半導体発光装置
【課題】従来の半導体発光装置は、狭い指向特性を有する反射枠体の形成が困難で、十分な反射特性が得られず、また狭い指向特性を得るためには半導体発光装置として小型薄型化の妨げとなっていた。
【解決手段】 回路基板に半導体発光素子を実装して樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板に配置するとともに、前記反射枠体の底面を配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続する。
【解決手段】 回路基板に半導体発光素子を実装して樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板に配置するとともに、前記反射枠体の底面を配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ発光素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関するものであり、詳しくは集光特性に優れ、小型、薄型化が可能な半導体発光装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ等を用いた半導体発光素子（以下ＬＥＤと略記する場合あり）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光装置としてＬＥＤ発光装置を実施形態として説明する。
【０００３】
特に近年、ＬＥＤ発光装置としては、シャープな指向特性が要求されており、すなわち指向特性が狭く、出来るだけ薄型化された構成のＬＥＤ発光装置を実現する提案がなされている（例えば特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
以下従来の指向特性を持つＬＥＤ発光装置に付いて説明する。
図９，図１０は特許文献１における従来のＬＥＤ発光装置の構成を示し、図９は断面図、図１０は上面図である。図９においてＬＥＤ発光装置１００は、回路基板１０２の上面側に配線電極１０２ａダイボンディング電極１０２ｂが、また回路基板１０２の下面側には出力電極１０２ｃが設けられ、上面側の配線電極１０２ａとダイボンディング電極１０２ｂとは、下面側の出力電極１０２ｃに対して側面電極１０２ｄによって接続されている。そして上面側に設けられたダイボンディング電極１０２ｂにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極１０２ａに接続されている。
【０００５】
また、回路基板１０２の上部には樹脂成型による反射カップ体１１０が組み込まれている。この反射カップ体１１０は図１０に上面形状を示す如く、ＬＥＤ１０３が実装された部分の周囲に反射カップ部１１０ａ、ワイヤー１０４の配線領域にワイヤー溝１１０ｂが設けられた形状に樹脂成型によって構成されており、反射カップ部１１０ａの内面には反射性の金属による金属メッキ層１２０が形成され、ＬＥＤ１０３の発光を狭い指向特性で放射するようになっている。なお、図９に示す如く反射カップ部１１０ａとワイヤー溝１１０ｂの内部には保護用、または波長変換用の透明性樹脂１３０がモールドされている。
【０００６】
図１１は特許文献２における従来のＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。図１１に示すＬＥＤ発光装置２００は回路基板２０２にザグリ部２１２を形成し、このザグリ部２１２の内面に反射性の金属メッキ層２２０を形成することで、反射カップ部２１０ａを形成している。また金属メッキ層２２０と同時に回路基板２０２の上面側には配線電極２０２ａとダイボンディング電極２０２ｂとが、また回路基板２０２の下面側には出力電極２０２ｃが設けられ、上面側のダイボンディング電極２０ｂ及び配線電極２０２ａは、下面側の出力電極２０２ｃに対し側面電極２０２ｄによって接続されている。そして上面側に設けられたダイボンディング電極２０２ｂにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極２０２ａに接続されている。さらにＬＥＤ１０３が実装された回路基板２０２の上面側にはレンズ形状の透明性樹脂２３０がモールドされている。
【０００７】
すなわち図１１に示すＬＥＤ発光装置２００は、回路基板２０２に設けたザグリ部２１２に金属メッキ層２２０を形成して反射カップ部２１０ａにしているが、薄い回路基板２０２に設けたザグリ部２１２に金属メッキ層２２０を形成した反射カップ部２１０ａでは、反射カップ部２１０ａが理想形状である非球面（曲面）に加工できないため、狭い指向特性を得るためにはレンズを併用する必要があり、このために形状の大きい樹脂レンズを透明性樹脂２３０のモールドによって設けている。
【０００８】
さらに図１２は他の従来例のＭＩＤタイプ（成形樹脂）のＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。図１２に示すＬＥＤ発光装置３００は樹脂により一体成型されたカップ形状の樹脂基体３１０の表面に２個の電気的に分離された金属メッキ層３０２と３０３を形成している。そして金属メッキ層３０２には配線電極３０２ａと裏面側に形成された出力電極３０２ｃとが、側面電極３０２ｄによって接続されている。
【０００９】
また金属メッキ層３０３にはダイボンディング電極３０３ａと裏面側に形成された出力電極３０３ｃとが、側面電極３０３ｄによって接続されている。さらに金属メッキ層３０２と３０３との斜面部には反射カップ部３２０が反射面として形成されている。
【００１０】
そしてダイボンディング電極３０３ａにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極３０２ａに接続されている。さらにＬＥＤ１０３が実装されたカップ形状の樹脂基体３１０の上面側には保護用、または波長変換用の透明性樹脂３３０がモールドされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−３２１１８号公報
【特許文献２】実開平４−１１１７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記特許文献１の提案では、狭い指向特性を得るためには反射カップ部の形状を深くする必要がり、成型品の肉厚との関係で反射カップ体の形状を大きくし、かつ厚みも大きくする必要があるため、製品形状が大型化する問題がある。さらに反射カップ部が樹脂成型品の場合、樹脂面へ金属メッキ層を形成した場合には反射面に若干の凹凸は生じるため、反射特性を妨げる原因となる。
【００１３】
また、特許文献２の提案では、基板のザグリ部に金属メッキ層を形成して反射カップ部としているため、カップ形状が理想形状である非球面（曲面）に加工できないので、狭い指向特性を確保するためには大きな球面のレンズを併用する必要があり、図１１に示す如く全体として厚みが増加する結果となる。
【００１４】
さらに図１２に示すＭＩＤタイプのＬＥＤ発光装置では、特許文献１の提案と同様に、狭い指向特性を得るためには反射カップ部の形状を深くする必要がる上、図１２にＨで示すＬＥＤ実装部の肉厚を０，３ｍｍ以上必要とするため、製品全体の形状が厚くなってしまうという問題があり、されに樹脂表面の形成された金属メッキ層には若干の凹凸形状が存在し、反射カップ部での反射効率の低下は避けられない。
【００１５】
本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、金属性の反射枠体を用いて十分に狭い指向特性を得ると共に、薄型化、小型化を可能にしたＬＥＤ発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため本発明においては、配線電極を有する回路基板に半導体発光素子を実装し、前記配線電極と半導体発光素子とを電気的接続し、樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのワイヤーボンディングを行なうボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板における前記半導体発光素子の実装部周囲に配置するとともに、前記反射枠体の底面を前記配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、反射性の良い金属性の反射枠体を用いて、指向特性が狭く、反射特性に優れた発光特性を得ることができると共に、
反射枠体にボンディング部を設け、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することにより、半導体発光装置の薄型化、小型化を可能にする。
【００１８】
前記反射枠体のボンディング部は反射枠体に形成された切欠凹部であると良い。
【００１９】
上記構成によれば、反射枠体に形成された切欠凹部にワイヤーのボンディングを行なうことによって、ワイヤーループの高さを反射枠体の高さ以内に収めることができ、半導体発光装置の薄型化に効果がある。
【００２０】
前記金属性の反射枠体は、金属板の絞り加工または金属の鋳造加工によって形成されていると良い。
【００２１】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面は鏡面仕上げ加工が施されていると良い。
【００２２】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面には反射性の金属皮膜層が形成されていると良い。
【００２３】
前記金属性の反射枠体の反射面の金属皮膜層は、ニッケル下地メッキに金メッキ層を形成していると良い。
【００２４】
上記各構成によれば、反射枠体のカップ形状の反射面の反射効率が良くなることで、半導体発光装置としての発光効率が改善される。
【００２５】
前記金属性の反射枠体に形成された切欠凹部には反射性の樹脂が埋設されていると良い。
【００２６】
前記反射性の樹脂は導電性を有すると良い。
【００２７】
上記構成によれば、反射枠体に形成された切欠凹部による反射効率の低下を軽減できるとともに、切欠き凹部にボンディングされたワイヤーの補強が可能となる。
【００２８】
回路基板の大きさが、前記反射枠体の底面の大きさと略同じであり、且つモールド樹脂が反射枠体のカップ内部にのみ充填されていると良い。
【００２９】
上記構成によれば、半導体発光装置の発光効率を良くした状態で、十分な薄型、小型化を達成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
上記の如く本発明によれば、反射性の良い金属性の反射枠体を用いて、指向特性が狭く、反射特性に優れた発光特性を得ることができると共に、反射枠体にボンディング部を設け、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することにより、半導体発光装置の薄型化、小型化を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤ発光装置の平面図である。
【図３】図２に示す回路基板の平面図である。
【図４】図１に示す反射枠体の斜視図である。
【図５】図１に示すＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図７】図６に示す反射枠体の斜視図である。
【図８】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図９】従来のＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図１０】図９に示すＬＥＤ発光装置の上面側の平面図である。
【図１１】従来のＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図１２】従来のＭＩＤタイプのＬＥＤ発光装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１〜図５は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置及びその構成要素を示すものであり、図１はＬＥＤ発光装置１０の断面図、図２は図１に示すＬＥＤ発光装置１０の平面図、図３は図２に示す回路基板２の平面図、図４は図１に示すＬＥＤ発光装置１０における反射枠体５の斜視図、図５はＬＥＤ発光装置１０の製造方法を示す工程図である。
【００３３】
図１においてＬＥＤ発光装置１０は、回路基板２の上面側に配線電極２ａ、ダイボンディング電極２ｂ、反射枠体固定電極２ｃが形成され、裏面側には出力電極２ｄが形成されており、回路基板２の上面側の配線電極２ａとダイボンディング電極２ｂとはスルーホール電極２ｅによって接続されている。
【００３４】
また、ダイボンディング電極２ｂにはＬＥＤ３が固着実装され、配線電極２ａと反射枠体固定電極２ｃには、後に詳述する金属性の反射枠体５が固着されている。そしてＬＥＤ３の電極はワイヤー４にて反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングされている。さらにＬＥＤ３が実装された回路基板２の上面は透明または蛍光粒子を混入したモールド樹脂６でモールドされている。なお、点線は反射枠体５の外形を示している。
【００３５】
図２は図１にＬＥＤ発光装置１０を上面側からみた平面図であり、後で詳述する回路基板２には円形の配線電極２ａと略導形状の反射枠体固定電極２ｃが３個対照的に配設あれており、この配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃに、反射枠体５の底面が導電接着剤で固着されている。すなわち３個の反射枠体固定電極２ｃは反射枠体５の底面が配線電極２ａと平行に接着されるためのスペーサの役目を果たしているが、必ずしも必要なものではなく、反射枠体５の若干の傾きが問題なければ設けなくても良い。
【００３６】
また回路基板２のダイボンディング電極２ｂにはＬＥＤ３が固着実装され、その電極はワイヤー４によって反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｂにワイヤーボンディングされている。
【００３７】
次にＬＥＤ３の電気的配線につて説明する。ＬＥＤ３のベース側はダイボンディング電極２ｂに固着されることによって、ダイボンディング電極２ｂ、スルーホール電極２ｅを介して回路基板２の裏面側に設けられた一方の出力電極２ｄに接続されている。またＬＥＤ３の電極はワイヤー４によって反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングされることにより、金属製の反射枠体５を介して配線電極２ａに接続され、さらにスルーホール電極２ｅを介して回路基板２の裏面側に設けられた他方の出力電極２ｄに接続されている。
【００３８】
次に、図３、図４によりＬＥＤ発光装置１０の主要な構成要素について説明する。図３は回路基板２の平面図であり、回路基板２の上面側には、中心に設けたダイボンディング電極２ｂを取り囲んで配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃが設けられている。そして回路基板２の裏面側には点線で示すように、回路基板２の両端には出力電極２ｄが形成され、２個の出力電極２ｄにはダイボンディング電極２ｂと配線電極２ａとがスルーホール電極２ｅを介して接続されている。
【００３９】
図４は反射枠体５の斜視図であり、本実施形態では反射枠体５は（黄銅等）の鋳造によって形成されているが、これに限定されず例えば金属板の搾り加工によって形成しても良い。そして反射枠体５には、ＬＥＤ３が実装される中心穴５ｃの周囲には反射面５ａが理想形状である非球面に形成され、その反射面５ａの一部に設けられた切欠凹部５ｂの底面にはワイヤー４をボンディングするためのボンディング部５ｄが設けられている。
【００４０】
また、反射面５ａは反射性能を良くするために鏡面仕上げ加工が施されており、さらに反射性の良い金属皮膜層が形成されている。本実施形態では、この金属皮膜層としてはニッケル下地メッキの上に金メッキ層を形成したが、これに限定されるものではなく、例えばニッケルメッキ層やアルミメッキ層等でも良いことは当然である。さらに、金属皮膜層の形成は、切欠凹部５ｂの底面に設けられたボンディング部５ｄにも施されており、これによってボンディング性を良くすることができる。
【００４１】
次に図５によってＬＥＤ発光装置１０の組み立て手順を説明する。図５は各部材の断面図を示しており、（Ａ）は回路基板２の上面側に配線電極２ａ、ダイボンディング電極２ｂ、反射枠体固定電極２ｃが形成され、裏面側には出力電極２ｄが形成されており、回路基板２の上面側の配線電極２ａとダイボンディング電極２ｂとは、スルーホール電極２ｅによって回路基板２の裏面側の出力電極２ｄに接続されている。
【００４２】
（Ｂ）はダイボンディング電極２ｂの周囲に隙間を設けた状態で、反射枠体５を配置し、配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃとに、反射枠体５の底面を導電接着剤で固着した状態である。
【００４３】
（Ｃ）はダイボンディング電極２ｂにＬＥＤ３を導電接着材で固着し、ＬＥＤ３の電極をワイヤー４により、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングした状態を示す。なお、前述の如くボンディング部５ｄとしての、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面には反射枠体５の反射面５ａと同時に金メッキ層が形成されているので、ワイヤー４のセカンドボンディングも良好におこなわれる。
【００４４】
（Ｄ）は回路基板２の上面側に、ＬＥＤ３及び反射枠体５をモールド樹脂６で封止してＬＥＤ発光装置１０を完成させた状態を示す。この状態において、ＬＥＤ３の電極と配線電極２ａを接続するワイヤー４は反射枠体５の高さよりも低い位置でループさせることができるので、ＬＥＤ発光装置１０としての高さを極めて低くでき、薄型化を可能にしている。
【００４５】
次に図１によりＬＥＤ発光装置１０の動作を説明する。回路基板２の裏面側に設けられた２個の出力電極２ｄに外部より駆動電圧を供給するとＬＥＤ３が発光する。その放射光は理想形状な非球面に形成され、かつ鏡面状態の金属皮膜層を有する反射面５ａによって、狭い範囲の鋭い指向性を有する出射光Ｐとして効率よく出射される。なおモールド樹脂６が蛍光粒子を混入させた蛍光樹脂の場合は、ＬＥＤ３からの放射光は波長変換された出射光Ｐとして出射される。
【００４６】
（第２実施形態）
次に図６、図７により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の構成を説明する。
図６は第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置２０の断面図、図７は反射枠体５の斜視図であり、それぞれ図１に示したＬＥＤ発光装置１０の断面図及び図４に示した反射枠体の５の斜視図に対応しており、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００４７】
図６に示す第２実施形態のＬＥＤ発光装置２０が図１に示すが第１実施形態のＬＥＤ発光装置１０と異なるところは、反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を埋設したことであり、この反射部材８によって反射枠体５の切欠凹部５ｂからの光の漏洩を防止し、反射枠体５の反射効率を高めている。
【００４８】
図７は図４に示す反射枠体５に、ＬＥＤ３をダイボンディングした後に、ワイヤ−４によってワイヤーボンディングをおこない、さらに反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を埋設した状態を示している。
【００４９】
上記反射部材８によって反射枠体５の切欠凹部５ｂからの光の漏洩を防止し、反射枠体５の反射効率を高めるためには、反射部材８の材質としては反射率の高い部材として、酸化チタンやガラスフィラーを混入した樹脂材を使用すると良い。
【００５０】
さらに、この反射枠体５の切欠凹部５ｂに埋設された反射部材８は、反射枠体５の切欠部５ｂに形成されたボンディング部５ｄにボンディングされたワイヤー４の補強の役目も果たしている。従ってこのワイヤー４の電気的接続の補強のためには、反射部材８として反射性と導電性を兼ね備えた金ペーストのような導電性材料を使用するとさらに良い。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、図８により本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置の構成を説明する。
図８は第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置３０の断面図であり、図２に示したＬＥＤ発光装置２０の断面図に対応しており、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００５２】
第３実施形態のＬＥＤ発光装置３０が第２実施形態のＬＥＤ発光装置２０と異なるところは、ＬＥＤ発光装置２０における回路基板２の大きさに比べて、ＬＥＤ発光装置３０の回路基板３２の大きさが小さくなったことと、モールド樹脂３６が反射枠体５のカップ内部にのみ充填されていることである。
【００５３】
すなわち、ＬＥＤ発光装置３０の回路基板３２の大きさは、反射枠体５の底面の大きさと同じサイズになっており、さらにモールド樹脂３６が反射枠体５のカップ内部にのみ充填されることによって、ＬＥＤ発光装置３０のサイズは外形が反射枠体５と同じサイズで、厚さが回路基板３６と反射枠体５を積層した高さとなっており、第１実施形態及び第実施形態におけるＬＥＤ発光装置１０及びＬＥＤ発光装置２０に比べて、著しく小型、薄型化されていることが分かる。
【００５４】
以上の如く、本発明におけるＬＥＤ発光装置は理想的な反射曲面を有する金属製の反射枠体を採用し、さらにこの反射枠体の一部をボンディング部としてワイヤーボンディングの中継を行わせることで、反射効率の改良と、発光装置としての小型、薄型化を可能としている。なお、本実施形態においては、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面にボンディング部５ｄ形成した事例を示したが、発光装置としての高さにゆとりがある場合には、反射枠体５に切欠凹部５ｂを設けることなく、反射枠体５の上面部にボンディング部５ｄ形成することもできる。この場合には反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を設ける必要がなく、反射枠体５に完全な反射面５ａを形成できる効果がある。
【符号の説明】
【００５５】
２、３２、１０２、２０２ 回路基板
２ａ、１０２ａ、２０２ａ、３０２ａ 配線電極
２ｂ、１０２ｂ、２０２ｂ、３０３ａ ダイボンディング電極
２ｃ 反射枠体固定電極
２ｄ、１０２ｃ、２０２ｃ、３０２ｃ、３０３ｃ 出力電極
２ｅ スルーホール電極
３、１０３ ＬＥＤ
４、１０４ ワイヤー
５ 反射枠体
５ａ、 反射面
５ｂ、 切欠凹部
５ｃ、 中心穴
５ｄ、 ボンディング部
６、３６ モールド樹脂
8 反射部材
１０、２０、３０、１００、２００、３００ ＬＥＤ発光装置
１０２ｄ、２０２ｄ、３０２ｄ、３０３ｄ 側面電極
１１０ 反射カップ体
１１０ａ、２１０ａ、３２０ 反射カップ部
１１０ｂ ワイヤー溝
１２０、２２０、３０２，３０３ 金属メッキ層
１３０、２３０ 透明性樹脂
２１２ ザグリ部
３１０ 樹脂基体
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＥＤ発光素子等の半導体発光素子を備えた半導体発光装置に関するものであり、詳しくは集光特性に優れ、小型、薄型化が可能な半導体発光装置の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＥＤ等を用いた半導体発光素子（以下ＬＥＤと略記する場合あり）は半導体素子であるため、長寿命で優れた駆動特性を有し、さらに小型で発光効率が良く、鮮やかな発光色を有することから、カラー表示装置のバックライトや照明等に広く利用されるようになってきた。本発明においても半導体発光装置としてＬＥＤ発光装置を実施形態として説明する。
【０００３】
特に近年、ＬＥＤ発光装置としては、シャープな指向特性が要求されており、すなわち指向特性が狭く、出来るだけ薄型化された構成のＬＥＤ発光装置を実現する提案がなされている（例えば特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
以下従来の指向特性を持つＬＥＤ発光装置に付いて説明する。
図９，図１０は特許文献１における従来のＬＥＤ発光装置の構成を示し、図９は断面図、図１０は上面図である。図９においてＬＥＤ発光装置１００は、回路基板１０２の上面側に配線電極１０２ａダイボンディング電極１０２ｂが、また回路基板１０２の下面側には出力電極１０２ｃが設けられ、上面側の配線電極１０２ａとダイボンディング電極１０２ｂとは、下面側の出力電極１０２ｃに対して側面電極１０２ｄによって接続されている。そして上面側に設けられたダイボンディング電極１０２ｂにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極１０２ａに接続されている。
【０００５】
また、回路基板１０２の上部には樹脂成型による反射カップ体１１０が組み込まれている。この反射カップ体１１０は図１０に上面形状を示す如く、ＬＥＤ１０３が実装された部分の周囲に反射カップ部１１０ａ、ワイヤー１０４の配線領域にワイヤー溝１１０ｂが設けられた形状に樹脂成型によって構成されており、反射カップ部１１０ａの内面には反射性の金属による金属メッキ層１２０が形成され、ＬＥＤ１０３の発光を狭い指向特性で放射するようになっている。なお、図９に示す如く反射カップ部１１０ａとワイヤー溝１１０ｂの内部には保護用、または波長変換用の透明性樹脂１３０がモールドされている。
【０００６】
図１１は特許文献２における従来のＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。図１１に示すＬＥＤ発光装置２００は回路基板２０２にザグリ部２１２を形成し、このザグリ部２１２の内面に反射性の金属メッキ層２２０を形成することで、反射カップ部２１０ａを形成している。また金属メッキ層２２０と同時に回路基板２０２の上面側には配線電極２０２ａとダイボンディング電極２０２ｂとが、また回路基板２０２の下面側には出力電極２０２ｃが設けられ、上面側のダイボンディング電極２０ｂ及び配線電極２０２ａは、下面側の出力電極２０２ｃに対し側面電極２０２ｄによって接続されている。そして上面側に設けられたダイボンディング電極２０２ｂにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極２０２ａに接続されている。さらにＬＥＤ１０３が実装された回路基板２０２の上面側にはレンズ形状の透明性樹脂２３０がモールドされている。
【０００７】
すなわち図１１に示すＬＥＤ発光装置２００は、回路基板２０２に設けたザグリ部２１２に金属メッキ層２２０を形成して反射カップ部２１０ａにしているが、薄い回路基板２０２に設けたザグリ部２１２に金属メッキ層２２０を形成した反射カップ部２１０ａでは、反射カップ部２１０ａが理想形状である非球面（曲面）に加工できないため、狭い指向特性を得るためにはレンズを併用する必要があり、このために形状の大きい樹脂レンズを透明性樹脂２３０のモールドによって設けている。
【０００８】
さらに図１２は他の従来例のＭＩＤタイプ（成形樹脂）のＬＥＤ発光装置の構成を示す断面図である。図１２に示すＬＥＤ発光装置３００は樹脂により一体成型されたカップ形状の樹脂基体３１０の表面に２個の電気的に分離された金属メッキ層３０２と３０３を形成している。そして金属メッキ層３０２には配線電極３０２ａと裏面側に形成された出力電極３０２ｃとが、側面電極３０２ｄによって接続されている。
【０００９】
また金属メッキ層３０３にはダイボンディング電極３０３ａと裏面側に形成された出力電極３０３ｃとが、側面電極３０３ｄによって接続されている。さらに金属メッキ層３０２と３０３との斜面部には反射カップ部３２０が反射面として形成されている。
【００１０】
そしてダイボンディング電極３０３ａにはＬＥＤ１０３が実装され、ワイヤー１０４によって配線電極３０２ａに接続されている。さらにＬＥＤ１０３が実装されたカップ形状の樹脂基体３１０の上面側には保護用、または波長変換用の透明性樹脂３３０がモールドされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−３２１１８号公報
【特許文献２】実開平４−１１１７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記特許文献１の提案では、狭い指向特性を得るためには反射カップ部の形状を深くする必要がり、成型品の肉厚との関係で反射カップ体の形状を大きくし、かつ厚みも大きくする必要があるため、製品形状が大型化する問題がある。さらに反射カップ部が樹脂成型品の場合、樹脂面へ金属メッキ層を形成した場合には反射面に若干の凹凸は生じるため、反射特性を妨げる原因となる。
【００１３】
また、特許文献２の提案では、基板のザグリ部に金属メッキ層を形成して反射カップ部としているため、カップ形状が理想形状である非球面（曲面）に加工できないので、狭い指向特性を確保するためには大きな球面のレンズを併用する必要があり、図１１に示す如く全体として厚みが増加する結果となる。
【００１４】
さらに図１２に示すＭＩＤタイプのＬＥＤ発光装置では、特許文献１の提案と同様に、狭い指向特性を得るためには反射カップ部の形状を深くする必要がる上、図１２にＨで示すＬＥＤ実装部の肉厚を０，３ｍｍ以上必要とするため、製品全体の形状が厚くなってしまうという問題があり、されに樹脂表面の形成された金属メッキ層には若干の凹凸形状が存在し、反射カップ部での反射効率の低下は避けられない。
【００１５】
本発明の目的は上記問題点を解決しようとするものであり、金属性の反射枠体を用いて十分に狭い指向特性を得ると共に、薄型化、小型化を可能にしたＬＥＤ発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため本発明においては、配線電極を有する回路基板に半導体発光素子を実装し、前記配線電極と半導体発光素子とを電気的接続し、樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのワイヤーボンディングを行なうボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板における前記半導体発光素子の実装部周囲に配置するとともに、前記反射枠体の底面を前記配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、反射性の良い金属性の反射枠体を用いて、指向特性が狭く、反射特性に優れた発光特性を得ることができると共に、
反射枠体にボンディング部を設け、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することにより、半導体発光装置の薄型化、小型化を可能にする。
【００１８】
前記反射枠体のボンディング部は反射枠体に形成された切欠凹部であると良い。
【００１９】
上記構成によれば、反射枠体に形成された切欠凹部にワイヤーのボンディングを行なうことによって、ワイヤーループの高さを反射枠体の高さ以内に収めることができ、半導体発光装置の薄型化に効果がある。
【００２０】
前記金属性の反射枠体は、金属板の絞り加工または金属の鋳造加工によって形成されていると良い。
【００２１】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面は鏡面仕上げ加工が施されていると良い。
【００２２】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面には反射性の金属皮膜層が形成されていると良い。
【００２３】
前記金属性の反射枠体の反射面の金属皮膜層は、ニッケル下地メッキに金メッキ層を形成していると良い。
【００２４】
上記各構成によれば、反射枠体のカップ形状の反射面の反射効率が良くなることで、半導体発光装置としての発光効率が改善される。
【００２５】
前記金属性の反射枠体に形成された切欠凹部には反射性の樹脂が埋設されていると良い。
【００２６】
前記反射性の樹脂は導電性を有すると良い。
【００２７】
上記構成によれば、反射枠体に形成された切欠凹部による反射効率の低下を軽減できるとともに、切欠き凹部にボンディングされたワイヤーの補強が可能となる。
【００２８】
回路基板の大きさが、前記反射枠体の底面の大きさと略同じであり、且つモールド樹脂が反射枠体のカップ内部にのみ充填されていると良い。
【００２９】
上記構成によれば、半導体発光装置の発光効率を良くした状態で、十分な薄型、小型化を達成することができる。
【発明の効果】
【００３０】
上記の如く本発明によれば、反射性の良い金属性の反射枠体を用いて、指向特性が狭く、反射特性に優れた発光特性を得ることができると共に、反射枠体にボンディング部を設け、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することにより、半導体発光装置の薄型化、小型化を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図２】図１に示すＬＥＤ発光装置の平面図である。
【図３】図２に示す回路基板の平面図である。
【図４】図１に示す反射枠体の斜視図である。
【図５】図１に示すＬＥＤ発光装置の製造方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図７】図６に示す反射枠体の斜視図である。
【図８】本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図９】従来のＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図１０】図９に示すＬＥＤ発光装置の上面側の平面図である。
【図１１】従来のＬＥＤ発光装置の断面図である。
【図１２】従来のＭＩＤタイプのＬＥＤ発光装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（第１実施形態）
以下図面により、本発明の実施形態を説明する。図１〜図５は本発明の第１実施形態におけるＬＥＤ発光装置及びその構成要素を示すものであり、図１はＬＥＤ発光装置１０の断面図、図２は図１に示すＬＥＤ発光装置１０の平面図、図３は図２に示す回路基板２の平面図、図４は図１に示すＬＥＤ発光装置１０における反射枠体５の斜視図、図５はＬＥＤ発光装置１０の製造方法を示す工程図である。
【００３３】
図１においてＬＥＤ発光装置１０は、回路基板２の上面側に配線電極２ａ、ダイボンディング電極２ｂ、反射枠体固定電極２ｃが形成され、裏面側には出力電極２ｄが形成されており、回路基板２の上面側の配線電極２ａとダイボンディング電極２ｂとはスルーホール電極２ｅによって接続されている。
【００３４】
また、ダイボンディング電極２ｂにはＬＥＤ３が固着実装され、配線電極２ａと反射枠体固定電極２ｃには、後に詳述する金属性の反射枠体５が固着されている。そしてＬＥＤ３の電極はワイヤー４にて反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングされている。さらにＬＥＤ３が実装された回路基板２の上面は透明または蛍光粒子を混入したモールド樹脂６でモールドされている。なお、点線は反射枠体５の外形を示している。
【００３５】
図２は図１にＬＥＤ発光装置１０を上面側からみた平面図であり、後で詳述する回路基板２には円形の配線電極２ａと略導形状の反射枠体固定電極２ｃが３個対照的に配設あれており、この配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃに、反射枠体５の底面が導電接着剤で固着されている。すなわち３個の反射枠体固定電極２ｃは反射枠体５の底面が配線電極２ａと平行に接着されるためのスペーサの役目を果たしているが、必ずしも必要なものではなく、反射枠体５の若干の傾きが問題なければ設けなくても良い。
【００３６】
また回路基板２のダイボンディング電極２ｂにはＬＥＤ３が固着実装され、その電極はワイヤー４によって反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｂにワイヤーボンディングされている。
【００３７】
次にＬＥＤ３の電気的配線につて説明する。ＬＥＤ３のベース側はダイボンディング電極２ｂに固着されることによって、ダイボンディング電極２ｂ、スルーホール電極２ｅを介して回路基板２の裏面側に設けられた一方の出力電極２ｄに接続されている。またＬＥＤ３の電極はワイヤー４によって反射枠体５の一部に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングされることにより、金属製の反射枠体５を介して配線電極２ａに接続され、さらにスルーホール電極２ｅを介して回路基板２の裏面側に設けられた他方の出力電極２ｄに接続されている。
【００３８】
次に、図３、図４によりＬＥＤ発光装置１０の主要な構成要素について説明する。図３は回路基板２の平面図であり、回路基板２の上面側には、中心に設けたダイボンディング電極２ｂを取り囲んで配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃが設けられている。そして回路基板２の裏面側には点線で示すように、回路基板２の両端には出力電極２ｄが形成され、２個の出力電極２ｄにはダイボンディング電極２ｂと配線電極２ａとがスルーホール電極２ｅを介して接続されている。
【００３９】
図４は反射枠体５の斜視図であり、本実施形態では反射枠体５は（黄銅等）の鋳造によって形成されているが、これに限定されず例えば金属板の搾り加工によって形成しても良い。そして反射枠体５には、ＬＥＤ３が実装される中心穴５ｃの周囲には反射面５ａが理想形状である非球面に形成され、その反射面５ａの一部に設けられた切欠凹部５ｂの底面にはワイヤー４をボンディングするためのボンディング部５ｄが設けられている。
【００４０】
また、反射面５ａは反射性能を良くするために鏡面仕上げ加工が施されており、さらに反射性の良い金属皮膜層が形成されている。本実施形態では、この金属皮膜層としてはニッケル下地メッキの上に金メッキ層を形成したが、これに限定されるものではなく、例えばニッケルメッキ層やアルミメッキ層等でも良いことは当然である。さらに、金属皮膜層の形成は、切欠凹部５ｂの底面に設けられたボンディング部５ｄにも施されており、これによってボンディング性を良くすることができる。
【００４１】
次に図５によってＬＥＤ発光装置１０の組み立て手順を説明する。図５は各部材の断面図を示しており、（Ａ）は回路基板２の上面側に配線電極２ａ、ダイボンディング電極２ｂ、反射枠体固定電極２ｃが形成され、裏面側には出力電極２ｄが形成されており、回路基板２の上面側の配線電極２ａとダイボンディング電極２ｂとは、スルーホール電極２ｅによって回路基板２の裏面側の出力電極２ｄに接続されている。
【００４２】
（Ｂ）はダイボンディング電極２ｂの周囲に隙間を設けた状態で、反射枠体５を配置し、配線電極２ａと３個の反射枠体固定電極２ｃとに、反射枠体５の底面を導電接着剤で固着した状態である。
【００４３】
（Ｃ）はダイボンディング電極２ｂにＬＥＤ３を導電接着材で固着し、ＬＥＤ３の電極をワイヤー４により、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面に形成されたボンディング部５ｄにワイヤーボンディングした状態を示す。なお、前述の如くボンディング部５ｄとしての、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面には反射枠体５の反射面５ａと同時に金メッキ層が形成されているので、ワイヤー４のセカンドボンディングも良好におこなわれる。
【００４４】
（Ｄ）は回路基板２の上面側に、ＬＥＤ３及び反射枠体５をモールド樹脂６で封止してＬＥＤ発光装置１０を完成させた状態を示す。この状態において、ＬＥＤ３の電極と配線電極２ａを接続するワイヤー４は反射枠体５の高さよりも低い位置でループさせることができるので、ＬＥＤ発光装置１０としての高さを極めて低くでき、薄型化を可能にしている。
【００４５】
次に図１によりＬＥＤ発光装置１０の動作を説明する。回路基板２の裏面側に設けられた２個の出力電極２ｄに外部より駆動電圧を供給するとＬＥＤ３が発光する。その放射光は理想形状な非球面に形成され、かつ鏡面状態の金属皮膜層を有する反射面５ａによって、狭い範囲の鋭い指向性を有する出射光Ｐとして効率よく出射される。なおモールド樹脂６が蛍光粒子を混入させた蛍光樹脂の場合は、ＬＥＤ３からの放射光は波長変換された出射光Ｐとして出射される。
【００４６】
（第２実施形態）
次に図６、図７により本発明の第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置の構成を説明する。
図６は第２実施形態におけるＬＥＤ発光装置２０の断面図、図７は反射枠体５の斜視図であり、それぞれ図１に示したＬＥＤ発光装置１０の断面図及び図４に示した反射枠体の５の斜視図に対応しており、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００４７】
図６に示す第２実施形態のＬＥＤ発光装置２０が図１に示すが第１実施形態のＬＥＤ発光装置１０と異なるところは、反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を埋設したことであり、この反射部材８によって反射枠体５の切欠凹部５ｂからの光の漏洩を防止し、反射枠体５の反射効率を高めている。
【００４８】
図７は図４に示す反射枠体５に、ＬＥＤ３をダイボンディングした後に、ワイヤ−４によってワイヤーボンディングをおこない、さらに反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を埋設した状態を示している。
【００４９】
上記反射部材８によって反射枠体５の切欠凹部５ｂからの光の漏洩を防止し、反射枠体５の反射効率を高めるためには、反射部材８の材質としては反射率の高い部材として、酸化チタンやガラスフィラーを混入した樹脂材を使用すると良い。
【００５０】
さらに、この反射枠体５の切欠凹部５ｂに埋設された反射部材８は、反射枠体５の切欠部５ｂに形成されたボンディング部５ｄにボンディングされたワイヤー４の補強の役目も果たしている。従ってこのワイヤー４の電気的接続の補強のためには、反射部材８として反射性と導電性を兼ね備えた金ペーストのような導電性材料を使用するとさらに良い。
【００５１】
（第３実施形態）
次に、図８により本発明の第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置の構成を説明する。
図８は第３実施形態におけるＬＥＤ発光装置３０の断面図であり、図２に示したＬＥＤ発光装置２０の断面図に対応しており、同一要素には同一番号を付し、重複する説明を省略する。
【００５２】
第３実施形態のＬＥＤ発光装置３０が第２実施形態のＬＥＤ発光装置２０と異なるところは、ＬＥＤ発光装置２０における回路基板２の大きさに比べて、ＬＥＤ発光装置３０の回路基板３２の大きさが小さくなったことと、モールド樹脂３６が反射枠体５のカップ内部にのみ充填されていることである。
【００５３】
すなわち、ＬＥＤ発光装置３０の回路基板３２の大きさは、反射枠体５の底面の大きさと同じサイズになっており、さらにモールド樹脂３６が反射枠体５のカップ内部にのみ充填されることによって、ＬＥＤ発光装置３０のサイズは外形が反射枠体５と同じサイズで、厚さが回路基板３６と反射枠体５を積層した高さとなっており、第１実施形態及び第実施形態におけるＬＥＤ発光装置１０及びＬＥＤ発光装置２０に比べて、著しく小型、薄型化されていることが分かる。
【００５４】
以上の如く、本発明におけるＬＥＤ発光装置は理想的な反射曲面を有する金属製の反射枠体を採用し、さらにこの反射枠体の一部をボンディング部としてワイヤーボンディングの中継を行わせることで、反射効率の改良と、発光装置としての小型、薄型化を可能としている。なお、本実施形態においては、反射枠体５の切欠凹部５ｂの底面にボンディング部５ｄ形成した事例を示したが、発光装置としての高さにゆとりがある場合には、反射枠体５に切欠凹部５ｂを設けることなく、反射枠体５の上面部にボンディング部５ｄ形成することもできる。この場合には反射枠体５の切欠凹部５ｂに反射部材８を設ける必要がなく、反射枠体５に完全な反射面５ａを形成できる効果がある。
【符号の説明】
【００５５】
２、３２、１０２、２０２ 回路基板
２ａ、１０２ａ、２０２ａ、３０２ａ 配線電極
２ｂ、１０２ｂ、２０２ｂ、３０３ａ ダイボンディング電極
２ｃ 反射枠体固定電極
２ｄ、１０２ｃ、２０２ｃ、３０２ｃ、３０３ｃ 出力電極
２ｅ スルーホール電極
３、１０３ ＬＥＤ
４、１０４ ワイヤー
５ 反射枠体
５ａ、 反射面
５ｂ、 切欠凹部
５ｃ、 中心穴
５ｄ、 ボンディング部
６、３６ モールド樹脂
8 反射部材
１０、２０、３０、１００、２００、３００ ＬＥＤ発光装置
１０２ｄ、２０２ｄ、３０２ｄ、３０３ｄ 側面電極
１１０ 反射カップ体
１１０ａ、２１０ａ、３２０ 反射カップ部
１１０ｂ ワイヤー溝
１２０、２２０、３０２，３０３ 金属メッキ層
１３０、２３０ 透明性樹脂
２１２ ザグリ部
３１０ 樹脂基体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線電極を有する回路基板に半導体発光素子を実装し、前記配線電極と半導体発光素子とを電気的接続し、樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのワイヤーボンディングを行なうボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板における前記半導体発光素子の実装部周囲に配置するとともに、前記反射枠体の底面を前記配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射枠体のボンディング部は反射枠体に形成された切欠き凹部である請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属性の反射枠体は、金属板の絞り加工または金属の鋳造加工によって形成されている請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面は鏡面仕上げ加工が施されている請求項１から3のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面には反射性の金属皮膜層が形成されている請求項４記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記金属性の反射枠体の反射面の金属皮膜層は、ニッケル下地メッキに金メッキ層を形成している請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記金属性の反射枠体に形成された前記切欠凹部には反射性の樹脂が埋設されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記反射性の樹脂は導電性を有する請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記回路基板の大きさが、前記反射枠体の底面の大きさと略同じであり、且つモールド樹脂が反射枠体のカップ内部にのみ充填されている請求項１から８のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項１】
配線電極を有する回路基板に半導体発光素子を実装し、前記配線電極と半導体発光素子とを電気的接続し、樹脂封止してなる半導体発光装置において、カップ形状の反射面と前記半導体発光素子とのワイヤーボンディングを行なうボンディング部とを有する金属性の反射枠体を、前記回路基板における前記半導体発光素子の実装部周囲に配置するとともに、前記反射枠体の底面を前記配線電極に固定し、前記半導体発光素子の電極と、前記反射枠体のボンディング部とをワイヤーボンディングすることにより、前記半導体発光素子の電極をワイヤーと反射枠体を介して回路基板上の、配線電極に接続することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記反射枠体のボンディング部は反射枠体に形成された切欠き凹部である請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記金属性の反射枠体は、金属板の絞り加工または金属の鋳造加工によって形成されている請求項１又は２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面は鏡面仕上げ加工が施されている請求項１から3のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記金属性の反射枠体のカップ形状の反射面には反射性の金属皮膜層が形成されている請求項４記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記金属性の反射枠体の反射面の金属皮膜層は、ニッケル下地メッキに金メッキ層を形成している請求項５記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記金属性の反射枠体に形成された前記切欠凹部には反射性の樹脂が埋設されている請求項１から６のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記反射性の樹脂は導電性を有する請求項７記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記回路基板の大きさが、前記反射枠体の底面の大きさと略同じであり、且つモールド樹脂が反射枠体のカップ内部にのみ充填されている請求項１から８のいずれかに記載の半導体発光装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−５４４６０（Ｐ２０１２−５４４６０Ａ）
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１９６８７４（Ｐ２０１０−１９６８７４）
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月１５日（２０１２．３．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年９月２日（２０１０．９．２）
【出願人】（０００１３１４３０）シチズン電子株式会社 (798)
【出願人】（０００００１９６０）シチズンホールディングス株式会社 (1,939)
【Ｆターム（参考）】
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