップデータBD20として保存する。そして、図3に示す稼働シーケンスBの定常処理(2)に移行する。
【0049】
一方、ステップST4において、保存不揮発性メモリ14が異常と判断された場合は、ステップST12に移行する。そしてステップST12では、CPU12は、待機不揮発性メモリ20のバックアップデータBD20を複製し、作業メモリ13のバックアップデータBD13として保存する。
【0050】
次に、ステップST13では、CPU12は、異常判定の履歴を、異常履歴データADとして待機不揮発性メモリ20の所定領域に保存する。
【0051】
この後、ステップST14では、CPU12は、作業メモリ13のバックアップデータBD13を複製し、保存不揮発性メモリ14の保存データHDとして保存する。
【0052】
さらに、その次に、ステップST15では、保存不揮発性メモリ14の異常判定を行う。保存不揮発性メモリ14には正常なバックアップデータBDが書き込まれているので、ここで正常であれば、図3に示す稼働シーケンスBの定常処理(2)に移行する。
【0053】
ステップST15で、保存不揮発性メモリ14が異常であれば、正常なバックアップデータBDが書き込まれているにも係わらず異常であるので、デバイス故障ということになる。このときは、ステップST16で、異常履歴データADを待機不揮発性メモリ20の所定領域に保存し、ステップST17で保存不揮発性メモリ14故障のワーニングを表示して、図3に示す稼働シーケンスBの定常処理(2)に移行する。
【0054】
この際、メモリ装置21は、待機不揮発性メモリ20の健全なバックアップデータBD20を使用して、これが搭載されている差圧伝送器などの機器の演算を継続して稼働することが出来る。
【0055】
次に、図3に示す稼働シーケンスBの定常処理(2)について説明する。ステップST5からST8までは、図7の従来例と同じ稼働シーケンスAと同じであり、その説明を省略する。また、ステップST5からST8によって、作業メモリ13に格納されたデータが変化する。
【0056】
図3の実施例の特徴は、ステップST20からステップST25に係るフローにある。
【0057】
ステップST8において、保存不揮発性メモリ14の異常判定が正常と判断された場合は、ステップST18に移行する。そしてステップST18では、CPU12は、作業メモリ13に格納されたデータを保存不揮発性メモリ14に保存する。この後、ステップST19でバックアップデータBDを更新する。
【0058】
次に、ステップST20では、CPU12は、作業メモリ13に格納されたバックアップデータBD13を複製し、待機不揮発性メモリ20のバックアップデータBD20として保存する。そして、定常処理(2)の当初に戻り繰り返す。
【0059】
一方、ステップST8において、保存不揮発性メモリ14の異常判定が異常と判断された場合は、ステップST21に移行する。そしてステップST21では、CPU12は、作業メモリ13に格納されたバックアップデータBD13を複製し、待機不揮発性メモリ20のバックアップデータBD20として保存する。こうしてリカバリされる。
【0060】
さらにその次に、ステップST22において、保存不揮発性メモリ14の異常判定で正常と判断された場合は、定常処理(2)の当初に戻り繰り返す。
【0061】
また、ステップST22において、保存不揮発性メモリ14の異常判定で異常と判断された場合は、ステップST21で正常なバックアップデータBDが書き込まれているにも係わらず異常であるので、デバイス故障ということになり、ステップST23に移行する。そしてステップST23では、CPU12は、作業メモリ13に格納されたデータを待機不揮発性メモリ20に保存する。
【0062】
さらに、ステップST24では、異常履歴データADを待機不揮発性メモリ20の所定領域に保存する。
【0063】
また、ステップST25では、保存不揮発性メモリ14故障のワーニング表示をする。
【0064】
こうして、メモリ装置21は、待機不揮発性メモリ20の健全なバックアップデータBD20を使用して、これが搭載されている差圧伝送器などの機器の演算を継続して稼働する。
【0065】
以上を総合すると、起動シーケンスBと稼働シーケンスBにより動作シーケンスBを構成する。
【0066】
図4の実施例は、本発明の他の実施例を示す。なお、図1の実施例と同じ要素には同一符号を付し、説明を省略する。図4の実施例の特徴は、待機不揮発性メモリ23に係る構成にある。
【0067】
図4の実施例の待機不揮発性メモリ23は、図1の実施例の待機不揮発性メモリ20と稼動不揮発性メモリ15とを一つのハードウエアで形成したものであり、待機不揮発性メモリ20に相当する領域と稼動不揮発性メモリ15に相当する領域とはセクタを切り分けて使用するように構成される。
【0068】
このような、図4の実施例は、簡便な構成となる。
【図面の簡単な説明】
【0069】
【図1】本発明の1実施例の構成を示す説明図である。
【図2】本発明の1実施例の動作を説明するための第一のフローチャート図である。
【図3】本発明の1実施例の動作を説明するための第一のフローチャート図である。本発明の他の実施例を示す構成図である。
【図4】本発明の他の実施例の構成を示す説明図である。
【図5】メモリ装置を搭載した従来の差圧伝送器の構成を示す説明図である。
【図6】図5に示す差圧伝送器の動作を説明するための第1のフローチャート図である。
【図7】図5に示す差圧伝送器の動作を説明するための第2のフローチャート図である。
【符号の説明】
【0070】
10 差圧伝送器
11 AD変換器
12 マイクロプロセッサ(CPU)
13 作業メモリ
14 保存不揮発性メモリ
15 稼働不揮発性メモリ
16 出力回路
17 通信回路
20、23 待機不揮発性メモリ
21、22 メモリ装置
24 セクタ
HD 保存データ
BD バックアップデータ
AD 異常履歴データ


【特許請求の範囲】
【請求項1】
センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、
前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータをバックアップする待機不揮発性メモリを備えた
ことを特徴とする伝送器。
【請求項2】
センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、
前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、
第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、
第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備え、
前記マイクロプロセッサは、前記保存不揮発性メモリが正常のときには前記保存不揮発性メモリを用いて前記演算を実行し、前記保存不揮発性メモリが異常のときには前記待機不揮発性メモリを用いて前記演算を実行する
ことを特徴とする伝送器。
【請求項3】
センサからの信号を演算して物理量を算出するプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを一時的に保存する作業メモリと、前記作業メモリに格納されたデータを保存する保存不揮発性メモリとを備え、前記物理量を伝送する伝送器において、
前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、
第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記作業メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記作業メモリに保存するステップ、
第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記作業メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記作業メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、
第3の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備える
ことを特徴とする伝送器。
【請求項4】
前記待機不揮発性メモリは、前記保存不揮発性メモリの異常判定の異常履歴データが保存される
ことを特徴とする請求項2または請求項3記載の伝送器。
【請求項5】
前記待機不揮発性メモリは、FlashROMで形成され、前記プロセッサのサブのプログラムが保存される
前記保存不揮発性メモリは、EEPROMで形成される
ことを特徴とする請求項4記載の伝送器。
【請求項6】
プログラムに従って所定の演算を行なうマイクロプロセッサと、前記マイクロプロセッサに接続され前記演算のデータを保存する保存不揮発性メモリとを備えるメモリ装置において、
前記保存不揮発性メモリと異なるハードウエアで形成され、前記マイクロプロセッサに接続される待機不揮発性メモリを備え、
第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が正常となって、前記マイクロプロセッサが、前記保存不揮発性メモリに格納されたデータを前記待機不揮発性メモリに保存し、前記第1の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、前記待機不揮発性メモリに格納されたデータを前記保存不揮発性メモリに保存するステップ、
第2の前記保存不揮発性メモリの異常判定が異常となって、前記マイクロプロセッサが、ワーニング表示するステップ、を備え、
前記マイクロプロセッサは、前記保存不揮発性メモリが正常のときには前記保存不揮発性メモリを用いて前記演算を実行し、前記保存不揮発性メモリが異常のときには前記待機不揮発性メモリを用いて前記演算を実行する
ことを特徴とするメモリ装置。


【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2008−39740(P2008−39740A)
【公開日】平成20年2月21日(2008.2.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−218367(P2006−218367)
【出願日】平成18年8月10日(2006.8.10)
【出願人】(000006507)横河電機株式会社 (4,443)
【Fターム(参考)】