半導体装置用基板の製造方法および半導体装置用基板
【課題】 配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって作製される高密度な半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置用基板の製造方法は、配線パターン２およびリード６を形成する以前に、絶縁性基板１におけるリード６が形成される位置を含む所定位置に開口４を穿設する工程と、リード６に電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線３を、そのリード６に直接に接続されるパターンとして、そのリード６の形成と共に、開口４の領域内に形成する工程と、電解めっき処理を施した後、めっき用給電線３をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含んでいる。
【解決手段】 本発明の半導体装置用基板の製造方法は、配線パターン２およびリード６を形成する以前に、絶縁性基板１におけるリード６が形成される位置を含む所定位置に開口４を穿設する工程と、リード６に電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線３を、そのリード６に直接に接続されるパターンとして、そのリード６の形成と共に、開口４の領域内に形成する工程と、電解めっき処理を施した後、めっき用給電線３をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含んでいる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路チップのような半導体装置に接続されるためのリードを有する配線を、例えばポリイミドフィルムのような絶縁性基板の表面に設け、そのリードの先端部分に金めっきのようなめっき層を形成する工程を含んだ導体装置用基板の製造方法、および半導体装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基板上に導体パターンを形成し、そのリード（インナーリードとも呼ばれる）に半導体チップを接続してなる構造の半導体装置においては、一般に、外部のプリント配線板等に対して、アウターリードまたは接続パッドもしくは接続ピンなどを接続するために、はんだ付けが用いられている。はんだ付けは、プリント配線板の端子やパッドに対する半導体装置のアウターリードの電気的および機械的な接続を同時に実現することが可能であり、かつ簡易な工程で行うことが可能であることから、現在、広く用いられている。
【０００３】
しかし、プリント配線板上の端子やパッドの表面は、はんだ付けに適した材質であるとは限らない。例えばタングステン等の高融点金属で形成されている場合には、はんだ付けによる接合が実質的に不可能である。あるいは接合部位が酸化している場合にも、はんだ付けによる安定した接合を得ることは困難となる。
このような接合の不安定化や不確実化といった不都合は、例えばポリイミドフィルムのような絶縁性基板上に導体パターンを設けた配線基板に半導体チップを搭載してなるフィルムキャリア方式と呼ばれるような半導体装置およびその製造方法においても同様である。
【０００４】
近年では、半導体装置のさらなる小型化・高密度化が進められており、それに対応するために、フィルムキャリア方式の半導体装置における接合の安定化を実現することが、さらに強く要請されるようになってきている。
そこで、半導体チップ搭載時の接合の安定化を図るために、配線基板上の表面の端子やパッドに金めっきを施して、その接合部位の酸化を防ぐことが行われている。またその下地めっきとしてニッケルめっき等を施すことなども行われている。
【０００５】
しかし、特に高密度配線基板については、高密度配線回路を形成した後にめっき用給電線を形成することはできない。このため、無電解めっきを採用するか、あるいは高密度配線と同時にめっき用給電線を（同一基板上に高密度配線と混在して）形成しておき、それを用いてめっき用電流を供給しながら電解めっきを行って、下地めっき層および金めっき層等を形成するようにしている。
無電解めっきは一般に、めっき液やプロセス条件等の管理が煩雑で、形成されるめっき皮膜の品質が不安定になる傾向があり、またそのプロセスに時間が掛かる傾向にあるので製造コストが高くなるなどの不利な特質を有している。このため、めっき層の形成には、無電解めっき法よりも、電解めっき法を採用することが多い。
【０００６】
ところが、電解めっき法の場合、上記のようにめっき用給電線が不可欠であるが、半導体装置の動作信号の高周波化が進むにつれて、めっき用給電線が半導体装置の製品としての電気的動作特性に大きな悪影響を与える可能性が指摘されている。
一般に、半導体装置用基板上に形成される高密度配線を構成する個々の導体パターンは、接続される半導体チップに対して信号を伝送するために、基本的にその一本一本が個々に独立しているので、導体パターン１本ごとにめっき用給電線が１本ずつ必要となる。すなわち、基本的に、めっき用給電線は導体パターンの本数と同等の本数が必要となる。
そうすると、そのような多数のめっき用給電線の存在が原因となって、高密度配線に入出力される信号に反射が生じたり、配線回路全体に対して無視できない寄生容量が生じるなどして、半導体装置の内部における配線回路全体のインピーダンスコントロール特性が阻害される虞がある。このため、めっき用給電線は、金めっきを行った後に除去することが要請される。
このようなめっき用給電線を除去するための具体的な手法としては、例えば、特開２００３−１０１１９５号公報（特許文献１）にて提案されたような、金めっきを施した後に、めっき用給電線のみを選択的にエッチングによって除去する、という方法が知られている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１０１１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の、めっき用給電線を高密度配線と混在させた構成の半導体装置用基板およびその製造方法（特にめっき用給電線の除去方法）では、次のような問題がある。
【０００９】
電解めっきを行った後に、めっき用給電線を一度のエッチング工程で完全に除去するためには、例えば配線回路本体を形成している銅合金と、その下地めっき層のニッケルと、仕上げめっき層の金と、のように、複数種類の金属の全てに適応したエッチングを行うことが必要となる。このため、最適条件を設定することが極めて困難なものとなる。あるいは個々の金属ごとにそれぞれ最適なエッチングプロセスを行うようにすると、このめっき用給電線を除去する工程が極めて煩雑なものとなってしまう。また、このエッチング工程で使用するエッチャントが実装端子等に触れることとなるので、その実装端子等の表面が酸化して接合強度の低下を引き起こす虞もある。
あるいは、めっき用給電線をエッチングによって完全に除去しようとすると、そのめっき用給電線の下の絶縁性基板の表面も削られてその部分が薄くなる虞が極めて高く、これに起因して、絶縁性基板の平坦性が損われて半導体チップとの密着性や固着性を損なったり、その薄くなった部分から絶縁性基板に亀裂が生じるなど、種々の悪影響を及ぼすこととなる。
このような種々の要因から、エッチングによって例えば２００μｍ未満のような微細なめっき用給電線およびその表面の金めっき層等を精確かつ確実に除去することは、実質的に極めて困難ないしは不可能であった。
【００１０】
また、剥離可能な絶縁フィルム上にめっき用給電線を形成する方法では、絶縁フィルムに配線しない部分に対して精確に穴を開ける加工が必要となり、かつフィルムの貼り付けの際に高精度な位置合わせが要求されるなど、製造プロセスおよびその設定条件が煩雑かつ困難なものとなるという問題がある。さらには、絶縁フィルムを剥がす際に、その絶縁フィルム上の配線を絶縁性基板上の配線から確実に切断（せん断）できなければならないが、そのためには配線を薄く形成せざるを得なくなって、絶縁フィルム側の配線の幅や厚さが著しく制約され、このことに起因して、配線の高密度化やインピーダンスコントロール特性の良好性が阻害されるという問題がある。
【００１１】
また、半導体装置用基板は、近年一般に、さらなる高密度配線化・高集積化に対応することが要請されており、それに対応するためには２層以上のいわゆる多層化をさらに推進させなければならなくなることが予想されるが、そのように多層化した半導体装置用基板において、上記のようなめっき用給電線のみを選択的に確実に除去することは、さらに困難なものとなる。
【００１２】
このように、従来の高密度配線を有する半導体装置用基板の製造方法では、いずれも、製造プロセスを煩雑なものとすることなく、また配線の高密度化を阻害することなしに、確実にめっき用給電線の除去を行うことは、実際上極めて困難ないしは不可能であった。
また、もとより、めっき用給電線を、高密度配線と同一基板上に、その高密度配線の本数とほぼ同様の本数混在させるという構成自体、少なくともそのめっき用給電線のスペースが、配線パターンを形成するために使用可能なスペースの損失となってしまうので、配線のさらなる高密度化を達成する際の著しい阻害要因となっていた。
【００１３】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって製造される高密度な半導体装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法は、絶縁性基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する配線パターンを形成する工程と、前記リードの先端における前記半導体チップと接続される所定部位に電解めっき処理を施してめっき層を形成する工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、前記配線パターンおよび前記リードを形成する以前に、前記絶縁性基板における前記リードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設する工程と、前記リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、前記リードに直接に接続されるパターンとして、当該リードの形成と共に、前記開口の領域内に形成する工程と、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を、パンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の第２の半導体装置用基板の製造方法は、上記第１の半導体装置用基板の製造方法において、雄金型および雌金型からなる前記パンチング金型のうちの雄金型を、前記絶縁性基板側から前記めっき用給電線に向けてパンチングして、当該めっき用給電線を打抜き除去することを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の第３の半導体装置用基板の製造方法は、上記第２の半導体装置用基板の製造方法において、前記打抜き除去工程後の、前記リードの反り変形量を、５０μｍ以下としたことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の第４の半導体装置用基板の製造方法は、上記第１ないし第３の半導体装置用基板の製造方法において、前記配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、前記めっき用給電線および前記リードを、前記複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を除去することを特徴としている。
【００１８】
本発明の第１の半導体装置用基板は、絶縁性基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁性基板の表面に設けられた配線パターンと、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁性基板上で略矩形状の開口の周囲を取り囲むように、前記配線パターンを複数配列形成してなる半導体装置用基板であって、前記めっき層が、前記リードに直接接続されるように形成されためっき用給電線を介して供給されるめっき電流を用いた電解めっき処理で形成してなるものであり、前記リードに接続されためっき用給電線は前記電解めっき処理後に打抜き除去されており、当該打抜き後に前記開口の周囲の４辺のうちの前記リードが形成されていない両辺に残されためっき用給電線の一部分以外に、前記絶
縁性基板上における前記配線パターンが形成された領域には、前記めっき用給電線が全く形成されておらずかつ当該めっき用給電線の除去した形跡または残渣も全く存在しないことを特徴としている。
【００１９】
本発明の第２の半導体装置用基板は、上記第１の半導体装置用基板において、前記リードの反り変形量が、５０μｍ以下であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板によれば、配線パターンおよびリードを形成する以前に、絶縁性基板におけるリードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設し、リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、リードに直接に接続されるパターンとして、そのリードの形成と共に開口の領域内に形成し、電解めっき処理を施した後にめっき用給電線をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去するようにしているので、従来は配線パターンと混在していためっき用給電線を、絶縁性基板上における実質的に配線パターンが形成される領域には全く形成しなくてよくなり、また従って、そのめっき用給電線をエッチングにより選択的に除去するといった煩雑な処理工程が全く必要とすることなくリードに電解めっきを施すことができる。すなわち、本発明によれば、配線の高密度化を阻害することなくリードに電解めっきを施し、その後、極めて簡易かつ確実に、めっき用給電線の除去を行うことが可能となる。また、高密度な半導体装置用基板を実現することが可能となる。
【００２１】
また、特に、雄金型および雌金型からなる金型のうちの雄金型を、絶縁性基板側からめっき用給電線に向けてパンチングして、そのめっき用給電線を打抜き除去することで、その打抜き工程後のリードの反り変形量を、例えば一般的な許容変形量である約１００μｍの半分以下の５０μｍのように、極めて効果的に抑制することが可能となる。
【００２２】
また、配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、めっき用給電線およびリードを、複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、上記のような電解めっき処理を行って、リードに電解めっき処理を施した後、めっき用給電線を上記のようにパンチング金型を用いた打抜きによって除去することにより、いわゆる配線パターンの多層化にも対応することが可能となる。しかも、そのように多層化すると、従来提案さていたようなエッチング法によるめっき用給電線の選択的な除去方法では、その工程がさらに煩雑なものとなったり、エッチング処理にさらに多大な時間や工数が掛かってしまう虞が極めて大であったが、本発明によれば、配線パターンが形成されることのない開口の領域内に、その開口の例えば矩形状のような極めて簡易な形状と同様の形状（パターン）のめっき用給電線を設け、それを上記のようにプレスによって打抜き除去するので、多層化された半導体装置用基板であっても、そのめっき用給電線の除去を極めて簡易に行うことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法、およびそれによって製造される半導体装置用基板について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、金めっき層形成後であってめっき用給電線の除去前の状態を示す図である。図２は、図１に示した状態に引き続いて、めっき用給電線を除去した後の状態を示す図である。図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す図である。図４は、比較例として、従来の一般的な、配線領域内に配線パターンとめっき用給電線とを混在させた構成の、半導体装置用基板の一例を示す図である。
【００２５】
この製造方法によって作製される半導体装置用基板は、図１、図２および図３（ｆ）に示したように、絶縁性基板１と、配線パターン２と、めっき用給電線３と、開口４と、実装端子５と、リード６と、金めっき層７とを備えている。
【００２６】
絶縁性基板１は、例えばポリイミドからなるフレキシブルなフィルム基板である。この絶縁性基板１自体については、いわゆるキャリアテープと呼ばれる一般的なＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）テープ用のフィルム基板を用いることが可能である。
【００２７】
配線パターン２は、絶縁性基板１の表面上の、いわゆる配線領域に、例えば銅箔９をフォトエッチング法によってパターニングして形成された導体配線のパターンであり、その一端には外部接続用の実装端子５を有すると共に、他端には半導体チップ（図示省略）との接続用のリード６とを有している。そのリード６の先端における、少なくとも半導体チップに接続される所定部位には、電解めっき法によって金めっき層７が形成されている。
【００２８】
リード６の先端は、絶縁性基板１上で所定寸法の細長矩形状の開口４の領域内に突出するように、その開口４の長手方向の対向する２辺にそれぞれ沿って、配列形成されている。このリード６は、反り変形量が許容誤差１２０μｍ以下に設定されており、後述するようなパンチング金型を用いて絶縁性基板１の裏面側から打ち抜くという手法によって、例えばその許容誤差１２０μｍの半分以下の５０μｍと極めて小さな反り変形量に抑えられている。
【００２９】
配線パターン２が形成されている配線領域内には、比較例として図４に一例を示したような、従来の一般的なめっき用給電線１０３は、全く形成されていない。従ってまた、一旦そのようなめっき用給電線１０３を形成してからエッチング法などによってそのめっき用給電線１０３を選択的に除去したような形跡も残渣も全く存在していない。何故なら、後述するように、本実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板では、図１に示したように、めっき用給電線３を、配線領域内ではなく、開口４の領域内に、リード６の先端と直接に接続（連続）されるように形成し、電解めっき工程を行った後、図２に示したように、その開口４の領域内のめっき用給電線３をパンチング金型１０を用いて完全に打抜き除去するようにしているからである。
【００３０】
開口４の左右両端には、それぞれ上記の打抜き後に、めっき用給電線３の一部分が残されているが、この部分は配線領域外であるので、配線パターン２の高密度化を全く妨げることはない。むしろ、この部分にめっき用給電線３の一部分が残されていることによって、切断時に絶縁性基板１の配線にダメージを与えず、この部分の絶縁性基板１の材料力学的な強度や剛性を補強することに役立っているというメリットがある。
【００３１】
このような半導体装置用基板は、次のような製造工程によって作製される。
まず、図３（ａ）に示したように、絶縁性基板１を用意する。この絶縁性基板１としては、例えば５０μｍ程度の厚さのポリイミド系材料からなるキャリアテープを用いることができる。そして、パンチング金型８を用いたパンチングにより、図３（ｂ）に示したように、絶縁性基板１の例えばほぼ中央部の所定位置に、開口４を穿ち設ける（パンチング金型のうちの雌型については図示省略）。この開口４の幅寸法は、例えば１ｍｍとする。
なお、本実施の形態で表記する幅寸法等の各寸法は、いずれも一実施例の数値である。
【００３２】
続いて、図３（ｃ）に示したように、絶縁性基板１のおもて面上に、１８μｍ程度の厚さの銅箔９を貼り合せる。この貼り合わせには、例えば１０μｍ程度の膜厚で接着剤（図示省略）を用いる方法や、絶縁性基板１の表面粗度を所定の値に調整した後、その表面に銅箔積層材を熱圧着する方法などが適用可能である。
その銅箔９に、図３（ｄ）に示したように、サブトラクティブ法（フォトエッチング法等）によって所望のパターニングを施して、配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等を形成する。このとき、めっき用給電線３は全てのリード６の先端と連続するパターンとして、開口４の領域内に形成される。このめっき用給電線の幅寸法は、例えば２００μｍとする。
【００３３】
続いて、図３（ｅ）に示したように、形成された配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６の表面に、電解めっきによって、金めっき層７を、例えば１μｍの厚さに形成する。この電解めっき工程で用いられるめっき用電流は、めっき用給電線３を介して供給される。
そして、その電解めっきが完了した後、絶縁性基板１における、上記の配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等が形成された配線面側であるおもて面とは反対側の、いわゆる裏面側から、パンチング金型の雄金型１０を、めっき用給電線３に向けてパンチングして、そのめっき用給電線３を打抜き除去する（図３（ｅ）では雌金型については図示省略）。
このとき用いる雄金型１０のパンチングの幅寸法は、例えば２５０μｍとする。この雄金型１０の幅寸法は、めっき用給電線３を確実に打抜き除去するためにそのめっき用給電線３の幅寸法以上で、かつ半導体チップとの接続のためにリード６に要求される長さを確保することができる幅寸法以下に設定される。
【００３４】
このように絶縁性基板１の裏面側からパンチングによりめっき用給電線３を打抜き除去することで、打抜き後のリード６の反り変形量を、上記の諸寸法に設定した場合の一例では、５０μｍ以下と、極めて微小なものとすることができる。
【００３５】
ここに、本実施の形態で「反り変形量」とは、リード６の最先端部と付け根部とでの高さ方向の位置の差として定義されるものとする。その反り変形量の測定方法としては、焦点顕微鏡は一般に高さ方向の位置を変化させることで焦点を合せるように設定されているが、この焦点顕微鏡の特質を利用して、焦点顕微鏡を用いて測定対象のリード６を観察し、その焦点顕微鏡の焦点が合った位置を、そのとき観察しているリード６の最先端部または付け根部の高さとして測定する、という手法を採用するものとする。
【００３６】
ここで、上記と同様の諸寸法の設定で、同じ雄金型１０を用いて、絶縁性基板１のおもて面側からパンチングする実験を、本実施の形態に対する比較のための一例として行ったところ、リード６の反り変形量は最大で１２０μｍとなった。これは、反り変形量の許容値が一般に１００μｍ前後であることと比較すると、ほぼ許容誤差内に収まり得るものの、場合によっては許容誤差を逸脱する虞もあり得るという結果となった。従って、このような実験から、絶縁性基板１の裏面側からパンチングすることで、より確実に、リード６の反り変形を効果的に抑制することが可能であることが確認された。但し、これは絶縁性基板１の表面側からパンチングする手法を否定するものでないことは言うまでもない。
このようにして、図３（ｆ）に示したように、めっき用給電線３を打抜き除去して、金めっき層７が施された個々のリード６を分離してなる半導体装置用基板の主要部が完成する。
以上のようにして、この半導体装置用基板の配線の高密度化を阻害することなく、めっき用給電線３を簡易かつ確実に除去することができる。
【００３７】
以上説明したような、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法およびそれによって製造される半導体装置用基板によれば、まず開口４を絶縁性基板１に設けておき、その開口４内に、めっき用給電線３をリード６に連続したパターンとして形成し、それを用いて電解めっきを行うことでリード６の表面等に金めっき層７を施した後、めっき用給電線３をパンチングにより打抜き除去するようにしたので、配線パターン２が形成さ
れる配線領域内には全くめっき用給電線１０３を設けることなく、従って配線パターン２のさらなる高密度化を達成することが可能となり、かつリード６に対して電解めっき工程により金めっき層７を形成した後には、きわめて簡易かつ確実にめっき用給電線３を除去することができる。一般に従来の配線領域内にめっき用給電線１０３を配線パターン２と混在させた構成の場合には、一本の配線パターン２に対して一本ずつのめっき用給電線１０３を形成することが必要であったが、本発明の実施の形態に係るめっき用給電線３による構成および製造方法によれば、そのようなめっき用給電線１０３は配線領域内には全く形成する必要がなくなるので、概算で見積っても、配線パターン２の形成密度を、従来の約２倍に高密度なものとすることが可能となる。
【００３８】
また、絶縁性基板１が存在していない開口４内に設けられためっき用給電線３を打抜き除去するので、絶縁性基板１の厚さに関係なく、常にめっき用給電線３自体の厚さや幅寸法等の条件のみに対応した最適な設定で、簡易かつ確実に、上記のようなパンチングによってめっき用給電線３を除去することができる。
【００３９】
また、絶縁性基板１の裏面側からめっき用給電線３を打抜くようにすることで、そのパンチングプロセスに起因したリード６の反り変形量を、例えば５０μｍ以下のように、一般的な反り変形量の許容誤差または絶縁性基板１のおもて面側からパンチングした場合の反り変形量である約１００μｍ前後と比較してその半分以下と、極めて微小なものとすることができる。
【００４０】
また、例えば図２に一例を示したように、開口４の長手方向（左右）両端には、めっき用給電線３の一部分が必ず残ることとなる。これは、この部分もめっき用給電線３のパンチング除去の際に打ち抜いてしまうと、半導体装置用基板の全体が上下真っ二つに完全に分割されてしまうからである。しかし、このように開口４の長手方向両端にめっき用給電線３の一部分が残ることによって、この部分の絶縁性基板１の材料力学的な強度や剛性が補強されることとなり、この部分における絶縁性基板１の破損や折れ曲がり等を防止することができるというメリットが得られる。
【００４１】
なお、上記実施の形態では、配線構造を１層の場合に限って説明したが、２層以上の多層配線構造の場合にも本発明を適用可能であることは勿論である。その場合には、ビア等によって多層配線間を接続することで、電解めっき工程での給電を上記同様に行うことができる。そして、めっき用給電線３およびリード６を、複数層の配線パターン２のうちの少なくとも一つの層の配線パターン２に接続されるように形成しておき、電解めっき処理を行ってリード６の表面に金めっき層７を形成した後、めっき用給電線３を、上記実施の形態と同様のパンチングによって打抜き除去するようにすればよい。このような多層配線構造の場合には、一般に、打抜くべきめっき用給電線３の厚さが厚くなったり、それとリード６や配線パターン２の厚さとの間に段差が生じるなどして、エッチング法によるめっき用給電線３の除去がさらに煩雑で時間の掛かるものとなる傾向にあることが想定されるが、本発明によるパンチングによるめっき用給電線３の打抜き除去工程を含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板の構成によれば、単層の場合とほぼ同様のスループットでめっき用給電線３を除去することが可能である。
【００４２】
また、上記実施の形態では、金めっき層７の単層を電解めっき法によって形成する場合について説明したが、めっき層は、例えば下層としてニッケルめっき層（図示省略）を形成しておき、その上に金めっき層７を形成する、というように、他のめっき層と複合してなるものとすることなども可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、金めっき層形成後であってめっき用給電線の除去前の状態を示す図である。
【図２】図１に示した状態に引き続いて、めっき用給電線を除去した後の状態を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す図である。
【図４】比較例として、配線領域内に配線パターンとめっき用給電線とを混在させた従来の一般的な構成の半導体装置用基板の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 絶縁性基板
２ 配線パターン
３ めっき用給電線
４ 開口
５ 実装端子
６ リード
７ 金めっき層
８ パンチング金型
９ 銅箔
１０ 雄金型
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路チップのような半導体装置に接続されるためのリードを有する配線を、例えばポリイミドフィルムのような絶縁性基板の表面に設け、そのリードの先端部分に金めっきのようなめっき層を形成する工程を含んだ導体装置用基板の製造方法、および半導体装置用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基板上に導体パターンを形成し、そのリード（インナーリードとも呼ばれる）に半導体チップを接続してなる構造の半導体装置においては、一般に、外部のプリント配線板等に対して、アウターリードまたは接続パッドもしくは接続ピンなどを接続するために、はんだ付けが用いられている。はんだ付けは、プリント配線板の端子やパッドに対する半導体装置のアウターリードの電気的および機械的な接続を同時に実現することが可能であり、かつ簡易な工程で行うことが可能であることから、現在、広く用いられている。
【０００３】
しかし、プリント配線板上の端子やパッドの表面は、はんだ付けに適した材質であるとは限らない。例えばタングステン等の高融点金属で形成されている場合には、はんだ付けによる接合が実質的に不可能である。あるいは接合部位が酸化している場合にも、はんだ付けによる安定した接合を得ることは困難となる。
このような接合の不安定化や不確実化といった不都合は、例えばポリイミドフィルムのような絶縁性基板上に導体パターンを設けた配線基板に半導体チップを搭載してなるフィルムキャリア方式と呼ばれるような半導体装置およびその製造方法においても同様である。
【０００４】
近年では、半導体装置のさらなる小型化・高密度化が進められており、それに対応するために、フィルムキャリア方式の半導体装置における接合の安定化を実現することが、さらに強く要請されるようになってきている。
そこで、半導体チップ搭載時の接合の安定化を図るために、配線基板上の表面の端子やパッドに金めっきを施して、その接合部位の酸化を防ぐことが行われている。またその下地めっきとしてニッケルめっき等を施すことなども行われている。
【０００５】
しかし、特に高密度配線基板については、高密度配線回路を形成した後にめっき用給電線を形成することはできない。このため、無電解めっきを採用するか、あるいは高密度配線と同時にめっき用給電線を（同一基板上に高密度配線と混在して）形成しておき、それを用いてめっき用電流を供給しながら電解めっきを行って、下地めっき層および金めっき層等を形成するようにしている。
無電解めっきは一般に、めっき液やプロセス条件等の管理が煩雑で、形成されるめっき皮膜の品質が不安定になる傾向があり、またそのプロセスに時間が掛かる傾向にあるので製造コストが高くなるなどの不利な特質を有している。このため、めっき層の形成には、無電解めっき法よりも、電解めっき法を採用することが多い。
【０００６】
ところが、電解めっき法の場合、上記のようにめっき用給電線が不可欠であるが、半導体装置の動作信号の高周波化が進むにつれて、めっき用給電線が半導体装置の製品としての電気的動作特性に大きな悪影響を与える可能性が指摘されている。
一般に、半導体装置用基板上に形成される高密度配線を構成する個々の導体パターンは、接続される半導体チップに対して信号を伝送するために、基本的にその一本一本が個々に独立しているので、導体パターン１本ごとにめっき用給電線が１本ずつ必要となる。すなわち、基本的に、めっき用給電線は導体パターンの本数と同等の本数が必要となる。
そうすると、そのような多数のめっき用給電線の存在が原因となって、高密度配線に入出力される信号に反射が生じたり、配線回路全体に対して無視できない寄生容量が生じるなどして、半導体装置の内部における配線回路全体のインピーダンスコントロール特性が阻害される虞がある。このため、めっき用給電線は、金めっきを行った後に除去することが要請される。
このようなめっき用給電線を除去するための具体的な手法としては、例えば、特開２００３−１０１１９５号公報（特許文献１）にて提案されたような、金めっきを施した後に、めっき用給電線のみを選択的にエッチングによって除去する、という方法が知られている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１０１１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような従来の、めっき用給電線を高密度配線と混在させた構成の半導体装置用基板およびその製造方法（特にめっき用給電線の除去方法）では、次のような問題がある。
【０００９】
電解めっきを行った後に、めっき用給電線を一度のエッチング工程で完全に除去するためには、例えば配線回路本体を形成している銅合金と、その下地めっき層のニッケルと、仕上げめっき層の金と、のように、複数種類の金属の全てに適応したエッチングを行うことが必要となる。このため、最適条件を設定することが極めて困難なものとなる。あるいは個々の金属ごとにそれぞれ最適なエッチングプロセスを行うようにすると、このめっき用給電線を除去する工程が極めて煩雑なものとなってしまう。また、このエッチング工程で使用するエッチャントが実装端子等に触れることとなるので、その実装端子等の表面が酸化して接合強度の低下を引き起こす虞もある。
あるいは、めっき用給電線をエッチングによって完全に除去しようとすると、そのめっき用給電線の下の絶縁性基板の表面も削られてその部分が薄くなる虞が極めて高く、これに起因して、絶縁性基板の平坦性が損われて半導体チップとの密着性や固着性を損なったり、その薄くなった部分から絶縁性基板に亀裂が生じるなど、種々の悪影響を及ぼすこととなる。
このような種々の要因から、エッチングによって例えば２００μｍ未満のような微細なめっき用給電線およびその表面の金めっき層等を精確かつ確実に除去することは、実質的に極めて困難ないしは不可能であった。
【００１０】
また、剥離可能な絶縁フィルム上にめっき用給電線を形成する方法では、絶縁フィルムに配線しない部分に対して精確に穴を開ける加工が必要となり、かつフィルムの貼り付けの際に高精度な位置合わせが要求されるなど、製造プロセスおよびその設定条件が煩雑かつ困難なものとなるという問題がある。さらには、絶縁フィルムを剥がす際に、その絶縁フィルム上の配線を絶縁性基板上の配線から確実に切断（せん断）できなければならないが、そのためには配線を薄く形成せざるを得なくなって、絶縁フィルム側の配線の幅や厚さが著しく制約され、このことに起因して、配線の高密度化やインピーダンスコントロール特性の良好性が阻害されるという問題がある。
【００１１】
また、半導体装置用基板は、近年一般に、さらなる高密度配線化・高集積化に対応することが要請されており、それに対応するためには２層以上のいわゆる多層化をさらに推進させなければならなくなることが予想されるが、そのように多層化した半導体装置用基板において、上記のようなめっき用給電線のみを選択的に確実に除去することは、さらに困難なものとなる。
【００１２】
このように、従来の高密度配線を有する半導体装置用基板の製造方法では、いずれも、製造プロセスを煩雑なものとすることなく、また配線の高密度化を阻害することなしに、確実にめっき用給電線の除去を行うことは、実際上極めて困難ないしは不可能であった。
また、もとより、めっき用給電線を、高密度配線と同一基板上に、その高密度配線の本数とほぼ同様の本数混在させるという構成自体、少なくともそのめっき用給電線のスペースが、配線パターンを形成するために使用可能なスペースの損失となってしまうので、配線のさらなる高密度化を達成する際の著しい阻害要因となっていた。
【００１３】
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、配線の高密度化を阻害することなく簡易かつ確実にめっき用給電線の除去を行うことのできるプロセスを含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって製造される高密度な半導体装置用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法は、絶縁性基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する配線パターンを形成する工程と、前記リードの先端における前記半導体チップと接続される所定部位に電解めっき処理を施してめっき層を形成する工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、前記配線パターンおよび前記リードを形成する以前に、前記絶縁性基板における前記リードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設する工程と、前記リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、前記リードに直接に接続されるパターンとして、当該リードの形成と共に、前記開口の領域内に形成する工程と、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を、パンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程とを含むことを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の第２の半導体装置用基板の製造方法は、上記第１の半導体装置用基板の製造方法において、雄金型および雌金型からなる前記パンチング金型のうちの雄金型を、前記絶縁性基板側から前記めっき用給電線に向けてパンチングして、当該めっき用給電線を打抜き除去することを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の第３の半導体装置用基板の製造方法は、上記第２の半導体装置用基板の製造方法において、前記打抜き除去工程後の、前記リードの反り変形量を、５０μｍ以下としたことを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の第４の半導体装置用基板の製造方法は、上記第１ないし第３の半導体装置用基板の製造方法において、前記配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、前記めっき用給電線および前記リードを、前記複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を除去することを特徴としている。
【００１８】
本発明の第１の半導体装置用基板は、絶縁性基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁性基板の表面に設けられた配線パターンと、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁性基板上で略矩形状の開口の周囲を取り囲むように、前記配線パターンを複数配列形成してなる半導体装置用基板であって、前記めっき層が、前記リードに直接接続されるように形成されためっき用給電線を介して供給されるめっき電流を用いた電解めっき処理で形成してなるものであり、前記リードに接続されためっき用給電線は前記電解めっき処理後に打抜き除去されており、当該打抜き後に前記開口の周囲の４辺のうちの前記リードが形成されていない両辺に残されためっき用給電線の一部分以外に、前記絶
縁性基板上における前記配線パターンが形成された領域には、前記めっき用給電線が全く形成されておらずかつ当該めっき用給電線の除去した形跡または残渣も全く存在しないことを特徴としている。
【００１９】
本発明の第２の半導体装置用基板は、上記第１の半導体装置用基板において、前記リードの反り変形量が、５０μｍ以下であることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の第１の半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板によれば、配線パターンおよびリードを形成する以前に、絶縁性基板におけるリードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設し、リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、リードに直接に接続されるパターンとして、そのリードの形成と共に開口の領域内に形成し、電解めっき処理を施した後にめっき用給電線をパンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去するようにしているので、従来は配線パターンと混在していためっき用給電線を、絶縁性基板上における実質的に配線パターンが形成される領域には全く形成しなくてよくなり、また従って、そのめっき用給電線をエッチングにより選択的に除去するといった煩雑な処理工程が全く必要とすることなくリードに電解めっきを施すことができる。すなわち、本発明によれば、配線の高密度化を阻害することなくリードに電解めっきを施し、その後、極めて簡易かつ確実に、めっき用給電線の除去を行うことが可能となる。また、高密度な半導体装置用基板を実現することが可能となる。
【００２１】
また、特に、雄金型および雌金型からなる金型のうちの雄金型を、絶縁性基板側からめっき用給電線に向けてパンチングして、そのめっき用給電線を打抜き除去することで、その打抜き工程後のリードの反り変形量を、例えば一般的な許容変形量である約１００μｍの半分以下の５０μｍのように、極めて効果的に抑制することが可能となる。
【００２２】
また、配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、めっき用給電線およびリードを、複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、上記のような電解めっき処理を行って、リードに電解めっき処理を施した後、めっき用給電線を上記のようにパンチング金型を用いた打抜きによって除去することにより、いわゆる配線パターンの多層化にも対応することが可能となる。しかも、そのように多層化すると、従来提案さていたようなエッチング法によるめっき用給電線の選択的な除去方法では、その工程がさらに煩雑なものとなったり、エッチング処理にさらに多大な時間や工数が掛かってしまう虞が極めて大であったが、本発明によれば、配線パターンが形成されることのない開口の領域内に、その開口の例えば矩形状のような極めて簡易な形状と同様の形状（パターン）のめっき用給電線を設け、それを上記のようにプレスによって打抜き除去するので、多層化された半導体装置用基板であっても、そのめっき用給電線の除去を極めて簡易に行うことが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法、およびそれによって製造される半導体装置用基板について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、金めっき層形成後であってめっき用給電線の除去前の状態を示す図である。図２は、図１に示した状態に引き続いて、めっき用給電線を除去した後の状態を示す図である。図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す図である。図４は、比較例として、従来の一般的な、配線領域内に配線パターンとめっき用給電線とを混在させた構成の、半導体装置用基板の一例を示す図である。
【００２５】
この製造方法によって作製される半導体装置用基板は、図１、図２および図３（ｆ）に示したように、絶縁性基板１と、配線パターン２と、めっき用給電線３と、開口４と、実装端子５と、リード６と、金めっき層７とを備えている。
【００２６】
絶縁性基板１は、例えばポリイミドからなるフレキシブルなフィルム基板である。この絶縁性基板１自体については、いわゆるキャリアテープと呼ばれる一般的なＴＡＢ（Tape
Automated Bonding）テープ用のフィルム基板を用いることが可能である。
【００２７】
配線パターン２は、絶縁性基板１の表面上の、いわゆる配線領域に、例えば銅箔９をフォトエッチング法によってパターニングして形成された導体配線のパターンであり、その一端には外部接続用の実装端子５を有すると共に、他端には半導体チップ（図示省略）との接続用のリード６とを有している。そのリード６の先端における、少なくとも半導体チップに接続される所定部位には、電解めっき法によって金めっき層７が形成されている。
【００２８】
リード６の先端は、絶縁性基板１上で所定寸法の細長矩形状の開口４の領域内に突出するように、その開口４の長手方向の対向する２辺にそれぞれ沿って、配列形成されている。このリード６は、反り変形量が許容誤差１２０μｍ以下に設定されており、後述するようなパンチング金型を用いて絶縁性基板１の裏面側から打ち抜くという手法によって、例えばその許容誤差１２０μｍの半分以下の５０μｍと極めて小さな反り変形量に抑えられている。
【００２９】
配線パターン２が形成されている配線領域内には、比較例として図４に一例を示したような、従来の一般的なめっき用給電線１０３は、全く形成されていない。従ってまた、一旦そのようなめっき用給電線１０３を形成してからエッチング法などによってそのめっき用給電線１０３を選択的に除去したような形跡も残渣も全く存在していない。何故なら、後述するように、本実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板では、図１に示したように、めっき用給電線３を、配線領域内ではなく、開口４の領域内に、リード６の先端と直接に接続（連続）されるように形成し、電解めっき工程を行った後、図２に示したように、その開口４の領域内のめっき用給電線３をパンチング金型１０を用いて完全に打抜き除去するようにしているからである。
【００３０】
開口４の左右両端には、それぞれ上記の打抜き後に、めっき用給電線３の一部分が残されているが、この部分は配線領域外であるので、配線パターン２の高密度化を全く妨げることはない。むしろ、この部分にめっき用給電線３の一部分が残されていることによって、切断時に絶縁性基板１の配線にダメージを与えず、この部分の絶縁性基板１の材料力学的な強度や剛性を補強することに役立っているというメリットがある。
【００３１】
このような半導体装置用基板は、次のような製造工程によって作製される。
まず、図３（ａ）に示したように、絶縁性基板１を用意する。この絶縁性基板１としては、例えば５０μｍ程度の厚さのポリイミド系材料からなるキャリアテープを用いることができる。そして、パンチング金型８を用いたパンチングにより、図３（ｂ）に示したように、絶縁性基板１の例えばほぼ中央部の所定位置に、開口４を穿ち設ける（パンチング金型のうちの雌型については図示省略）。この開口４の幅寸法は、例えば１ｍｍとする。
なお、本実施の形態で表記する幅寸法等の各寸法は、いずれも一実施例の数値である。
【００３２】
続いて、図３（ｃ）に示したように、絶縁性基板１のおもて面上に、１８μｍ程度の厚さの銅箔９を貼り合せる。この貼り合わせには、例えば１０μｍ程度の膜厚で接着剤（図示省略）を用いる方法や、絶縁性基板１の表面粗度を所定の値に調整した後、その表面に銅箔積層材を熱圧着する方法などが適用可能である。
その銅箔９に、図３（ｄ）に示したように、サブトラクティブ法（フォトエッチング法等）によって所望のパターニングを施して、配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等を形成する。このとき、めっき用給電線３は全てのリード６の先端と連続するパターンとして、開口４の領域内に形成される。このめっき用給電線の幅寸法は、例えば２００μｍとする。
【００３３】
続いて、図３（ｅ）に示したように、形成された配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６の表面に、電解めっきによって、金めっき層７を、例えば１μｍの厚さに形成する。この電解めっき工程で用いられるめっき用電流は、めっき用給電線３を介して供給される。
そして、その電解めっきが完了した後、絶縁性基板１における、上記の配線パターン２、めっき用給電線３、実装端子５、リード６等が形成された配線面側であるおもて面とは反対側の、いわゆる裏面側から、パンチング金型の雄金型１０を、めっき用給電線３に向けてパンチングして、そのめっき用給電線３を打抜き除去する（図３（ｅ）では雌金型については図示省略）。
このとき用いる雄金型１０のパンチングの幅寸法は、例えば２５０μｍとする。この雄金型１０の幅寸法は、めっき用給電線３を確実に打抜き除去するためにそのめっき用給電線３の幅寸法以上で、かつ半導体チップとの接続のためにリード６に要求される長さを確保することができる幅寸法以下に設定される。
【００３４】
このように絶縁性基板１の裏面側からパンチングによりめっき用給電線３を打抜き除去することで、打抜き後のリード６の反り変形量を、上記の諸寸法に設定した場合の一例では、５０μｍ以下と、極めて微小なものとすることができる。
【００３５】
ここに、本実施の形態で「反り変形量」とは、リード６の最先端部と付け根部とでの高さ方向の位置の差として定義されるものとする。その反り変形量の測定方法としては、焦点顕微鏡は一般に高さ方向の位置を変化させることで焦点を合せるように設定されているが、この焦点顕微鏡の特質を利用して、焦点顕微鏡を用いて測定対象のリード６を観察し、その焦点顕微鏡の焦点が合った位置を、そのとき観察しているリード６の最先端部または付け根部の高さとして測定する、という手法を採用するものとする。
【００３６】
ここで、上記と同様の諸寸法の設定で、同じ雄金型１０を用いて、絶縁性基板１のおもて面側からパンチングする実験を、本実施の形態に対する比較のための一例として行ったところ、リード６の反り変形量は最大で１２０μｍとなった。これは、反り変形量の許容値が一般に１００μｍ前後であることと比較すると、ほぼ許容誤差内に収まり得るものの、場合によっては許容誤差を逸脱する虞もあり得るという結果となった。従って、このような実験から、絶縁性基板１の裏面側からパンチングすることで、より確実に、リード６の反り変形を効果的に抑制することが可能であることが確認された。但し、これは絶縁性基板１の表面側からパンチングする手法を否定するものでないことは言うまでもない。
このようにして、図３（ｆ）に示したように、めっき用給電線３を打抜き除去して、金めっき層７が施された個々のリード６を分離してなる半導体装置用基板の主要部が完成する。
以上のようにして、この半導体装置用基板の配線の高密度化を阻害することなく、めっき用給電線３を簡易かつ確実に除去することができる。
【００３７】
以上説明したような、本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法およびそれによって製造される半導体装置用基板によれば、まず開口４を絶縁性基板１に設けておき、その開口４内に、めっき用給電線３をリード６に連続したパターンとして形成し、それを用いて電解めっきを行うことでリード６の表面等に金めっき層７を施した後、めっき用給電線３をパンチングにより打抜き除去するようにしたので、配線パターン２が形成さ
れる配線領域内には全くめっき用給電線１０３を設けることなく、従って配線パターン２のさらなる高密度化を達成することが可能となり、かつリード６に対して電解めっき工程により金めっき層７を形成した後には、きわめて簡易かつ確実にめっき用給電線３を除去することができる。一般に従来の配線領域内にめっき用給電線１０３を配線パターン２と混在させた構成の場合には、一本の配線パターン２に対して一本ずつのめっき用給電線１０３を形成することが必要であったが、本発明の実施の形態に係るめっき用給電線３による構成および製造方法によれば、そのようなめっき用給電線１０３は配線領域内には全く形成する必要がなくなるので、概算で見積っても、配線パターン２の形成密度を、従来の約２倍に高密度なものとすることが可能となる。
【００３８】
また、絶縁性基板１が存在していない開口４内に設けられためっき用給電線３を打抜き除去するので、絶縁性基板１の厚さに関係なく、常にめっき用給電線３自体の厚さや幅寸法等の条件のみに対応した最適な設定で、簡易かつ確実に、上記のようなパンチングによってめっき用給電線３を除去することができる。
【００３９】
また、絶縁性基板１の裏面側からめっき用給電線３を打抜くようにすることで、そのパンチングプロセスに起因したリード６の反り変形量を、例えば５０μｍ以下のように、一般的な反り変形量の許容誤差または絶縁性基板１のおもて面側からパンチングした場合の反り変形量である約１００μｍ前後と比較してその半分以下と、極めて微小なものとすることができる。
【００４０】
また、例えば図２に一例を示したように、開口４の長手方向（左右）両端には、めっき用給電線３の一部分が必ず残ることとなる。これは、この部分もめっき用給電線３のパンチング除去の際に打ち抜いてしまうと、半導体装置用基板の全体が上下真っ二つに完全に分割されてしまうからである。しかし、このように開口４の長手方向両端にめっき用給電線３の一部分が残ることによって、この部分の絶縁性基板１の材料力学的な強度や剛性が補強されることとなり、この部分における絶縁性基板１の破損や折れ曲がり等を防止することができるというメリットが得られる。
【００４１】
なお、上記実施の形態では、配線構造を１層の場合に限って説明したが、２層以上の多層配線構造の場合にも本発明を適用可能であることは勿論である。その場合には、ビア等によって多層配線間を接続することで、電解めっき工程での給電を上記同様に行うことができる。そして、めっき用給電線３およびリード６を、複数層の配線パターン２のうちの少なくとも一つの層の配線パターン２に接続されるように形成しておき、電解めっき処理を行ってリード６の表面に金めっき層７を形成した後、めっき用給電線３を、上記実施の形態と同様のパンチングによって打抜き除去するようにすればよい。このような多層配線構造の場合には、一般に、打抜くべきめっき用給電線３の厚さが厚くなったり、それとリード６や配線パターン２の厚さとの間に段差が生じるなどして、エッチング法によるめっき用給電線３の除去がさらに煩雑で時間の掛かるものとなる傾向にあることが想定されるが、本発明によるパンチングによるめっき用給電線３の打抜き除去工程を含んだ半導体装置用基板の製造方法およびそれによって得られる半導体装置用基板の構成によれば、単層の場合とほぼ同様のスループットでめっき用給電線３を除去することが可能である。
【００４２】
また、上記実施の形態では、金めっき層７の単層を電解めっき法によって形成する場合について説明したが、めっき層は、例えば下層としてニッケルめっき層（図示省略）を形成しておき、その上に金めっき層７を形成する、というように、他のめっき層と複合してなるものとすることなども可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造工程における、金めっき層形成後であってめっき用給電線の除去前の状態を示す図である。
【図２】図１に示した状態に引き続いて、めっき用給電線を除去した後の状態を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置用基板の製造方法における主要工程を時系列的に並べて示す図である。
【図４】比較例として、配線領域内に配線パターンとめっき用給電線とを混在させた従来の一般的な構成の半導体装置用基板の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１ 絶縁性基板
２ 配線パターン
３ めっき用給電線
４ 開口
５ 実装端子
６ リード
７ 金めっき層
８ パンチング金型
９ 銅箔
１０ 雄金型
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する配線パターンを形成する工程と、前記リードの先端における前記半導体チップと接続される所定部位に電解めっき処理を施してめっき層を形成する工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、
前記配線パターンおよび前記リードを形成する以前に、前記絶縁性基板における前記リードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設する工程と、
前記リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、前記リードに直接に接続されるパターンとして、当該リードの形成と共に、前記開口の領域内に形成する工程と、
前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を、パンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法において、
雄金型および雌金型からなる前記パンチング金型のうちの雄金型を、前記絶縁性基板側から前記めっき用給電線に向けてパンチングして、当該めっき用給電線を打抜き除去することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記打抜き除去工程後の、前記リードの反り変形量を、５０μｍ以下とした
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、
前記めっき用給電線および前記リードを、前記複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を除去する
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁性基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁性基板の表面に設けられた配線パターンと、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁性基板上で略矩形状の開口の周囲を取り囲むように、前記配線パターンを複数配列形成してなる半導体装置用基板であって、
前記めっき層が、前記リードに直接接続されるように形成されためっき用給電線を介して供給されるめっき電流を用いた電解めっき処理で形成してなるものであり、前記リードに接続されためっき用給電線は前記電解めっき処理後に打抜き除去されており、当該打抜き後に前記開口の周囲の４辺のうちの前記リードが形成されていない両辺に残されためっき用給電線の一部分以外に、前記絶縁性基板上における前記配線パターンが形成された領域には、前記めっき用給電線が全く形成されておらずかつ当該めっき用給電線の除去した形跡または残渣も全く存在しない
ことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置用基板において、
前記リードの反り変形量が、５０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項１】
絶縁性基板の表面に、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有する配線パターンを形成する工程と、前記リードの先端における前記半導体チップと接続される所定部位に電解めっき処理を施してめっき層を形成する工程とを含む半導体装置用基板の製造方法であって、
前記配線パターンおよび前記リードを形成する以前に、前記絶縁性基板における前記リードが形成される位置を含む所定位置に開口を穿設する工程と、
前記リードに電解めっき用の電流を供給するためのめっき用給電線を、前記リードに直接に接続されるパターンとして、当該リードの形成と共に、前記開口の領域内に形成する工程と、
前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を、パンチング金型を用いたパンチング法によって打抜き除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用基板の製造方法において、
雄金型および雌金型からなる前記パンチング金型のうちの雄金型を、前記絶縁性基板側から前記めっき用給電線に向けてパンチングして、当該めっき用給電線を打抜き除去することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記打抜き除去工程後の、前記リードの反り変形量を、５０μｍ以下とした
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体装置用基板の製造方法において、
前記配線パターンを、絶縁層によって隔てられた複数層を積層してなるものとし、
前記めっき用給電線および前記リードを、前記複数層の配線パターンのうちの一つの層の配線パターンに接続されるように形成し、前記電解めっき処理を施した後、前記めっき用給電線を除去する
ことを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁性基板と、一端に外部接続用の実装端子を有すると共に他端に半導体チップ接続用のリードとを有して前記絶縁性基板の表面に設けられた配線パターンと、前記リードの先端における前記半導体チップに接続される所定部位に電解めっきによって形成されためっき層とを有し、かつ前記めっき層を形成してなるリード先端が前記絶縁性基板上で略矩形状の開口の周囲を取り囲むように、前記配線パターンを複数配列形成してなる半導体装置用基板であって、
前記めっき層が、前記リードに直接接続されるように形成されためっき用給電線を介して供給されるめっき電流を用いた電解めっき処理で形成してなるものであり、前記リードに接続されためっき用給電線は前記電解めっき処理後に打抜き除去されており、当該打抜き後に前記開口の周囲の４辺のうちの前記リードが形成されていない両辺に残されためっき用給電線の一部分以外に、前記絶縁性基板上における前記配線パターンが形成された領域には、前記めっき用給電線が全く形成されておらずかつ当該めっき用給電線の除去した形跡または残渣も全く存在しない
ことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置用基板において、
前記リードの反り変形量が、５０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用基板。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２００９−８１２１４（Ｐ２００９−８１２１４Ａ）
【公開日】平成２１年４月１６日（２００９．４．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２４８２３９（Ｐ２００７−２４８２３９）
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年４月１６日（２００９．４．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月２５日（２００７．９．２５）
【出願人】（０００００５１２０）日立電線株式会社 (3,358)
【Ｆターム（参考）】
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