偏光子及びそれを備える平板表示装置
【課題】偏光子及びそれを備える平板表示装置を提供する。
【解決手段】明室コントラストと視認性とを向上させるように、ベース、ベース上に形成されるグリッド、及びグリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材を備える偏光子。
【解決手段】明室コントラストと視認性とを向上させるように、ベース、ベース上に形成されるグリッド、及びグリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材を備える偏光子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光子及びそれを備える平板表示装置に係り、より詳細には、明室コントラストと視認性とを向上させる偏光子及びそれを備える平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近来において、ディスプレイ装置は、携帯可能な薄型の平板表示装置に代替される勢いである。平板ディスプレイ装置のうちでも、電界発光表示装置は自発光型ディスプレイ装置であり、視野角が広くてコントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所を持っていて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。また発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多色化が可能であるという点を持っている。
【０００３】
一方、平板表示装置は携帯可能で野外で使用可能なように、軽くて薄型に製造する。このとき、野外で画像を見る時に陽光が反射されて明室コントラスト及び視認性が低下するという問題がある。特に、有機発光表示装置では、金属反射膜でこのような反射が激しく、さらに大きい問題になる。
【０００４】
このような問題を解決するために、有機発光表示装置の一面に円偏光板を配置する。そして、このような円偏光板は、通常薄い金属で線形パターンを形成してワイヤーグリッド形態に作られた線形偏光板を備える。この時、金属を含む材質からなるグリッドは、その材質のために外光または平板表示装置で発生した光を反射して、コントラストが低下して輝度を低下させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、明室コントラストと視認性とが向上した偏光子及びそれを備える平板表示装置を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ベースと、前記ベース上に形成されるグリッドと、前記グリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材と、を備える偏光子を開示する。
【０００７】
本発明において、前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態である。
【０００８】
本発明において、前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成される。
【０００９】
本発明において、前記低反射率部材は、有機物を含む。
【００１０】
本発明において、前記低反射率部材は、無機物を含む。
【００１１】
本発明において、前記低反射率部材は、金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなす。
【００１２】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含む。
【００１３】
本発明の他の側面によれば、基板と、前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成される密封部材と、前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち、一面に形成された１／４波長位相差層と、前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち、他の一面に形成され、前記１／４波長位相差層よりも前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、前記線形偏光層は、グリッド及び外光が入射される方向に前記グリッドよりも近く位置するように前記グリッドと積層される低反射率部材を備える有機発光表示装置を開示する。
【００１４】
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記線形偏光層は、低反射率部材の上面に前記グリッドが形成される構造である。
【００１５】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００１６】
本発明において、前記線形偏光層は前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００１７】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記基板上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成される。
【００１８】
本発明において、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成される。
【００１９】
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記線形偏光層は、グリッドの上面に低反射率部材が形成される構造である。
【００２０】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００２１】
本発明において、前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護膜をさらに備える。
【００２２】
本発明において、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成される。
【００２３】
本発明において、前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成される。
【００２４】
本発明において、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成される。
【００２５】
本発明において、前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は前記有機発光素子上に形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に関する偏光子及び平板表示装置は、外光の反射を効果的に防止し、偏光特性を向上させて明室コントラストと視認性とを増大させ、画質特性を大幅向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付された図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【００２９】
図１及び図２を参照すれば、偏光子１０は、ベース１１、グリッド１２及び低反射率部材１３を備える。ベース１１上にグリッド１２及び低反射率部材１３が形成される。
【００３０】
ベース１１は、透明な材質からなりうる。これは、偏光子１０が配置されるディスプレイ装置で発生する光をよく通過させるためである。このために、ベース１１は、ガラスまたはフレキシブルなプラスチックを使用できるが、フィルム化のためにはプラスチックを含む材質で形成するのが望ましい。
【００３１】
ベース１１上にグリッド１２が形成される。グリッド１２は、電磁波で特定光のみを偏光させる目的で平行な導電体ワイヤを配列した形態である。グリッド１２を形成する導電体としては、アルミニウム、銀、クロム、ニッケル、コバルト、モリブデンなどの金属がある。グリッド１２は、各グリッド１２間に周期Ｐ１を持つ。そして、このような周期Ｐ１は、偏光子１０の性能を決定する重要な要素である。グリッド１２間の周期Ｐ１、すなわち、グリッド１２の中心間の距離が入射される光の波長に比べて長ければ、偏光子１０は、偏光機能よりは回折格子の機能を主に行う。一方、グリッド１２間の周期Ｐ１が入射される波長の光に比べて短いならば、グリッド１２は偏光機能を主に行う。
【００３２】
本発明の偏光子１０は低反射率部材１３を備える。図１及び図２を参照すれば、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されている。低反射率部材１３の厚さＴ２はグリッド１２の厚さＴ１と異なるが、低反射率部材１３の周期Ｐ２がグリッドの周期Ｐ１と同じになるように同じパターンで形成する。
【００３３】
低反射率部材１３は、反射率の低い物質を利用して形成できる。低反射率部材１３は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ルテニウムを使用して形成できる。このような材料を形成する場合に、反射率が低下して偏光特性が向上する。具体的な内容は、次の表１及び表２に明示されている。表１及び表２の結果を得るために、図１のような構造の偏光子１０を製作して実験を行ったが、このとき、グリッド１２の周期Ｐ１は１００ナノメートル、幅Ｗ１は５０ナノメートル、厚さＴ１は１００ナノメートルとし、低反射率部材１３の周期Ｐ２は１００ナノメートル、幅Ｗ２は５０ナノメートル、厚さＴ２は１００ナノメートルとした。
【００３４】
【表１】
【００３５】
表１は、前述した材料を利用して図１の偏光子１０を形成して、可視光線の反射率値を測定した表である。
【００３６】
表１を参照すれば、グリッド１２の材質であるアルミニウムの場合、可視光線に対する反射率が青色、緑色、赤色いずれも５０％以上の値を表す。しかし、本発明の一実施形態に関する偏光子１０に含まれる低反射率部材１３を使用すれば、可視光線の反射率は、アルミニウムの場合と比較する時にほぼ半分ほどに低くなる。表１で分かるように、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ルテニウムいずれも可視光線のあらゆる波長帯で３０％以下の低い反射率を表す。
【００３７】
【表２】
【００３８】
表２は、前述した材料を利用して図１の偏光子１０を形成して、偏光消滅比を測定した値を示す表である。（表２において、「E+03」及び「E+06」などは、それぞれ「×103」及び「×106」を意味するものである。）
【００３９】
表２を参照すれば、偏光子１０の特性がわかる偏光消滅比（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）も、アルミニウムに比べて低反射率部材が優秀であるということが分かる。偏光消滅比は、Ｓ偏光が入射する時に入射されるＳ波と透過されるＳ波との光パワーの比であり、高い値を持つほど偏光性能が優秀である。
【００４０】
表２で分かるように、低反射率部材１３のうちＣｄＳｅ、ＣｄＴｅは、アルミニウムに比べて２倍以上の偏光消滅比値を表し、ルテニウムは１０００倍以上の偏光消滅比値を表す。
【００４１】
低反射率部材１３は、誘電物質を含むことができる。低反射率部材１３は、有機物または無機物を含む多様な誘電物質を使用して形成できる。無機物で低反射率部材１３を形成する場合に、ＳｉＯｘ（ｘ≧１）、ＳｉＮｘ（ｘ≧１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、及び窒化物のような材料を利用できる。
【００４２】
有機物で低反射率部材１３を形成する場合に、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ ｏｒ ＰＥＴＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエステル、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリビニリデンクロライド（ＰＶＤＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ乳酸（Ｐｏｌｙｌａｃｔｉｃ ａｃｉｄ：ＰＬＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）のような材料を利用できる。また、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子有機物も使用できる。
【００４３】
また低反射率部材１３は金属を含み、金属と誘電物質とが混合物をなすように形成できる。すなわち、金属と誘電物質とを共蒸着して混合物を形成して、反射率が低くて吸収係数の高い低反射率部材を形成できる。金属は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｐｔのような物質でありうる。金属と混合物をなす誘電物質は、有機物、無機物、有機物と無機物との化合物でありうる。金属と混合物をなす無機物は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１）、ＳｉＮｘ（ｘ≧１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、及び窒化物のような材料でありうる。
【００４４】
金属と混合物をなす有機物は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ ｏｒ ＰＥＴＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエステル、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリビニリデンクロライド（ＰＶＤＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ乳酸（Ｐｏｌｙｌａｃｔｉｃ ａｃｉｄ：ＰＬＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）のような高分子材料を利用できる。また、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子有機物も使用できる。そして、前述した有機物と無機物との化合物を金属と混合して低反射率部材１３を形成できる。
【００４５】
低反射率部材１３はグリッド１２上に形成されてグリッド１２の上面を覆う。すなわち、このような構造の偏光子１０でベース１１の両面のうち、グリッド１２が形成されている面に向かうように外光が入射される時、外光が金属のグリッド１２上で反射するのを低反射率部材１３が抑える。このような効果のために、低反射率部材１３の幅Ｗ２はグリッド１２の幅Ｗ１と同じにする。グリッド１２を形成するための導電体物質を塗布し、その上に低反射率部材１３を形成する物質を塗布した後、マスクを利用したパターニングを行ってこのような構造を容易に得ることができる。
【００４６】
図３は、本発明の他の実施形態に関する偏光子１０の構造を示す。説明の便宜のために前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。図２に図示された偏光子１０の構造と比較する時、低反射率部材１３の位置だけが異なる。低反射率部材１３は、ベース１１とグリッド１２との間に形成される。これは、偏光子１０に外光が入射される時、ベース１１の両面のうちグリッド１２が形成されていない面に向かうように入射される場合、グリッド１２の底面で外光が反射されることを防止するための構造である。
【００４７】
本発明の偏光子を有機発光表示装置、液晶表示装置、プロジェクション装置のような平板表示装置に利用できる。以下では、本発明の偏光子が備えられた有機発光表示装置を説明する。本発明の有機発光表示装置では、ベース１１は別途に必要とせず、グリッド１２及び低反射率部材１３で形成された線形偏光層２２を基板２０及び密封部材５０（図１２及び図１３）に直接形成する。後述する線形偏光層２２でグリッド１２及び低反射率部材１３は、前述した偏光子１０でベース１１のみを除いて同一であるので、具体的な構造、材料及び形成方法などについては説明を省略する。
【００４８】
図４は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図４に示したように、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置は、透明な素材からなる基板２０、基板２０上に順次形成される線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１、有機発光素子３０及び密封部材（図示せず）を備える。
【００４９】
基板２０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。たとえ図示していないにしても、基板２０の上面には基板２０の平滑性及び不純元素の浸透の遮断のためにバッファ層をさらに備えることができ、バッファ層は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。基板２０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成してもよい。
【００５０】
基板２０の上面に線形偏光層２２が形成される。図５は、図４のＡの拡大図であり、線形偏光層２２の構造をさらに明確に示す。グリッド１２より低反射率部材１３を外光が入射する方向に近く位置させる。図４は、背面発光型であって基板２０側に外光が入射するので、基板２０上に低反射率部材１３が形成され、低反射率部材１３上にグリッド１２が形成される。低反射率部材１３とグリッド１２のそれぞれの材料、構造及び形成法は、前述した実施形態と同様であるので省略する。
【００５１】
線形偏光層２２上に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１上には有機発光素子３０を形成する。線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１の積層順序は、外光の入射方向に線形偏光層２２を配置させ、その内側に１／４波長位相差層２１を配置する。線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１との間には他の透光性部材が介在されてもよい。
【００５２】
有機発光素子３０は、互いに対向する第１電極３１、第２電極３３及び有機発光層３２を備える。第１電極３１は透明素材の伝導性物質で形成できるが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯなどで形成でき、フォトリソグラフィ法により所定のパターンで形成できる。第１電極３１のパターンは、受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＰＭ）の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＡＭ）の場合には、画素に対応する形態に形成できる。第１電極３１の上部に第２電極３３が配置されるが、第２電極３３は反射型電極からなり、アルミニウム、銀及び／またはカルシウムなどで形成され、外部端子（図示せず）に連結してカソード電極として作用できる。第２電極３３は、受動駆動型の場合には第１電極３１のパターンに直交するストライプ状であり、能動駆動型の場合には画像が具現されるアクティブ領域全体にわたって形成されうる。第１電極３１の極性と第２電極３３の極性とは互いに逆になっても構わない。
【００５３】
第１電極３１と第２電極３３との間に介在された有機発光層３２は、第１電極３１と第２電極３３との電気的駆動により発光する。有機発光層３２は、低分子または高分子有機物を使用できる。有機発光層３２が低分子有機物で形成される場合、有機発光層３２を中心に第１電極３１の方向にホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第２電極３３の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層されうる。使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。
【００５４】
一方、高分子有機物で形成された高分子有機層の場合には、有機発光層３２を中心に第１電極３１の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のみ含まれうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ−（２，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第１電極３１層の上部に形成され、高分子有機発光層３２は、ＰＰＶ、可溶性ＰＰＶ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００５５】
本発明の一実施形態において、有機発光素子３０から放出される光は、図４に示したように基板２０の方向に放出され、ユーザは、図４の下部、すなわち、基板２０の下側外部から画像を観察できる。このような背面発光型構造で太陽光熱のような外光が基板２０を通じて入り込んでコントラストを低下させる恐れがある。
【００５６】
しかし、本発明によれば、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが円偏光層を形成して外光の反射を最小化できる。基板２０の下側外部から入射される外光は、線形偏光層２２の吸収軸に沿う方向の成分は吸収され、透過軸に沿う方向の成分は透過される。この透過軸による方向の成分は、１／４波長位相差層２１を過ぎつつ一方向に回転される円偏光に変換される。円偏光は、有機発光素子３０の第２電極３３により反射される。反射されるときに一方向に回転する円偏光は、他の方向に回転する円偏光になり、１／４波長位相差層２１を過ぎつつ最初の透過軸に直交する方向の直線偏光に変換される。直線偏光は、線形偏光層２２の吸収軸により吸収されて基板２０の下側外部に出なくなる。したがって、外光反射が最小化され、コントラストがさらに向上する効果を得ることができる。
【００５７】
さらに、本発明の線形偏光層２２は、グリッド１２と、グリッド１２より外光が入射される方向に近く積層される低反射率部材１３とで形成されている。それにより、基板２０を通じて入射された外光が線形偏光層２２に到達する時、金属材質のグリッド１２で外光が反射するのを低反射率部材１３が減少させ、結果的にコントラスト向上効果を増大させることができる。
【００５８】
また、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とは基板２０上に直接形成される構造であるので、接着層などが不要で薄い有機発光表示装置を具現でき、発光層から具現された画像が接着層を通過しないので、輝度が上昇する。
【００５９】
線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は多様な方法で形成できる。そして、このような構造は、前述した背面発光型の場合だけでなく前面発光型の場合にも外光の入射方向を考慮して変形適用できる。
【００６０】
図６は、本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の他の一例を図示した断面図である。基板２０の両面のうち外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、他面に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図６の拡大図である図７に図示されている。外光の入射方向である図面の下方に低反射率部材が形成され、その上にグリッドが形成される構造である。各構成要素についての説明は前述した通りであるので、省略する。この実施形態でも基板２０の外側から入射された外光は、線形偏光層２２を通過しつつ透過軸に平行な直線偏光になり、基板２０を経て１／４波長位相差層２１を通過しつつ一方向の回転円偏光になり、第２電極３３層で反射した後、他方向の回転円偏光になる。この他方向の回転円偏光が、１／４波長位相差層２１を再通過しつつ透過軸に直交する直線偏光になり、この直線偏光は線形偏光層２２を通過できず、基板２０の下方外部では反射された外光が見られないので、外光の減少によるコントラスト向上効果がある。
【００６１】
さらに、前述したように線形偏光層２２は、基板２０の下部に入射する外光がグリッド１２で反射することを防止するために低反射率部材１３を備えて、コントラスト上昇効果が上昇する。
【００６２】
図８は、本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置のさらに他の一例を図示した断面図である。基板の両面のうち、外部に向かう一面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２が順次形成され、基板の他面に有機発光素子３０が形成された例を図示したものである。各構成要素についての詳細な説明は前述した通りである。
【００６３】
線形偏光層２２の詳細な構造は、図８のＣの拡大図である図９に図示されている。１／４波長位相差層２１の下面にグリッド１２が形成され、グリッド１２の下面に低反射率部材１３が形成される。
【００６４】
この実施形態においても、前述したように基板２０の下部から入射する外光がグリッド１２で反射されるのを低反射率部材１３が最小化して、コントラスト向上効果を増大させることができる。
【００６５】
以上説明したのは、基板２０の方向に画像が具現される背面発光型有機発光装置の例であるが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明は発光層で具現される画像が、基板２０の方向ではなく、基板２０の逆方向に向かって具現される前面発光型構造にも同一に適用できる。
【００６６】
図１０は、本発明の他の一実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した断面図であり、有機発光表示装置は、基板２０、基板２０上の反射膜３４、有機発光素子３０、密封部材５０を備える。
【００６７】
基板２０は、前述したように透明なガラス基板２０が使われうるが、必ず透明である必要はない。また、フレキシブルな性質を持つためにプラスチックや、金属を使用してもよい。この時、金属表面には絶縁膜をさらに形成する。
【００６８】
基板２０の一面に形成された反射膜３４は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で形成できる。反射膜３４上に第１電極３１を仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などで形成できる。第１電極３１はアノード機能を行うが、もし、第１電極３１がカソード機能を行うならば、第１電極３１層をＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で形成して反射膜３４を兼ねるようにすることができる。以下では、第１電極３１がアノード機能を行う例を基本として説明する。
【００６９】
第２電極３３は、透過型電極で形成する。仕事関数の小さなＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇなどの金属で半透過膜になるように薄く形成できる。もちろん、このような金属半透過膜上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電体を形成して、厚さが薄くなるにつれて生じる高抵抗問題を解決できる。
【００７０】
第１電極３１と第２電極３３との間に形成される有機発光層３２は、前述した通りである。
【００７１】
有機発光素子３０上に有機発光素子３０を封止する密封部材５０が形成される。密封部材５０は、外部の水分や酸素などから有機発光素子３０を保護するために形成するものであり、透明な材質からなる。このために、ガラス基板２０、プラスチック基板２０または複数の有機物と無機物との重畳した構造とすることもできる。
【００７２】
密封部材５０の上面、すなわち、有機発光素子３０に向かわずに外部に向かう面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２を順次形成する。線形偏光層２２の構造は、図１０のＤの拡大図である図１１に詳細に図示されている。密封部材５０上にグリッド１２が形成されており、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されている。図１１でグリッドと低反射率部材との構造も図１での構造と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００７３】
本実施形態によれば、画像が具現される方向から入射される外光、すなわち、図１０で上部から入射される外光は、線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１の順序で通過した後、反射膜３４の表面で反射されて出る時、最終的に線形偏光層２２を通過できなくなる。その原理は、前述した通りである。
【００７４】
また図１１に示したように、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されて図面の上部方向から外光が入射される時、グリッド１２で外光が反射することを低反射率部材１３が防止してコントラスト向上効果を増大させる。
【００７５】
図１２は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置のさらに他の一例を図示した断面図である。密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次形成される。線形偏光層２２の構造は、図１２のＥの拡大図である図１３に詳細に図示されている。密封部材５０の下面に低反射率部材１３が形成され、低反射率部材１３の下面にグリッド１２が形成される。以下、詳細な構造及び効果は前述した通りであるので省略する。
【００７６】
図１４は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の他の一例を図示した断面図である。密封部材５０の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、有機発光素子３０に向かう他面に１／４波長位相差層２１が形成される。線形偏光層２２の構造は、図１４のＦの拡大図である図１５に詳細に図示されている。密封部材の上面にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される。以下、詳細な構造及び効果は前述した通りであるので、省略する。
【００７７】
図１６は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置のさらに他の例を図示した断面図である。基板２０上に反射膜３４を形成し、反射膜３４上に有機発光素子３０を形成し、有機発光素子３０上に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に線形偏光層２２を形成する。線形偏光層２２の構造は、図１６のＧの拡大図である図１７に詳細に図示されている。１／４波長位相差層２１上にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される構造である。この時、第２電極３３層と１／４波長位相差層２１との間に保護層４０を形成できる。保護層４０は、１／４波長位相差層２１が形成される時、工程上、第２電極３３層が損傷することを防止するためのものである。
【００７８】
保護層４０は無機物または有機物で形成する。無機物としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物及びこれらの化合物が使われうる。金属酸化物としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ、及びこれらの化合物が使われうる。金属窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化シリコン及びこれらの化合物が使われうる。金属炭化物としては、炭化シリコンが使われ、金属酸窒化物としては、酸窒化シリコンが使われうる。無機物としては、これ以外にもシリコンが使われ、シリコン及びメタルそれぞれのセラミック誘導体が使われてもよい。それだけでなく、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）なども使用できる。
【００７９】
有機物としては、有機ポリマー、有機金属ポリマー、及びハイブリッド有機／無機ポリマーなどが使われ、アクリル樹脂が使われうる。
【００８０】
図１８は、本発明の他の一実施形態に関する前面発光型有機発光装置のさらに他の一例を図示したものである。１／４波長位相差層２１と線形偏光層２２とが反射膜３４と有機発光素子３０との間に成膜された例を示す。線形偏光層２２の構造は、図１８のＨの拡大図である図１９に詳細に図示されている。１／４波長位相差層２１上にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される。この場合にも、図面の上部方向から入射された外光は、線形偏光層２２を通過しつつ透過軸に平行な直線偏光になり、１／４波長位相差層２１層を通過しつつ一方向の回転円偏光になり、反射膜３４で反射された後、他方向の回転円偏光になる。この他方向の回転円偏光が１／４波長位相差層２１を再通過しつつ透過軸に直交する直線偏光になり、この直線偏光は、線偏光層２２を通過できなくなって、外部では反射された外光がなくなる。
【００８１】
また、低反射率部材１３によってグリッド１２で外光が反射されることを最小化できる。
【００８２】
図示していないが、反射膜３４の上面に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０を形成し、この有機発光素子３０上に線形偏光層２２を形成してもよい。
【００８３】
図２０は、本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００８４】
図２０の有機発光表示装置は、図４と同様に、基板２０の上面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次形成されたものであり、この１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図４及び図５と同一であって省略する。
【００８５】
１／４波長位相差層２１上には、第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、この第１電極３１上にこれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するように形成されたセパレータ３６が形成されている。このセパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１に交差するようにパターニングされる。第２電極３３上に密封部材（図示せず）を備えて、有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングしてもよい。
【００８６】
図２０による実施形態の場合にも、前述した図４の実施形態のように、基板２０の下部から入り込む外光が反射されずにコントラストが向上し、かつ全体的なディスプレイ厚さが薄くなる。
【００８７】
また低反射率部材１３によってグリッド１２で外光の反射を最小化して、コントラスト向上効果を増大させる。
【００８８】
別途の図面で図示していないが、このような受動駆動型表示装置においても図６及び図８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【００８９】
図２１は、本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００９０】
図２１を参照すれば、基板２０の上面に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が形成されている。このＴＦＴは各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。
【００９１】
具体的に、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を順次形成する。線形偏光層２２の詳細な構造は図５と同様であるので、省略する。１／４波長位相差層２１上にバッファ層４１が形成され、バッファ層４１上に所定パターンの半導体層４２が形成される。半導体層４２の上部には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどで形成されるゲート絶縁膜４３が形成され、ゲート絶縁膜４３の上部の所定領域にはゲート電極４４が形成される。ゲート電極４４は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極４４の上部には層間絶縁膜４５が形成され、コンタクトホールを通じてソース電極４６及びドレイン電極４７が、それぞれ半導体層４２のソース及びドレイン領域に接するように形成される。このように形成されたＴＦＴは、パッシベーション膜４８で覆われて保護される。
【００９２】
パッシベーション膜４８の上部には、アノード電極になる第１電極３１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。この画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
【００９３】
能動駆動型構造においても、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順に積層されているために、図２１から見る時に、基板２０の下部方向から入り込んだ外光の反射を、この線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できるようになる。
【００９４】
また、線形偏光層２２は、グリッド１２と低反射率部材１３とを備え、グリッド１２での外光の反射を低反射率部材１３が最小化して、コントラスト向上効果を増大させる。
【００９５】
このようなＡＭ駆動方式の背面発光型有機発光表示装置において、前記線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は、線形偏光層２２が外光に向かう方向に配置され、１／４波長位相差層２１が有機発光素子３０に向かう方向に配置されるかぎり、基板２０、ＴＦＴ及び有機発光素子３０によりなるいかなる面に成膜されても構わない。すなわち、別途の図面で図示していないが、図６、図８のように、基板２０の一面または他面に１／４波長位相差層２１、線形偏光層２２を成膜した後、その上にＴＦＴ、有機発光素子３０を形成してもよく、１／４波長位相差層２１及び／または線形偏光層２２をＴＦＴの各層により形成される界面間に配置させてもよい。
【００９６】
したがって、たとえ図示していないにしても、ＴＦＴの上部に別途のパッシベーション膜４８が有機物及び／または無機物で形成されず、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが順次に層間絶縁膜４５上に形成されて、パッシベーション膜４８を代替することもありうる。
【００９７】
図２２は、本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００９８】
基板２０の上面に反射膜３４が形成され、この反射膜３４の上面に１／４波長位相差層及び線形偏光層２２が順次に形成されたものであり、線形偏光層２２上に有機発光素子３０が形成される。
【００９９】
線形偏光層２２の詳細な構造は、図１８及び図１９と同一であって、これについての詳細な説明は省略する。線形偏光層２２上に第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１上にこれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には、有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するようにセパレータ３６が形成されている。セパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１と交差するようにパターニングされている。第２電極３３上には密封部材（図示せず）が形成されて有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングすることもある。
【０１００】
この実施形態でも、外部から入り込む外光が反射されずにコントラストが向上し、かつ全体的なディスプレイの厚さが薄くなりうる。また、低反射率部材によってグリッドでの外光の反射を最小化して、コントラスト上昇効果を増大させる。
【０１０１】
別途の図面で図示していないが、このような前面発光型受動駆動型表示装置においても、図１０、図１２、図１４、図１６及び図１８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【０１０２】
図２３は、本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【０１０３】
図２３を参照すれば、基板２０の上面にＴＦＴが形成されている。このＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。ＴＦＴの構造は前述した図２１と同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
薄膜トランジスタ上にはＴＦＴを覆うようにパッシベーション膜４８が形成されており、このパッシベーション膜４８上に反射膜３４が形成される。そして、反射膜３４上にアノード電極になる第１電極３１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
【０１０５】
図２３による実施形態においては図１２による実施形態のように、密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に順次に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を形成する。線形偏光層２２の詳細な構造は図１３に示したものと同じなので省略する。
【０１０６】
図２３で見る時、図面の上部方向である密封部材５０の上側から入射される外光の反射を、この線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できるようになる。また、低反射率部材１３によってグリッド１２での外光の反射を最小化して、コントラスト上昇効果を増大させる。
【０１０７】
別途の図面で図示していないが、このような前面発光型能動駆動型表示装置においても、図１０、図１２、図１４、図１６及び図１８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【０１０８】
以上、図面に図示された実施形態を参考にして説明されたが、それらは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、有機発光表示装置のみに限定されるものではなく、発光素子として無機発光素子や、ＬＣＤ、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置のいずれにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図３】本発明の他の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図２０】本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２１】本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２２】本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２３】本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１０ 偏光子
１１ ベース
１２ グリッド
１３ 低反射率部材
２０ 基板
２１ １／４波長位相差層
２２ 線形偏光層
３０ 有機発光素子
３１ 第１電極
３２ 有機発光層
３３ 第２電極
３４ 反射膜
３５ 内部絶縁膜
３６ セパレータ
４０ 保護膜
４１ バッファ層
４２ 半導体層
４３ ゲート絶縁膜
４４ ゲート電極
４５ 層間絶縁膜
４６ ソース電極
４７ ドレイン電極
４８ パッシベーション膜
４９ 画素定義膜
５０ 密封部材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光子及びそれを備える平板表示装置に係り、より詳細には、明室コントラストと視認性とを向上させる偏光子及びそれを備える平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近来において、ディスプレイ装置は、携帯可能な薄型の平板表示装置に代替される勢いである。平板ディスプレイ装置のうちでも、電界発光表示装置は自発光型ディスプレイ装置であり、視野角が広くてコントラストに優れるだけでなく、応答速度が速いという長所を持っていて、次世代ディスプレイ装置として注目されている。また発光層の形成物質が有機物で構成される有機発光表示装置は、無機発光表示装置に比べて輝度、駆動電圧及び応答速度特性に優れて多色化が可能であるという点を持っている。
【０００３】
一方、平板表示装置は携帯可能で野外で使用可能なように、軽くて薄型に製造する。このとき、野外で画像を見る時に陽光が反射されて明室コントラスト及び視認性が低下するという問題がある。特に、有機発光表示装置では、金属反射膜でこのような反射が激しく、さらに大きい問題になる。
【０００４】
このような問題を解決するために、有機発光表示装置の一面に円偏光板を配置する。そして、このような円偏光板は、通常薄い金属で線形パターンを形成してワイヤーグリッド形態に作られた線形偏光板を備える。この時、金属を含む材質からなるグリッドは、その材質のために外光または平板表示装置で発生した光を反射して、コントラストが低下して輝度を低下させるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、明室コントラストと視認性とが向上した偏光子及びそれを備える平板表示装置を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ベースと、前記ベース上に形成されるグリッドと、前記グリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材と、を備える偏光子を開示する。
【０００７】
本発明において、前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態である。
【０００８】
本発明において、前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成される。
【０００９】
本発明において、前記低反射率部材は、有機物を含む。
【００１０】
本発明において、前記低反射率部材は、無機物を含む。
【００１１】
本発明において、前記低反射率部材は、金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなす。
【００１２】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含む。
【００１３】
本発明の他の側面によれば、基板と、前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成される密封部材と、前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち、一面に形成された１／４波長位相差層と、前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち、他の一面に形成され、前記１／４波長位相差層よりも前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、前記線形偏光層は、グリッド及び外光が入射される方向に前記グリッドよりも近く位置するように前記グリッドと積層される低反射率部材を備える有機発光表示装置を開示する。
【００１４】
本発明において、前記画像が前記基板の方向に具現され、前記線形偏光層は、低反射率部材の上面に前記グリッドが形成される構造である。
【００１５】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００１６】
本発明において、前記線形偏光層は前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００１７】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記基板上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成される。
【００１８】
本発明において、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成される。
【００１９】
本発明において、前記画像が前記密封部材の方向に具現され、前記線形偏光層は、グリッドの上面に低反射率部材が形成される構造である。
【００２０】
本発明において、前記１／４波長位相差層は前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は前記１／４波長位相差層上に形成される。
【００２１】
本発明において、前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護膜をさらに備える。
【００２２】
本発明において、前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成される。
【００２３】
本発明において、前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成される。
【００２４】
本発明において、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成される。
【００２５】
本発明において、前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は前記有機発光素子上に形成される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に関する偏光子及び平板表示装置は、外光の反射を効果的に防止し、偏光特性を向上させて明室コントラストと視認性とを増大させ、画質特性を大幅向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付された図面に図示された本発明に関する実施形態を参照して、本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００２８】
図１は、本発明の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【００２９】
図１及び図２を参照すれば、偏光子１０は、ベース１１、グリッド１２及び低反射率部材１３を備える。ベース１１上にグリッド１２及び低反射率部材１３が形成される。
【００３０】
ベース１１は、透明な材質からなりうる。これは、偏光子１０が配置されるディスプレイ装置で発生する光をよく通過させるためである。このために、ベース１１は、ガラスまたはフレキシブルなプラスチックを使用できるが、フィルム化のためにはプラスチックを含む材質で形成するのが望ましい。
【００３１】
ベース１１上にグリッド１２が形成される。グリッド１２は、電磁波で特定光のみを偏光させる目的で平行な導電体ワイヤを配列した形態である。グリッド１２を形成する導電体としては、アルミニウム、銀、クロム、ニッケル、コバルト、モリブデンなどの金属がある。グリッド１２は、各グリッド１２間に周期Ｐ１を持つ。そして、このような周期Ｐ１は、偏光子１０の性能を決定する重要な要素である。グリッド１２間の周期Ｐ１、すなわち、グリッド１２の中心間の距離が入射される光の波長に比べて長ければ、偏光子１０は、偏光機能よりは回折格子の機能を主に行う。一方、グリッド１２間の周期Ｐ１が入射される波長の光に比べて短いならば、グリッド１２は偏光機能を主に行う。
【００３２】
本発明の偏光子１０は低反射率部材１３を備える。図１及び図２を参照すれば、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されている。低反射率部材１３の厚さＴ２はグリッド１２の厚さＴ１と異なるが、低反射率部材１３の周期Ｐ２がグリッドの周期Ｐ１と同じになるように同じパターンで形成する。
【００３３】
低反射率部材１３は、反射率の低い物質を利用して形成できる。低反射率部材１３は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ルテニウムを使用して形成できる。このような材料を形成する場合に、反射率が低下して偏光特性が向上する。具体的な内容は、次の表１及び表２に明示されている。表１及び表２の結果を得るために、図１のような構造の偏光子１０を製作して実験を行ったが、このとき、グリッド１２の周期Ｐ１は１００ナノメートル、幅Ｗ１は５０ナノメートル、厚さＴ１は１００ナノメートルとし、低反射率部材１３の周期Ｐ２は１００ナノメートル、幅Ｗ２は５０ナノメートル、厚さＴ２は１００ナノメートルとした。
【００３４】
【表１】
【００３５】
表１は、前述した材料を利用して図１の偏光子１０を形成して、可視光線の反射率値を測定した表である。
【００３６】
表１を参照すれば、グリッド１２の材質であるアルミニウムの場合、可視光線に対する反射率が青色、緑色、赤色いずれも５０％以上の値を表す。しかし、本発明の一実施形態に関する偏光子１０に含まれる低反射率部材１３を使用すれば、可視光線の反射率は、アルミニウムの場合と比較する時にほぼ半分ほどに低くなる。表１で分かるように、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ルテニウムいずれも可視光線のあらゆる波長帯で３０％以下の低い反射率を表す。
【００３７】
【表２】
【００３８】
表２は、前述した材料を利用して図１の偏光子１０を形成して、偏光消滅比を測定した値を示す表である。（表２において、「E+03」及び「E+06」などは、それぞれ「×103」及び「×106」を意味するものである。）
【００３９】
表２を参照すれば、偏光子１０の特性がわかる偏光消滅比（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）も、アルミニウムに比べて低反射率部材が優秀であるということが分かる。偏光消滅比は、Ｓ偏光が入射する時に入射されるＳ波と透過されるＳ波との光パワーの比であり、高い値を持つほど偏光性能が優秀である。
【００４０】
表２で分かるように、低反射率部材１３のうちＣｄＳｅ、ＣｄＴｅは、アルミニウムに比べて２倍以上の偏光消滅比値を表し、ルテニウムは１０００倍以上の偏光消滅比値を表す。
【００４１】
低反射率部材１３は、誘電物質を含むことができる。低反射率部材１３は、有機物または無機物を含む多様な誘電物質を使用して形成できる。無機物で低反射率部材１３を形成する場合に、ＳｉＯｘ（ｘ≧１）、ＳｉＮｘ（ｘ≧１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、及び窒化物のような材料を利用できる。
【００４２】
有機物で低反射率部材１３を形成する場合に、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ ｏｒ ＰＥＴＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエステル、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリビニリデンクロライド（ＰＶＤＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ乳酸（Ｐｏｌｙｌａｃｔｉｃ ａｃｉｄ：ＰＬＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）のような材料を利用できる。また、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子有機物も使用できる。
【００４３】
また低反射率部材１３は金属を含み、金属と誘電物質とが混合物をなすように形成できる。すなわち、金属と誘電物質とを共蒸着して混合物を形成して、反射率が低くて吸収係数の高い低反射率部材を形成できる。金属は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ａｇ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｐｔのような物質でありうる。金属と混合物をなす誘電物質は、有機物、無機物、有機物と無機物との化合物でありうる。金属と混合物をなす無機物は、ＳｉＯｘ（ｘ≧１）、ＳｉＮｘ（ｘ≧１）、ＭｇＦ２、ＣａＦ２、Ａｌ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ａｇ２Ｏ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、及び窒化物のような材料でありうる。
【００４４】
金属と混合物をなす有機物は、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ ｏｒ ＰＥＴＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリエステル、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、アクリロニトリルブタジエンスチレン（ＡＢＳ）、ポリビニリデンクロライド（ＰＶＤＣ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリ乳酸（Ｐｏｌｙｌａｃｔｉｃ ａｃｉｄ：ＰＬＡ）、ポリウレタン（ＰＵ）のような高分子材料を利用できる。また、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子有機物も使用できる。そして、前述した有機物と無機物との化合物を金属と混合して低反射率部材１３を形成できる。
【００４５】
低反射率部材１３はグリッド１２上に形成されてグリッド１２の上面を覆う。すなわち、このような構造の偏光子１０でベース１１の両面のうち、グリッド１２が形成されている面に向かうように外光が入射される時、外光が金属のグリッド１２上で反射するのを低反射率部材１３が抑える。このような効果のために、低反射率部材１３の幅Ｗ２はグリッド１２の幅Ｗ１と同じにする。グリッド１２を形成するための導電体物質を塗布し、その上に低反射率部材１３を形成する物質を塗布した後、マスクを利用したパターニングを行ってこのような構造を容易に得ることができる。
【００４６】
図３は、本発明の他の実施形態に関する偏光子１０の構造を示す。説明の便宜のために前述した実施形態と異なる点を中心に説明する。図２に図示された偏光子１０の構造と比較する時、低反射率部材１３の位置だけが異なる。低反射率部材１３は、ベース１１とグリッド１２との間に形成される。これは、偏光子１０に外光が入射される時、ベース１１の両面のうちグリッド１２が形成されていない面に向かうように入射される場合、グリッド１２の底面で外光が反射されることを防止するための構造である。
【００４７】
本発明の偏光子を有機発光表示装置、液晶表示装置、プロジェクション装置のような平板表示装置に利用できる。以下では、本発明の偏光子が備えられた有機発光表示装置を説明する。本発明の有機発光表示装置では、ベース１１は別途に必要とせず、グリッド１２及び低反射率部材１３で形成された線形偏光層２２を基板２０及び密封部材５０（図１２及び図１３）に直接形成する。後述する線形偏光層２２でグリッド１２及び低反射率部材１３は、前述した偏光子１０でベース１１のみを除いて同一であるので、具体的な構造、材料及び形成方法などについては説明を省略する。
【００４８】
図４は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。図４に示したように、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置は、透明な素材からなる基板２０、基板２０上に順次形成される線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１、有機発光素子３０及び密封部材（図示せず）を備える。
【００４９】
基板２０は、ＳｉＯ２を主成分とする透明なガラス材質からなりうる。たとえ図示していないにしても、基板２０の上面には基板２０の平滑性及び不純元素の浸透の遮断のためにバッファ層をさらに備えることができ、バッファ層は、ＳｉＯ２及び／またはＳｉＮｘなどで形成できる。基板２０は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成してもよい。
【００５０】
基板２０の上面に線形偏光層２２が形成される。図５は、図４のＡの拡大図であり、線形偏光層２２の構造をさらに明確に示す。グリッド１２より低反射率部材１３を外光が入射する方向に近く位置させる。図４は、背面発光型であって基板２０側に外光が入射するので、基板２０上に低反射率部材１３が形成され、低反射率部材１３上にグリッド１２が形成される。低反射率部材１３とグリッド１２のそれぞれの材料、構造及び形成法は、前述した実施形態と同様であるので省略する。
【００５１】
線形偏光層２２上に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１上には有機発光素子３０を形成する。線形偏光層２２、１／４波長位相差層２１の積層順序は、外光の入射方向に線形偏光層２２を配置させ、その内側に１／４波長位相差層２１を配置する。線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１との間には他の透光性部材が介在されてもよい。
【００５２】
有機発光素子３０は、互いに対向する第１電極３１、第２電極３３及び有機発光層３２を備える。第１電極３１は透明素材の伝導性物質で形成できるが、ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯなどで形成でき、フォトリソグラフィ法により所定のパターンで形成できる。第１電極３１のパターンは、受動駆動型（Ｐａｓｓｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＰＭ）の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインで形成され、能動駆動型（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ ｔｙｐｅ：ＡＭ）の場合には、画素に対応する形態に形成できる。第１電極３１の上部に第２電極３３が配置されるが、第２電極３３は反射型電極からなり、アルミニウム、銀及び／またはカルシウムなどで形成され、外部端子（図示せず）に連結してカソード電極として作用できる。第２電極３３は、受動駆動型の場合には第１電極３１のパターンに直交するストライプ状であり、能動駆動型の場合には画像が具現されるアクティブ領域全体にわたって形成されうる。第１電極３１の極性と第２電極３３の極性とは互いに逆になっても構わない。
【００５３】
第１電極３１と第２電極３３との間に介在された有機発光層３２は、第１電極３１と第２電極３３との電気的駆動により発光する。有機発光層３２は、低分子または高分子有機物を使用できる。有機発光層３２が低分子有機物で形成される場合、有機発光層３２を中心に第１電極３１の方向にホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第２電極３３の方向に電子輸送層及び電子注入層などが積層される。それ以外にも必要に応じて多様な層が積層されうる。使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。
【００５４】
一方、高分子有機物で形成された高分子有機層の場合には、有機発光層３２を中心に第１電極３１の方向にホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）のみ含まれうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ：ｐｏｌｙ−（２，４）−ｅｔｈｙｌｅｎｅ−ｄｉｈｙｄｒｏｘｙ ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）や、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用してインクジェットプリンティングやスピンコーティングの方法により第１電極３１層の上部に形成され、高分子有機発光層３２は、ＰＰＶ、可溶性ＰＰＶ、シアノＰＰＶ、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティングやスピンコーティングまたはレーザーを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。
【００５５】
本発明の一実施形態において、有機発光素子３０から放出される光は、図４に示したように基板２０の方向に放出され、ユーザは、図４の下部、すなわち、基板２０の下側外部から画像を観察できる。このような背面発光型構造で太陽光熱のような外光が基板２０を通じて入り込んでコントラストを低下させる恐れがある。
【００５６】
しかし、本発明によれば、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが円偏光層を形成して外光の反射を最小化できる。基板２０の下側外部から入射される外光は、線形偏光層２２の吸収軸に沿う方向の成分は吸収され、透過軸に沿う方向の成分は透過される。この透過軸による方向の成分は、１／４波長位相差層２１を過ぎつつ一方向に回転される円偏光に変換される。円偏光は、有機発光素子３０の第２電極３３により反射される。反射されるときに一方向に回転する円偏光は、他の方向に回転する円偏光になり、１／４波長位相差層２１を過ぎつつ最初の透過軸に直交する方向の直線偏光に変換される。直線偏光は、線形偏光層２２の吸収軸により吸収されて基板２０の下側外部に出なくなる。したがって、外光反射が最小化され、コントラストがさらに向上する効果を得ることができる。
【００５７】
さらに、本発明の線形偏光層２２は、グリッド１２と、グリッド１２より外光が入射される方向に近く積層される低反射率部材１３とで形成されている。それにより、基板２０を通じて入射された外光が線形偏光層２２に到達する時、金属材質のグリッド１２で外光が反射するのを低反射率部材１３が減少させ、結果的にコントラスト向上効果を増大させることができる。
【００５８】
また、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とは基板２０上に直接形成される構造であるので、接着層などが不要で薄い有機発光表示装置を具現でき、発光層から具現された画像が接着層を通過しないので、輝度が上昇する。
【００５９】
線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は多様な方法で形成できる。そして、このような構造は、前述した背面発光型の場合だけでなく前面発光型の場合にも外光の入射方向を考慮して変形適用できる。
【００６０】
図６は、本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の他の一例を図示した断面図である。基板２０の両面のうち外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、他面に１／４波長位相差層２１が形成される。１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図６の拡大図である図７に図示されている。外光の入射方向である図面の下方に低反射率部材が形成され、その上にグリッドが形成される構造である。各構成要素についての説明は前述した通りであるので、省略する。この実施形態でも基板２０の外側から入射された外光は、線形偏光層２２を通過しつつ透過軸に平行な直線偏光になり、基板２０を経て１／４波長位相差層２１を通過しつつ一方向の回転円偏光になり、第２電極３３層で反射した後、他方向の回転円偏光になる。この他方向の回転円偏光が、１／４波長位相差層２１を再通過しつつ透過軸に直交する直線偏光になり、この直線偏光は線形偏光層２２を通過できず、基板２０の下方外部では反射された外光が見られないので、外光の減少によるコントラスト向上効果がある。
【００６１】
さらに、前述したように線形偏光層２２は、基板２０の下部に入射する外光がグリッド１２で反射することを防止するために低反射率部材１３を備えて、コントラスト上昇効果が上昇する。
【００６２】
図８は、本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置のさらに他の一例を図示した断面図である。基板の両面のうち、外部に向かう一面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２が順次形成され、基板の他面に有機発光素子３０が形成された例を図示したものである。各構成要素についての詳細な説明は前述した通りである。
【００６３】
線形偏光層２２の詳細な構造は、図８のＣの拡大図である図９に図示されている。１／４波長位相差層２１の下面にグリッド１２が形成され、グリッド１２の下面に低反射率部材１３が形成される。
【００６４】
この実施形態においても、前述したように基板２０の下部から入射する外光がグリッド１２で反射されるのを低反射率部材１３が最小化して、コントラスト向上効果を増大させることができる。
【００６５】
以上説明したのは、基板２０の方向に画像が具現される背面発光型有機発光装置の例であるが、本発明は必ずしもこれに限定されるものではなく、本発明は発光層で具現される画像が、基板２０の方向ではなく、基板２０の逆方向に向かって具現される前面発光型構造にも同一に適用できる。
【００６６】
図１０は、本発明の他の一実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した断面図であり、有機発光表示装置は、基板２０、基板２０上の反射膜３４、有機発光素子３０、密封部材５０を備える。
【００６７】
基板２０は、前述したように透明なガラス基板２０が使われうるが、必ず透明である必要はない。また、フレキシブルな性質を持つためにプラスチックや、金属を使用してもよい。この時、金属表面には絶縁膜をさらに形成する。
【００６８】
基板２０の一面に形成された反射膜３４は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で形成できる。反射膜３４上に第１電極３１を仕事関数の大きいＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などで形成できる。第１電極３１はアノード機能を行うが、もし、第１電極３１がカソード機能を行うならば、第１電極３１層をＡｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物で形成して反射膜３４を兼ねるようにすることができる。以下では、第１電極３１がアノード機能を行う例を基本として説明する。
【００６９】
第２電極３３は、透過型電極で形成する。仕事関数の小さなＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇなどの金属で半透過膜になるように薄く形成できる。もちろん、このような金属半透過膜上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明な導電体を形成して、厚さが薄くなるにつれて生じる高抵抗問題を解決できる。
【００７０】
第１電極３１と第２電極３３との間に形成される有機発光層３２は、前述した通りである。
【００７１】
有機発光素子３０上に有機発光素子３０を封止する密封部材５０が形成される。密封部材５０は、外部の水分や酸素などから有機発光素子３０を保護するために形成するものであり、透明な材質からなる。このために、ガラス基板２０、プラスチック基板２０または複数の有機物と無機物との重畳した構造とすることもできる。
【００７２】
密封部材５０の上面、すなわち、有機発光素子３０に向かわずに外部に向かう面に１／４波長位相差層２１及び線形偏光層２２を順次形成する。線形偏光層２２の構造は、図１０のＤの拡大図である図１１に詳細に図示されている。密封部材５０上にグリッド１２が形成されており、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されている。図１１でグリッドと低反射率部材との構造も図１での構造と同様であるので、詳細な説明は省略する。
【００７３】
本実施形態によれば、画像が具現される方向から入射される外光、すなわち、図１０で上部から入射される外光は、線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１の順序で通過した後、反射膜３４の表面で反射されて出る時、最終的に線形偏光層２２を通過できなくなる。その原理は、前述した通りである。
【００７４】
また図１１に示したように、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成されて図面の上部方向から外光が入射される時、グリッド１２で外光が反射することを低反射率部材１３が防止してコントラスト向上効果を増大させる。
【００７５】
図１２は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置のさらに他の一例を図示した断面図である。密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次形成される。線形偏光層２２の構造は、図１２のＥの拡大図である図１３に詳細に図示されている。密封部材５０の下面に低反射率部材１３が形成され、低反射率部材１３の下面にグリッド１２が形成される。以下、詳細な構造及び効果は前述した通りであるので省略する。
【００７６】
図１４は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の他の一例を図示した断面図である。密封部材５０の両面のうち、外部に向かう一面に線形偏光層２２が形成され、有機発光素子３０に向かう他面に１／４波長位相差層２１が形成される。線形偏光層２２の構造は、図１４のＦの拡大図である図１５に詳細に図示されている。密封部材の上面にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される。以下、詳細な構造及び効果は前述した通りであるので、省略する。
【００７７】
図１６は、本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置のさらに他の例を図示した断面図である。基板２０上に反射膜３４を形成し、反射膜３４上に有機発光素子３０を形成し、有機発光素子３０上に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に線形偏光層２２を形成する。線形偏光層２２の構造は、図１６のＧの拡大図である図１７に詳細に図示されている。１／４波長位相差層２１上にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される構造である。この時、第２電極３３層と１／４波長位相差層２１との間に保護層４０を形成できる。保護層４０は、１／４波長位相差層２１が形成される時、工程上、第２電極３３層が損傷することを防止するためのものである。
【００７８】
保護層４０は無機物または有機物で形成する。無機物としては、金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、金属酸窒化物及びこれらの化合物が使われうる。金属酸化物としては、酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ、ＩＴＯ、及びこれらの化合物が使われうる。金属窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化シリコン及びこれらの化合物が使われうる。金属炭化物としては、炭化シリコンが使われ、金属酸窒化物としては、酸窒化シリコンが使われうる。無機物としては、これ以外にもシリコンが使われ、シリコン及びメタルそれぞれのセラミック誘導体が使われてもよい。それだけでなく、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ−Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）なども使用できる。
【００７９】
有機物としては、有機ポリマー、有機金属ポリマー、及びハイブリッド有機／無機ポリマーなどが使われ、アクリル樹脂が使われうる。
【００８０】
図１８は、本発明の他の一実施形態に関する前面発光型有機発光装置のさらに他の一例を図示したものである。１／４波長位相差層２１と線形偏光層２２とが反射膜３４と有機発光素子３０との間に成膜された例を示す。線形偏光層２２の構造は、図１８のＨの拡大図である図１９に詳細に図示されている。１／４波長位相差層２１上にグリッド１２が形成され、グリッド１２上に低反射率部材１３が形成される。この場合にも、図面の上部方向から入射された外光は、線形偏光層２２を通過しつつ透過軸に平行な直線偏光になり、１／４波長位相差層２１層を通過しつつ一方向の回転円偏光になり、反射膜３４で反射された後、他方向の回転円偏光になる。この他方向の回転円偏光が１／４波長位相差層２１を再通過しつつ透過軸に直交する直線偏光になり、この直線偏光は、線偏光層２２を通過できなくなって、外部では反射された外光がなくなる。
【００８１】
また、低反射率部材１３によってグリッド１２で外光が反射されることを最小化できる。
【００８２】
図示していないが、反射膜３４の上面に１／４波長位相差層２１を形成し、１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０を形成し、この有機発光素子３０上に線形偏光層２２を形成してもよい。
【００８３】
図２０は、本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００８４】
図２０の有機発光表示装置は、図４と同様に、基板２０の上面に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順次形成されたものであり、この１／４波長位相差層２１上に有機発光素子３０が形成される。線形偏光層２２の詳細な構造は、図４及び図５と同一であって省略する。
【００８５】
１／４波長位相差層２１上には、第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、この第１電極３１上にこれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するように形成されたセパレータ３６が形成されている。このセパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１に交差するようにパターニングされる。第２電極３３上に密封部材（図示せず）を備えて、有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングしてもよい。
【００８６】
図２０による実施形態の場合にも、前述した図４の実施形態のように、基板２０の下部から入り込む外光が反射されずにコントラストが向上し、かつ全体的なディスプレイ厚さが薄くなる。
【００８７】
また低反射率部材１３によってグリッド１２で外光の反射を最小化して、コントラスト向上効果を増大させる。
【００８８】
別途の図面で図示していないが、このような受動駆動型表示装置においても図６及び図８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【００８９】
図２１は、本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００９０】
図２１を参照すれば、基板２０の上面に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）が形成されている。このＴＦＴは各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。
【００９１】
具体的に、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を順次形成する。線形偏光層２２の詳細な構造は図５と同様であるので、省略する。１／４波長位相差層２１上にバッファ層４１が形成され、バッファ層４１上に所定パターンの半導体層４２が形成される。半導体層４２の上部には、ＳｉＯ２、ＳｉＮｘなどで形成されるゲート絶縁膜４３が形成され、ゲート絶縁膜４３の上部の所定領域にはゲート電極４４が形成される。ゲート電極４４は、ＴＦＴオン／オフ信号を印加するゲートライン（図示せず）と連結されている。ゲート電極４４の上部には層間絶縁膜４５が形成され、コンタクトホールを通じてソース電極４６及びドレイン電極４７が、それぞれ半導体層４２のソース及びドレイン領域に接するように形成される。このように形成されたＴＦＴは、パッシベーション膜４８で覆われて保護される。
【００９２】
パッシベーション膜４８の上部には、アノード電極になる第１電極３１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。この画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
【００９３】
能動駆動型構造においても、基板２０上に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１が順に積層されているために、図２１から見る時に、基板２０の下部方向から入り込んだ外光の反射を、この線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できるようになる。
【００９４】
また、線形偏光層２２は、グリッド１２と低反射率部材１３とを備え、グリッド１２での外光の反射を低反射率部材１３が最小化して、コントラスト向上効果を増大させる。
【００９５】
このようなＡＭ駆動方式の背面発光型有機発光表示装置において、前記線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１は、線形偏光層２２が外光に向かう方向に配置され、１／４波長位相差層２１が有機発光素子３０に向かう方向に配置されるかぎり、基板２０、ＴＦＴ及び有機発光素子３０によりなるいかなる面に成膜されても構わない。すなわち、別途の図面で図示していないが、図６、図８のように、基板２０の一面または他面に１／４波長位相差層２１、線形偏光層２２を成膜した後、その上にＴＦＴ、有機発光素子３０を形成してもよく、１／４波長位相差層２１及び／または線形偏光層２２をＴＦＴの各層により形成される界面間に配置させてもよい。
【００９６】
したがって、たとえ図示していないにしても、ＴＦＴの上部に別途のパッシベーション膜４８が有機物及び／または無機物で形成されず、線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが順次に層間絶縁膜４５上に形成されて、パッシベーション膜４８を代替することもありうる。
【００９７】
図２２は、本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【００９８】
基板２０の上面に反射膜３４が形成され、この反射膜３４の上面に１／４波長位相差層及び線形偏光層２２が順次に形成されたものであり、線形偏光層２２上に有機発光素子３０が形成される。
【００９９】
線形偏光層２２の詳細な構造は、図１８及び図１９と同一であって、これについての詳細な説明は省略する。線形偏光層２２上に第１電極３１が所定のストライプパターンで形成されており、第１電極３１上にこれを区画するように内部絶縁膜３５が形成されている。そして、内部絶縁膜３５上には、有機発光層３２及び第２電極３３のパターニングのために、第１電極３１に直交するようにセパレータ３６が形成されている。セパレータ３６により、有機発光層３２及び第２電極３３は、第１電極３１と交差するようにパターニングされている。第２電極３３上には密封部材（図示せず）が形成されて有機発光素子３０を外気から遮断する。場合によっては、セパレータ３６なしに有機発光層３２及び第２電極３３をパターニングすることもある。
【０１００】
この実施形態でも、外部から入り込む外光が反射されずにコントラストが向上し、かつ全体的なディスプレイの厚さが薄くなりうる。また、低反射率部材によってグリッドでの外光の反射を最小化して、コントラスト上昇効果を増大させる。
【０１０１】
別途の図面で図示していないが、このような前面発光型受動駆動型表示装置においても、図１０、図１２、図１４、図１６及び図１８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【０１０２】
図２３は、本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【０１０３】
図２３を参照すれば、基板２０の上面にＴＦＴが形成されている。このＴＦＴは、各画素別に少なくとも一つずつ形成されるが、有機発光素子３０に電気的に連結される。ＴＦＴの構造は前述した図２１と同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
薄膜トランジスタ上にはＴＦＴを覆うようにパッシベーション膜４８が形成されており、このパッシベーション膜４８上に反射膜３４が形成される。そして、反射膜３４上にアノード電極になる第１電極３１が形成され、これを覆うように絶縁物で画素定義膜４９が形成される。画素定義膜４９に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に有機発光層３２を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第２電極３３が形成される。
【０１０５】
図２３による実施形態においては図１２による実施形態のように、密封部材５０の両面のうち、有機発光素子３０に向かう一面に順次に線形偏光層２２及び１／４波長位相差層２１を形成する。線形偏光層２２の詳細な構造は図１３に示したものと同じなので省略する。
【０１０６】
図２３で見る時、図面の上部方向である密封部材５０の上側から入射される外光の反射を、この線形偏光層２２と１／４波長位相差層２１とが遮断できるようになる。また、低反射率部材１３によってグリッド１２での外光の反射を最小化して、コントラスト上昇効果を増大させる。
【０１０７】
別途の図面で図示していないが、このような前面発光型能動駆動型表示装置においても、図１０、図１２、図１４、図１６及び図１８のような構造がそのまま適用されうるということは言うまでもない。
【０１０８】
以上、図面に図示された実施形態を参考にして説明されたが、それらは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は、有機発光表示装置のみに限定されるものではなく、発光素子として無機発光素子や、ＬＣＤ、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置のいずれにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１０】
【図１】本発明の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図３】本発明の他の一実施形態に関する偏光子を図示した概略的な断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に関する背面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１７】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１８】本発明の他の実施形態に関する前面発光型有機発光表示装置の例を拡大図示した概略的な断面図である。
【図１９】本発明の他の実施形態に関する各線形偏光層を拡大図示した概略的な断面図である。
【図２０】本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２１】本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の背面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２２】本発明のさらに他の一実施形態に関する受動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【図２３】本発明のさらに他の一実施形態に関する能動駆動方式の前面発光型有機発光表示装置の一例を図示した概略的な断面図である。
【符号の説明】
【０１１１】
１０ 偏光子
１１ ベース
１２ グリッド
１３ 低反射率部材
２０ 基板
２１ １／４波長位相差層
２２ 線形偏光層
３０ 有機発光素子
３１ 第１電極
３２ 有機発光層
３３ 第２電極
３４ 反射膜
３５ 内部絶縁膜
３６ セパレータ
４０ 保護膜
４１ バッファ層
４２ 半導体層
４３ ゲート絶縁膜
４４ ゲート電極
４５ 層間絶縁膜
４６ ソース電極
４７ ドレイン電極
４８ パッシベーション膜
４９ 画素定義膜
５０ 密封部材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
前記ベース上に形成されるグリッドと、
前記グリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材と、を備えることを特徴とする偏光子。
【請求項２】
前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態であることを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項３】
前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項４】
前記低反射率部材は、有機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項５】
前記低反射率部材は、無機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項６】
前記低反射率部材は、金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなすことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項７】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項６に記載の偏光子。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、
前記有機発光素子上に形成される密封部材と、
前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち、一面に形成された１／４波長位相差層と、
前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち、他の一面に形成され、前記１／４波長位相差層よりも前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、
前記線形偏光層は、グリッド及び外光が入射される方向に前記グリッドよりも近く位置するように前記グリッドと積層される低反射率部材を備えることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項９】
前記画像が前記基板の方向に具現され、
前記線形偏光層は、低反射率部材の上面に前記グリッドが形成される構造であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記線形偏光層は前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記１／４波長位相差層は前記基板上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
前記線形偏光層は、グリッドの上面に低反射率部材が形成される構造であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記１／４波長位相差層は前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は前記有機発光素子上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２３】
前記低反射率部材は、有機物を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２４】
前記低反射率部材は、無機物を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２５】
前記低反射率部材は金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなすことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２６】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１】
ベースと、
前記ベース上に形成されるグリッドと、
前記グリッドの面のうち、外光が入射される方向の一面上に形成された低反射率部材と、を備えることを特徴とする偏光子。
【請求項２】
前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態であることを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項３】
前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成されることを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項４】
前記低反射率部材は、有機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項５】
前記低反射率部材は、無機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項６】
前記低反射率部材は、金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなすことを特徴とする請求項１に記載の偏光子。
【請求項７】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項６に記載の偏光子。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成されて画像を具現する有機発光素子と、
前記有機発光素子上に形成される密封部材と、
前記基板、有機発光素子及び密封部材により形成される面のうち、一面に形成された１／４波長位相差層と、
前記基板、有機発光素子、密封部材及び１／４波長位相差層により形成される面のうち、他の一面に形成され、前記１／４波長位相差層よりも前記画像が具現される方向に近く位置する線形偏光層と、を備え、
前記線形偏光層は、グリッド及び外光が入射される方向に前記グリッドよりも近く位置するように前記グリッドと積層される低反射率部材を備えることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項９】
前記画像が前記基板の方向に具現され、
前記線形偏光層は、低反射率部材の上面に前記グリッドが形成される構造であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記線形偏光層は前記基板上に形成され、前記１／４波長位相差層は前記線形偏光層上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記１／４波長位相差層は前記基板上に形成され、前記有機発光素子は前記１／４波長位相差層上に形成され、前記線形偏光層は前記基板の両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記基板の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記画像が前記密封部材の方向に具現され、
前記線形偏光層は、グリッドの上面に低反射率部材が形成される構造であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
前記１／４波長位相差層は前記有機発光素子上に形成され、前記線形偏光層は前記１／４波長位相差層上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記有機発光素子と前記１／４波長位相差層との間に保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
前記１／４波長位相差層及び線形偏光層は、前記密封部材の両面のうち、前記有機発光素子が形成される面の反対面に順次形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１８】
前記１／４波長位相差層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記線形偏光層は、前記密封部材の前記両面のうち、前記１／４波長位相差層が形成された面の反対面に形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項１９】
前記線形偏光層は、前記密封部材の前記有機発光素子に向かう面に形成され、前記１／４波長位相差層は、前記線形偏光層の前記有機発光素子に向かう面に形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項２０】
前記基板と前記有機発光素子との間に介在された反射膜をさらに備え、前記１／４波長位相差層は前記反射膜と前記有機発光素子との間に形成され、前記線形偏光層は前記有機発光素子上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機発光表示装置。
【請求項２１】
前記低反射率部材は、前記グリッドと同じパターンでグリッドと積層される形態であることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２２】
前記低反射率部材は、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅまたはルテニウムを含む材料で形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２３】
前記低反射率部材は、有機物を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２４】
前記低反射率部材は、無機物を含むことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２５】
前記低反射率部材は金属と誘電物質とを含み、前記金属と前記誘電物質とは混合物をなすことを特徴とする請求項８に記載の有機発光表示装置。
【請求項２６】
前記誘電物質は、有機物、無機物、及び有機物と無機物との化合物からなる群から選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項２５に記載の有機発光表示装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【公開番号】特開２００８−４６６３７（Ｐ２００８−４６６３７Ａ）
【公開日】平成２０年２月２８日（２００８．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２１０２６１（Ｐ２００７−２１０２６１）
【出願日】平成１９年８月１０日（２００７．８．１０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年２月２８日（２００８．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年８月１０日（２００７．８．１０）
【出願人】（５９０００２８１７）三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Ｆターム（参考）】
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