処理システム
【課題】
システム内に形成された気流を乱すようなことがない処理システムを提供すること。
【解決手段】
第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３５〜１３８の排気量が多くなり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるようになっている。第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、このように強められたダウンフローによって吸収される。
システム内に形成された気流を乱すようなことがない処理システムを提供すること。
【解決手段】
第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３５〜１３８の排気量が多くなり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるようになっている。第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、このように強められたダウンフローによって吸収される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体デバイス製造に用いられる処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処理している。このような一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】
かかる塗布現像処理システムの一形態として、ウェハを垂直方向に搬送する垂直搬送型の搬送装置の周囲に、ウェハ上にレジストを塗布するためのレジスト塗布ユニット、現像液を供給するための現像処理ユニット、加熱処理ユニット等の各種の処理ユニットを多段に配置した構成は既に公知である。また、このような塗布現像処理システムにおいては、一般にシステム内に清浄エアーのダウンフローを形成してパーティクルの拡散を防止している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記構成の塗布現像処理システムでは、処理能力を向上させるため、システム内に搬送装置を複数配置し、各搬送装置の周囲にそれぞれ処理ユニットを配置することが考えられるが、システム内に搬送装置が複数配置されると、特にこれらの搬送装置が同時に下方向に移動するような場合にシステム内に形成された清浄エアーのダウンフローが乱れ、パーティクルがシステム内で拡散する虞がある。また、これらの搬送装置から移動時に吹き出されたパーティクルを多く含む気体がその周囲に配置された処理ユニット内に進入し、処理不良の原因になる、という問題もある。
【０００５】
本発明の目的は、搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入するようなことがない処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決するため、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御することを特徴とする。その一態様として、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、例えば１つの搬送装置が移動するとき処理室内の圧力を高めているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
【０００８】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制御することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、少なくとも１つの搬送装置が移動するときに処理室内の気体を搬送装置に向けて吹き出すように制御しているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
【００１０】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記処理室の、前記搬送装置との間で基板を受け渡すための開口部にシャッター部材を設け、前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部の開閉を制御することを特徴とする。その一態様として、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、複数の搬送装置が同時に移動するときにシャッター部材により処理室に設けられた開口部を閉じているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。なお、搬送装置が移動するときには搬送装置と処理室との間で基板の受け渡しは行われないので、開口部を閉じることは処理上何の問題もない。
【００１２】
本発明の処理システムは、上記構成の処理システムにおいて、前記処理室内を排気する排気手段を更に設け、前記シャッター部材により前記開口部を閉じているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くすることを特徴とする。
【００１３】
本発明では、開口部を開いているときには処理室内の排気を弱くしているので、処理室が周囲と比べ陽圧となり、開口部から処理室内にパーティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
【００１４】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、上記搬送装置近傍に、上方移動する該搬送装置で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排気口から排気するバイパス手段を設けたことを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、搬送装置が上昇移動するとき、搬送装置の上部空間の圧力が増大しても、エアーの一部はバイパス手段を介して排気口から排気される。このため、搬送装置は圧力上昇を伴うことがなく、清浄アエーは乱れることなく搬送装置ないを下向きに流れて外部へ放出される。
【００１６】
また、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を作動させるように構成したことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、下向きに移動する搬送装置を事前に察知し、これに応じて搬送装置が下向きに移動する前から予め作動させておくため、搬送装置内のエアーを過不足することなく供給でき、そのためエアーの流れにかく乱が生じることがなく、微粒子の付着を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入するようなことはないので、処理室内での処理を正常に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。図１〜図３は実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図１は平面から、図２、図３は側面から見た様子を各々示している。
【００２０】
この塗布現像処理システム１は、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
カセットステーション２では、カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２２】
このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１熱処理ユニット群７０や第３熱処理ユニット群９０に属するアライメントユニット７１、エクステンションユニット７２に対してアクセスできるように構成されている。
【００２３】
処理ステーション３では、正面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０が、背面側に現像処理ユニット群３０がそれぞれ配置されている。正面側に現像処理ユニット群３０を、背面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０をそれぞれ配置しても勿論構わない。
【００２４】
レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０は図２及び図３に示すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウェハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット２１、２２が並列配置され、さらにこれら各レジスト塗布ユニット２１、２２の上段にはカップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウェハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット２３、２４が並列配置されている。
【００２５】
並列に配置されたレジスト塗布ユニット２１、２２（反射防止膜塗布ユニット２３、２４）間には、受け渡し部２５及び中継搬送部２８が配置されている。受け渡し部２５では、図４に示すように、下段にウェハＷを２３℃に温調するための温調台２６が配置され、上段に載置台２７が配置されている。温調台２６は、ペルチェ素子等の冷却手段（図示を省略）が埋め込まれた冷却板２６ａ表面から複数の支持ピン２６ｂを出没可能に配置して構成される。また載置台２７は、その表面に複数の固定支持ピン２７ａを配置して構成される。中継搬送部２８は、受け渡し部２５における温調台２６、載置台２７及びレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４との間でウェハＷの受け渡しが可能なように、図示を省略した駆動系によって、これらに対して進退自在であり、θ方向に回転可能であり、更にＺ方向に昇降可能である搬送アーム２９を有する。
【００２６】
そして、後述する第１搬送装置５０から温調台２６にウェハＷが受け渡され、それを搬送アーム２９がいずれかのレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４に受け渡し、その後搬送アーム２９がレジスト或いは反射防止膜の塗布されたウェハＷをレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４から受け取り、載置台２７上に載せ、それを第１搬送装置５０が受け取るようになっている。
【００２７】
このように第１搬送装置５０から直接レジスト塗布ユニット等に渡すのではなく、一旦レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０内に配置された温調台２６を介してレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４に渡すように構成しているので、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態でレジスト塗布や反射防止膜塗布を行うことができ、また第１搬送装置５０側からレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４にパーティクルが進入することが少なくなる。
【００２８】
現像処理ユニット群３０についてもレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と同様に構成されている。即ち、現像処理ユニット群３０は、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット３１、３２が並列配置され、さらにこれら各現像処理ユニット３１、３２の上段には現像処理ユニット３３、３４が積み重ねられて構成されている。
【００２９】
並列に配置された現像処理ユニット３１、３２（３３、３４）間には、受け渡し部３５及び中継搬送部３８が配置されている。受け渡し部３５及び中継搬送部３８の構成については、図４に示したものと同様なので説明を省略する。そして、この場合も、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態で現像処理を行うことができ、また第２搬送装置６０側から現像処理ユニット３１、３２、３３、３４にパーティクルが進入することが少なくなる。
【００３０】
図１に示したように、処理ステーション３の中心部には、ウェハＷを載置自在な受け渡し台４０が備えられている。受け渡し台４０は例えば多段に構成してもよい。
【００３１】
この受け渡し台４０を挟んで上記レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と現像処理ユニット群３０とは相対向しており、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と受け渡し台４０との間には第１搬送装置５０が、現像処理ユニット群３０と受け渡し台４０との間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備されている。
【００３２】
第１搬送装置５０と第２の搬送装置６０とは基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０の構成を図５に基づいて説明すると、第１搬送装置５０は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４（６４）を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在となっている。
【００３３】
ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上には、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００３４】
第１搬送装置５０及び第２の搬送装置６０の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理ユニットには、第１熱処理ユニット７０と、第２熱処理ユニット８０と、第３熱処理ユニット９０と、第４熱処理ユニット１００とがあり、第１熱処理ユニット７０及び第３熱処理ユニット９０はカセットステーション２側に、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１００はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
【００３５】
各熱処理ユニット群７０、８０、９０、１００には、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット７１と、ウェハＷを待機させるエクステンションユニット７２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニット７３〜７７とが下から順に、例えば７段に積み重ねられたものが配置される。
【００３６】
インターフェイス部５には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送体１１０が設けられており、ウェハ搬送体１１０は搬送レール１１１に沿ったＸ方向の移動と、Ｚ方向（垂直方向）の移動と、θ方向の回転とがいずれも自在である。ウェハ搬送体１１０は、露光装置４と、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１００に属するエクステンションユニット７２と、ウェハＷの周縁部を露光する周辺露光装置１１２との間でウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００３７】
図６はこのように構成された塗布現像処理システム１における清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【００３８】
図６に示すように、この塗布現像処理システム１の上部には清浄エアーをシステム内に導入するための供給口１２１〜１２４が設けられ、塗布現像処理システム１の下部には清浄エアーをシステム外に排気するための排出口１２５〜１２８が設けられている。例えば供給口１２１〜１２４や排出口１２５〜１２８は、それぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられている。ここでは、供給口１２１及び排気口１２５は第１搬送装置５０に対応する位置、供給口１２２及び排気口１２６は第２の搬送装置６０に対応する位置、供給口１２３及び排気口１２７はレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応する位置、供給口１２４及び排気口１２８は現像処理ユニット群３０に対応する位置に設けられている。
【００３９】
供給口１２１〜１２４と排出口１２５〜１２８との間は、エアー循環用の配管１２９を介して接続され、配管１２９上には温調装置１３０が配置されている。また、各供給口１２１〜１２４にはファン・フィルタ・ユニット１３１〜１３４が配置され、各排出口１２５〜１２８には排気ファン１３５〜１３８が配置されている。排気ファン１３５〜１３８は制御部１３９によって排気量の制御が行われるようになっている。
【００４０】
そして、供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給された清浄エアーはシステム１内でダウンフローを形成し、排出口１２５〜１２８からシステム１外に排出され、配管１２９を通り温調及び清浄が行われ、再び供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給されるようになっている。
【００４１】
ここで、本実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３５、１３６の排気量が多くなり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるようになっている。
【００４２】
従って、本実施形態のシステム１では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、上記のように強められたダウンフローによって吸収される。よって、パーティクルがシステム１内で拡散することなく、排出口１２５、１２６から排出される。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図７はこの実施形態に係る清浄エアー供給系の構成を示す図である。
図７に示した清浄エアー供給系では、制御部１３９がレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を制御するようになっている。
【００４４】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３９の制御によってレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を多くなるように制御し、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内の圧力が第１搬送装置５０や第２搬送装置６０等が配置された他の領域に比べ高くなるようにされている。
【００４５】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００４６】
次に本発明の更に他の実施形態について説明する。
図８はこの実施形態に係る清浄エアー供給系の構成を示す図である。
図８に示した清浄エアー供給系では、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０にそれぞれ第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向けて排気を行うための排気口１４１及び排気ファン１４２を設けたものである。排気ファン１４２は制御部１３９によって作動が制御される。
【００４７】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１４２が作動し、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０から第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向けて排気を行われるようになっている。
【００４８】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００４９】
次に本発明の更に別の実施形態について説明する。
図９はこの実施形態に係るシステム構成を示す図である。
図９に示したシステム１では、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０における第１搬送装置５０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５２、更に現像処理ユニット群３０における第２搬送装置６０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５３に、それぞれ開口部を開閉するためのシャッター部材１５４及びシャッター開閉機構１５５が設けられている。シャッター開閉機構１５５は制御部１３９によって作動が制御されるようになっている。
【００５０】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が同時に移動するとき、このようなときには第１搬送装置５０及び第２搬送装置６０とレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０との間でウェハＷの受け渡しは行われないので、制御部１３９の制御によってシャッター部材１５４により開口部１５２、１５３が閉じられるようになっている。
【００５１】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が同時に移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００５２】
この場合、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０に対応する排気ファン１３７、１３８による排気量を制御部１３９によって制御可能に構成すると共に、シャッター部材１５４により開口部１５２、１５３を閉じているときには排気ファン１３７、１３８による排気量を多くし、開口部１５２、１５３を開いているときには排気ファン１３７、１３８による排気量を少なくするようにしてもよい。
【００５３】
これにより、開口部１５２、１５３を開いているときにはレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内が周囲と比べ陽圧となり、開口部１５２、１５３からレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内にパーティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
【００５４】
次に、図１、図１０及び図１１を参照して清浄エアー供給系に係る別の実施形態を説明する。図６に示した実施形態の構成と相違する点は、第１搬送装置５０と第２搬送装置６０との間ないしはこれら各搬送装置５０，６０の近傍にバイパス手段としての一対のダクト１６０を設けた点にある。ダクト１６０はボックス形状に形成され、その上部の各面にエアーの流入口１６１が、その下部には排気口１６２がそれぞれ設けられる。
【００５５】
また、排気口１６２には排気ファン１６３の強弱運転を制御部１３９により制御する排気手段が設けられる。
【００５６】
制御部１３９は、少なくともいずれか一方の搬送装置が上方に移動するとき、それに応じて排気ファン１６３を作動せしめてダクト１６０内のエアーを排気させる。そして、制御部１３９により一つの搬送装置が作動するときは、排気ファン１６３による排気を弱くし、二つの搬送装置が同時に作動するときは、排気を強くするために排気ファン１６３を強く作動させるように制御する。
【００５７】
このようにバイパス手段であるダクト１６０が各搬送装置５０，６０近傍に設けられているため、エアーの一部は流入口１６１からダクト１６０内に流入し、排気口１６２を経て排出されていき、圧力上昇を回避できる。
【００５８】
またこのとき、各搬送装置５０，６０の各ウェハ搬送手段５４，６４の作動状況に応じて制御部１３９により排気ファン１６３の強弱が制御される。
【００５９】
かかる構成により、第１または第２の搬送装置５０，６０内の圧力上昇を回避でき、ウェハ搬送手段５４，６４の上昇作動が円滑になるだけでなく、排気ファン１６２へ流れる下向きのエアーは乱れを生じることもなく、その結果,微粒子がシステム内で拡散することもなく、排出口１２５、１２６から外部へ放出される。これと同時にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０ないしは現像処理ユニット群３０内へのパーティクルの浸入を効果的に抑制できる。
【００６０】
なお、流入口１６１を設ける数は任意である。また、この流入口１６１は常時開口するように形成してもよいが、ウェハ搬送手段５４，６４が上昇するときのみ開口させ、それ以外のときは閉じるように形成することもできる。
【００６１】
さらに別の実施形態では、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から清浄エアーをダウンフローさせるように供給装置を作動させるように構成することもできる。
【００６２】
かかる構成により搬送装置５０，６０内の空間に清浄エアーを均一に流すことができ、それだけパーティクル等の微粒子を効率よく外部へ排出することができる。
【００６３】
かかる構成は図７〜９に示された上記各実施形態にも適宜摘要することができる。
【００６４】
尚、上記実施形態では、基板としてウェハを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける処理ステーションの左側面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける処理ステーションの右側面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおけるレジスト・反射防止膜塗布ユニット群の受け渡し部及び中継搬送部の構成を示す図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける第１の搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図９】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図１０】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図１１】ダクトの外観斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
２０ レジスト・反射防止膜塗布ユニット群
３０ 現像処理ユニット群
５０ 第１搬送装置
６０ 第２搬送装置
１２１〜１２４ 供給口
１２５〜１２８ 排出口
１２９ 配管
１３０ 温調装置
１３１〜１３４ ファン・フィルタ・ユニット
１３５〜１３８ 排気ファン
１３９ 制御部
１４１ 排気口
１４２ 排気ファン
１５２、１５３ 開口部
１５４ シャッター部材
１５５ シャッター開閉機構
Ｗ ウェハ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体デバイス製造に用いられる処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）等の基板に対してレジスト液を供給してレジスト膜を形成し、所定のパターンを露光した後に、このウェハに対して現像液を供給して現像処理している。このような一連の処理を行うにあたっては、従来から塗布現像処理システムが使用されている。
【０００３】
かかる塗布現像処理システムの一形態として、ウェハを垂直方向に搬送する垂直搬送型の搬送装置の周囲に、ウェハ上にレジストを塗布するためのレジスト塗布ユニット、現像液を供給するための現像処理ユニット、加熱処理ユニット等の各種の処理ユニットを多段に配置した構成は既に公知である。また、このような塗布現像処理システムにおいては、一般にシステム内に清浄エアーのダウンフローを形成してパーティクルの拡散を防止している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記構成の塗布現像処理システムでは、処理能力を向上させるため、システム内に搬送装置を複数配置し、各搬送装置の周囲にそれぞれ処理ユニットを配置することが考えられるが、システム内に搬送装置が複数配置されると、特にこれらの搬送装置が同時に下方向に移動するような場合にシステム内に形成された清浄エアーのダウンフローが乱れ、パーティクルがシステム内で拡散する虞がある。また、これらの搬送装置から移動時に吹き出されたパーティクルを多く含む気体がその周囲に配置された処理ユニット内に進入し、処理不良の原因になる、という問題もある。
【０００５】
本発明の目的は、搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入するようなことがない処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
かかる課題を解決するため、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御することを特徴とする。その一態様として、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、例えば１つの搬送装置が移動するとき処理室内の圧力を高めているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
【０００８】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制御することを特徴とする。
【０００９】
本発明では、少なくとも１つの搬送装置が移動するときに処理室内の気体を搬送装置に向けて吹き出すように制御しているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。
【００１０】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記処理室の、前記搬送装置との間で基板を受け渡すための開口部にシャッター部材を設け、前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部の開閉を制御することを特徴とする。その一態様として、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とする。
【００１１】
本発明では、複数の搬送装置が同時に移動するときにシャッター部材により処理室に設けられた開口部を閉じているので、搬送装置の移動時に搬送装置から吹き出されたパーティクルを多く含む気体が処理室内に進入することはなくなる。なお、搬送装置が移動するときには搬送装置と処理室との間で基板の受け渡しは行われないので、開口部を閉じることは処理上何の問題もない。
【００１２】
本発明の処理システムは、上記構成の処理システムにおいて、前記処理室内を排気する排気手段を更に設け、前記シャッター部材により前記開口部を閉じているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くすることを特徴とする。
【００１３】
本発明では、開口部を開いているときには処理室内の排気を弱くしているので、処理室が周囲と比べ陽圧となり、開口部から処理室内にパーティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
【００１４】
本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、上記搬送装置近傍に、上方移動する該搬送装置で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排気口から排気するバイパス手段を設けたことを特徴とする。
【００１５】
本発明によれば、搬送装置が上昇移動するとき、搬送装置の上部空間の圧力が増大しても、エアーの一部はバイパス手段を介して排気口から排気される。このため、搬送装置は圧力上昇を伴うことがなく、清浄アエーは乱れることなく搬送装置ないを下向きに流れて外部へ放出される。
【００１６】
また、本発明の処理システムは、垂直方向に基板を搬送する搬送装置を複数有し、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を作動させるように構成したことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、下向きに移動する搬送装置を事前に察知し、これに応じて搬送装置が下向きに移動する前から予め作動させておくため、搬送装置内のエアーを過不足することなく供給でき、そのためエアーの流れにかく乱が生じることがなく、微粒子の付着を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、搬送装置から処理室（ユニット）内にパーティクルを多く含んだ気体が進入するようなことはないので、処理室内での処理を正常に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。図１〜図３は実施の形態にかかる塗布現像処理システムの外観を示し、図１は平面から、図２、図３は側面から見た様子を各々示している。
【００２０】
この塗布現像処理システム１は、例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり、カセットＣに対してウェハＷを搬入出するためのカセットステーション２と、塗布現像処理工程の中でウェハＷに対して所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを多段配置してなる処理ステーション３と、この処理ステーション３に隣接して設けられる露光装置４との間でウェハＷの受け渡しをするためのインターフェイス部５とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
カセットステーション２では、カセット載置台１０上の位置決め突起１０ａの位置に、複数個のカセットＣがウェハＷの出入口を処理ステーション３側に向けてＸ方向（図１中の上下方向）に沿って一列に載置自在である。そして、このカセットＣの配列方向（Ｘ方向）及びカセットＣに収容されたウェハＷの配列方向（Ｚ方向；垂直方向）に移動可能なウェハ搬送体１１が搬送路１２に沿って移動自在であり、各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２２】
このウェハ搬送体１１はθ方向にも回転自在に構成されており、後述する第１熱処理ユニット群７０や第３熱処理ユニット群９０に属するアライメントユニット７１、エクステンションユニット７２に対してアクセスできるように構成されている。
【００２３】
処理ステーション３では、正面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０が、背面側に現像処理ユニット群３０がそれぞれ配置されている。正面側に現像処理ユニット群３０を、背面側にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０をそれぞれ配置しても勿論構わない。
【００２４】
レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０は図２及び図３に示すように、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せてレジスト液を塗布して、該ウェハＷに対してレジスト塗布処理を施すレジスト塗布ユニット２１、２２が並列配置され、さらにこれら各レジスト塗布ユニット２１、２２の上段にはカップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて反射防止膜を塗布して、該ウェハＷに対して反射防止膜塗布処理を施す反射防止膜塗布ユニット２３、２４が並列配置されている。
【００２５】
並列に配置されたレジスト塗布ユニット２１、２２（反射防止膜塗布ユニット２３、２４）間には、受け渡し部２５及び中継搬送部２８が配置されている。受け渡し部２５では、図４に示すように、下段にウェハＷを２３℃に温調するための温調台２６が配置され、上段に載置台２７が配置されている。温調台２６は、ペルチェ素子等の冷却手段（図示を省略）が埋め込まれた冷却板２６ａ表面から複数の支持ピン２６ｂを出没可能に配置して構成される。また載置台２７は、その表面に複数の固定支持ピン２７ａを配置して構成される。中継搬送部２８は、受け渡し部２５における温調台２６、載置台２７及びレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４との間でウェハＷの受け渡しが可能なように、図示を省略した駆動系によって、これらに対して進退自在であり、θ方向に回転可能であり、更にＺ方向に昇降可能である搬送アーム２９を有する。
【００２６】
そして、後述する第１搬送装置５０から温調台２６にウェハＷが受け渡され、それを搬送アーム２９がいずれかのレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４に受け渡し、その後搬送アーム２９がレジスト或いは反射防止膜の塗布されたウェハＷをレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４から受け取り、載置台２７上に載せ、それを第１搬送装置５０が受け取るようになっている。
【００２７】
このように第１搬送装置５０から直接レジスト塗布ユニット等に渡すのではなく、一旦レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０内に配置された温調台２６を介してレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４に渡すように構成しているので、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態でレジスト塗布や反射防止膜塗布を行うことができ、また第１搬送装置５０側からレジスト塗布ユニット２１、２２、反射防止膜塗布ユニット２３、２４にパーティクルが進入することが少なくなる。
【００２８】
現像処理ユニット群３０についてもレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と同様に構成されている。即ち、現像処理ユニット群３０は、カップＣＰ内でウェハＷをスピンチャックに載せて現像液を供給して、該ウェハＷに対して現像処理を施す現像処理ユニット３１、３２が並列配置され、さらにこれら各現像処理ユニット３１、３２の上段には現像処理ユニット３３、３４が積み重ねられて構成されている。
【００２９】
並列に配置された現像処理ユニット３１、３２（３３、３４）間には、受け渡し部３５及び中継搬送部３８が配置されている。受け渡し部３５及び中継搬送部３８の構成については、図４に示したものと同様なので説明を省略する。そして、この場合も、ウェハＷをより正確な温度に温調した状態で現像処理を行うことができ、また第２搬送装置６０側から現像処理ユニット３１、３２、３３、３４にパーティクルが進入することが少なくなる。
【００３０】
図１に示したように、処理ステーション３の中心部には、ウェハＷを載置自在な受け渡し台４０が備えられている。受け渡し台４０は例えば多段に構成してもよい。
【００３１】
この受け渡し台４０を挟んで上記レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と現像処理ユニット群３０とは相対向しており、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０と受け渡し台４０との間には第１搬送装置５０が、現像処理ユニット群３０と受け渡し台４０との間には第２搬送装置６０がそれぞれ装備されている。
【００３２】
第１搬送装置５０と第２の搬送装置６０とは基本的に同一の構成を有しており、第１搬送装置５０の構成を図５に基づいて説明すると、第１搬送装置５０は、上端及び下瑞で相互に接続され対向する一体の壁部５１、５２からなる筒状支持体５３の内側に、上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬送手段５４（６４）を備えている。筒状支持体５３はモータ５５の回転軸に接続されており、このモータ５５の回転駆動力で、前記回転軸を中心としてウェハ搬送手段５４と共に一体に回転する。従って、ウェハ搬送手段５４はθ方向に回転自在となっている。
【００３３】
ウェハ搬送手段５４の搬送基台５６上には、ウェハＷを保持する複数、例えば２本のピンセット５７、５８が上下に備えられている。各ピンセット５７、５８は基本的に同一の構成を有しており、筒状支持体５３の両壁部５１、５２間の側面開口部を通過自在な形態及び大きさを有している。また、各ピンセット５７、５８は搬送基台５６に内蔵されたモータ（図示せず）により前後方向の移動が自在となっている。
【００３４】
第１搬送装置５０及び第２の搬送装置６０の両側には、熱処理ユニットが配置されている。熱処理ユニットには、第１熱処理ユニット７０と、第２熱処理ユニット８０と、第３熱処理ユニット９０と、第４熱処理ユニット１００とがあり、第１熱処理ユニット７０及び第３熱処理ユニット９０はカセットステーション２側に、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１００はインターフェイス部５側に夫々配置されている。
【００３５】
各熱処理ユニット群７０、８０、９０、１００には、ウェハＷの位置合わせを行うアライメントユニット７１と、ウェハＷを待機させるエクステンションユニット７２と、ウェハＷを加熱処理する加熱処理ユニット７３〜７７とが下から順に、例えば７段に積み重ねられたものが配置される。
【００３６】
インターフェイス部５には、ウェハＷを搬送するウェハ搬送体１１０が設けられており、ウェハ搬送体１１０は搬送レール１１１に沿ったＸ方向の移動と、Ｚ方向（垂直方向）の移動と、θ方向の回転とがいずれも自在である。ウェハ搬送体１１０は、露光装置４と、第２熱処理ユニット８０及び第４熱処理ユニット１００に属するエクステンションユニット７２と、ウェハＷの周縁部を露光する周辺露光装置１１２との間でウェハＷを搬送することができるように構成されている。
【００３７】
図６はこのように構成された塗布現像処理システム１における清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【００３８】
図６に示すように、この塗布現像処理システム１の上部には清浄エアーをシステム内に導入するための供給口１２１〜１２４が設けられ、塗布現像処理システム１の下部には清浄エアーをシステム外に排気するための排出口１２５〜１２８が設けられている。例えば供給口１２１〜１２４や排出口１２５〜１２８は、それぞれ処理の種類に応じた領域に対応して設けられている。ここでは、供給口１２１及び排気口１２５は第１搬送装置５０に対応する位置、供給口１２２及び排気口１２６は第２の搬送装置６０に対応する位置、供給口１２３及び排気口１２７はレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応する位置、供給口１２４及び排気口１２８は現像処理ユニット群３０に対応する位置に設けられている。
【００３９】
供給口１２１〜１２４と排出口１２５〜１２８との間は、エアー循環用の配管１２９を介して接続され、配管１２９上には温調装置１３０が配置されている。また、各供給口１２１〜１２４にはファン・フィルタ・ユニット１３１〜１３４が配置され、各排出口１２５〜１２８には排気ファン１３５〜１３８が配置されている。排気ファン１３５〜１３８は制御部１３９によって排気量の制御が行われるようになっている。
【００４０】
そして、供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給された清浄エアーはシステム１内でダウンフローを形成し、排出口１２５〜１２８からシステム１外に排出され、配管１２９を通り温調及び清浄が行われ、再び供給口１２１〜１２４からシステム１内に供給されるようになっている。
【００４１】
ここで、本実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１３５、１３６の排気量が多くなり、これにより清浄エアーのダウンフローが強まるようになっている。
【００４２】
従って、本実施形態のシステム１では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４の両方が同時に下方向に移動した場合に生じる気流の乱れは、上記のように強められたダウンフローによって吸収される。よって、パーティクルがシステム１内で拡散することなく、排出口１２５、１２６から排出される。
【００４３】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
図７はこの実施形態に係る清浄エアー供給系の構成を示す図である。
図７に示した清浄エアー供給系では、制御部１３９がレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を制御するようになっている。
【００４４】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３９の制御によってレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３３及び現像処理ユニット群３０に対応するファン・フィルタ・ユニット１３４によるシステム１内への清浄エアーの導入量を多くなるように制御し、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内の圧力が第１搬送装置５０や第２搬送装置６０等が配置された他の領域に比べ高くなるようにされている。
【００４５】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００４６】
次に本発明の更に他の実施形態について説明する。
図８はこの実施形態に係る清浄エアー供給系の構成を示す図である。
図８に示した清浄エアー供給系では、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０にそれぞれ第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向けて排気を行うための排気口１４１及び排気ファン１４２を設けたものである。排気ファン１４２は制御部１３９によって作動が制御される。
【００４７】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動するとき、制御部１３９の制御によって排気ファン１４２が作動し、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０から第１搬送装置５０や第２搬送装置６０に向けて排気を行われるようになっている。
【００４８】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００４９】
次に本発明の更に別の実施形態について説明する。
図９はこの実施形態に係るシステム構成を示す図である。
図９に示したシステム１では、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０における第１搬送装置５０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５２、更に現像処理ユニット群３０における第２搬送装置６０との間でウェハＷの受け渡しを行うための開口部１５３に、それぞれ開口部を開閉するためのシャッター部材１５４及びシャッター開閉機構１５５が設けられている。シャッター開閉機構１５５は制御部１３９によって作動が制御されるようになっている。
【００５０】
そして、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４と第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が同時に移動するとき、このようなときには第１搬送装置５０及び第２搬送装置６０とレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０との間でウェハＷの受け渡しは行われないので、制御部１３９の制御によってシャッター部材１５４により開口部１５２、１５３が閉じられるようになっている。
【００５１】
従って、この実施形態では、第１搬送装置５０におけるウェハ搬送手段５４や第２搬送装置６０におけるウェハ搬送手段６４が同時に移動した場合に生じたパーティクルがレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内に進入することはない。よって、これらのレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内での処理を正常に行うことができる。
【００５２】
この場合、レジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０に対応する排気ファン１３７、１３８による排気量を制御部１３９によって制御可能に構成すると共に、シャッター部材１５４により開口部１５２、１５３を閉じているときには排気ファン１３７、１３８による排気量を多くし、開口部１５２、１５３を開いているときには排気ファン１３７、１３８による排気量を少なくするようにしてもよい。
【００５３】
これにより、開口部１５２、１５３を開いているときにはレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内が周囲と比べ陽圧となり、開口部１５２、１５３からレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０及び現像処理ユニット群３０内にパーティクル等を含んだ気体が進入することはなくなる。
【００５４】
次に、図１、図１０及び図１１を参照して清浄エアー供給系に係る別の実施形態を説明する。図６に示した実施形態の構成と相違する点は、第１搬送装置５０と第２搬送装置６０との間ないしはこれら各搬送装置５０，６０の近傍にバイパス手段としての一対のダクト１６０を設けた点にある。ダクト１６０はボックス形状に形成され、その上部の各面にエアーの流入口１６１が、その下部には排気口１６２がそれぞれ設けられる。
【００５５】
また、排気口１６２には排気ファン１６３の強弱運転を制御部１３９により制御する排気手段が設けられる。
【００５６】
制御部１３９は、少なくともいずれか一方の搬送装置が上方に移動するとき、それに応じて排気ファン１６３を作動せしめてダクト１６０内のエアーを排気させる。そして、制御部１３９により一つの搬送装置が作動するときは、排気ファン１６３による排気を弱くし、二つの搬送装置が同時に作動するときは、排気を強くするために排気ファン１６３を強く作動させるように制御する。
【００５７】
このようにバイパス手段であるダクト１６０が各搬送装置５０，６０近傍に設けられているため、エアーの一部は流入口１６１からダクト１６０内に流入し、排気口１６２を経て排出されていき、圧力上昇を回避できる。
【００５８】
またこのとき、各搬送装置５０，６０の各ウェハ搬送手段５４，６４の作動状況に応じて制御部１３９により排気ファン１６３の強弱が制御される。
【００５９】
かかる構成により、第１または第２の搬送装置５０，６０内の圧力上昇を回避でき、ウェハ搬送手段５４，６４の上昇作動が円滑になるだけでなく、排気ファン１６２へ流れる下向きのエアーは乱れを生じることもなく、その結果,微粒子がシステム内で拡散することもなく、排出口１２５、１２６から外部へ放出される。これと同時にレジスト・反射防止膜塗布ユニット群２０ないしは現像処理ユニット群３０内へのパーティクルの浸入を効果的に抑制できる。
【００６０】
なお、流入口１６１を設ける数は任意である。また、この流入口１６１は常時開口するように形成してもよいが、ウェハ搬送手段５４，６４が上昇するときのみ開口させ、それ以外のときは閉じるように形成することもできる。
【００６１】
さらに別の実施形態では、これらの搬送装置の周囲に基板を処理する処理室を配置した処理システムにおいて、前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて供給される清浄エアーの供給装置が設けられ、下方向に移動する搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から清浄エアーをダウンフローさせるように供給装置を作動させるように構成することもできる。
【００６２】
かかる構成により搬送装置５０，６０内の空間に清浄エアーを均一に流すことができ、それだけパーティクル等の微粒子を効率よく外部へ排出することができる。
【００６３】
かかる構成は図７〜９に示された上記各実施形態にも適宜摘要することができる。
【００６４】
尚、上記実施形態では、基板としてウェハを例に挙げて説明したが、ＬＣＤ基板等の他の基板にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】図１に示した塗布現像処理システムにおける処理ステーションの左側面図である。
【図３】図１に示した塗布現像処理システムにおける処理ステーションの右側面図である。
【図４】図１に示した塗布現像処理システムにおけるレジスト・反射防止膜塗布ユニット群の受け渡し部及び中継搬送部の構成を示す図である。
【図５】図１に示した塗布現像処理システムにおける第１の搬送装置の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図８】本発明の更に他の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図９】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図１０】本発明の更に別の実施形態に係る塗布現像処理システムにおける清浄エアー供給系の構成を示す図である。
【図１１】ダクトの外観斜視図である。
【符号の説明】
【００６６】
２０ レジスト・反射防止膜塗布ユニット群
３０ 現像処理ユニット群
５０ 第１搬送装置
６０ 第２搬送装置
１２１〜１２４ 供給口
１２５〜１２８ 排出口
１２９ 配管
１３０ 温調装置
１３１〜１３４ ファン・フィルタ・ユニット
１３５〜１３８ 排気ファン
１３９ 制御部
１４１ 排気口
１４２ 排気ファン
１５２、１５３ 開口部
１５４ シャッター部材
１５５ シャッター開閉機構
Ｗ ウェハ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の処理システムにおいて、
前記制御手段は、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする処理システム。
【請求項３】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項４】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すための開口部を有し、基板を処理する処理室と、
前記開口部に設けられたシャッター部材と、
前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部の開閉を制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項５】
請求項４記載の処理システムにおいて、
前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とする処理システム。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の処理システムにおいて,
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記シャッター部材により前記開口部を閉じているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くするように制御する手段と
を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項７】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
上記搬送装置近傍に設けられ、上方移動する該搬送装置で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排気口から排気するバイパス手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項８】
請求項７記載の処理システムにおいて、
前記排気口に設けられた排気手段と、
前記搬送装置の作動する数が少ないときは前記排気手段による排気が弱くなり、作動する数が多いときは前記排気手段による排気が強くなるように制御する手段と
を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の処理システムにおいて、
前記バイパス手段は、ボックス形状のダクトを有し、
前記流入口はダクトの上方に設けられていることを特徴とする処理システム。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のうちいずれか１項に記載の処理システムにおいて、
前記流入口は、前記ダクトの周囲で、かつ、複数個設けられていることを特徴とする処理システム。
【請求項１１】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて清浄エアーを供給する供給装置と、
下方向に移動する前記搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を作動させるように制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項１】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
前記搬送装置の移動に応じて前記処理室内の圧力を制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項２】
請求項１記載の処理システムにおいて、
前記制御手段は、少なくとも１つの前記搬送装置が移動するとき前記処理室内の圧力を高めることを特徴とする処理システム。
【請求項３】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
少なくとも１つの前記搬送装置が移動するときに前記処理室内の気体を前記搬送装置に向けて吹き出すように制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項４】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、前記搬送装置との間で基板を受け渡すための開口部を有し、基板を処理する処理室と、
前記開口部に設けられたシャッター部材と、
前記搬送装置の移動に応じて前記シャッター部材による前記開口部の開閉を制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項５】
請求項４記載の処理システムにおいて、
前記制御手段は、前記複数の搬送装置が同時に移動するときに前記シャッター部材により前記開口部を閉じることを特徴とする処理システム。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載の処理システムにおいて,
前記処理室内を排気する排気手段と、
前記シャッター部材により前記開口部を閉じているときには前記処理室内の排気を強くし、前記開口部を開いているときには前記処理室内の排気を弱くするように制御する手段と
を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項７】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
上記搬送装置近傍に設けられ、上方移動する該搬送装置で生じた圧力上昇に伴うエアーを流入口から流入させて排気口から排気するバイパス手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【請求項８】
請求項７記載の処理システムにおいて、
前記排気口に設けられた排気手段と、
前記搬送装置の作動する数が少ないときは前記排気手段による排気が弱くなり、作動する数が多いときは前記排気手段による排気が強くなるように制御する手段と
を更に具備することを特徴とする処理システム。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の処理システムにおいて、
前記バイパス手段は、ボックス形状のダクトを有し、
前記流入口はダクトの上方に設けられていることを特徴とする処理システム。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のうちいずれか１項に記載の処理システムにおいて、
前記流入口は、前記ダクトの周囲で、かつ、複数個設けられていることを特徴とする処理システム。
【請求項１１】
垂直方向に基板を搬送する複数の搬送装置と、
これらの搬送装置の周囲に配置され、基板を処理する処理室と、
前記搬送装置の上方から該搬送装置に向けて清浄エアーを供給する供給装置と、
下方向に移動する前記搬送装置に対しては、予めその移動する搬送装置を検知し、下方向に移動する前から前記供給装置を作動させるように制御する手段と
を具備することを特徴とする処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００７−２７７０１４（Ｐ２００７−２７７０１４Ａ）
【公開日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−１９７４５７（Ｐ２００７−１９７４５７）
【出願日】平成１９年７月３０日（２００７．７．３０）
【分割の表示】特願２０００−１９５８０５（Ｐ２０００−１９５８０５）の分割
【原出願日】平成１２年６月２９日（２０００．６．２９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１０月２５日（２００７．１０．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年７月３０日（２００７．７．３０）
【分割の表示】特願２０００−１９５８０５（Ｐ２０００−１９５８０５）の分割
【原出願日】平成１２年６月２９日（２０００．６．２９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]