半導体素子の放熱体の製造方法
【課題】半導体素子の放熱体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも仮基板１００の表面を覆うように導電層１０４を形成するステップと、少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップ１３０を前記導電層に接合するステップと、前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板１４０を前記導電層上に形成するステップと、前記仮基板を除去するステップと、を含む半導体素子の放熱体の製造方法である。
【解決手段】少なくとも仮基板１００の表面を覆うように導電層１０４を形成するステップと、少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップ１３０を前記導電層に接合するステップと、前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板１４０を前記導電層上に形成するステップと、前記仮基板を除去するステップと、を含む半導体素子の放熱体の製造方法である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子の放熱体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、トランジスター、集積回路、発光ダイオード、レーザーダイオード、半導体光電素子などの半導体素子を封止するにあたって、金属バンプを用いて基板に接合して封止するフリップチップ実装の他に、接合するには、ボンドや半田ペーストが必要である。
【０００３】
しかし、ボンド、半田ペーストを用いる接合や、フリップチップ実装でも、チップを固定する工程において、１５０℃以上に加熱される場合があり、このような高温が半導体の電気特性にダメージが与える恐れがある。
【０００４】
また、半導体光電素子が大型や小型のバックライトモジュールや照明モジュールに応用される場合、十分な輝度と照度を提供するために、十分の光量が出力される。このため、これらの半導体光電素子は常に高出力率で作動される。しかし、半導体光電素子は、高出力率で作動されるため、温度が急速に上昇するので、作動効率が降下され、さらに高温で故障してしまう恐れがある。
【０００５】
現在、半導体発光モジュールの放熱効果不良の問題を解決するために、ファンをつけたり、放熱板の面積を増やしたりする提案が試されている。しかし、これらの提案はさらに問題をもたらしている。例えば、ファンの運転によって、余計にエネルギーを消耗し、振動によって光源が不安定になる。また、放熱板の面積を増やした場合、大型半導体発光モジュールにとって、大幅に放熱材料のコストが高くなってしまう。また、アルミ、銅、熱伝導率のよい金属を用いて放熱体を製造する場合、即時に放熱する効果が図られるが、これらの放熱体がボンドを介して半導体発光素子に接合され、ボンドの熱伝導率が純粋な金属より低いため、素子が作動時に発生する熱は、素子と放熱体の境面であるボンドに累積され、放熱体による放熱効果はよいとは言えない。
【０００６】
また、テープに半導体素子を押し込み、メッキによって金属反射膜および金属放熱台座をテープの裏面に設ける提案が試されている。しかし、この提案を検討したところ、大面積のテープと大面積の半導体素子が接着する場合、接着する境面に気泡が発生しやすく、金属反射膜および金属放熱台座が均等にテープの裏面にメッキされ難く、また、メッキ工程において、テープが温度の変化で膨張したり、収縮したしするので、このようなテープにメッキされた金属反射膜に亀裂が発生しやすく、生産歩留まりが大幅に降下する。
【発明の概要】
【０００７】
そこで、本発明は、金属バンプを介して半導体チップと仮基板上の導電層を接合させることにより、ボンドなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接放熱体を作り出すことのできる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、半導体チップが放熱体と密接し、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上することができる。
【０００８】
また、本発明は、テープがなくても、半導体チップの底部に放熱体を作り出すことのできる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、製品の歩留まりを向上することができる。
【０００９】
また、本発明は、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題が回避できる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、本発明を応用すれば、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質を向上することもできる。
【００１０】
また、本発明は、放熱体が直接に半導体素子の底部に設置され、半導体素子が作動中に発生する熱が即時に放熱体に放出され、半導体素子の温度が下げられる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、半導体素子の操作品質を向上することができ、半導体素子の寿命を延長することができる。
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、半導体素子の放熱体の製造方法であって、少なくとも仮基板の表面を覆うように導電層を形成するステップと、少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップと、前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板を前記導電層上に形成するステップと、前記仮基板を除去するステップと、を含む半導体素子の放熱体の製造方法を提供する。
【００１２】
また、前記半導体チップは半導体光電素子であってよく、前記金属基板を前記導電層上に形成するステップと前記仮基板を除去するステップの間に、さらに、前記金属基板上に反射層を形成するステップと、前記反射層上に透明保護層を形成するステップと、を含んでもよい。また、前記反射層を形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられてもよい。
【００１３】
また、前記導電層は、金、アルミ、銀、プラチナを含む金属層、またはＩＴＯを含む透明導電層を含んでもよい。
【００１４】
また、前記半導体チップの底部に金属接着層が設けられてもよい。
【００１５】
また、前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波熱圧着が用いられてもよい。
【００１６】
また、前記金属基板を前記導電層上に形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられてもよい。
【００１７】
本発明によれば、ボンドやテープなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接に接する放熱体を作り出すことができ、これによって、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上し、さらに半導体素子の操作品質を向上し、半導体素子の寿命を延長することができる。
【００１８】
また、本発明によれば、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題も回避されるので、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質と製品の歩留まりを有効に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
この実施形態において、キャリアの機能とする板材である仮基板１００が提供される。この仮基板１００は、平面基板または任意の立体構造の型であってよく、材料として、金属、非金属、またはこれらの複合材料であってよい。また、この仮基板１００は、耐酸性、耐アルカリ性を有する材料からなるのが好ましい。
【００２１】
次に、図１に示すように、例えば、メッキ、スパッタリング、気相成長法、無電メッキ、スクリーン印刷、液相法、焼結などの成長法により、仮基板１００の表面１０２を覆うように、導電層１０４を形成する。導電層１０４は、金、アルミ、銀、プラチナなどからなる金属層であってよく、ＩＴＯのような透明導電材料からなる透明導電膜であってもよい。
【００２２】
次に、導電性を有する金属バンプを介して、半導体チップを仮基板１００上の導電層１０４に接合する。金属バンプは、例えば、図２に示す金属バンプ１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６のように、任意の形状であってよい。
【００２３】
図２に示すように、多数個の金属バンプ１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６が提供され、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、これらの金属バンプを導電層１０４上に固定する。この金属バンプは、図２に示す金属バンプ１０６、１１２、１１４のように、単一構造であってよく、図２に示す金属バンプ１０８、１１０、１１６のように、複合構造であってもよく、例えば、金属バンプ１０８は二つのバンプ１０８ａ、１０８ｂを堆積してなり、金属バンプ１１０は二つのバンプ１１０ａ、１１０ｂを堆積してなり、金属バンプ１１２は三つのバンプ１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを堆積してなる。
【００２４】
次に、図３に示すように、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ１１８及び１３０をそれぞれ金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６に接合する。この実施形態において、各半導体チップ１１８、１３０がそれぞれ三つの金属バンプによって導電層１０４によって接合されるが、これに限定されなく、各半導体チップが単一の金属バンプや、二つ以上の金属バンプによって導電層１０４に接合されてもよい。
【００２５】
また、他の実施形態において、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、先に金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６をそれぞれ半導体チップ１１８及び１３０に接合してから、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ１１８及び１３０にそれぞれ接合された金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６を導電層１０４に接合する。
【００２６】
また、少なくとも二つのバンプを堆積してなる金属バンプを利用して半導体チップを導電層１０４に接合する場合、例えば、図２に示す金属バンプ１１０を利用して、半導体チップを導電層１０４に接合する場合、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、金属バンプ１１０になるバンプ１１０ａ及び１１０ｂを先に導電層１０４及び半導体チップにそれぞれ接合する。次に、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、導電層１０４及び半導体チップに接合されたバンプ１１０ａ及び１１０ｂを堆積させて接合させる。
【００２７】
本発明において、導電層１０４に一つの半導体チップを設けてよく、同時に導電層１０４に多数の半導体チップ、例えば半導体チップ１１８と１３０を設けてもよい。本実施形態において、半導体チップは、例えば、トランジスターや集積回路などの半導体素子であってよく、発光ダイオードや、レーザーダイオード、太陽電池などの半導体光電素子であってもよい。また、半導体チップは、ベアチップであってよく、一回の封止、二回の封止、または多数回の封止を経て、モジュールになったものであってもよい。
【００２８】
図３に示すように、半導体チップ１１８と１３０は、発光ダイオードであってよい。半導体チップ１１８は、基板１２０と、基板１２０上に位置する発光エピタキシャル構造１２２と、発光エピタキシャル構造１２２上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がｎ型で、他方がｐ型である第１電極１２６と第２電極１２８と、を有する。また、半導体チップ１１８と金属バンプ１０６、１０８、１１０の接合を良くするために、半導体チップ１１８の底部に選択的に導電性を有し、半導体チップ１１８の底部と例えば、金属バンプ１０６、１０８、１１０などの金属バンプの間に良好な付着力を有する金属接着層１２４を設けてよい。
【００２９】
前記のように、半導体チップ１３０は、基板１３２と、基板１３２上に位置する発光エピタキシャル構造１３４と、発光エピタキシャル構造１３４上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がｎ型で、他方がｐ型である第１電極１３６と第２電極１３８と、を有する。また、半導体チップ１３０において、第１電極１３６は、半導体チップ１３０の底部と例えば、金属バンプ１１２、１１４、１１６などの金属バンプの間に良好な付着力を有する半導体チップ１３０の金属接着層としてもよい。
【００３０】
図３に示すように、半導体チップの二つの電極は、例えば半導体チップ１１８の第１電極１２６と第２電極１２８のように、半導体チップの同側に位置してよく、または、例えば半導体チップ１３０の第１電極１３６と第２電極１３８のように、半導体チップの反対側に位置してもよい。
【００３１】
次に、図４に示すように、成長法によって、導電層１０４を覆い、半導体チップ１１８、１３０と導電層１０４の間の隙間を充填するように金属基板１４０を形成する。また、半導体チップ１１８と１３０の側壁の底部近くの一部が金属基板１４０によって覆われる。金属基板１４０を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。また、金属基板１４０は単一の金属材料からなってよく、多層の金属材料からなってもよい。これらの金属材料は、熱伝導率のよい金属が好ましく、例えば、銅、鉄／ニッケル合金、ニッケル、アルミ、タングステン、またはこれらの合金が挙げられる。
【００３２】
また、図５に示すように、半導体チップ１１８と１３０は半導体光電素子の場合、成長法によって、金属基板１４０を覆うように、選択的に半導体チップ１１８と１３０から底部へ発する光を反射するための反射層１４２を形成することができる。反射層１４２を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。反射層１４２は、金属基板１４０に対する付着力のよい材料からなるものが好ましい。反射層１４２は、一種類または複数種類の金属材料からなってよく、一種類または複数種類の非金属材料からなってもよい。また、反射層１４２は、一種類または複数種類の金属材料と、一種類または複数種類の非金属材料からなる複合材料からなってもよい。
【００３３】
また、図６に示すように、この実施形態において、反射層１４２が形成された後、成長法によって、反射層１４２を覆って反射層１４２の材料が酸化や劣化するのを回避するように反射層１４２を保護するための透明保護層が形成される。透明保護層１４４は、光を順調に透過させる高透過率の材料からなるのが好ましい。
【００３４】
次に、図７に示すように、研磨やレーザーによって仮基板１００を除去し、導電層１０４を露出する。次に、同時に複数の半導体チップ例えば半導体チップ１１８と１３０を導電層１０４に設置する場合は、カットによって半導体チップ１１８と１３０を分割することができる。このようにして、図８に示すように、半導体チップ１１８と１３０を搭載した金属基板１４０である放熱体が完成される。
【００３５】
前記実施形態によれば、金属バンプを介して半導体チップと仮基板上の導電層を接合させるので、ボンドなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接放熱体を作り出すことができる。これによって、半導体チップが放熱体と密接し、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上することができる。
【００３６】
また、前記実施形態によれば、テープがなくても、半導体チップの底部に放熱体を作り出すことができる。これによって、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、製品の歩留まりを向上することができる。
【００３７】
また、前記実施形態によれば、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題が回避されるので、本発明を応用すれば、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質を向上することもできる。
【００３８】
また、前記実施形態によれば、放熱体が直接に半導体素子の底部に設置され、半導体素子が作動中に発生する熱が即時に放熱体に放出され、半導体素子の温度が下げられるので、半導体素子の操作品質を向上することができ、半導体素子の寿命を延長することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１００：仮基板
１０２：表面
１０４：導電層
１０６：金属バンプ
１０８：金属バンプ
１０８ａ：バンプ
１０８ｂ：バンプ
１１０：金属バンプ
１１０ａ：バンプ
１１０ｂ：バンプ
１１２：金属バンプ
１１４：金属バンプ
１１６：金属バンプ
１１６ａ：バンプ
１１６ｂ：バンプ
１１６ｃ：バンプ
１１８：半導体チップ
１２０：基板
１２２：発光エピタキシャル構造
１２４：金属接着層
１２６：第１電極
１２８：第２電極
１３０：半導体チップ
１３２：基板
１３４：発光エピタキシャル構造
１３６：第１電極
１３８：第２電極
１４０：金属基板
１４２：反射層
１４４：透明保護層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に関し、特に半導体素子の放熱体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、トランジスター、集積回路、発光ダイオード、レーザーダイオード、半導体光電素子などの半導体素子を封止するにあたって、金属バンプを用いて基板に接合して封止するフリップチップ実装の他に、接合するには、ボンドや半田ペーストが必要である。
【０００３】
しかし、ボンド、半田ペーストを用いる接合や、フリップチップ実装でも、チップを固定する工程において、１５０℃以上に加熱される場合があり、このような高温が半導体の電気特性にダメージが与える恐れがある。
【０００４】
また、半導体光電素子が大型や小型のバックライトモジュールや照明モジュールに応用される場合、十分な輝度と照度を提供するために、十分の光量が出力される。このため、これらの半導体光電素子は常に高出力率で作動される。しかし、半導体光電素子は、高出力率で作動されるため、温度が急速に上昇するので、作動効率が降下され、さらに高温で故障してしまう恐れがある。
【０００５】
現在、半導体発光モジュールの放熱効果不良の問題を解決するために、ファンをつけたり、放熱板の面積を増やしたりする提案が試されている。しかし、これらの提案はさらに問題をもたらしている。例えば、ファンの運転によって、余計にエネルギーを消耗し、振動によって光源が不安定になる。また、放熱板の面積を増やした場合、大型半導体発光モジュールにとって、大幅に放熱材料のコストが高くなってしまう。また、アルミ、銅、熱伝導率のよい金属を用いて放熱体を製造する場合、即時に放熱する効果が図られるが、これらの放熱体がボンドを介して半導体発光素子に接合され、ボンドの熱伝導率が純粋な金属より低いため、素子が作動時に発生する熱は、素子と放熱体の境面であるボンドに累積され、放熱体による放熱効果はよいとは言えない。
【０００６】
また、テープに半導体素子を押し込み、メッキによって金属反射膜および金属放熱台座をテープの裏面に設ける提案が試されている。しかし、この提案を検討したところ、大面積のテープと大面積の半導体素子が接着する場合、接着する境面に気泡が発生しやすく、金属反射膜および金属放熱台座が均等にテープの裏面にメッキされ難く、また、メッキ工程において、テープが温度の変化で膨張したり、収縮したしするので、このようなテープにメッキされた金属反射膜に亀裂が発生しやすく、生産歩留まりが大幅に降下する。
【発明の概要】
【０００７】
そこで、本発明は、金属バンプを介して半導体チップと仮基板上の導電層を接合させることにより、ボンドなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接放熱体を作り出すことのできる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、半導体チップが放熱体と密接し、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上することができる。
【０００８】
また、本発明は、テープがなくても、半導体チップの底部に放熱体を作り出すことのできる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、製品の歩留まりを向上することができる。
【０００９】
また、本発明は、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題が回避できる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、本発明を応用すれば、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質を向上することもできる。
【００１０】
また、本発明は、放熱体が直接に半導体素子の底部に設置され、半導体素子が作動中に発生する熱が即時に放熱体に放出され、半導体素子の温度が下げられる半導体素子の放熱体の製造方法を提供することを目的とし、これによって、半導体素子の操作品質を向上することができ、半導体素子の寿命を延長することができる。
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明は、半導体素子の放熱体の製造方法であって、少なくとも仮基板の表面を覆うように導電層を形成するステップと、少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップと、前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板を前記導電層上に形成するステップと、前記仮基板を除去するステップと、を含む半導体素子の放熱体の製造方法を提供する。
【００１２】
また、前記半導体チップは半導体光電素子であってよく、前記金属基板を前記導電層上に形成するステップと前記仮基板を除去するステップの間に、さらに、前記金属基板上に反射層を形成するステップと、前記反射層上に透明保護層を形成するステップと、を含んでもよい。また、前記反射層を形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられてもよい。
【００１３】
また、前記導電層は、金、アルミ、銀、プラチナを含む金属層、またはＩＴＯを含む透明導電層を含んでもよい。
【００１４】
また、前記半導体チップの底部に金属接着層が設けられてもよい。
【００１５】
また、前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波熱圧着が用いられてもよい。
【００１６】
また、前記金属基板を前記導電層上に形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられてもよい。
【００１７】
本発明によれば、ボンドやテープなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接に接する放熱体を作り出すことができ、これによって、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上し、さらに半導体素子の操作品質を向上し、半導体素子の寿命を延長することができる。
【００１８】
また、本発明によれば、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題も回避されるので、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質と製品の歩留まりを有効に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図３】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図４】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係る半導体素子の放熱体の製造方法の実施形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
この実施形態において、キャリアの機能とする板材である仮基板１００が提供される。この仮基板１００は、平面基板または任意の立体構造の型であってよく、材料として、金属、非金属、またはこれらの複合材料であってよい。また、この仮基板１００は、耐酸性、耐アルカリ性を有する材料からなるのが好ましい。
【００２１】
次に、図１に示すように、例えば、メッキ、スパッタリング、気相成長法、無電メッキ、スクリーン印刷、液相法、焼結などの成長法により、仮基板１００の表面１０２を覆うように、導電層１０４を形成する。導電層１０４は、金、アルミ、銀、プラチナなどからなる金属層であってよく、ＩＴＯのような透明導電材料からなる透明導電膜であってもよい。
【００２２】
次に、導電性を有する金属バンプを介して、半導体チップを仮基板１００上の導電層１０４に接合する。金属バンプは、例えば、図２に示す金属バンプ１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６のように、任意の形状であってよい。
【００２３】
図２に示すように、多数個の金属バンプ１０６、１０８、１１０、１１２、１１４、１１６が提供され、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、これらの金属バンプを導電層１０４上に固定する。この金属バンプは、図２に示す金属バンプ１０６、１１２、１１４のように、単一構造であってよく、図２に示す金属バンプ１０８、１１０、１１６のように、複合構造であってもよく、例えば、金属バンプ１０８は二つのバンプ１０８ａ、１０８ｂを堆積してなり、金属バンプ１１０は二つのバンプ１１０ａ、１１０ｂを堆積してなり、金属バンプ１１２は三つのバンプ１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃを堆積してなる。
【００２４】
次に、図３に示すように、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ１１８及び１３０をそれぞれ金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６に接合する。この実施形態において、各半導体チップ１１８、１３０がそれぞれ三つの金属バンプによって導電層１０４によって接合されるが、これに限定されなく、各半導体チップが単一の金属バンプや、二つ以上の金属バンプによって導電層１０４に接合されてもよい。
【００２５】
また、他の実施形態において、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、先に金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６をそれぞれ半導体チップ１１８及び１３０に接合してから、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、半導体チップ１１８及び１３０にそれぞれ接合された金属バンプ１０６、１０８、１１０及び金属バンプ１１２、１１４、１１６を導電層１０４に接合する。
【００２６】
また、少なくとも二つのバンプを堆積してなる金属バンプを利用して半導体チップを導電層１０４に接合する場合、例えば、図２に示す金属バンプ１１０を利用して、半導体チップを導電層１０４に接合する場合、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、金属バンプ１１０になるバンプ１１０ａ及び１１０ｂを先に導電層１０４及び半導体チップにそれぞれ接合する。次に、例えば、超音波熱圧着や、超音波をかけながら押圧をかける方法などの熱圧着によって、導電層１０４及び半導体チップに接合されたバンプ１１０ａ及び１１０ｂを堆積させて接合させる。
【００２７】
本発明において、導電層１０４に一つの半導体チップを設けてよく、同時に導電層１０４に多数の半導体チップ、例えば半導体チップ１１８と１３０を設けてもよい。本実施形態において、半導体チップは、例えば、トランジスターや集積回路などの半導体素子であってよく、発光ダイオードや、レーザーダイオード、太陽電池などの半導体光電素子であってもよい。また、半導体チップは、ベアチップであってよく、一回の封止、二回の封止、または多数回の封止を経て、モジュールになったものであってもよい。
【００２８】
図３に示すように、半導体チップ１１８と１３０は、発光ダイオードであってよい。半導体チップ１１８は、基板１２０と、基板１２０上に位置する発光エピタキシャル構造１２２と、発光エピタキシャル構造１２２上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がｎ型で、他方がｐ型である第１電極１２６と第２電極１２８と、を有する。また、半導体チップ１１８と金属バンプ１０６、１０８、１１０の接合を良くするために、半導体チップ１１８の底部に選択的に導電性を有し、半導体チップ１１８の底部と例えば、金属バンプ１０６、１０８、１１０などの金属バンプの間に良好な付着力を有する金属接着層１２４を設けてよい。
【００２９】
前記のように、半導体チップ１３０は、基板１３２と、基板１３２上に位置する発光エピタキシャル構造１３４と、発光エピタキシャル構造１３４上に位置し、異なる電気特性、例えば一方がｎ型で、他方がｐ型である第１電極１３６と第２電極１３８と、を有する。また、半導体チップ１３０において、第１電極１３６は、半導体チップ１３０の底部と例えば、金属バンプ１１２、１１４、１１６などの金属バンプの間に良好な付着力を有する半導体チップ１３０の金属接着層としてもよい。
【００３０】
図３に示すように、半導体チップの二つの電極は、例えば半導体チップ１１８の第１電極１２６と第２電極１２８のように、半導体チップの同側に位置してよく、または、例えば半導体チップ１３０の第１電極１３６と第２電極１３８のように、半導体チップの反対側に位置してもよい。
【００３１】
次に、図４に示すように、成長法によって、導電層１０４を覆い、半導体チップ１１８、１３０と導電層１０４の間の隙間を充填するように金属基板１４０を形成する。また、半導体チップ１１８と１３０の側壁の底部近くの一部が金属基板１４０によって覆われる。金属基板１４０を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。また、金属基板１４０は単一の金属材料からなってよく、多層の金属材料からなってもよい。これらの金属材料は、熱伝導率のよい金属が好ましく、例えば、銅、鉄／ニッケル合金、ニッケル、アルミ、タングステン、またはこれらの合金が挙げられる。
【００３２】
また、図５に示すように、半導体チップ１１８と１３０は半導体光電素子の場合、成長法によって、金属基板１４０を覆うように、選択的に半導体チップ１１８と１３０から底部へ発する光を反射するための反射層１４２を形成することができる。反射層１４２を形成するに用いられる成長法として、例えば電気メッキまたは無電メッキが挙げられる。反射層１４２は、金属基板１４０に対する付着力のよい材料からなるものが好ましい。反射層１４２は、一種類または複数種類の金属材料からなってよく、一種類または複数種類の非金属材料からなってもよい。また、反射層１４２は、一種類または複数種類の金属材料と、一種類または複数種類の非金属材料からなる複合材料からなってもよい。
【００３３】
また、図６に示すように、この実施形態において、反射層１４２が形成された後、成長法によって、反射層１４２を覆って反射層１４２の材料が酸化や劣化するのを回避するように反射層１４２を保護するための透明保護層が形成される。透明保護層１４４は、光を順調に透過させる高透過率の材料からなるのが好ましい。
【００３４】
次に、図７に示すように、研磨やレーザーによって仮基板１００を除去し、導電層１０４を露出する。次に、同時に複数の半導体チップ例えば半導体チップ１１８と１３０を導電層１０４に設置する場合は、カットによって半導体チップ１１８と１３０を分割することができる。このようにして、図８に示すように、半導体チップ１１８と１３０を搭載した金属基板１４０である放熱体が完成される。
【００３５】
前記実施形態によれば、金属バンプを介して半導体チップと仮基板上の導電層を接合させるので、ボンドなどを用いる必要がなく、半導体チップの底部に直接放熱体を作り出すことができる。これによって、半導体チップが放熱体と密接し、放熱体の放熱能力が有効に発揮され、大幅に半導体素子の放熱効果を向上することができる。
【００３６】
また、前記実施形態によれば、テープがなくても、半導体チップの底部に放熱体を作り出すことができる。これによって、従来のテープの温度による膨張したり収縮したりすることがもたらした反射層のひび割れの問題が回避され、製品の歩留まりを向上することができる。
【００３７】
また、前記実施形態によれば、テープと半導体素子の接着不良による金属反射膜と金属放熱台座の厚みが均等でない問題が回避されるので、本発明を応用すれば、放熱体の製造工程が簡単で実施し易くだけでなく、放熱体の品質を向上することもできる。
【００３８】
また、前記実施形態によれば、放熱体が直接に半導体素子の底部に設置され、半導体素子が作動中に発生する熱が即時に放熱体に放出され、半導体素子の温度が下げられるので、半導体素子の操作品質を向上することができ、半導体素子の寿命を延長することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１００：仮基板
１０２：表面
１０４：導電層
１０６：金属バンプ
１０８：金属バンプ
１０８ａ：バンプ
１０８ｂ：バンプ
１１０：金属バンプ
１１０ａ：バンプ
１１０ｂ：バンプ
１１２：金属バンプ
１１４：金属バンプ
１１６：金属バンプ
１１６ａ：バンプ
１１６ｂ：バンプ
１１６ｃ：バンプ
１１８：半導体チップ
１２０：基板
１２２：発光エピタキシャル構造
１２４：金属接着層
１２６：第１電極
１２８：第２電極
１３０：半導体チップ
１３２：基板
１３４：発光エピタキシャル構造
１３６：第１電極
１３８：第２電極
１４０：金属基板
１４２：反射層
１４４：透明保護層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の放熱体の製造方法であって、少なくとも
仮基板の表面を覆うように導電層を形成するステップと、
少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップと、
前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板を前記導電層上に形成するステップと、
前記仮基板を除去するステップと
を含む半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップは半導体光電素子であり、
前記金属基板を前記導電層上に形成するステップと前記仮基板を除去するステップの間に、さらに、
前記金属基板上に反射層を形成するステップと、
前記反射層上に透明保護層を形成するステップと
を含む請求項１に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項３】
前記反射層を形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項２に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項４】
前記導電層は、金、アルミ、銀、プラチナを含む金属層、またはＩＴＯを含む透明導電層を含む請求項１から３の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項５】
前記半導体チップの底部に金属接着層が設けられる請求項１から４の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波熱圧着が用いられる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波をかけながら押圧をかけて行われる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、熱圧着が用いられる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記金属バンプと前記半導体チップを接合するステップと、
前記金属バンプと前記半導体チップを接合してから、前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップと、
前記金属バンプを前記導電層上に接合してから、前記半導体チップを前記金属バンプ上に接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１１】
前記金属バンプは第１バンプと第２バンプとを含み、
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記第１バンプと前記第２バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合するステップと、
前記第１バンプと前記第２バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合すてから、前記第１バンプと前記第２バンプを接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１２】
前記金属基板を前記導電層上に形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項１から１１の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１】
半導体素子の放熱体の製造方法であって、少なくとも
仮基板の表面を覆うように導電層を形成するステップと、
少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップと、
前記半導体チップと前記導電層の間の隙間を充満するように金属基板を前記導電層上に形成するステップと、
前記仮基板を除去するステップと
を含む半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項２】
前記半導体チップは半導体光電素子であり、
前記金属基板を前記導電層上に形成するステップと前記仮基板を除去するステップの間に、さらに、
前記金属基板上に反射層を形成するステップと、
前記反射層上に透明保護層を形成するステップと
を含む請求項１に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項３】
前記反射層を形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項２に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項４】
前記導電層は、金、アルミ、銀、プラチナを含む金属層、またはＩＴＯを含む透明導電層を含む請求項１から３の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項５】
前記半導体チップの底部に金属接着層が設けられる請求項１から４の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波熱圧着が用いられる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、超音波をかけながら押圧をかけて行われる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップにおいて、熱圧着が用いられる請求項１から５の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記金属バンプと前記半導体チップを接合するステップと、
前記金属バンプと前記半導体チップを接合してから、前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記金属バンプを前記導電層上に接合するステップと、
前記金属バンプを前記導電層上に接合してから、前記半導体チップを前記金属バンプ上に接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１１】
前記金属バンプは第１バンプと第２バンプとを含み、
前記少なくとも一つの金属バンプを介して、一つの半導体チップを前記導電層に接合するステップは、
前記第１バンプと前記第２バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合するステップと、
前記第１バンプと前記第２バンプをそれぞれ前記半導体チップと前記導電層に接合すてから、前記第１バンプと前記第２バンプを接合するステップと
を含む請求項１から８の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【請求項１２】
前記金属基板を前記導電層上に形成するステップにおいて、電気メッキまたは無電メッキが用いられる請求項１から１１の何れか１項に記載の半導体素子の放熱体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１２−１２９４８５（Ｐ２０１２−１２９４８５Ａ）
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−７５５３５（Ｐ２０１１−７５５３５）
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（５０４４５５９０８）国立成功大学 (18)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年７月５日（２０１２．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３０日（２０１１．３．３０）
【出願人】（５０４４５５９０８）国立成功大学 (18)
【Ｆターム（参考）】
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