【課題】複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減する。
【解決手段】薄膜シート（第１シート）２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された主面（接触端子形成面）２ａ、および主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを有する。また、薄膜シート２には、主面２ａと裏面２ｂの間に複数の配線２３、ダミー配線２６が配置される。複数のコンタクタ３が配列されるコンタクタ群（第１接触端子群）の端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間には、薄膜シート２の主面２ａから裏面２ｂまでを貫通する開口部から成るスリット２ｄが、配線２３に沿って形成されている。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体集積回路装置の電極にプローブカードの接触端子を押し当てて行う半導体集積回路装置の電気的検査に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００５−１３６２４６号公報（特許文献１）、国際公開第２００６／９７９８２号公報（特許文献２）には、半導体集積回路装置の電極パッドにプローブカードの接触端子を押し当てて行う半導体集積回路の電気的検査（プローブ検査）の方法およびこれに用いるプローブカードが記載されている。
【０００３】
特開２００７-１３４５５４号公報（特許文献３）には、接触端子上に複数の配線層を積層した薄膜シートを有するプローブカードが記載されている。
【０００４】
特開２００８-１６４４８６号公報（特許文献４）には、接触端子上に形成されたスルーホールを介して接触端子と配線を電気的に接続した薄膜シートを有するプローブカードが記載されている。
【０００５】
特開２００５−３０２９１７号公報（特許文献５）には、薄膜シートに信号伝達には関与しないダミー配線を配置するプローブカードが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１３６２４６号公報
【特許文献２】国際公開第２００６／９７９８２号公報
【特許文献３】特開２００７-１３４５５４号公報
【特許文献４】特開２００８-１６４４８６号公報
【特許文献５】特開２００５−３０２９１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体集積回路装置の検査技術としてプローブ検査がある。このプローブ検査は、所定の機能どおりに動作するか否かを確認する機能テストや、ＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するテスト等を含む。プローブ検査においては、ウエハ出荷対応（品質の差別化）、ＫＧＤ（Known Good Die）対応（ＭＣＰ（Multi-Chip Package）の歩留り向上）、あるいはトータルコスト低減などの要求から、ウエハ状態でプローブ検査を行う技術が用いられている。
【０００８】
近年、半導体集積回路装置の多機能化が進行し、１個の半導体チップ（以下、単にチップと記す）に複数の回路を作りこむことが進められている。また、半導体集積回路装置の製造コストを低減するために、半導体素子および配線を微細化して、チップの面積を小さくし、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）１枚当たりの取得チップ数を増加することが進められている。そのため、チップ電極（テストパッド、ボンディングパッド）数が増加するだけでなく、チップ電極の配置が狭ピッチ化し、チップ電極の面積も縮小されてきている。このようなチップ電極の狭ピッチ化に伴って、上記プローブ検査にカンチレバー状の接触端子を有するプローバを用いようとした場合には、接触端子をチップ電極の配置位置に合わせて設置することが困難になってしまう課題が存在する。
【０００９】
本願発明者らは、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された接触端子を有するプローバを用いることにより、チップ電極が狭ピッチ化したチップに対してもプローブ検査が実現できる技術について検討している。その中で、本願発明者らは、以下のようなさらなる課題を見出した。
【００１０】
すなわち、プローブ検査では、複数の接触端子を、ウエハの主面に形成された複数のチップ電極と接触させるので、各接触端子と各チップ電極の接触圧力のばらつきを低減する技術が必要となる。接触圧力のばらつきが大きい場合、接触抵抗が不均一になり、正確な電気的検査が行えなくなる原因となる。
【００１１】
また、接触圧力が大きすぎると、被検査対象であるウエハが破損する原因となる。このウエハの破損を防止する観点からは、接触圧力のばらつきの中心値（設計上の接触圧力）を低減することが有効であるが、このためには、ばらつきのマージンをさらに小さくする必要が生じる。
【００１２】
また、本願発明者の検討によれば、複数の接触端子が形成されるシートの接触端子配置領域に均等な荷重を加えても、接触圧力のばらつきが生じることが判った。例えば、複数の接触端子が配列される接触端子群の端部に配置される接触端子の接触圧力は、他の接触端子の接触圧力よりも高くなる。また、接触端子群内において、複数の接触端子が密集して配置される密集配置領域と、散在して配置される散在配置領域を有している場合、散在配置領域に配置される接触端子の接触圧力は、密集配置領域に配置される接触端子の接触圧力よりも高くなる。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減することのできる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程を含む。また、（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された接触端子配置領域を、前記第１シートの裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程を含む。また、（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程を含む。
【００１７】
また、前記第１シートは、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する前記裏面を含む。また、前記第１シートは、前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、前記裏面を有し前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、を含む。また、前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれる。また、前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置される。また、平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置される。また、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成されているものである。
【００１８】
また、前記端部は、前記接触端子配置領域の角部領域に配置される。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００２０】
すなわち、本願発明の一態様によれば、複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造フローの概要を示す説明図である。
【図２】図１に示すウエハ準備工程で準備するウエハの主面側を示す平面図である。
【図３】図２に示すウエハの一部の拡大断面図である。
【図４】図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【図５】図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置の概要構成を模式的に示す説明図である。
【図６】図５に示すプローブカードの全体構造を示す断面図である。
【図７】図５に示すプローブカードのウエハとの対向面側を示す平面図である。
【図８】図７に示す薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図である。
【図９】図７に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図である。
【図１０】図９のＢ部の拡大平面図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図１２】図１０のＤ−Ｄ線に沿った拡大断面図である。
【図１３】図１１に対する他の実施態様である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図１４】図１１に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図１５】図９のＥ部の拡大平面図である。
【図１６】図１５の変形例を示す拡大平面図である。
【図１７】図１０に示す薄膜シートの組立工程の一例を示す拡大断面図である。
【図１８】図１７に示す組立工程の変形例を示す拡大断面図である。
【図１９】図４に対する変形例である半導体チップの主面側を示す平面図である。
【図２０】図９に対する変形例である薄膜シートのコンタクタ配置領域周辺を示す拡大平面図である。
【図２１】図２０のＦ部の拡大平面図である。
【図２２】図２０のＧ部の拡大平面図である。
【図２３】図２１のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。
【図２４】図２０のＫ部の拡大平面図である。
【図２５】図２３に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図２６】図８に対する変形例である薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図である。
【図２７】図２６に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図である。
【図２８】図２７のＬ部の拡大平面図である。
【図２９】図２８に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９のＭ−Ｍ線に沿った拡大断面図である。
【図３１】図３０に示す薄膜シートの裏面から押圧を開始した状態を示す拡大断面図である。
【図３２】図３０に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図３３】図２９のＮ−Ｎ線に沿った断面において、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図３４】図２７のＰ部の拡大平面図である。
【図３５】図３４に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図である。
【図３６】図３４のＱ−Ｑ線に沿った拡大断面図である。
【図３７】図１７に示す組立工程の変形例を示す拡大断面図である。
【図３８】図１８に示す組み立て工程の変形例を示す拡大断面図である。
【図３９】図３０に示す薄膜シートの変形例を示す拡大断面図である。
【図４０】図３０に示す薄膜シートの他の変形例を示す拡大断面図である。
【図４１】図２９に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。
【図４２】図４１に対する変形例を模式的に示す拡大平面図である。
【図４３】図２７に対する変形例である薄膜シートのコンタクタ配置領域の拡大平面図である。
【図４４】図４３のＬ部の拡大平面図である。
【図４５】図４４に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図である。
【図４６】図４４のＮ−Ｎ線に沿った断面において、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図４７】図４５に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。
【図４８】図４７に対する第１の変形例を模式的に示す拡大平面図である。
【図４９】図４７に対する第２の変形例を模式的に示す拡大平面図である。
【図５０】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５１】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５２】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５３】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５４】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５５】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。
【図５６】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートの、図５４に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図５７】図２５に対する他の実施態様である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２３】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケルめっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００２４】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００２５】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００２６】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００２７】
また、本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００２８】
プローブ検査とは、ウエハ工程（分割前に行うウエハに対する各種処理工程）が終了したウエハに対してプローバ（半導体集積回路検査装置）を用いて行われる電気的試験であって、チップ領域の主面上に形成された電極に接触端子の先端を当てて半導体集積回路の電気的検査を行うことをいう。プローブ検査には、所定の機能通りに動作するか否かを確認する機能テストやＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するものである。各チップに分割してから（またはパッケージング完了後）行われる選別テスト（最終テスト）とは区別される。
【００２９】
プローブカードとは、検査対象となるウエハと接触する接触端子および配線基板（配線基板）などを有する構造体をいい、プローバもしくは半導体集積回路検査装置とは、インタフェースリング、プローブカードおよび検査対象となるウエハを載せるウエハステージを含む試料支持系を有する検査装置をいう。
【００３０】
テスタ（Test System）とは、半導体集積回路を電気的に検査するものであり、所定の電圧および基準となるタイミング等の信号を発生するものをいう。
【００３１】
テスタヘッドとは、テスタと電気的に接続し、テスタより送信された電圧および信号を受け、電圧および詳細なタイミング等の信号を半導体集積回路に対して発生し、ポゴピンなどを介してプローブカードへ信号を送るものをいう。
【００３２】
インタフェースリングとは、ポゴピンなどの導電路を介してテスタヘッドおよびプローブカードと電気的に接続し、テスタヘッドより送られてきた信号を後述するプローブカードへ送るものをいう。
【００３３】
ポゴピン（POGO pin）またはスプリングプローブとは、接触ピン（プランジャ（接触針））をばね（コイルスプリング）の弾性力で電極（端子）に押し当てる構造を有し、必要に応じてその電極への電気的接続を行うようにした接触針をいい、たとえば金属製の管（保持部材）内に配置されたばねが金属ボールを介して接触ピンへ弾性力を伝える構成となっている。
【００３４】
薄膜プローブ（membrane probe）、薄膜プローブシート、または薄膜シートとは、上記のような検査対象と接触する前記接触端子（突起端子）とそこから引き回された配線とが設けられ、その配線に外部接触用の電極が形成された薄膜をいう。薄膜シートは、例えば、厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものをいい、シリコンウエハを半導体集積回路の製造に用いるのと同様な、ウエハプロセス、すなわちフォトリソグラフィ技術、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、スパッタリング技術およびエッチング技術などを組み合わせたパターニング手法によって、配線層およびそれに電気的に接続された先端部（接触端子）を一体的に形成されたもの等を言う。もちろん、プロセスは複雑になるが、一部を別に形成して、後に合体させることも可能である。
【００３５】
接触端子、突起端子、コンタクタ、またはプローブとは、各チップ領域上に設けられた電極（チップ電極）に接触させて電気的特性の検査を行うための導電性の突起物をいう。
【００３６】
（実施の形態１）
＜半導体集積回路装置の製造方法＞
まず、図１〜図４を用いて本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の全体の流れを説明する。図１は、本実施の形態の半導体集積回路装置の製造フローの概要を示す説明図である。また、図２は、図１に示すウエハ準備工程で準備するウエハの主面側を示す平面図、図３は、図２に示すウエハの一部の拡大断面図、図４は図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【００３７】
まず、図１に示すウエハ準備工程として、図２に示すように、例えば平面視において四角形を成す複数のチップ領域１０ａに区画されたウエハ（半導体ウエハ）ＷＨを準備する。ウエハＷＨの複数のチップ領域１０ａの各々には半導体集積回路が形成され、主面上において半導体集積回路と電気的に接続する複数のパッド（電極、チップ電極、電極パッド）１１（図４参照）が形成されている。
【００３８】
図２に示すウエハＷＨの形成方法の一例について図３を用いて簡単に説明すると、例えば、以下のように形成される。まず、半導体基板準備工程（図１参照）で、主面（デバイス形成面）１２ａを有する半導体基板１２を準備する。その後、半導体素子形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａにトランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子（図示は省略）を形成する。その後、チップ配線層形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａ上に配線層１３を積層する。図３では、主面１２ａ上に複数の配線層１３を積層した例を示している。このチップ配線層形成工程では、最上層に複数のパッド１１を形成し、各パッド１１は配線層１３が備える複数の配線１３ａを介して主面１２ａの複数の半導体素子と電気的に接続される。複数の配線１３ａは、配線層１３が備える絶縁膜１３ｂにより絶縁されている。これらの工程により、ウエハＷＨの主面１２ａ側には、複数の半導体集積回路が形成される。その後、保護膜形成工程（図１参照）で、配線層およびパッド１１を覆うように、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４を形成する。そして、保護膜１４の一部に開口部１４ａを形成し、開口部１４ａにおいてパッド１１を、保護膜１４から露出させる。以上の工程により、ウエハＷＨには、複数の半導体チップ１０が形成され、図２に示すウエハＷＨが得られる。なお、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４は、例えば、窒化シリコン膜、シリコン酸化膜、または窒化シリコン膜とシリコン酸化膜との積層膜で構成される。図４に示すように、本実施の形態では、平面視において四角形を成す半導体チップ１０（チップ領域１０ａ）の各辺に沿って、それぞれ複数のパッド１１が配置されるパッド群（チップ電極群）を有している。言い換えれば、半導体チップ１０（図２に示すチップ領域１０ａ）の外縁を構成する四辺のうち、第１辺に沿って、複数のパッド１１ａが形成されたパッド群（チップ電極群）１１Ａが配置される。また、第２辺に沿って、複数のパッド１１ｂが形成されたパッド群（チップ電極群）１１Ｂが配置される。また、第３辺に沿って、複数のパッド１１ｃが形成されたパッド群（チップ電極群）１１Ｃが配置される。また、第４辺に沿って、複数のパッド１１ｄが形成されたパッド群（チップ電極群）１１Ｄが配置される。
【００３９】
次に、図１に示すプローブ検査工程として、図２に示すウエハＷＨの電気的検査を行う。プローブ検査工程には、図１に示すように、プローブカード準備工程と、電気的検査工程が含まれる。なお、図１では、説明の便宜上、ウエハ準備工程と、プローブ検査工程を分けて示しているが、ウエハ準備工程をプローブ検査工程に含めて考えることもできる。このプローブ検査工程の詳細は、後述する。
【００４０】
次に、図１に示す個片化工程として、図２に示すウエハＷＨをチップ領域１０ａ毎に分割し、図４に示す半導体チップ（半導体集積回路装置）１０を複数個取得する。本工程では、例えば、図２に示す複数のチップ領域１０ａそれぞれの間に配置されたスクライブ領域１０ｂに沿ってウエハＷＨを切断し、チップ領域１０ａ毎に個片化する。以上の工程により、本実施の形態の半導体集積回路装置である半導体チップ１０が得られる。なお、上記は、半導体チップを製造する工程のうち、主要工程の概要を説明したものであり、種々の変形例を適用することができる。
【００４１】
＜半導体集積回路検査装置＞
次に、図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置（半導体検査装置）の概要を説明する。図５は、図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置の概要構成を模式的に示す説明図、図６は、図５に示すプローブカードの全体構造を示す断面図、図７は、図５に示すプローブカードのウエハとの対向面（主面）側を示す平面図である。なお、図６は、図７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４２】
図５に示すように、本実施の形態１のプローバ（半導体集積回路検査装置、半導体検査装置）ＰＲは、プローブカードＰＲＣ、テスタヘッドＴＨＤ、インタフェースリングＩＦＲ、カードホルダＣＨＤ、ウエハステージＷＳＴ、およびウエハチャック（ウエハ保持具）ＷＣＨなどから形成されている。テスタヘッドＴＨＤとインタフェースリングＩＦＲとの間、およびインタフェースリングＩＦＲとプローブカードＰＲＣとの間は、それぞれ複数本のポゴピンＰＧＰを介して電気的に接続され、それによりテスタヘッドＴＨＤとプローブカードＰＲＣとの間が電気的に接続されている。また、テスタヘッドＴＨＤは、テスタＴに電気的に接続され、テスタＴからプローブ検査に必要な電圧や信号電流が供給される。
【００４３】
カードホルダＣＨＤは、プローブカードＰＲＣをプローバＰＲに機械的に接続するもので、かつ、ポゴピンＰＧＰからの圧力によってプローブカードＰＲＣに反りが生じてしまうことを防ぐ機械的強度を持つ。また、プローバＰＲの筐体内には、ウエハステージＷＳＴが配置され、ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハチャックＷＣＨが配置され、固定されている。被検査対象であるウエハＷＨは、複数のパッド１１（図４参照）が形成された主面１２ａ（図３参照）側をプローブカードＰＲＣと対向させた状態でウエハチャックＷＣＨに固定される。
【００４４】
次に、図５に示すプローブカードＰＲＣの構造について説明する。図６に示すようにプローブカードＰＲＣは、複数の配線１ｃが形成された配線基板１を有している。また、プローブカードＰＲＣは、配線基板１に保持された薄膜シート２を有している。薄膜シート２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された主面（接触端子形成面）２ａおよび主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを有し、主面２ａがウエハＷＨ（図５参照）の主面側に対向するように、配線基板１に保持されている。また、プローブカードＰＲＣは、薄膜シート２のうち複数のコンタクタ３が形成された領域（図７に示すコンタクタ配置領域２ｃ）を、裏面２ｂより押圧する押圧部４を有している。また、プローブカードＰＲＣは、連結治具５ａを介して押圧部４および薄膜シート２に一括して荷重を印加する加圧部５を有している。なお、押圧部４および加圧部５の詳細は後述する。
【００４５】
配線基板１は、下面（シート保持面）１ａおよび下面１ａの反対側に位置する上面（裏面）１ｂを有し、平面視において円形を成す板材である（平面形状は図７参照）。本実施の形態の配線基板１は、下面１ａ、上面１ｂ間に複数の配線層が積層された、所謂、多層配線基板である。各配線層には、それぞれ複数の配線１ｃが形成され、下面１ａ側と上面１ｂ側は電気的に接続されている。配線基板１の下面１ａには、この複数の配線１ｃと、それぞれ電気的に接続する複数の受け部（図示は省略）が形成されている。そして、この複数の受け部は、複数の配線１ｃを通じて、配線基板１の上面１ｂに設けられた複数のポゴ（ＰＯＧＯ）座１ｄと電気的に接続している。このポゴ座１ｄは、テスタヘッドＴＨＤ（図５）とプローブカードとの間で、信号を入力、あるいは出力するポゴピンＰＧＰ（図５参照）を受ける端子となっている。つまり、ポゴ座１ｄは配線基板１（プローブカードＰＲＣ）の外部端子となっている。このため、図７に示すように、配線基板１の上面側には多数のポゴ座１ｄが配置されている。また、配線基板１の下面１ａは、カードホルダＣＨＤ（図５参照）に接続され、固定される。
【００４６】
薄膜シート２は、前記したように主面２ａ、裏面２ｂを有し、平面視において、配線基板１より直径が小さい円形を成す。詳細は後述するが、薄膜シート２は、例えばポリイミド樹脂を主成分とする基材を有する薄膜であって、柔軟性を有している。また、薄膜シート２は、裏面２ｂを配線基板１の下面１ａと対向させた状態で、接続治具６により配線基板１に固定され、保持されている。図７に示すようにリング形状を成す複数の接続治具６によって、薄膜シート２の周縁部および周縁部よりも内側の領域が配線基板１に固定されている。
【００４７】
また、配線基板１の中央には開口部１ｅが形成され、開口部１ｅの内側には、配線基板１の上面１ｂ上に固定され、開口部１ｅ内において配線基板１の下面１ａよりも下方まで延在する張り出しリング７が配置されている。薄膜シート２の複数のコンタクタ３が形成された領域は、この張り出しリング７により、配線基板１の下方に向かって張り出され、カードホルダＣＨＤ（図５参照）の下面よりも下方に配置される。また、張り出しリング７の内側には接着リング８が配置されている。接着リング８は、接着剤（例えばエポキシ系接着剤）を介して薄膜シート２の裏面２ｂ側に接着され、ボルトなどの接続治具を介して加圧部５と連結固定されている。これにより、加圧部５により加重を印加した際、あるいは押圧部４により薄膜シート２を押圧した際に、薄膜シート２に弛みが発生することを防止できる。
【００４８】
また、押圧部４は、プランジャ４ａ、押圧具である押し駒４ｂ、および押し駒４ｂの下面(押圧面)側に配置されるエラストマ(緩衝層)４ｃを備えている。押圧部４は、コンタクタ３が形成された領域の薄膜シート２を裏面（上面）２ｂから押し駒４ｂおよびエラストマ４ｃを介してプランジャ４ａが押圧し、押し駒４ｂを押し出すことによって薄膜シート２を引き伸ばし、各コンタクタ３の先端の位置をそれぞれが対応するパッド１１（図４参照）と対向する位置となるように調整する。プランジャ４ａはプローブカードＰＲＣの筐体に固定される。また、配線基板１もプローブカードＰＲＣの筐体に固定されているので、プランジャ４ａはこの筐体を介して配線基板１に固定されている。プランジャ４ａ内には、ばね４ｄが内蔵されており、このばね４ｄの弾性力によって一定の押圧力が押しピン４ｅを介して押し駒４ｂ、エラストマ４ｃおよび薄膜シート２へ伝わる構造となっている。本実施の形態１において、押し駒４ｂの材質としては、４２アロイを例示することができる。また、エラストマ４ｃとしてはシリコンシートを例示することができる。
【００４９】
また、加圧部５は、押圧部４と加圧部５を連結する連結治具５ａおよび連結治具５ａに固定される複数（図６では２個）のばね５ｂを有している。図示は省略するが、このばね５ｂは、例えば配線基板１の平面において約８箇所〜１２箇所に配置されている。このばね５ｂの一方の端部は、配線基板１に固定され、他方の端部は連結治具５ａに固定されている。ばね５ｂの弾性力は、プローブ検査時においてコンタクタ３がパッド１１（図４参照）と接触し、プローブカードＰＲＣがパッド１１に向かって押し込まれた際に連結治具５ａに作用する。この時、加圧部５は押圧部４および接着リング８と固定され、連結治具５ａ、押し駒４ｂ、エラストマ４ｃ、接着リング８およびプランジャ４ａは一体（加圧機構）となっていることから、ばね５ｂの弾性力は、これら一体となった部材をパッド１１に向かって押し下げるように作用する。このため、プランジャ４ａ内のばね４ｄから薄膜シート２へ伝わる押圧力は、主として薄膜シート２の引き伸ばしに用いられることになる。
【００５０】
プローブ検査工程（図１参照）では、薄膜シート２を配線基板１に保持させた後、薄膜シート２のうち、複数のコンタクタ３が形成されたコンタクタ配置領域（接触端子配置領域）２ｃを、押圧部４により裏面２ｂ側からエラストマ（緩衝層）４ｃを介して押圧する。これにより、薄膜シート２は引き伸ばされ、主面２ａに配置された複数のコンタクタ３は、所定の位置（電気的検査工程において、複数のパッド１１（図４参照）と対向する位置）に位置合わせされる（シート引き伸ばし工程）。このシート引き伸ばし工程は、電気的検査工程（図１参照）において、複数のコンタクタ３と複数のパッド１１（図４参照）を接触させる前に予め行う。例えば、シート引き伸ばし工程は、図１に示すプローブカード準備工程に含まれる。そして、電気的検査工程（図１参照）では、複数のコンタクタ３と複数のパッド１１（図４参照）を接触させることで、加圧部５のばね５ｂの弾性力が、押圧部４を介して薄膜シート２の複数のコンタクタ３に伝達される（加圧工程）。
【００５１】
ところで、以下で詳述する薄膜シート２は、図６に示す本実施の形態のプローブカードＰＲＣの変形例に適用することもできる。例えば、図６に示す加圧部５を配置せず、押圧部４のプランジャ４ａを配線基板１に固定した変形例に適用することができる。この場合、パッド１１（図４参照）への荷重制御はプランジャ４ａのみで行うことになる。ただし、プランジャ４ａは、押し駒４ｂを押し出して薄膜シート２を配線基板１の下面１ａより下方に張り出させるためにも用いられる。したがって、確実に薄膜シート２を配線基板１の下面１ａよりも下方に張り出し、かつ低荷重でコンタクタ３をパッド１１に接触させる観点から、本実施の形態では、押圧部４と加圧部５を備えたプローブカードＰＲＣを採用している。
【００５２】
＜薄膜シートの詳細構造＞
次に、図６および図７に示す薄膜シート２の詳細構造について説明する。図８は、図７に示す薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図、図９は、図７に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図である。また、図１０は、図９のＢ部の拡大平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図、図１２は図１０のＤ−Ｄ線に沿った拡大断面図である。
【００５３】
図９に示すように、薄膜シート２の主面２ａ側に配置されるコンタクタ配置領域（接触端子配置領域）２ｃには、複数のコンタクタ３が形成されている。本実施の形態では、図４に示すように平面視において四角形を成すチップ領域１０ａの各辺に沿ってそれぞれ複数のパッド１１が配置されたウエハＷＨ（図２参照）を検査する。このため、図８および図９に示すコンタクタ配置領域２ｃは、平面視において四角形を成し、各辺に沿ってそれぞれ複数のコンタクタ３が配置されている。言い換えれば、コンタクタ配置領域２ｃの外縁を構成する四辺のうち、第１辺に沿って、複数のコンタクタ３ａが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ａが配置される。また、第１辺と交差する第２辺に沿って、複数のコンタクタ３ｂが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｂが配置される。また、第１辺と対向する第３辺に沿って、複数のコンタクタ３ｃが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｃが配置される。また、第２辺と対向する第４辺に沿って、複数のコンタクタ３ｄが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｄが配置される。
【００５４】
また、図１０〜図１２に示すように、薄膜シート２は、主面（接触端子形成面）２ａを有するポリイミド膜（絶縁膜）２２を有している。複数のコンタクタ３は、ポリイミド膜２２が有する主面２ａに固定されている。また、図１０に示すように、複数のコンタクタ３ａは、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向、第１方向）に沿って配置されている。薄膜シート２の各コンタクタ３は、図４に示す複数のパッド１１と対向する位置に配置されるように形成されている。なお、図１０では、図９に示す各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのうち、コンタクタ群３Ａ、３Ｄの拡大図を例示的に示している。以下、コンタクタ３の周辺構造について、コンタクタ３ａを例として説明するが、特に、異なる構造である旨説明する場合を除き、コンタクタ３ｂ、３ｃ、３ｄの周辺構造も同様である。
【００５５】
図１１および図１２に示すように、複数のコンタクタ３は、それぞれ金属膜２１からなる。本実施の形態では、例えば、下層からロジウム膜２１ａおよびニッケル膜２１ｂが順次積層された積層膜となっている。このコンタクタ３は、薄膜シート２中にて平面四角形状にパターニングされた金属膜２１であり、薄膜シート２の主面２ａよりも下方に突出するように形成されている。コンタクタ３の形状は種々の変形例を適用することができるが、本実施の形態では、例えば、図１０および図１２に示すように角柱状に形成された台座部の下面に四角錐台形型に形成された突起部が形成された形状となっている。また、台座部の側面は、その一部がポリイミド膜２２に覆われている。このように、コンタクタ３の突起部上に台座部を形成することにより、コンタクタ３の高さを高くすることができる。このため、プローブ検査を行う際には、薄膜シート２の主面２ａからコンタクタ３の先端までの距離を長くすることができる。例えば、本実施の形態では、薄膜シート２の主面２ａからコンタクタ３の先端までの距離は、約５０μｍとなっている。これにより、プローブ検査時にポリイミド膜２２と被検査対象物であるウエハＷＨ（図２参照）の表面が接触することを防止ないしは抑制できる。
【００５６】
また、薄膜シート２は、ポリイミド膜２２と裏面２ｂの間に形成される複数の配線２３を有している。複数の配線２３は、それぞれ下層から導体膜２３ａおよび導体膜２３ｂが順次積層された積層膜となっている。導体膜２３ａは、配線２３を形成するための下地導体膜であって、例えば、膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。また、導体膜２３ｂは、配線２３の寄生インダクタンス（例えば配線抵抗）を低減する主導体膜であって、例えば、銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。これら複数の配線２３はポリイミド膜２５により覆われている。言い換えれば、薄膜シート２は、ポリイミド膜２２上に、複数の配線２３およびこれらを覆う絶縁膜であるポリイミド膜２５からなる配線層２４が積層されている。
【００５７】
また、複数の配線２３は、それぞれ、図６に示す配線基板１との接続部（例えば前記した受け部）まで引き出され、配線基板１の複数の配線１ｃと電気的に接続されている。複数の配線２３は、図６に示すコンタクタ配置領域２ｃ内から配線基板１の下面１ａに向かって放射状に引き出され、配線基板１の下面１ａにおいて、複数の配線１ｃとそれぞれ電気的に接続される。例えば、図８に模式的に示すように、コンタクタ配置領域２ｃ内のコンタクタ３と接続される配線２３は、コンタクタ配置領域２ｃ内から各コンタクタ群の延在方向と直交する方向（第２方向）に引き出される（延在する）。直交方向に引き出される距離は、略円形の平面形状を成す薄膜シート２の中心から約１／３〜１／２程度となっている。また、配線２３は、そこからさらに薄膜シート２の外縁（周縁部）に向かって、放射状に引き出される。そして、薄膜シート２の周縁部付近で図６に示す配線基板１の複数の受け部（図示は省略）と複数の配線２３が電気的に接続される。また、複数の配線２３のコンタクタ配置領域２ｃ内の端部は、コンタクタ３よりもさらに内側まで延在している。なお、図１１および図１２では、ポリイミド膜２２上に一層の配線層２４を積層する例を示しているが、配線層２４の数はこれに限定されない。例えば、配線層２４上に、さらに別の配線層を積層し、二層以上の積層構造とすることもできる。この場合、配線の引き回しスペースを増加させることができるので、コンタクタ配置領域２ｃ内に配置するコンタクタ３の数が増加しても、それぞれを電気的に接続することができる。
【００５８】
また、複数の配線２３は、複数のコンタクタ３とそれぞれ電気的に接続されている。図１１および図１２に示すようにポリイミド膜２２のコンタクタ３上には、スルーホール（開口部）ＴＨ１が形成され、スルーホールＴＨ１の底部において、ポリイミド膜２２上に形成される配線２３とコンタクタ３が電気的に接続されている。本実施の形態では、スルーホールＴＨ１は、コンタクタ３の直上に形成している。このように、スルーホールＴＨ１をコンタクタ３の直上に配置することにより、スルーホールＴＨ１の配置スペースを低減することができるので、コンタクタ３の狭ピッチ化に対応することができる。
【００５９】
また、図１０に示すように、複数の配線２３のうち、複数のコンタクタ３ａに接続される複数の配線２３は、平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と交差（直交）する方向に沿って延在するように配置されている。このように複数の配線２３をコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と交差（直交）する方向に沿って延在させることにより、複数のコンタクタ３の配置ピッチが詰まっている場合でも、複数の配線２３を効率的に引き出すことができる。また、図８に示されるように、配線２３は、そこからさらに薄膜シート２の外縁（周縁部）に向かって、放射状に引き出される。薄膜シート２の周縁部付近で図６に示す配線基板１の複数の受け部（図示は省略）と複数の配線２３が電気的に接続される。複数の配線２３のコンタクタ配置領域２ｃ内の端部は、コンタクタ３よりもさらに内側まで延在している。配線層２４（図１１および図１２参照）の配線２３は、薄膜シート２の応力を均一にするために、密度が均等になるように構成される。
【００６０】
また、図８および図１０〜図１２に示すように薄膜シート２には、複数の配線２３の間に複数のダミー配線２６が形成されている。図１０に示すように複数のダミー配線２６は、複数の配線２３と同様に、ポリイミド膜２２上に積層される配線層２４内に形成されている。言い換えれば、複数のダミー配線２６は、ポリイミド膜２２上に形成され、ポリイミド膜２５により覆われている。薄膜シート２は前記したようにポリイミドを主成分とする薄いシートであり、図６に示す押圧部４を下方に押し出すことで、薄膜シート２を引き伸ばしてコンタクタ３とパッド１１（図４参照）の位置を調整する（シート引き伸ばし工程）。しかし、薄膜シート２内に複数の配線２３が離間して形成する場合、配線２３を配置した領域と配置しない領域の間で、薄膜シート２が引き伸ばされる挙動が変化して、一様に引き伸ばすことが困難になる。この結果、薄膜シート２に弛みが発生し、コンタクタ３とパッド１１（図４参照）の位置ずれが発生する原因となる。配線２３が形成されない領域に、複数のダミー配線２６を形成することで、配線２３が形成されていない領域の面積を低減している。これにより、薄膜シート２の硬さや剛性が一様になるので、前記シート引き伸ばし工程において、弛みが発生することを防止ないしは抑制できる。
【００６１】
これら、複数のダミー配線２６は、複数のコンタクタ３とは電気的に接続されていないので、非導電性材料で構成することもできる。ただし、複数のダミー配線２６は、図１１および図１２に示すように複数の配線２３と同様にそれぞれ下層から導体膜２３ａおよび導体膜２３ｂが順次積層された積層膜とすることが好ましい。配線２３とダミー配線２６の構成部材を共通化することで、薄膜シート２の硬さや剛性などの機械的特性を一様化することができる。また、配線２３とダミー配線２６の構成部材を共通化することで、薄膜シート２を形成する際に、複数の配線２３と複数のダミー配線２６を一括して形成することができる。また、複数のダミー配線２６は、複数のコンタクタ３とは電気的に接続されていないので、複数の配線２３が形成された領域の間に自由に配置することができる。ただし、複数の配線２３が密集して配置されるコンタクタ３の周辺では、効率的にダミー配線２６を配置する観点から、配線２３に沿ってダミー配線２６を配置することが好ましい。
【００６２】
図１０および図１２に示すように、コンタクタ群３Ａの領域内において、複数の配線２３の間に配線２３に沿ってそれぞれダミー配線２６を配置している。これにより、薄膜シート２の裏面２ｂの平坦度を向上させることができる。ただし、複数の配線２３間の配置ピッチが狭く、ダミー配線２６の配置スペースが確保できない場合には、複数の配線２３の間にダミー配線２６を配置しない構成とすることもできる。また、図１０に示すように、複数のコンタクタ群３Ａ、３Ｂが交差する角部領域（コーナ部）２ｆでは、複数のコンタクタ３ａのうち、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３ｅのコンタクタ群３Ａとは反対側に、複数のダミー配線２６が、配線２３に沿って形成されている。また、複数のコンタクタ３ｂのうち、コンタクタ群３Ｂの端部に配置されるコンタクタ３ｅのコンタクタ群３Ｂとは反対側に、複数のダミー配線２６が、配線２３に沿って形成されている。また、図示は省略するが、コンタクタ群３Ａ、３Ｂの反対側の端部、および図９に示すコンタクタ群３Ｃ、３Ｄの両端部においても同様に複数のダミー配線２６が配線２３に沿って配置されている。なお、角部領域２ｆとは、図９に示すように四角形の平面形状を成すコンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿ってコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが配置されている場合に、２つのコンタクタ群の延長線が交差する領域をいう。図９および図１０では、角部領域２ｆにハッチングを付して示している。複数のコンタクタ群３Ａ、３Ｂが交差する角部領域（コーナ部）２ｆでは複数の配線２３が形成されない領域の面積が特に広くなるので、薄膜シート２を引き伸ばす際に弛みが発生し易いが、ダミー配線２６をそれぞれ配置することにより、この弛みの発生を抑制することができる。
【００６３】
ここで、図１０および図１１に示すように、本実施の形態の薄膜シート２は、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間に、スリット２ｄが形成されている。図１０および図１１では、コンタクタ３ｅとコンタクタ３ｅの隣に配置されるダミー配線２６の間にスリット２ｄが形成されている。また、図１０に示すようにコンタクタ群３Ｂの端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間に、スリット２ｄが形成されている。図１０では、コンタクタ３ｅとコンタクタ３ｅの隣に配置されるダミー配線２６の間にスリット２ｄが形成されている。また、図示は省略するが、コンタクタ群３Ａ、３Ｂの反対側の端部、および図９に示すコンタクタ群３Ｃ、３Ｄの両端部においても端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間に、スリット２ｄがそれぞれ形成されている。これらのスリット２ｄは、図１１に示す薄膜シート２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成る。また、これらのスリット２ｄは、スリット２ｄの隣に配置される配線２３（およびダミー配線２６）に沿って形成されている。スリット２ｄは、例えば、薄膜シート２の薄膜シート２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射することにより形成することができる。スリット２ｄのさらに詳細な構造およびこのスリット２ｄを形成する理由は後述する。
【００６４】
＜コンタクタの接触圧力の検討＞
次に、スリット２ｄ周辺のさらに詳細な構造およびこのスリット２ｄを形成する理由について詳細に説明する。まず、図１に示す電気的検査工程において生じる課題について、本願発明者が検討した他の実施態様（比較例）を用いて説明した後、本実施の形態の詳細構造について説明する。図１３は、図１１に対する別の実施態様である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。なお、図１３に示す実施態様は、薄膜シートの裏面の構造を除き、本実施の形態と同様である。したがって、以下の説明において、薄膜シートが取り付けられるプローブカードの他の部材については、必要に応じ、図６等を参照して説明する。
【００６５】
まず、図１３に示す薄膜シート１００は、図１１に示す薄膜シート２のスリット２ｄが形成されていない点で本実施の形態と相違する。その他の点については、本実施の形態の薄膜シート２と同様である。
【００６６】
図１３に示すように、プローブ検査工程（図１参照）では、前記したシート引き伸ばし工程の後で、薄膜シート１００の複数のコンタクタ３の先端をウエハＷＨの複数のパッド１１にそれぞれ接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う。図１３では、コンタクタ３とパッド１１の接触時の衝撃を緩和する観点から、押し駒４ｂと薄膜シート１００の裏面２ｂの間に緩衝層としてエラストマ４ｃを配置する。また、押圧部４と薄膜シート１００の裏面２ｂの密着界面における摺動性を向上させる観点から、エラストマ４ｃと薄膜シート１００の裏面２ｂの間にさらに薄膜シート１００と別体で形成されたポリイミドシート４ｆを配置している。図１３では、それぞれ別体に形成された２枚のポリイミドシート４ｆを重ねて配置する例を示している。つまり、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力は、前記した加圧工程において、主に加圧部５（図６参照）から印加される荷重により調整されるが、これらの荷重は緩衝層であるエラストマ４ｃを介して薄膜シート１００に伝達される。
【００６７】
ここで、図６に示すように、薄膜シート１００（図１３参照）のコンタクタ配置領域２ｃに一様に荷重を伝達するため、押し駒４ｂおよび押し駒４ｂの下層に配置されるエラストマ４ｃ（およびエラストマ４ｃの下層に配置される図１３に示すポリイミドシート４ｆ）は、薄膜シート１００（図１３参照）の裏面２ｂにおいて、コンタクタ配置領域２ｃよりも広い範囲を覆っている。つまり、図１３に示すように、薄膜シート１００の裏面２ｂにおいて、エラストマ４ｃを介して荷重を受ける荷重伝達領域には、複数のコンタクタ３上の領域２ｅ、およびその周辺領域（例えば角部領域２ｆ）が含まれる。一方、薄膜シート２の主面側においてウエハＷＨと接触するのは、複数のコンタクタ３であって、角部領域２ｆの主面側はウエハＷＨとは接触しない。
【００６８】
このため、図１３で矢印５０を付して示すように、エラストマ４ｃから薄膜シート２の裏面２ｂに向かって伝達される荷重が、裏面２ｂにおいて、一様になっていた場合でも、コンタクタ３に伝わる荷重は一様にはならない。すなわち、複数のコンタクタ３のうち、コンタクタ群の端部に配置されていないコンタクタ３は、両隣に別のコンタクタ３が配置されているので、コンタクタ３の直上以外の領域から伝達される荷重は、両隣のコンタクタ３と分散して受けることができる。一方、コンタクタ群の端部に配置されるコンタクタ３ｅは、両隣のうちの一方しか、コンタクタ３が配置されていない。このため、コンタクタ３ｅ上の領域２ｅからの荷重に加え、その周辺領域（例えば、図１３に示す複数のダミー配線２６が形成された角部領域２ｆ）からの荷重も伝達される。特に、コンタクタ３ｅは、図１０に示すように、複数のコンタクタ群３Ａ、３Ｂが交差する角部領域（コーナ部）２ｆと隣接して配置されるため、角部から伝達される荷重量が大きくなる。この結果、端部に配置されるコンタクタ３ｅとパッド１１の接触圧力は、他のコンタクタ３とパッド１１の接触圧力よりも高くなる。
【００６９】
また、コンタクタ３ｅとパッド１１の接触圧力が大きくなると、コンタクタ３ｅがパッド１１に深く食い込むので、その反動により、コンタクタ３ｅの隣に配置されるコンタクタ３ｆが浮き上がり、コンタクタ３ｆとパッド１１の接触圧力は、他のコンタクタ３とパッド１１の接触圧力よりも低くなる。つまり、複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきが増大してしまう。
【００７０】
そして、接触圧力のばらつきが大きい場合、接触抵抗が不均一になり、正確な電気的検査が行えなくなる原因となる。例えば、接触圧力が低い箇所では、検査のための信号電流が流れず、導通不良（オープン不良）の原因となる。また、接触圧力が大きすぎると、被検査対象であるウエハが破損する原因となる。このウエハの破損を防止する観点からは、接触圧力のばらつきの中心値（設計上の接触圧力）を低減することが有効であるが、このためには、ばらつきのマージンをさらに小さくする必要が生じる。特に近年では、プローブ検査時に被検査対象であるウエハの破損を防止する観点から、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力をさらに低減する要求がある。例えば、半導体チップ１０（図４参照）の回路動作を向上させる観点から、層間絶縁膜である絶縁膜１３ｂとして、比誘電率が保護膜１４よりも低く、例えば約３．０未満の絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜と呼ばれる）を用いる技術がある。Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜の形成方法としては、例えば、ＳｉＯＣ等のシリカガラス系の材料をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する方法がある。また例えば、または炭素含有シリコン酸化物系の材料をＣＶＤ法により形成する方法、あるいは、絶縁膜をポーラスな構造とすることで、比誘電率を低減する方法がある。上記したＬｏｗ−ｋ絶縁膜は、保護膜１４よりも比誘電率が低いという電気的特性を有するが、一方で、機械的強度（破壊耐性）が保護膜１４よりも低いという特性も有している。このため、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力が高い場合、絶縁膜１３ｂや、回路が破壊される原因となる。
【００７１】
＜本実施の形態の薄膜シートのスリット周辺の詳細＞
次に、上記検討結果を踏まえ、本実施の形態のスリット２ｄ周辺のさらに詳細な構造、および好ましい実施態様について説明する。図１４は、図１１に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【００７２】
図１４に示すように、本実施の形態のプローブ検査工程（図１参照）では、前記したシート引き伸ばし工程の後、薄膜シート２の複数のコンタクタ３の先端を、ウエハＷＨの複数のパッド１１にそれぞれ接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う。本実施の形態では、図１３に示す比較例と同様に、コンタクタ３とパッド１１の接触時の衝撃を緩和する観点から、押し駒４ｂと薄膜シート２の裏面２ｂの間に緩衝層としてエラストマ４ｃを配置する。また、押圧部４と薄膜シート２の裏面２ｂの密着界面における摺動性を向上させる観点から、エラストマ４ｃと薄膜シート２の裏面２ｂの間に、薄膜シート２と別体で形成されたポリイミドシート４ｆをさらに配置している。図１４では、それぞれ別体に形成された２枚のポリイミドシート４ｆを重ねて配置する例を示している。これらエラストマ４ｃとポリイミドシート４ｆは、単に、押し駒４ｂと薄膜シート２の裏面２ｂの間に配置して押圧部４（図６参照）の押圧力により固定することもできるが、本実施の形態では、押し駒４ｂの下面とエラストマ４ｃの上面を接着固定している。これにより、押し駒４ｂとエラストマ４ｃが一体化され、押圧面側に緩衝層が配置された押圧具となる。また、本実施の形態では、エラストマ４ｃの下面にポリイミドシート４ｆを接着固定している。これにより、押し駒４ｂ、エラストマ４ｃ、およびポリイミドシート４ｆが一体化され、押圧面に薄膜シート２との摺動性が良好なポリイミド膜を備える押圧具となる。
【００７３】
ここで、本実施の形態では、コンタクタ群の端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間に、スリット２ｄが配線２３（およびダミー配線２６）に沿って形成されている。一方、コンタクタ３ｅとコンタクタ３ｆの間には、スリット２ｄが形成されていない。そしてスリット２ｄは、薄膜シート２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成る。このため、例えば、図１４に示す角部領域２ｆに伝達された荷重の一部は、薄膜シート２の角部領域２ｆを下方に押し下げる力に変換されて緩和される。また、図１４に示す角部領域２ｆに伝達された荷重の他部は、スリット２ｄよりも外側（図９に示すコンタクタ配置領域２ｃの外縁部側）の領域で分散される。このため、コンタクタ３ｅに伝達される荷重は、コンタクタ３上の領域２ｅから伝達される荷重およびその周辺のスリット２ｄとの境界線までの僅かな領域から伝達される荷重となる。つまり、コンタクタ３ｅに伝達される荷重を、周囲のコンタクタ３に伝達される荷重と同程度にすることができる。言い換えれば、スリット２ｄは、角部領域２ｆからコンタクタ３ｅに直接的に荷重が伝達される経路を分断する開放端となっている。この結果、端部に配置されるコンタクタ３ｅとパッド１１の接触圧力は、他のコンタクタ３とパッド１１の接触圧力と同程度となる。また、コンタクタ３ｅとパッド１１の接触圧力は他のコンタクタ３の接触圧力と同程度とすることで、コンタクタ３ｅの隣に配置されるコンタクタ３ｆとパッド１１の接触圧力を、他のコンタクタ３とパッド１１の接触圧力と同程度にすることができる。すなわち、複数のコンタクタ３と複数のパッド１１の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【００７４】
この結果、複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきに起因する、電気的検査工程での不良を防止ないしは抑制できる。例えば、コンタクタ３ｆへの伝達荷重が極端に低くなり、導通不良（オープン不良）が発生することを防止ないしは抑制できる。また例えば、コンタクタ３ｅへの伝達荷重が極端に高くなり、パッド１１や絶縁膜１３ｂや半導体集積回路が破壊されることを防止ないしは抑制できる。例えば、絶縁膜１３ｂとして、前記したＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いたウエハＷＨの電気的検査を行う場合、各コンタクタ３の接触圧力は低く設定する必要がある。例えば、各コンタクタ３に伝達される接触時の荷重は、それぞれ５×１０^−３Ｎ程度とする。本実施の形態によれば、このように低荷重で電気的検査を行う場合であっても、接触圧力のばらつきのマージンを小さくすることができるので、導通不良やウエハＷＨの破壊を防止することができる。
【００７５】
＜スリット周辺の好ましい態様＞
次に、スリット２ｄの好ましい態様について説明する。前記したように、スリット２ｄは、角部領域２ｆからコンタクタ３ｅに直接的に荷重が伝達される経路を分断する開放端となっているが、荷重の伝達経路を分断する効果をより大きくする観点から、スリット２ｄの延在方向の長さは長い方が好ましい。図１０に示すように、コンタクタ群３Ａ、３Ｂの幅よりも長くすることが好ましい。スリット２ｄを長く形成することで、荷重の伝達経路の分断距離が長くなる。
【００７６】
また、本実施の形態では、コンタクタ群３Ａ、３Ｂが交差（直交）する角部領域２ｆ（図９および図１０においてハッチングを付して示す領域）と、コンタクタ群３Ａおよびコンタクタ群３Ｂの間にそれぞれスリット２ｄを配置している。このように、延在方向が交差（直交）する複数のコンタクタ群３Ａ、３Ｂを有する薄膜シート２では、角部領域２ｆと、コンタクタ群３Ａおよびコンタクタ群３Ｂの間にそれぞれスリット２ｄを配置することが好ましい。コンタクタ群３Ａ、３Ｂそれぞれの端部に配置されるコンタクタ３ｅの直近にスリット２ｄを配置できるからである。
【００７７】
また、この場合、コンタクタ群３Ａまたはコンタクタ群３Ｂからコンタクタ配置領域２ｃの内側（中央方向）に向かうスリット２ｄの長さ（第１の長さ）には限界がある。各コンタクタ群に接続された複数の配線２３や他のスリット２ｄと交差するからである。一方、コンタクタ群３Ａまたはコンタクタ群３Ｂからコンタクタ配置領域２ｃの外側（外縁方向）に向かうスリット２ｄの長さ（第２の長さ）は、このような制約がない、または少ない。したがって、前記した第１の長さよりも第２の長さを長くすることで、スリット２ｄの全長を長くすることができる。
【００７８】
また、スリット２ｄの幅については、角部領域２ｆからコンタクタ３ｅに直接的に荷重が伝達される経路を分断する開放端としての機能の観点からは特に制約は無い。薄膜シート２の主面２ａから裏面２ｂまでが確実に貫通されていれば、スリット２ｄの幅は、例えば配線２３よりも細くても開放端として機能させることができる。つまり、スリット２ｄは、その幅に係わらず開放端として機能させることができる。一方、スリット２ｄの幅を広くすると、薄膜シート２の角部領域２ｆに大きな開口部が形成されることとなる。このように大きな開口部を形成した場合、開放端として機能させることはできるが、薄膜シート２の耐久性の低下要因、あるいは、前記したシート引き伸ばし工程において、弛みなく薄膜シート２を引き伸ばす際の阻害要因となる懸念がある。したがって、このような観点からスリット２ｄの幅は、配線２３の幅以下とすることが好ましい。
【００７９】
また、角部領域２ｆからコンタクタ３ｅに直接的に荷重が伝達される経路を分断する開放端としての機能の観点からは、スリット２ｄに沿って配置される配線２３やダミー配線２６の側面（スリット２ｄ側の側面）がスリット２ｄにおいてポリイミド膜２５から露出する構成とすることもできる。ただし、配線２３やダミー配線２６の一部が露出すると、配線２３やダミー配線２６が酸化、あるいは腐食しやすくなる。このため、配線２３やダミー配線２６の酸化や腐食による電気的試験工程の信頼性低下を抑制する観点からは、図１１に示すように、スリット２ｄの隣に配置される配線２３やダミー配線２６のスリット２ｄ側の側面は、ポリイミド膜２５により覆われていることが好ましい。
【００８０】
また、図１０では、コンタクタ３の接触圧力のばらつきのマージンが特に大きくなり易いコンタクタ群の端部（角部領域２ｆ）にスリット２ｄを配置した例について説明したが、角部領域２ｆ（図９参照）以外にスリット２ｄを形成することができる。例えば、図１５や図１６に示すようにコンタクタ群３Ａ内にスリット２ｄを配置することができる。図１５は、図９のＥ部の拡大平面図、図１６は図１５の変形例を示す拡大平面図である。図１５に示すように、コンタクタ群３Ａには、第１の間隔Ｐ１で配置される複数のコンタクタ３ｇと第１の間隔Ｐ１よりも広い第２の間隔Ｐ２で配置されるコンタクタ３ｈが配置されている。言い換えれば、コンタクタ群３Ａは、第１の間隔Ｐ１で複数のコンタクタ３ｇが配置される密集配置領域と、第１の間隔Ｐ１よりも広い第２の間隔Ｐ２でコンタクタ３ｈが配置される散在配置領域を有している。前記したように複数のコンタクタ３は、検査対象のパッド１１（図４参照）に対向するように配置されるので、必ずしも全てのコンタクタ３が等間隔で配置されるとは限らず、図１５に密集配置領域と散在配置領域が混在する場合がある。ここで、前記したコンタクタ３ｅの接触圧力が高くなるのと同様の原理により、散在配置領域に配置されるコンタクタ３ｈおよび密集配置領域の端部に配置されるコンタクタ３ｇの接触圧力は、他のコンタクタ３の接触圧力よりも高く成り易い。コンタクタ３ｇ、３ｈ間の領域から、散在配置領域に配置されるコンタクタ３ｈおよび密集配置領域の端部に配置されるコンタクタ３ｇに向かって荷重が伝達されるからである。
【００８１】
そこで、図１５に示すように、第２の間隔Ｐ２で配置されるコンタクタ３ｇ、３ｈの間に、スリット２ｄを形成している。図１５では、コンタクタ３ｈの両隣に、それぞれ第２の間隔Ｐ２でコンタクタ３ｇが配置されているので、コンタクタ３ｈの両隣にそれぞれ配線２３に沿ってスリット２ｄを配置している。一方、第１の間隔Ｐ１で配置されるコンタクタ３ｇ間にはスリット２ｄを形成していない。これにより、コンタクタ３ｇ、３ｈ間の領域からコンタクタ３ｈおよび密集配置領域の端部に配置されるコンタクタ３ｇに向かって伝達される荷重を低減することができる。このため、コンタクタ３ｇ、３ｈに伝達される荷重を、周囲のコンタクタ３に伝達される荷重と同程度にすることができる。
【００８２】
また、図１６に示すように、第２の間隔Ｐ２で配置されるコンタクタ３ｇ、３ｈの間に、ダミー配線２６を配置して、ダミー配線２６とコンタクタ３ｇの間、およびダミー配線２６とコンタクタ３ｈの間にそれぞれ配線２３に沿ってスリット２ｄを形成することもできる。この場合、図１５に示す場合と比較して、スリット２ｄとコンタクタ３ｇ、３ｈの距離をそれぞれ近づけることができるので、コンタクタ３ｇ、３ｈに伝達される荷重を一層低減することができる。ただし、第２の間隔Ｐ２の間隔が狭い場合には、コンタクタ３ｇ、３ｈの間に複数のスリット２ｄを形成することにより、薄膜シート２の強度が局所的に低下して、耐久性が低下する懸念がある。したがって、例えば、第２の間隔Ｐ２が第１の間隔Ｐ１の２倍以下の時は、図１５に示すように、１本のスリット２ｄを配置することが好ましい。
【００８３】
＜薄膜シートの組立工程＞
次に、薄膜シート２の組み立て工程について説明する。上記した薄膜シート２は、最下層に配置される複数のコンタクタ３から最上層に配置されるポリイミド膜２５まで、各層の部材を順次積層して形成する。以下、図１７および図１８を用いて簡単に薄膜シート２を形成する工程について２種類の例を説明する。図１７は、図１０に示す薄膜シートの組立工程の一例を示す拡大断面図である。図１８は、図１７に示す組立工程の変形例を示す拡大断面図である。
【００８４】
まず、図１７に示すように、薄膜シート形成用の基板（例えば、シリコン基板）４０を準備して、基板４０上に複数のコンタクタ３を形成するための開口部（穴）４０ａを形成する。その後、開口部４０ａを含む基板上に、コンタクタ３等のめっき形成に用いる導電膜４１を成膜する。その後、開口部４０ａをマスクした状態（図示は省略）で、開口部４０ａの周囲に例えば銅からなる１０μｍ〜２０μｍ程度の薄膜４２を成膜する。図１７に示す構造では、この薄膜４２が形成されていない領域がコンタクタ３となる。その後、開口部４０ａを塞ぐマスクを除去した後、開口部の周囲を覆うマスク（図示は省略）を形成し、導電膜４１を電極とした電解めっき法により、コンタクタ３の表面を覆う導電膜となるロジウム膜（導電膜）２１ａおよびニッケル膜（導電膜）２１ｂを順次堆積する。この時、ロジウム膜２１ａおよびニッケル膜２１ｂは成膜領域の下地の形状に倣って形成される。その後、薄膜４２を露出させた後、ニッケル膜２１ｂを覆うようにマスク（図示は省略）を形成し、薄膜４２上に、例えば銅からなる１０μｍ〜２０μｍ程度の薄膜４３をさらに成膜する。この２層目の薄膜４３を形成することにより、後にコンタクタ３の側面の一部を覆うポリイミド膜２２の段差部が形成される。その後、ニッケル膜２１ｂ上のマスクを取り除き、電解めっき法によりニッケル膜２１ｂ上にさらにニッケル膜２１ｂを堆積する。ここまでの工程で、図１０〜図１２に示すコンタクタ３の形状を形成する。コンタクタ３の上面は成膜領域の下地の形状に倣って形成されるので、図１７に示すように中央部よりも周縁部の方が盛り上がった形状となる。
【００８５】
その後、マスクを取り除き、コンタクタ３および前記した上層の薄膜４３を覆うようにポリイミド膜２２を成膜する。この時、ポリイミド膜２２は、成膜領域の下地の形状に倣って形成されるので、図１７に示すようにコンタクタ３の上面の周縁部上が周囲よりも盛り上がって形成される。その後、ポリイミド膜２２に、コンタクタ３の上面に達するスルーホールＴＨ１を形成する。続いて、スルーホールＴＨ１の内部を含むポリイミド膜２２上に導体膜２３ａ、２３ｂを順次積層する。これにより、コンタクタ３と電気的に接続された配線２３が形成される。また、コンタクタ３と電気的に接続されないダミー配線２６もこの時に一括して形成される。その後、ポリイミド膜２２、配線２３およびダミー配線２６上にポリイミド膜２５を成膜する。これにより、配線層２４が形成される。そして、基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除く（例えばエッチングにより取り除く）と、薄膜シート２が得られる。
【００８６】
ところで、図１０および図１１に示すスリット２ｄは、例えば、薄膜シート２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面に向かってレーザ光ＬＺを照射することにより形成することができる（レーザ照射工程）。レーザ光ＬＺをスリット２ｄの形成領域（配線２３とダミー配線２６の間）に照射すると、照射された領域内のポリイミド膜２２、２５が取り除かれ、開口部を形成することができる。このレーザ照射工程を施すタイミングは、例えば、図１７に示す例では、基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除く前に、薄膜シート２の裏面２ｂ側からレーザ光ＬＺを照射して形成する。この時、レーザ光ＬＺを照射する領域には、配線２３やダミー配線２６などの金属パターンは形成されていないので、ポリイミド膜２２、２５を容易に取り除くことができる。このように、薄膜シート２を配線基板１（図６参照）に接続し、保持する前にスリット２ｄを形成する場合には、その後、スリット２ｄが形成された薄膜シート２を配線基板１（図６参照）に接続し、保持させる。詳しくは、スリット２ｄを形成した後、図１７に示す基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除き、その後、薄膜シート２を配線基板１（図６参照）に接続し、保持させる。そしてその後、前記したシート引き伸ばし工程を行い、複数のコンタクタ３の位置を調整する。
【００８７】
また、レーザ照射工程のタイミングは、上記に限定されず、薄膜シート２を図６に示す配線基板１に接続し、保持させた後（前記したシート引き伸ばし工程の後）で行うことができる。この場合、図１８に示すように押圧部４により、薄膜シート２の裏面２ｂ側から押圧し、薄膜シート２を引き伸ばした状態で、主面２ａ側からレーザ光ＬＺを照射する。このように、薄膜シート２を配線基板１に取り付けた状態でレーザ光ＬＺを照射した場合、レーザ照射領域のポリイミドシート４ｆおよびエラストマ４ｃの一部まで達する開口部が形成される。また、エラストマ４ｃを貫通する開口部が形成される場合もある。つまり、スリット２ｄの上層に配置されるエラストマ４ｃの少なくとも一部まで到達する開口部が形成される。スリット２ｄ上の緩衝層の一部または全部を取り除くことにより、角部領域２ｆに伝達される荷重をより確実に分断することができるので、図１４を用いて説明した場合と同等、あるいはそれ以上に複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。また、前記したシート引き伸ばし工程の後でスリット２ｄを形成するので、その後、薄膜シート２を引き伸ばした状態を維持することで、スリット２ｄと押圧部の位置ずれを防止ないしは抑制することができる。ただし、メンテナンスなどの目的で、薄膜シート２と配線基板１（図６参照）を分解した後、再度、薄膜シート２を配線基板１に接続し、保持させる場合、エラストマ４ｃの一部に開口部が形成されていると、精密な位置合わせが必要となる。このため、分解後に再組み立てを行う場合には、押圧部４に接着固定されるエラストマ４ｃおよびポリイミドシート４ｆを新しいものと交換し、図１４に示す態様で使用することが好ましい。
【００８８】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、基本的な技術思想を理解し易くするため、コンタクタ配置領域２ｃの辺に沿って、一列で複数のコンタクタ３が配置された実施態様について説明した。しかし、近年の半導体集積回路装置に対する小型化の要求や高機能化の要求から、狭ピッチ多ピン化がさらに進められており、狭ピッチ多ピン化を実現する一つの方法として、半導体チップの一辺に沿って、複数列でそれぞれチップ電極（パッド）を配置する技術（複数列配置技術）がある。この複数列配置技術を用いた半導体集積回路装置の電気的検査を行う場合、複数のコンタクタの配置もチップ電極の配置に対応して複数列にする必要がある。本実施の形態では、複数列配置技術を用いた半導体集積回路装置の製造方法に適用した実施態様について説明する。なお、本実施の形態は、前記実施の形態１で説明した技術を応用して適用した変形例である。このため、前記実施の形態１と重複する説明は極力省略し、前記実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【００８９】
図１９は、図４に対する変形例である半導体チップの主面側を示す平面図である。また、図２０は、図９に対する変形例である薄膜シートのコンタクタ配置領域周辺を示す拡大平面図である。また、図２１は、図２０のＦ部の拡大平面図、図２２は、図２０のＧ部の拡大平面図である。また、図２３は、図２１のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。また、図２４は、図２０のＫ部の拡大平面図である。
【００９０】
図１９に示す半導体チップ１０ｃ（チップ領域１０ａ）は、平面視において四角形を成し、各辺に沿って配置されるパッド群（チップ電極群）１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄには、複数のパッド１１がそれぞれ複数列で配置されている。言い換えれば、パッド群１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄにそれぞれ配置される複数のパッド１１には、第１列目に配置される複数のパッド（第１列目チップ電極）１１ｅと、第１列目と半導体チップ１０ｃ（チップ領域１０ａ）の一辺との間に位置する第２列目に配置される複数のパッド（第２列目チップ電極）１１ｆが含まれる。このように一辺に沿って複数列でパッド１１を配置することにより、一つのパッド群１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄに配置されるパッド１１の数を増加させることができる。
【００９１】
また、例えば図１９の拡大図に示すように、パッド群１１Ａの配列方向に沿って、第１列目に配置されるパッド１１ｅの間に第２列目に配置されるパッド１１ｆが配置されるように、互い違いに（所謂、千鳥配置で）配列されている。このようにパッド１１を複数列で配置する場合に、千鳥配置とすることで、各パッド１１に接続される配線（図３参照）のレイアウトを効率化することができる。
【００９２】
図１９のように、検査対象であるチップ領域１０ａの各辺に沿って配置されるパッド群１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄに、複数のパッド１１がそれぞれ複数列で配置されている場合、図２０に示す薄膜シート３１のように、複数のコンタクタ３のレイアウトは、検査対象のパッド１１のレイアウトに対応させる必要がある。すなわち、図２０に示す薄膜シート３１は、平面視において四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃを備えている。コンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿って配置されるコンタクタ群（接触端子群）３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄには、複数のコンタクタ３がそれぞれ複数列で配置されている。言い換えれば、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄにそれぞれ配置される複数のコンタクタ３には、第１列目に配置される複数のコンタクタ（第１列目接触端子）３ｋと、第１列目とコンタクタ配置領域２ｃの一辺との間に位置する第２列目に配置される複数のコンタクタ（第２列目接触端子）３ｍが含まれる。また、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの配列方向に沿って、第１列目に配置されるコンタクタ３ｋの間に第２列目に配置されるコンタクタ３ｍが配置されるように、互い違いに（所謂、千鳥配置で）配列されている。
【００９３】
また、図２３に示すように、本実施の形態では、それぞれ複数の配線２３を備える配線層２４を積層し、ポリイミド膜２２上に配置される下層の配線層２４ａと上層の配線層２４ｂを電気的に接続している。各配線層２４は、複数の配線２３と、複数の配線２３を覆うポリイミド膜（絶縁膜）２５を備えている。そして、下層の配線層２４ａの配線２３上には、ポリイミド膜２５にスルーホール（開口部）ＴＨ２が形成され、スルーホールＴＨ２の底部において、上層の配線２３と、下層の配線２３が電気的に接続している。これにより、コンタクタ３の配置パターンが狭ピッチ、多ピン化した場合であっても、配線２３を引き出すスペースを確保することができる。なお、図２３では、二層の配線層２４を積層した例を示しているが、配線層２４の数はこれに限定されない。例えば、前記実施の形態１のように一層構造とすることもできる。また例えば、さらに配線層２４を積層し、三層以上の積層構造とすることもできる。また、本実施の形態では、前記したように、第１列目の複数のコンタクタ３ｋと第２列目の複数のコンタクタ３ｍが千鳥配置で配列されている。このため、第１列目に配置される隣り合うコンタクタ３ｋの間には、第２列目のコンタクタ３ａと接続される配線２３が配置され、第２列目に配置される隣り合うコンタクタ３ａの間には、第１列目のコンタクタ３ｍと接続される配線２３が配置されている。このように複数の配線２３をコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と交差（直交）する方向に沿って延在させることにより、配線２３の引き出しスペースを確保することができる。
【００９４】
図２３に示す薄膜シート３１は、前記実施の形態１の＜薄膜シートの組立工程＞を応用して組み立てることができる。すなわち、＜薄膜シートの組立工程＞において、ポリイミド膜２２、配線２３およびダミー配線２６上にポリイミド膜２５を成膜した後で、かつ、基板４０（図１２参照）を取り除く工程の前に、ポリイミド膜２５に、配線２３の上面に達するスルーホールＴＨ２を形成する。続いて、続いて、スルーホールＴＨ２の内部を含むポリイミド膜２５上に導体膜２３ａ、２３ｂを順次積層する。これにより、下層の配線２３と電気的に接続された上層の配線２３が形成される。またこの時、上層の配線層２４ｂのダミー配線も形成する。その後、ポリイミド膜２５、配線２３およびダミー配線上にさらにポリイミド膜２５を成膜する。これにより、上層の配線層２４ｂが形成される。そして、図１２に示す基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除く（例えばエッチングにより取り除く）と、図２３に示す薄膜シート３１が得られる。また、前記実施の形態１で説明したレーザ照射工程は、図１７に示す例のように、基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除く前に、薄膜シート３１の裏面２ｂ側からレーザ光ＬＺを照射して形成することができる。また、その変形例として図１８に示す例のように、前記したシート引き伸ばし工程の後で行うことができる。
【００９５】
図２０に示すように各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが複数列で配置されている場合、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置される各列の端部の位置が異なる場合がある。例えば、図２１および図２２に示すように、コンタクタ群３Ａにおいて、第１列目に配置される複数のコンタクタ３ｋのうち、第１列目の配列の端部に配置されるコンタクタ３ｐ（図２１参照）の位置は、第２列目に配置される複数のコンタクタ３ｍのうち、第２列目の配列の端部に配置されるコンタクタ３ｎ（図２２参照）の位置よりも配列の内側になっている。言い換えれば、コンタクタ群３Ａの端部周辺では、第１列目のコンタクタ３ｋが配置されず、複数の第２列目のコンタクタ３ｍが一列で配置されている。この場合、各列に配置されるコンタクタ３ｋ、３ｍを一列と見做して、前記実施の形態１で説明した技術を適用することができる。つまり、各列の端部に配置されるコンタクタ３ｎ、３ｐのうち、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３ｎとダミー配線２６の間に、前記実施の形態１で説明したスリット２ｄを形成する。一方、図２１に示すように、コンタクタ３ｐと、コンタクタ３ｐの隣に配置される配線２３、またはダミー配線２６との間には、図２２に示すスリット２ｄは形成していない。
【００９６】
図２２に示すコンタクタ３ｎの周囲には第１列目のコンタクタ３ｋが配置されていない。このため、スリット２ｄを形成しなければ、コンタクタ３ｎには、前記実施の形態１で説明したコンタクタ３ｅ（図１０参照）と同様に、角部領域２ｆからの荷重が集まり、パッド１１（図１９参照）との接触圧力が高くなり易い。一方、図２１に示すコンタクタ３ｐは、第１列目のコンタクタ３ｋの端部に配置されているが、近傍に複数のコンタクタ３ｍが配置されているので、周辺領域（例えば図２１にハッチングを付して示す領域２ｇ）からの荷重は、コンタクタ３ｐおよび複数のコンタクタ３ｍに分散して伝達される。したがって、図２２に示すスリット２ｄを形成しなくてもコンタクタ３ｐの接触圧力は、コンタクタ３ｎの接触圧力と比較して高くなり難い。そこで、接触圧力が特に高くなり易い図２２に示すコンタクタ３ｎとダミー配線２６の間にスリット２ｄを形成し、接触圧力のばらつきを低減している。前記実施の形態１で説明したように、スリット２ｄは、角部領域２ｆなど、直下にコンタクタ３が形成されていない領域からコンタクタ３に直接的に荷重が伝達される経路を分断する開放端として有効である。しかし、極端に多数のスリット２ｄを形成すると、薄膜シート２の耐久性の低下要因、あるいは、弛みなく薄膜シート２を引き伸ばす際の阻害要因となる懸念がある。つまり、図２１および図２２に示す本実施の形態によれば、接触圧力のばらつきを低減し、かつ、薄膜シートの耐久性の低下を抑制することができる。また、薄膜シート２を引き伸ばす際の弛みの発生を抑制することができるので、複数のコンタクタ３を対応する複数のパッド１１（図１９参照）のそれぞれと正しく接触させることができる。
【００９７】
また、前記実施の形態１で説明した図１５および図１６に示すように、コンタクタ群の途中にスリット２ｄを形成する技術を本実施の形態で適用する場合にも、各列に配置されるコンタクタ３ｋ、３ｍを一列と見做して、適用することができる。すなわち、図２４に示すように複数のコンタクタ３ｋ、３ｍのうち、周囲に配置されるコンタクタ３ｋおよびコンタクタ３ｍとの間隔が他よりも広い領域に、スリット２ｄを形成する。図２４に示すように、コンタクタ群３Ａの第１列目には、第１の間隔Ｐ１で複数のコンタクタ３ｋが配置される領域（密集配置領域）２ｈと、第１の間隔Ｐ１よりも広い第２の間隔Ｐ２でコンタクタ３ｋが配置される領域（散在配置領域）２ｋが含まれる。また、コンタクタ群３Ａの第２列目には、第３の間隔Ｐ３で複数のコンタクタ３ｍが配置される領域（密集配置領域）２ｍと、第３の間隔Ｐ３よりも広い第４の間隔Ｐ４でコンタクタ３ｍが配置される領域（散在配置領域）２ｎが含まれる。
【００９８】
そして、第１列目の散在配置領域である領域２ｋと、第２列目の散在配置領域である領域２ｎがコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って隣り合って配置されている場合、散在領域内に配置されるコンタクタ３ｒには、前記実施の形態１で説明したコンタクタ３ｈ（図１５、図１６参照）と同様に、領域２ｋ、２ｎからの荷重が集まり、パッド１１（図１９参照）との接触圧力が高くなり易い。一方、第２列目の領域２ｎの隣に、第１列目の密集配置領域である領域２ｈが配置されている場合、領域２ｎからの荷重は、領域２ｎ周囲の複数のコンタクタ３に分散して伝達されるので、コンタクタ３ｒよりは、接触圧力が高くなり難い。そこで、本実施の形態では、接触圧力が特に高くなる第１列目の領域（散在配置領域）２ｋと第２列目の領域（散在配置領域）２ｎが隣り合う（重なる）領域において、隣り合うコンタクタ３の間にスリット２ｄを形成している。一方、第１列目の領域（散在配置領域）２ｋと第２列目の領域（密集配置領域）２ｍが隣り合う（重なる）領域、あるいは、一方、第１列目の領域（密集配置領域）２ｈと第２列目の領域（散在配置領域）２ｎが隣り合う（重なる）領域にはスリット２ｄを形成していない。言い換えれば、各列に配置されるコンタクタ３ｋ、３ｍを一列と見做し、隣り合うコンタクタ３の配置間隔が特に広い領域にスリット２ｄを形成している。例えば、図２４では、散在配置領域を介して隣り合うコンタクタ３ｋまたはコンタクタ３ｍの間に、複数のコンタクタ３ｍまたはコンタクタ３ｋが配置されている領域では、スリット２ｄを形成していない。一方、散在配置領域を介して隣り合うコンタクタ３ｋまたはコンタクタ３ｍの間に配置されるコンタクタ３ｍまたはコンタクタ３ｋが１個以下である場合には、スリット２ｄを形成している。これにより、接触圧力のばらつきを低減し、かつ、薄膜シートの耐久性の低下を抑制することができる。また、前記したシート引き伸ばし工程において、薄膜シート２を引き伸ばす際の弛みの発生を抑制することができるので、複数のコンタクタ３を対応する複数のパッド１１（図１９参照）のそれぞれと正しく接触させることができる。
【００９９】
以上の通り、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが複数列で配置されている場合、各列に配置されるコンタクタ３ｋ、３ｍを一列と見做して、前記実施の形態１で説明した技術を適用することができる。ただし、変形例としては、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄにそれぞれ、配置される第１列目と第２列目を、それぞれ独立したコンタクタ群として前記実施の形態１で説明した技術を適用することもできる。例えば、図２１において、第１列目に配置されるコンタクタ３ｋの端部に配置されるコンタクタ３ｐとその隣に配置されるダミー配線２６の間にスリット（図２２に示すスリット２ｄと同様であるが、図示は省略）を形成することができる。また、例えば、図２４において、散在配置領域を介して隣り合うコンタクタ３ｋまたはコンタクタ３ｍの間に、複数のコンタクタ３ｍまたはコンタクタ３ｋが配置されている領域にも、スリット２ｄを形成することができる。これらの場合、各列に配置されるコンタクタ３の配置ピッチによりスリット２ｄを個別に形成することで、各コンタクタ３の接触圧力のばらつきをより精密に低減することができる。
【０１００】
本実施の形態は、上記した相違点の他の点では前記実施の形態１と同様である。したがって、重複する説明は省略するが、例えば、＜スリット周辺の好ましい態様＞などは、前記実施の形態１で説明した薄膜シート２を薄膜シート３１に置き換えて適用することができる。
【０１０１】
（実施の形態３）
前記実施の形態１および前記実施の形態２では、コンタクタ群の端部や散在配置領域に配置されたコンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる技術について説明した。本実施の形態では、密集配置領域に配置された複数のコンタクタ３も含めた複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減する技術について説明する。なお、本実施の形態は、前記実施の形態１または前記実施の形態２で説明した技術の応用技術なので、前記実施の形態１または前記実施の形態２と重複する説明は極力省略し、前記実施の形態１との相違点を中心に説明する。
【０１０２】
前記実施の形態１で説明した薄膜シート２（図１２参照）および前記実施の形態２で説明した薄膜シート３１（図２３参照）は、主面２ａ側から複数の金属パターンとポリイミドなどの樹脂膜を順次積層して形成する。このため、最上層に配置されるポリイミド膜２５の上面（薄膜シート２、３１の裏面２ｂ）は、下層に配置される金属パターン（例えばコンタクタ３や配線２３）に倣った凹凸面となっている。そして、コンタクタ３上にスルーホールＴＨ１を形成し、配線２３とコンタクタ３をコンタクタ３上で電気的に接続するので、コンタクタ３上に配置される裏面２ｂの領域３０ａが周囲と比較して突出している。言い換えれば、薄膜シート２の裏面２ｂのうち、複数のコンタクタ３上に位置する領域３０ａの高さは、領域３０ａの周囲の領域３０ｂの高さよりも高くなっている。
【０１０３】
図２５は、図２３に示す薄膜シート３１を用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。図２５に示すように、プローブ検査工程（図１参照）では、前記したシート引き伸ばし工程の後で、薄膜シート３１の複数のコンタクタ３の先端をウエハＷＨの複数のパッド１１にそれぞれ接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う。プローブ検査工程において、周囲よりも突出した領域３０ａを有する薄膜シート３１のコンタクタ３とパッド１１を接触させると、図２５に矢印５１を付して示すように、領域３０ａ上に配置されるエラストマ４ｃの一部が領域３０ａの周辺に流動（移動）して、コンタクタ３上のエラストマ４ｃの厚さが薄くなる。この結果、コンタクタ３上の突出した領域３０ａでは、エラストマ４ｃからの反力が大きくなって、単位面積当たりに伝達される荷重が大きくなる。この伝達荷重の量は、領域３０ａと周辺領域の高低差によって変化する。例えば、領域３０ａと周辺領域の高低差が大きければ、周辺領域に流動するエラストマ４ｃの流動量は多くなり、伝達荷重は大きくなる。一方、領域３０ａと周辺領域の高低差が小さければ、周辺領域に流動するエラストマ４ｃの流動量は少なくなり、伝達荷重は小さくなる。ここで、全てのコンタクタ３上において、領域３０ａの面積および周辺領域との高低差を均一にすれば、各コンタクタ３上の領域３０ａに伝達される荷重を一様にすることができると考えられる。しかし、加工精度の観点、あるいは、コンタクタ３や配線２３の配置レイアウト上の制約が大きくなるため、全てのコンタクタ３上において、領域３０ａの面積および周辺領域との高低差を均一にすることは困難である。このため、各コンタクタ３上に配置される領域３０ａと周辺領域の高低差のばらつきに応じて、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力のばらつくこととなる。このような裏面２ｂの高低差に起因するコンタクタ３の接触圧力のばらつきは、例えば、複数のコンタクタ３が等間隔で配置された領域内においても発生する。そして、接触圧力のばらつきが大きい場合、接触抵抗が不均一になり、正確な電気的検査が行えなくなる原因となることは、前記実施の形態１で説明した通りである。
【０１０４】
次に、本願発明者は、上記課題の発生原因が、裏面２ｂの平坦度が低いためであると考え、図５７に示す別の実施態様について検討した。図５７に示す薄膜シート１０１は、裏面２ｂを有する最上層のポリイミド膜１０２の厚さを下層のポリイミド膜２５よりも厚く形成し、裏面２ｂが平坦になっている点で図２５に示す薄膜シート３１と相違する。ポリイミド膜１０２を構成するポリイミド樹脂は、金属材料よりも柔軟な材料なので、厚く形成することにより、下層の金属パターンに倣った凹凸面を改善することができる。つまり、裏面２ｂを平坦化することができる。しかし、本願発明者の検討によれば、薄膜シート１０１を用いた場合であってもコンタクタ３とパッド１１の接触圧力には、ばらつきが生じることを本発明者らは新たに見出した。
【０１０５】
この原因は以下の理由によると考えられる。すなわち、裏面２ｂを平坦化すると、裏面２ｂの単位面積当たりに伝達される荷重の量は均一化することができるが、薄膜シート１０１のコンタクタ３や配線２３のレイアウトにより、各コンタクタ３に伝達される荷重の量がばらつくからである。複数のコンタクタ３は、前記したように検査対象であるウエハＷＨのパッド１１と対向する位置に配置されるように主面２ａ側に形成する。そして、ウエハＷＨの複数のパッド１１の配列パターンは、チップ領域に形成される回路上の要求等により決定されるので、必ずしも全てが等間隔で配置される訳ではない。このため、薄膜シート１０１の主面２ａに形成される複数のコンタクタ３も、全てが等間隔で配置される訳ではない。例えば、一つのコンタクタ群３Ａ（後述する図２７参照）において、隣り合うコンタクタ３が第１の間隔で配置される領域（密集配置領域）と、第１の間隔よりも広い第２の間隔で配置される領域（散在配置領域）を備えている場合がある。また、例えば、一つのコンタクタ群３Ａにおいて、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３は、一方の隣には別のコンタクタ３が配置されるが、反対側の隣には、コンタクタ３が配置されない。このように、散在配置領域に配置されるコンタクタ３や、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３は密集領域に配置されるコンタクタ３よりも接触圧力が高くなる。散在配置領域やコンタクタ群３Ａの端部では、コンタクタ３の周囲に伝わった荷重を分散させにくいので、一つのコンタクタ３に対して伝達される荷重が、密集配置領域よりも大きくなるからである。このように、単に薄膜シート１０１の裏面２ｂを平坦化するだけでは、接触圧力のばらつきを十分に抑制することができないことを本発明者らは新たに見出した。
【０１０６】
本願発明者は、上記課題を踏まえ、複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきを抑制技術について検討し、本実施の形態の構成を見出した。以下、図２６〜図３０を用いて、薄膜シート３２の構造を説明する。図２６は、図８に対する変形例である薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図、図２７は、図２６に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図である。また、図２８は、図２７のＬ部の拡大平面図、図２９は、図２８に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図、図３０は図２９のＭ−Ｍ線に沿った拡大断面図である。なお、以下で説明する技術は、前記実施の形態１で説明したように、複数のコンタクタ３を一列で配置する場合、および前記実施の形態２で説明したように、複数のコンタクタ３を複数列で配置する場合の双方に適用することができる。本実施の形態では、代表例として前記実施の形態２のように複数列でコンタクタ３を配置した薄膜シートに適用した実施態様について説明する。また、本実施の形態において、電気的検査の対象となるウエハ、およびチップ領域の構造は、前記実施の形態２で説明した図２に示すウエハＷＨおよび図１９に示すチップ領域１０ａと同様なので、図示は省略する。
【０１０７】
本実施の形態の薄膜シート３２と、前記実施の形態２で説明した薄膜シート３１（図２３参照）は、例えば図３０に示すように、薄膜シート３２の裏面２ｂにおいて、領域３０ａの隣に、領域３０ａの高さよりもさらに高い面を有する突出部３２ａが形成されている点で相違する。
【０１０８】
図３０を用いて説明すると、薄膜シート３２は、裏面２ｂを有するポリイミド膜（絶縁膜）３３を有している。このポリイミド膜３３は、配線層２４上に配置されている。詳しくは、上層の配線層２４ａ（ポリイミド膜２５）を覆うように配置されている。また、上層の配線層２４ａ（ポリイミド膜２５）とポリイミド膜３３の間には、帯状に形成された帯部材３４が配置されている。そして、上層のポリイミド膜２５の上面を覆うポリイミド膜３３は、ポリイミド膜３３よりも下層に配置される各部材のパターンに倣って形成されるので、ポリイミド膜３３の帯部材３４と重なる領域周辺が他の領域よりも上方に突出した突出部３２ａとなっている。つまり、図３０に示す薄膜シート３２は、図２３に示す薄膜シート３１の配線層２４ａ上に帯部材３４およびポリイミド膜３３をさらに積層した構造となっている。帯部材３４に倣って形成される突出部３２ａの高さはコンタクタ３上の領域３０ａの高さよりもさらに高くなっている。言い換えれば、薄膜シート３２の裏面２ｂのうち、複数のコンタクタ３上に位置する複数の領域３０ａの高さは、突出部３２ａの高さよりも低く、かつ、複数の領域３０ａと突出部３２ａの間の領域３０ｂの高さよりも高い。
【０１０９】
また、図２９に示すように、帯部材３４およびこれに倣って形成される突出部３２ａは、平面視において、コンタクタ群３Ａの両隣に、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って延在するように配置されている。帯部材３４および突出部３２ａが、平面視においてスリット２ｄと重なる領域では、帯部材３４および突出部３２ａは形成されていない。言い換えれば、帯部材３４および突出部３２ａは、平面視においてスリット２ｄと重なる領域では、スリット２ｄにより分断されている。なお、拡大図による図示は省略するが、帯部材３４およびこれに倣って形成される突出部３２ａは、図２７に示すコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄそれぞれの両隣に、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの延在方向に沿って形成されている。これにより、押圧部４（後述する図３１および図３２参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部３２ａをより確実に介在させることができる。なお、図２９において、スリット２ｄと帯部材３４との位置関係を解かり易くするため、図２８に示す配線２３は図示していない。
【０１１０】
次に、薄膜シート３２を用いて図１に示すプローブ検査工程を行った場合の動作について説明する。図３１は、図３０に示す薄膜シートの裏面から押圧を開始した状態を示す拡大断面図、図３２は、図３０に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。また、図３３は、図２９のＮ−Ｎ線に沿った断面において、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。まず、前記実施の形態１で説明したシート引き伸ばし工程として、図６に示す押圧部により図２６に示す薄膜シート３２のコンタクタ配置領域２ｃの裏面２ｂ側（図３０参照）を押圧し、薄膜シート３２のコンタクタ配置領域２ｃを下方に押し下げることで薄膜シート３２を押圧部に倣って弛みなく広げる。この時、図３１に示すように、裏面２ｂにおいて、最も高い位置に配置される突出部３２ａの上面と押圧部４（詳しくは、最下層に配置されるポリイミドシート４ｆの下面）が密着する。突出部３２ａの上面が押圧部４と密着した後、さらに押圧すると、押圧部４のポリイミドシート４ｆは、突出部３２ａの形状に倣って変形し、突出部３２ａおよびポリイミドシート４ｆよりも柔らかいエラストマ４ｃに突出部３２ａ上のポリイミドシート４ｆが食い込む。言い換えれば、突出部３２ａ上のエラストマ４ｃの一部は、突出部３２ａの周囲に流動する（変形する）。一方、２つの突出部３２ａ間の領域は、突出部３２ａよりも低い位置にあるため、コンタクタ３上におけるエラストマ４ｃの流動による変形を抑制できる。このため、押圧部４から薄膜シート３２に印加される押圧力は、突出部３２ａ上において最も大きく、突出部３２ａ間に挟まれるコンタクタ３上の領域３０ａに印加される押圧力は、突出部３２ａ上よりも小さくなる。例えば、図３２に示すように、領域３０ａとポリイミドシート４ｆの間に隙間が形成される場合もある。
【０１１１】
図１に示す電気的検査工程では、図３２に示すように、複数のコンタクタ３とパッド１１を接触させるが、この時、薄膜シート３２には加圧部５（図６参照）から押圧部４を介してさらに荷重（接触荷重）が印加される。この接触荷重の大きさは、前記押圧力と同様に、突出部３２ａ上において最も大きく、突出部３２ａ間に挟まれるコンタクタ３上の領域３０ａに印加される接触荷重は、突出部３２ａ上よりも小さくなる。つまり、薄膜シート３２に印加される荷重（接触荷重）は、押圧部４から、主として突出部３２ａが受け、突出部３２ａを介してコンタクタ３に伝達されることとなる。言い換えれば、薄膜シート３２に印加される荷重は、コンタクタ３上の領域３０ａから裏面２ｂに対して直交方向にコンタクタ３に伝達されず、領域３０ａの隣に配置された突出部３２ａから、裏面２ｂに対して斜め方向にコンタクタ３に伝達される。このため、コンタクタ３上の領域３０ａが周囲と比較して突出している場合であっても、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減できる。このように、突出部３２ａを、平面視において、コンタクタ３と離間して配置することにより、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減でき、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。
【０１１２】
また、図２９に示すように、突出部３２ａは、複数のコンタクタ３ａが配置されるコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って延在するように配置されている。このため、例えば図３３に示すように複数の配線２３上に亘って連続的に形成された突出部３２ａの上面（裏面２ｂ）の全体が押圧部４の押圧具であるポリイミドシート４ｆと密着する。つまり、コンタクタ群３Ａ（図１１参照）の延在方向（配列方向）に沿って延在する突出部３２ａ全体で、押圧部４から伝達される荷重を受けることとなる。そして、突出部３２ａに伝達された荷重は、２本の突出部３２ａの間に挟まれた複数のコンタクタ３に分散して伝達される。つまり、２本の突出部３２ａの間に挟まれた複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきを低減することができる。例えば、図２９において密集配置領域に配置された複数のコンタクタ３（図２９に示す範囲では７個または３個のコンタクタ３ｋ、３ｍ）のそれぞれには、これらのコンタクタ３の両隣に配置された２本の突出部３２ａから荷重が分散して伝達される。これにより、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。すなわち、散在配置領域に配置されるコンタクタ３の接触圧力と、他の領域（例えば密集領域）に配置されるコンタクタ３の接触圧力とを均一化することができる。この結果、複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきに起因する、電気的検査工程での不良を防止ないしは抑制できる。例えば、複数のコンタクタ３に分散して荷重を伝達するので、一部のコンタクタ３への伝達荷重が極端に低くなり、導通不良（オープン不良）が発生することを防止ないしは抑制できる。また例えば、複数のコンタクタ３に分散して荷重を伝達するので、一部のコンタクタ３への伝達荷重が極端に高くなり、パッド１１や絶縁膜１３ｂ（図３参照）や半導体集積回路が破壊されることを防止ないしは抑制できる。例えば、絶縁膜１３ｂとして、前記したＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いたウエハＷＨの電気的検査を行う場合、各コンタクタ３の接触圧力は低く設定する必要がある。例えば、各コンタクタ３に伝達される接触時の荷重は、それぞれ５×１０^−３Ｎ程度とする。本実施の形態によれば、このように低荷重で電気的検査を行う場合であっても、接触圧力のばらつきのマージンを小さくすることができるので、導通不良やウエハＷＨの破壊を防止することができる。
【０１１３】
また、図２９に示すように、突出部３２ａの延長線上においてスリット２ｄが配置される領域には突出部３２ａは形成されていない。言い換えれば、突出部３２ａは、スリット２ｄにより分断されている。このため、前記実施の形態１または前記実施の形態２で説明したように、接触圧力が他よりも高くなり易いコンタクタ３の周囲からの荷重の伝達経路を、スリット２ｄにより分断することができる。例えば、図２９の散在配置領域に配置されたコンタクタ３ｒに伝達される荷重を低減することができる。このため、コンタクタ３ｒの接触圧力を他のコンタクタ３の接触圧力と同程度に揃えることができる。
【０１１４】
つまり、本実施の形態では、コンタクタ群の両隣に、コンタクタ群の延在方向（配列方向）に沿って突出部３２ａを形成することにより、突出部３２ａに挟まれた領域内に配置されるコンタクタ３の接触圧力を揃えることができる。また、スリット２ｄを形成する領域には、突出部３２ａを形成しないので、散在配置領域に配置されたコンタクタ３ｒの接触圧力を他のコンタクタ３の接触圧力と揃えることができる。この結果、複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１１５】
また、図２８〜図３０では、コンタクタ群内においてスリット２ｄを形成する領域について説明したが、帯部材３４および突出部３２ａは、図２７に示す各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの端部、つまり、コンタクタ配置領域２ｃの角部領域２ｆ周辺まで延在している。図３４は、図２７のＰ部の拡大平面図、図３５は、図３４に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図である。また、図３６は、図３４のＱ−Ｑ線に沿った拡大断面図である。なお、図３５において、スリット２ｄと帯部材３４との位置関係を解かり易くするため図３４および図３６に示す配線２３は図示していない。
【０１１６】
図３５に示すように、帯部材３４および突出部３２ａは、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂの端部、つまり、コンタクタ配置領域２ｃの角部領域２ｆ周辺まで延在している。拡大図による図示は省略するが、図２７に示すように帯部材３４および突出部３２ａは、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣に、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両端部までそれぞれ配置されている。図３５に示すように、帯部材３４および突出部３２ａを、コンタクタ群３Ａ、３Ｂの端部まで延在させることにより、コンタクタ群３Ａ、３Ｂに配置される複数のコンタクタ３ａ、３ｂの接触圧力を揃えることができる。コンタクタ群３Ａ、３Ｂの端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間に、前記実施の形態１または前記実施の形態２で説明したスリット２ｄがそれぞれ形成され、図３３同様に、スリット２ｄは、薄膜シート２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成る（例えば図３６参照）。
【０１１７】
また、図３５および図３６に示すように、スリット２ｄを形成する領域には、突出部３２ａを形成していない。図３５では、角部領域２ｆ内にも帯部材３４およびこれに倣った突出部３２ａが形成されているが、帯部材３４および突出部３２ａは、スリット２ｄにより分断されている。このため、コンタクタ群３Ａ、３Ｂの端部に配置されたコンタクタ３ｎへの、角部領域２ｆからの荷重伝達を防止ないしは抑制することができるので、端部に配置されたコンタクタ３ｎの接触圧力を他のコンタクタ３の接触圧力と揃えることができる。
【０１１８】
ところで、図２７に示すように、帯部材３４および突出部３２ａは、平面視において四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃに対して、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄよりも内側、および各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄよりも外側にそれぞれ形成されている。そして図３５に示すように、外側に配置される帯部材３４および突出部３２ａはスリット２ｄを形成する領域と平面視において重なるので、スリット２ｄにより分断されている。一方、内側に配置される帯部材３４および突出部３２ａはスリット２ｄを形成する領域と平面視において重ならないので、スリット２ｄにより分断されている。図３４に示すように、各コンタクタ群に接続された複数の配線２３や他のスリット２ｄと交差することを避けるため、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂからコンタクタ配置領域２ｃ（図２７参照）の内側（中央方向）に向かうスリット２ｄの長さは、コンタクタ群３Ａ、３Ｂからコンタクタ配置領域２ｃの外側（外縁方向）に向かうスリット２ｄの長さよりも短くなっている。このため、図３５に示すように、内側に配置される帯部材３４および突出部３２ａはスリット２ｄを形成する領域と平面視において重ならない。このような場合には、図３５に示すようにコンタクタ群３Ａに沿って配置される内側の帯部材３４とコンタクタ群３Ｂに沿って配置される内側の帯部材３４を連結しても良い。特に、図３５に示すようにコンタクタ群３Ａ、３Ｂの長さが長くなり、これらに沿って配置される内側の帯部材３４が重なる場合には、これらを連結した方が、荷重を分散させる観点から好ましい。
【０１１９】
＜突出部周辺構造の好ましい態様＞
次に、図２７〜図３５に示す突出部３２ａ周辺の好ましい態様について説明する。
【０１２０】
まず、本実施の形態では、図２９に示すように平面視において、コンタクタ群３Ａの両隣に、コンタクタ群３Ａに沿って延在するように、それぞれ突出部３２ａが配置されている。図２９の変形例としては、コンタクタ群３Ａの両隣のうち、いずれか一方に突出部３２ａを配置する態様とすることもできる（図示は省略）。この場合、突出部３２ａの方がコンタクタ３上の領域３０ａよりも高い位置に配置されるので、領域３０ａ上におけるエラストマ４ｃ（図３２参照）の流動量を例えば図１３に示す薄膜シート１００よりは、低減することができる。また、突出部３２ａをコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って延在させることにより、突出部３２ａに伝達された荷重を、突出部３２ａの隣に配置された複数のコンタクタ３に分散させることができる。したがって、図１３に示す比較例よりは、各コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。ただし、押圧部４（図３２参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部３２ａをより確実に介在させる観点からは、図２９に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣にそれぞれ突出部３２ａを配置することが好ましい。特に、図２９のように一つのコンタクタ群３Ａにコンタクタ３を複数列で配置する場合には、突出部３２ａから遠い列のコンタクタ３において、接触圧力にばらつきが生じる懸念があるので、コンタクタ群３Ａの両隣にそれぞれ突出部３２ａを配置することが特に好ましい。
【０１２１】
また、押圧部４（図３２参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部３２ａをより確実に介在させる観点から、突出部３２ａは、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い（難変形性である）ことが好ましい。また、突出部３２ａが受けた荷重の複数のコンタクタ３への分散性を向上させる観点から、突出部３２ａは、ポリイミド膜２５、２６（図３０参照）よりも剛性を高くすることが好ましい。このような条件を満たすため、本実施の形態では、図３０に示すようにポリイミド膜３３とポリイミド膜２５の間に、金属膜から成る帯部材３４を形成し、帯部材３４に倣って突出部３２ａが形成される構造としている。帯部材３４は、配線２３と同じ材料から成る。すなわち、帯部材３４は、下層から金属膜３４ａおよび金属膜３４ｂが順次積層された積層膜となっている。金属膜３４ａは、帯部材３４を形成するための下地金属膜であって、例えば、膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。また、金属膜３４ｂは、帯部材３４に必要な膜厚を確保するための主たる金属膜であって、例えば、銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。このように金属膜３４ａ、３４ｂから成る帯部材３４は、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い（難変形性である）ので、押圧部４（図３２参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部３２ａをより確実に介在させることができる。また、帯部材３４は、ポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い金属膜３４ａ、３４ｂから成るので、突出部３２ａが受けた荷重の複数のコンタクタ３への分散性を向上させることができる。なお、本実施の形態では、帯部材３４は、配線２３やコンタクタ３とは電気的に接続されないため、帯部材３４には導電性は要求されない。したがって、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い材料、あるいは、ポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い材料であれば、帯部材３４を、例えば樹脂材料により構成することもできる。また、帯部材３４をポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い材料で構成することにより、薄膜シート３２を押圧部４（図６参照）により押圧した際に、薄膜シート３２に皺が発生することを抑制できる。
【０１２２】
また、複数のコンタクタ３に分散して荷重を伝達する機能からは、例えば図３０に示す帯部材３４の側面（スリット２ｄ側の側面、端面）がスリット２ｄにおいてポリイミド膜３３から露出する構成とすることもできる。ただし、帯部材３４の一部が露出すると、帯部材３４が腐食しやすくなる。そこで、これを防止する観点からは、図３０に示すように、スリット２ｄの隣に配置される帯部材３４のスリット２ｄ側の側面は、ポリイミド膜３３により覆われていることが好ましい。
【０１２３】
また、薄膜シート３２のスリット２ｄは、前記実施の形態と同様に、例えば、薄膜シート３２の主面２ａおよび裏面２ｂのうち、一方の面から他方の面に向かってレーザ光を照射することにより形成することができる（レーザ照射工程）。ただし、本実施の形態では、金属膜からなる帯部材３４を形成するので、以下の態様が好ましい。図３７は、図１７に示す組立工程の変形例を示す拡大断面図、図３８は図１８に示す組み立て工程の変形例を示す拡大断面図である。例えば、図１７の変形例である図３７に示すように、配線層２４ａ上に最上層の配線層２４ｂを積層し、さらに、金属膜３４ａ、３４ｂ（図３０参照）からなる帯部材３４およびこれを覆うポリイミド膜３３を積層する。その後、基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除く前に、薄膜シート３２の裏面２ｂ側からレーザ光ＬＺを照射して形成することができる。また、例えば、図１８の変形例である図３８に示すように、薄膜シート３２を図６に示す配線基板１に接続し、保持させた後、薄膜シート３２の裏面２ｂ側から押圧し（前記シート引き伸ばし工程）、薄膜シート３２を引き伸ばした状態で、主面２ａ側からレーザ光ＬＺを照射して形成することができる。
【０１２４】
ここで、図３７、図３８のいずれの場合においても、レーザ光ＬＺを照射する領域、すなわち、スリット２ｄを形成する領域には、帯部材３４は形成されていないことが好ましい。レーザ光ＬＺを照射する領域に金属膜からなる帯部材３４が形成されている場合であっても、ポリイミド膜２５、３３にスリット２ｄを形成する場合よりも高いエネルギーのレーザ光ＬＺを照射すればこれを切断することができる。しかし、金属膜からなる帯部材３４を切断するために必要な高エネルギーのレーザ光ＬＺをポリイミド膜２５、３３に照射すると、過剰に加工される場合がある。そこで、レーザ照射工程での加工不良を防止ないしは抑制する観点から、レーザ光ＬＺを照射する領域、すなわち、スリット２ｄを形成する領域には、帯部材３４は形成されていないことが好ましい。このような態様でレーザ照射工程を行うため、例えば本実施の形態では、金属膜３４ａ、３４ｂ（図３０参照）からなる帯部材３４を形成する工程において、スリットを形成する予定領域に、予めマスク（図示は省略）を配置した状態で帯部材３４を形成する。これにより、マスクを取り除いた後で、帯部材３４を覆うポリイミド膜３３を積層すれば、図３７、図３８に示すように、レーザ光ＬＺを照射する領域には、帯部材３４は形成されていない薄膜シート３２が得られる。また、これにより、図３０に示すように、スリット２ｄの隣に配置される帯部材３４のスリット２ｄ側の側面が、ポリイミド膜３３により覆われた構造となる。
【０１２５】
なお、図３８に示す組み立て工程によれば、前記実施の形態１で説明した図１８に示す組み立て工程と同様に、レーザ照射領域のポリイミドシート４ｆおよびエラストマ４ｃの一部まで達する開口部が形成される。また、エラストマ４ｃを貫通する開口部が形成される場合もある。
【０１２６】
また、図３０〜図３８では、帯部材３４をポリイミド膜３３で覆う構成としたが、変形例として図３９に示す薄膜シート３６のように、帯部材３４が薄膜シート３２の裏面２ｂ側に露出した構造とすることもできる。図３９は、図３０に示す薄膜シートの変形例を示す拡大断面図である。図３９に示す薄膜シート３６では、図３０に示すポリイミド膜３３を形成せず、最上層に配置されるポリイミド膜２５の上面が薄膜シート３２の裏面２ｂとなっている。この場合、ポリイミド膜２５上に形成される帯部材３４が、突出部３２ａとなる。ただし、帯部材３４やポリイミドシート４ｆ（図３２参照）を保護する観点からは、図３０に示すように、帯部材３４を保護膜としてのポリイミド膜３３で覆う方が好ましい。例えば、帯部材３４の腐食やポリイミド膜２５からの剥離を防止ないしは抑制できる。また例えば、帯部材３４と直接擦れることによるポリイミドシート４ｆ（図３２参照）の破損を防止できる。
【０１２７】
また、図３０〜図３８では、薄膜シート３２の裏面２ｂのコンタクタ３上の領域３０ａが周囲の領域３０ｂよりも高くなっている例を示した。しかし、変形例として図４０に示す薄膜シート３８のように、平坦化された裏面２ｂに突出部３２ａを形成する構造とすることもできる。図４０は、図３０に示す薄膜シートの他の変形例を示す拡大断面図である。図４０に示す薄膜シート３８によれば、図３０〜図３８に示す薄膜シート３２と同様に突出部３２ａを形成することにより、突出部３２ａで受けた荷重を複数のコンタクタ３に分散して伝達することができるので、各コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１２８】
また、突出部３２ａで荷重を受けるためには、突出部３２ａの高さがコンタクタ配置領域２ｃ（図９参照）の裏面２ｂにおいて、最も高い位置となるような厚さが好ましい。このため、帯部材３４の厚さは、配線２３の厚さ以上とすることが好ましい。特に好ましくは、図３０に示すように、配線２３よりも帯部材３４を厚く形成することが好ましい。
【０１２９】
また、図２９に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣に帯部材３４を配置する場合には、平面視において、帯部材３４とコンタクタ群３Ａとの間の距離を等距離にすることが好ましい。例えば、図２９では、２本の帯部材のうち、コンタクタ群３Ａの一方の隣に配置される帯部材３４からコンタクタ群３Ａまでの距離Ｌ１は、コンタクタ群３Ａの他方の隣に配置される帯部材３４からコンタクタ群３Ａまでの距離Ｌ２と等しくなっている。また、図２９に示すように、距離Ｌ１と距離Ｌ２は、一つのコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）において一定である。これにより、複数のコンタクタ３と突出部３２ａの距離を略一定に保つことができるので、突出部３２ａが受けた荷重をバランス良く複数のコンタクタに分散させることができる。また、特に好ましい距離Ｌ１と距離Ｌ２の具体的な値は、コンタクタ３の大きさ（平面寸法）に応じて変化するが、本実施の形態では、距離Ｌ１、Ｌ２は、一つのコンタクタ３の幅に対して０．５倍以上、２倍以下としている。例えば、コンタクタ３の幅（平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と直交する方向の長さ）が約５０μｍであるのに対し、距離Ｌ１、Ｌ２は約２５μｍ以上１００μｍ以下の任意の値としている。距離Ｌ１、Ｌ２の値が極端に大きくなると、裏面２ｂのコンタクタ３上の領域３０ａが押圧部４（図３２参照）からの荷重を受け易くなり、突出部３２ａを介さない荷重成分が生じる。一方、距離Ｌ１、Ｌ２の値が極端に小さくなると、突出部３２ａで受けた荷重を複数のコンタクタ３に分散する際に、分散性のばらつきが生じ易くなる。このため、距離Ｌ１、Ｌ２は、一つのコンタクタ３の幅に対して０．５倍以上、２倍以下とすることが特に好ましい。
【０１３０】
また、図２９に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣に帯部材３４を配置する場合には、平面視において、各帯部材３４の帯幅を揃えることが好ましい。例えば、図２９では、２本の帯部材３４のうち、コンタクタ群３Ａの一方の隣に配置される帯部材３４の帯幅Ｗ１と、コンタクタ群３Ａの他方の隣に配置される帯部材３４の帯幅Ｗ２は等しくなっている。また、帯幅Ｗ１と帯幅Ｗ２は、一つのコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）において一定である。これにより、各突出部３２ａで受ける荷重量が同程度とすることができる。また、押圧部４（図３２参照）から突出部３２ａを介して複数のコンタクタ３に伝達される荷重が、接触圧力を決定する主たる荷重となるようにするためには、帯幅Ｗ１、Ｗ２は広くすることが好ましい。本実施の形態では、帯幅Ｗ１、Ｗ２は下層に配置される配線２３（図１０参照）の配線幅よりも広く、一つのコンタクタ３の幅と同程度にしている。例えば、図１０に示す配線２３の配線幅（コンタクタ３上に延在する領域の配線幅）が約２０〜２５μｍであるのに対し、帯幅Ｗ１、Ｗ２は約４０〜６０μｍ程度としている。つまり、帯幅Ｗ１、Ｗ２はコンタクタ３の幅（平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と直交する方向の長さ）と同程度になっている。このように、帯幅Ｗ１、Ｗ２を広く形成することにより、突出部３２ａを介さずに複数のコンタクタ３に伝達される荷重の影響を低減することができる。なお、帯幅Ｗ１、Ｗ２は、一つのコンタクタ３の幅と同程度以上とすれば、突出部３２ａを介さずに複数のコンタクタ３に伝達される荷重の影響を低減することができるので、帯幅Ｗ１、Ｗ２の上限は特に限定されない。したがって、例えば、薄膜シート３２を押圧部４（図６参照）により押圧した際にコンタクタ配置領域２ｃ（図２７参照）を弛みなく広げる観点、あるいは、薄膜シート３２やプローブカードＰＲＣ（図６参照）を組立てる工程でのハンドリングの観点などから適宜選択することができる。
【０１３１】
また、図２８および図２９に示すように、コンタクタ群３Ａには、複数のコンタクタ３が、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。これは、検査対象であるチップ領域１０ａ（図１９参照）におけるパッド１１（図１９参照）の配列パターンに対応させるためである。このように、一つのコンタクタ群３Ａに複数列でコンタクタ３を配置する場合、図２９の変形例として、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３の間に、さらに帯部材３４（突出部３２ａ）を配置することも考えられる。すなわち、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って３本以上の帯部材３４（突出部３２ａ）を配置する構造とすることもできる。ただし、図２９に示すように、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が短い場合、各列のコンタクタ３の間に帯部材３４を配置すると、間に配置した帯部材３４とコンタクタ３の距離が短くなり、各コンタクタ３間の接触圧力のばらつきが十分に低減できなくなる虞がある。また、半導体チップ１０（図４参照）の平面積の小型化の観点からは、パッド１１（図４参照）を複数列で配置する場合には、第１列目のパッド１１と第２列目のパッド１１の距離を近づけて配置することが好ましい。そこで、図２９に示すように、複数のコンタクタ３が、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置される場合であっても、複数列で配置されるコンタクタ３の間には、帯部材３４は配置しないことがより好ましい。この場合でも、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が短ければ（図２９では約５８μｍ）、コンタクタ群３Ａの両隣に配置された２本の帯部材３４の間に配置された各列のコンタクタ３にそれぞれ荷重を分散して伝達することができるので、接触圧力のばらつきを低減することができる。もちろん、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が長い（例えば、一つのコンタクタ３の幅の２倍以上）場合には、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３の間に、さらに帯部材３４（突出部３２ａ）を配置することができる。
【０１３２】
また、図２７に示す薄膜シート３２は、四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿って配置される複数のコンタクタ群のうち、図２９に示すコンタクタ群３Ａ以外のコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄにもそれぞれ複数のコンタクタ３が配置されている。図２７に示すように、コンタクタ群３Ａと交差（直交）する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｂには、複数のコンタクタ３ｂが、コンタクタ群３Ｂの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。また、コンタクタ群３Ａと対向する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｂには、複数のコンタクタ３ｃが、コンタクタ群３Ｃの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。また、コンタクタ群３Ｂと対向する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｄには、複数のコンタクタ３ｄが、コンタクタ群３Ｄの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。そして、コンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣には、コンタクタ群３Ａの両隣と同様に、それぞれ帯部材３４およびこれに倣った突出部３２ａが配置されている。このように、コンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿ってそれぞれコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄを配置する場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣にそれぞれ配置される帯部材３４間の距離Ｌ３（図２９参照）を等しくすることが好ましい。各帯部材３４間の距離Ｌ３を等しくすることにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのそれぞれにおいて、距離Ｌ１、Ｌ２（図２９参照）を揃えることができる。この結果、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置されるコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ間の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１３３】
また、帯部材３４および突出部３２ａの全体構造として、図４１に示すように、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの内側および外側に配置された複数の帯部材３４はコンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿って、それぞれ環状に配置されている。図４１は、図２９に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。図４１では、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄは平面視において四辺形を構成する。そして、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに沿って配置される帯部材３４のそれぞれは、平面視において、四辺形の内側に配置される内側環状体２８ａと、前記四辺形の外側に配置される外側環状体２８ｂの一部を構成する。言い換えれば、図４１では、平面視において四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃの角部領域２ｆに帯部材３４を配置している。
【０１３４】
また、図４１に示す帯部材３４および突出部３２ａの全体構造の変形例として、図４２に示す薄膜シート３７のように、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂの各角部（角部領域２ｆ）において、帯部材３４を配置しない構造とすることができる。図４２は、図４１に対する変形例を模式的に示す拡大平面図である。図４２の薄膜シート３７は、コンタクタ配置領域２ｃの角部領域２ｆに外側環状体２８ｂの帯部材３４および内側環状体２８ａの帯部材３４を配置せず、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂそれぞれの一部を構成する各帯部材３４は互いに独立した部材となっている。この場合、各コンタクタ３（図２７参照）の接触圧力をコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄそれぞれの単位で制御することができる。また、延在方向の変局点となる内側環状体２８ａの角部に帯部材３４を形成しないことにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのそれぞれに沿って配置される帯部材３４の相互の影響を低減することができる。
【０１３５】
本実施の形態は、上記した相違点の他の点では前記実施の形態２と同様である。したがって、重複する説明は省略するが、前記実施の形態１や前記実施の形態２で説明した技術について、薄膜シート２や薄膜シート３１を薄膜シート３２に置き換えて適用することができる。
【０１３６】
（実施の形態４）
前記実施の形態３では、散在領域に配置された複数のコンタクタ３と、密集配置領域に配置された複数のコンタクタ３と、を含む複数のコンタクタ３の接触圧力のばらつきを総合的に低減する技術について説明した。ただし、実施の形態１および実施の形態２で説明した散在配置領域にスリット２ｄを形成する技術と、実施の形態３で説明した突出部３２ａを形成する技術は、それぞれ独立して適用することができる。本実施の形態では、前記実施の形態３の変形例として、スリット２ｄを形成しない実施態様について説明する。なお、本実施の形態は、前記実施の形態３で説明した技術の応用技術なので、前記実施の形態３と重複する説明は極力省略し、前記実施の形態３との相違点を中心に説明する。また、以下で説明する技術は、前記実施の形態１で説明したように、複数のコンタクタ３を一列で配置する場合、および前記実施の形態２で説明したように、複数のコンタクタ３を複数列で配置する場合の双方に適用することができる。本実施の形態では、代表例として前記実施の形態２のように複数列でコンタクタ３を配置した薄膜シートに適用した実施態様について説明する。
【０１３７】
図４３は、図２７に対する変形例である薄膜シートのコンタクタ配置領域の拡大平面図である。また、図４４は、図４３のＬ部の拡大平面図、図４５は、図４４に示す薄膜シートの裏面側を示す拡大平面図である。また、図４６は、図４４のＮ−Ｎ線に沿った断面において、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。また、図４７は、図４５に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。また、図４８、図４９は、それぞれ図４７に対する第１または第２の変形例を模式的に示す拡大平面図である。なお、図４５に示すＭ−Ｍ線に沿った拡大断面は、前記実施の形態３で説明した図３０と同様なので、図示は省略する。また、図４５において、突出部３２ａとコンタクタ３との平面的位置関係を解かり易くするため、図４４に示す配線２３、ダミー配線２６は図示していない。
【０１３８】
図４３〜図４９に示す本実施の形態の薄膜シート３９は、前記実施の形態３で説明した薄膜シート３２が備えるスリット２ｄが形成されていない点で、相違する。すなわち、図４４、図４５、４６と前記実施の形態３で説明した図２８、図２９、図３３の比較から判るように、本実施の形態４の薄膜シート３９は、散在配置領域（図４４に示す領域２ｎ、２ｋ）にスリット２ｄ（図２８参照）が形成されていない。また、図４４に示すように、平面視において、コンタクタ群３Ａの両隣に配置される帯部材３４および突出部３２ａは、スリット２ｄ（図２８参照）により分断されず、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って連続的に延在するように配置されている。上記以外の点では、薄膜シート３９は前記実施の形態３で説明した薄膜シート３２と同様である。このように、スリット２ｄを形成しない薄膜シート３９の場合であっても、平面視において、コンタクタ３と離間して突出部３２ａを配置することにより、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減でき、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。また、突出部３２ａを、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って連続的に延在するように配置することにより、突出部３２ａに伝達された荷重は、２本の突出部３２ａの間に挟まれた複数のコンタクタ３に分散して伝達される。つまり、２本の突出部３２ａの間に挟まれた複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきを低減することができる。例えば、図４４において複数のコンタクタ３（図４４に示す範囲では１１個のコンタクタ３）のそれぞれには、これらのコンタクタ３の両隣に配置された２本の突出部３２ａから荷重が分散して伝達される。これにより、散在配置領域に配置されるコンタクタ３の接触圧力と、他の領域（例えば密集領域）に配置されるコンタクタ３の接触圧力とを均一化することができる。この結果、前記実施の形態３で説明したような、複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきに起因する、電気的検査工程での不良を防止ないしは抑制できる。
【０１３９】
また、図４４に示すようにスリット２ｄを形成する領域に、突出部３２ａを残す（スリット２ｄにより分断しない）構成にした場合、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減でき、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができるとともに、シート引き伸ばし工程において、弛みなく薄膜シート２を引き伸ばす際の阻害要因を取り除くことができる。
【０１４０】
また、帯部材３４および突出部３２ａの全体構造として、図４７に示すように、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの内側に配置された４つの帯部材３４はそれぞれ連結して一体化し、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの外側に配置された４つの帯部材３４を連結して一体化する構造に適用する場合がある。図４７では、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄは平面視において四辺形を構成する。そして、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに沿って配置される帯部材３４のそれぞれは、平面視において、四辺形の内側に配置される内側環状体２８ａと、前記四辺形の外側に配置される外側環状体２８ｂの一部を構成する。このような場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに沿って配置される突出部３２ａのそれぞれが受ける荷重が相互に影響するので、特に、各帯部材３４間の距離Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を等しくすることが好ましい。
【０１４１】
また、図４７に示すように、外側環状体２８ｂを途中で分断されることなく連続的に形成する場合には、外側環状体２８ｂの各辺の延長線が交わる角部では、接続される２辺が直交しないように各辺に対して斜めに配置された斜め配置部２８ｃを介して接続されている。外側環状体２８ｂの２辺が接続される角部は、帯部材３４の延在方向が変化する変局点となる。このため、斜め配置部２８ｃを設けることで、各帯部材３４の相互の影響を緩和している。ただし、斜め配置部２８ｃを設けることで、帯部材３４とコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの距離Ｌ１、Ｌ２（例えば、図２９参照）が変わってしまう場合には、斜め配置部２８ｃを設けない方が好ましい。例えば、図４７に示す内側環状体２８ａの各辺が交わる角部の近傍には、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが配置されている。このため、内側環状体２８ａの各辺が交わる角部には斜め配置部を設けていない。これにより、内側環状体２８ａを構成する各帯部材３４の延在方向のそれぞれにおいて、帯部材３４とコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの距離Ｌ２（例えば図２９参照）を揃えることができる。
【０１４２】
また、図４７に示す帯部材３４および突出部３２ａの全体構造の変形例として、図４８に示すように、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂの各角部において、帯部材３４を分断する（連結しない）構造とすることができる。この場合、各帯部材３４は互いに独立した部材となるので各コンタクタ３の接触圧力をコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄそれぞれの単位で制御することができる。また、変局点となる角部に帯部材３４を形成しないことにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのそれぞれに沿って配置される帯部材３４の相互の影響を低減することができる。このように、帯部材３４を分断する場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置される複数のコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄのうち、端部に配置されるものと同じ位置、あるいはそれよりもさらに角部側まで延在させることが好ましい。これにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置される複数のコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄの荷重をそれぞれ分散させることができるので、接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１４３】
なお、図４８に示す内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂのそれぞれを分断する態様の変形例として、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂのいずれか一方を分断する構造とすることもできる。例えば図４９では、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの長さが長く、内側環状体２８ａの角部近傍まで延在している。このため、図４９では、前記実施の形態３で説明したスリット２ｄ（図４１、図４２参照）は形成しないが、外側環状体２８ｂの各角部において、帯部材３４を分断する（連結しない）構造としている。一方、内側環状体２８ａは、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの端部まで延在させるため、途中で分断されることなく連続的に形成している。
【０１４４】
＜その他の変形例＞
次に、上記以外の変形例について説明する。前記実施の形態１〜前記実施の形態４では、平面視において四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿って一列、または二列で複数のコンタクタ３を配置する例を説明したが、コンタクタ３の配列パターンはこれに限定されない。図示は省略するが、例えば前記実施の形態２のように複数のコンタクタ３が複数列で配置されたコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄと、前記実施の形態１のように複数のコンタクタ３ａが一列で配置されたコンタクタ群３Ａが混在する構造に適用することができる。
【０１４５】
また、前記実施の形態３の薄膜シート３２や前記実施の形態３の薄膜シート３９では、複数のコンタクタ３がコンタクタ群の延在方向（配列方向）に沿って、それぞれ複数列（２列）で配置された構造に適用した実施態様について説明した。しかし、コンタクタ群内におけるコンタクタ３の列数や、コンタクタ群の配置はこれに限定されない。例えば、前記実施の形態１のように各コンタクタ群に複数のコンタクタ３が一列で配置された構造に適用することができる。複数のコンタクタ３を一列で配置した場合、薄膜シート３２のように複数列でコンタクタ３ａを配置する場合よりもさらに高精度でコンタクタ３ａの接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１４６】
また、本実施の形態で説明した半導体チップ１０、１０ｃは、四辺のそれぞれに沿って複数のパッド１１が配置されているが、例えば、四辺のうちの一辺あるいは二辺のみに沿ってパッド１１が配置されている場合もある。そして、パッド１１の配列に対応してコンタクタ群の数も、一つ、あるいは二つとなる。この場合には、スリット２ｄや突出部３２ａ、帯部材３４はコンタクタ群が配置された辺のみに形成すれば良い。
【０１４７】
また、前記実施の形態１〜前記実施の形態４では、１枚の薄膜シートに、一つのチップ領域１０ａ（図２、図１９参照）に対応するコンタクタ配置領域２ｃを配置して、各チップ領域１０ａに対して順次、電気的検査を行う実施態様を示したが、複数のチップ領域１０ａに対して一括して電気的検査を行うこともできる。
【０１４８】
図５０〜図５５は、図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートのコンタクタ配置領域を模式的に示す拡大平面図である。図５０および図５１は、前記実施の形態１または前記実施の形態２に対する変形例、図５２および図５３は前記実施の形態３に対する変形例である。また、図５４および図５５は前記実施の形態４に対する変形例である。図５０〜図５５に示す薄膜シート６０、６１、６２、６３、６４、６５は、それぞれ複数（図５０、図５２、図５４では２個、図５１、図５３、図５５では４個）のコンタクタ配置領域２ｃを有している。そして、各コンタクタ配置領域２ｃには、それぞれコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが配置されている。このような構成とすることにより、複数のチップ領域１０ａ（図２参照）に対して一括して電気的検査を行うことができる。また、３個以上のコンタクタ配置領域２ｃを配置するレイアウトは、図５１、図５３や図５５のようにマトリクス状に配置する態様には限定されず、例えば３個以上のコンタクタ配置領域２ｃを一列で並べて配置することもできる。
【０１４９】
また、図５０〜図５３では、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの端部には、前記実施の形態１〜前記実施の形態３のいずれかで説明したスリット２ｄがそれぞれ形成されている。このため、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの端部に配置されるコンタクタの接触圧力を低減することができる。また、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの途中には、例えば図１５、図１６、図２４、図２８、図２９を用いて説明したスリット２ｄがそれぞれ形成されている。このため、散在配置領域に配置されるコンタクタや密集配置領域の端部に配置されるコンタクタの接触圧力を低減することができる。ところで、図５０〜図５３に示すように、一枚の薄膜シート６０、６１、６２、６３が複数のコンタクタ配置領域２ｃを有する場合、コンタクタ配置領域２ｃの境界を介して対向するコンタクタ群が存在する。例えば図５０において、左側のコンタクタ配置領域２ｃに配置されるコンタクタ群３Ｂと、右側のコンタクタ配置領域２ｃに配置されるコンタクタ群３Ｄがこれに相当する。このようなコンタクタ群に対応して形成するスリット２ｄは、一方のコンタクタ配置領域２ｃに配置されるスリット２ｄが、他方のコンタクタ配置領域２ｃに配置されるスリット２ｄと交わる場合がある。この場合、スリット２ｄを連結して、複数のコンタクタ配置領域２ｃに亘って延在させることができる。また、複数のコンタクタ配置領域２ｃに亘ってスリット２ｄを延在させると、他のコンタクタ配置領域２ｃにおける配線レイアウトの阻害要因となる場合には、スリット２ｄの両端がコンタクタ配置領域２ｃ内に収まるように配置することでこれを抑制することができる。
【０１５０】
また、図５２および図５３に示すように、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣には、それぞれ帯部材３４が配置されている。このため、帯部材３４の間に挟まれた領域に配置される複数のコンタクタの接触圧力のばらつきを低減することができる。ところで、図５２や図５３に示すように、複数のコンタクタ配置領域２ｃを並べて配置する場合、各コンタクタ配置領域２ｃの間隔は、図２に示す隣り合うチップ領域１０ａ間の間隔（スクライブ領域１０ｂの幅）に応じて変化する。そして、スクライブ領域１０ｂの幅によっては、図５２〜図５５に示すように隣り合うコンタクタ配置領域２ｃにそれぞれ帯部材３４を配置できない場合がある。そこで、図５４の変形例として示す図５６の薄膜シート６６では、隣り合うコンタクタ配置領域２ｃにおいて兼用する１本の帯部材３４を配置している。つまり、２つのコンタクタ配置領域２ｃ（例えば図４７参照）がそれぞれ有する外側環状体２８ｂのうち、対向配置される帯部材３４を一体化している。この場合、一体化された帯部材３４と、これと対向する内側環状体２８ａの一部である帯部材３４は、異なる帯幅となる場合がある。しかし、この場合であっても、帯部材３４（突出部３２ａ）を形成しない場合と比較すると、コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【０１５１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記した各実施の形態で説明した各変形例を、要旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせて適用できる。
【０１５２】
＜発明の概要＞
本願で詳細に説明した発明には、以下の構成が含まれている。以下、項毎に説明する。
【０１５３】
〔項１〕
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された接触端子配置領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５４】
〔項２〕
項１において、
前記スリットの長さは、前記第１接触端子群の延在方向と直交方向の幅よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５５】
〔項３〕
項２において、
平面視において、四角形を成す前記接触端子配置領域には、前記接触端子配置領域の外縁を構成する四辺のうち、第１辺に沿って配置される前記第１接触端子群、前記第１辺と交差する第２辺に沿って複数の第２接触端子が配置される第２接触端子群、および前記第１接触端子群と前記第２接触端子群が交差する第１角部領域が配置され、
前記第１角部領域と前記第１接触端子群の間、および前記第１角部領域と前記第２接触端子群の間には、それぞれ前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５６】
〔項４〕
項３において、
前記スリットの長さは、前記第１または前記第２接触端子群から前記接触端子配置領域の内側に向かう方向の長さよりも、前記第１または前記第２接触端子群から前記接触端子配置領域の外側に向かう方向の長さの方が長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５７】
〔項５〕
項１において、
前記第２配線の前記スリット側の側面は、前記第２絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５８】
〔項６〕
項１において、
前記第１接触端子群は、第１の間隔で前記複数の第１接触端子が配置される第１領域と、前記第１の間隔よりも広い第２の間隔で前記第１接触端子が配置される第２領域を有し、
前記第２領域に配置される前記第１接触端子および前記第１領域の端部に配置される前記第１接触端子の間に、前記第２配線に沿って、前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１５９】
〔項７〕
項１において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートの前記裏面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６０】
〔項８〕
項１において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記押圧部により、前記緩衝層を介して前記接触端子配置領域の前記裏面から押圧する工程と、
（ｂ５）前記（ｂ４）工程の後、前記第１シートの前記接触端子形成面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６１】
〔項９〕
項８において、
前記（ｂ５）工程では、前記スリットの上層に配置される前記緩衝層の少なくとも一部まで到達する開口部が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６２】
〔項１０〕
項１において、
前記第１接触端子群に配置される前記複数の第１接触端子には、前記第１方向に沿った第１列目に配置される複数の第１列目接触端子と、第２列目に配置される複数の第２列目接触端子が含まれることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６３】
〔項１１〕
項１０において、
前記第１接触端子群の端部周辺では、前記複数の第１列目接触端子が配置されず、前記複数の第２列目接触端子が一列で配置され、
前記複数の第２列目接触端子のうち、前記第２列目の端部に配置される接触端子と、該接触端子の前記第１接触端子群の反対側に配置される前記第３配線との間には、前記スリットが形成され、
前記複数の第１列目接触端子のうち、前記第１列目の端部に配置される接触端子と、該接触端子の隣に配置される前記第２または第３配線との間には、前記スリットが形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６４】
〔項１２〕
項１０において、
前記第１接触端子群の前記第１列目には、第１の間隔で前記複数の第１列目接触端子が配置される第１密集配置領域と、前記第１の間隔よりも広い第２の間隔で前記複数の第１列目接触端子が配置される第１散在配置領域とが含まれ、
前記第１接触端子群の前記第２列目には、第３の間隔で前記複数の第２列目接触端子が配置される第２密集配置領域と、前記第３の間隔よりも広い第４の間隔で前記複数の第２列目接触端子が配置される第２散在配置領域とが含まれ、
前記第１方向に沿って、前記第１、第２散在配置領域が隣り合って配置された領域には、前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６５】
〔項１３〕
項１２において、
前記第１方向に沿って、前記第１散在配置領域と前記第２密集配置領域、または、第１密集配置領域と前記第２散在配置領域が隣り合って配置される領域には、前記スリットが形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６６】
〔項１４〕
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された接触端子配置領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置され、かつ、前記突出部の延長線上において前記スリットが配置される領域には前記突出部は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６７】
〔項１５〕
項１４において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６８】
〔項１６〕
項１５において、
前記第２絶縁膜と複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１６９】
〔項１７〕
項１６において、
前記複数の帯部材は、金属膜から成ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７０】
〔項１８〕
項１７において、
前記第２、第３配線の前記スリット側の側面、および前記複数の帯部材の前記スリット側の側面は、前記第２絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７１】
〔項１９〕
項１７において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第３絶縁膜、前記複数の帯部材、および前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートの前記裏面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
を含み、
前記複数の帯部材は、前記（ｂ３）工程において前記レーザ光を照射する領域には、形成しないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７２】
〔項２０〕
項１７において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第３絶縁膜、前記複数の帯部材、および前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記押圧部により、前記緩衝層を介して前記接触端子配置領域の前記裏面から押圧する工程と、
（ｂ５）前記（ｂ４）工程の後、前記第１シートの前記接触端子形成面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
を含み、
前記複数の帯部材は、前記（ｂ５）工程において前記レーザ光を照射する領域には、形成しないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７３】
〔項２１〕
複数の第１配線が形成された配線基板と、
半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成されていることを特徴とするプローブカード。
【０１７４】
〔項２２〕
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群と離間して配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７５】
〔項２３〕
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７６】
〔項２４〕
項２３において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７７】
〔項２５〕
項２４において、
前記第２絶縁膜と前記複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７８】
〔項２６〕
項２５において、
前記複数の第２配線と前記複数の接触端子は、前記第１絶縁膜の前記複数の接触端子上に形成された複数のスルーホールを介してそれぞれ接続され、
前記裏面のうち、前記複数の接触端子上に位置する複数の第１領域の高さは、前記突出部の高さよりも低く、かつ、前記複数の第１領域と前記突出部の間の第２領域の高さよりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１７９】
〔項２７〕
項２４において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離は、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離と等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８０】
〔項２８〕
項２６において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅と、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅は等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８１】
〔項２９〕
項２６において、
前記第１接触端子群には、前記複数の第１接触端子が、前記第１方向に沿って一列または複数列で配置され、
前記複数列の場合、平面視において、前記複数列で配置される複数の第１接触端子の間には、前記複数の帯部材は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８２】
〔項３０〕
項２５において、
前記複数のチップ領域は、平面視において、それぞれ四角形を成し、各チップ搭載領域の外縁を構成する四辺のそれぞれに沿って、複数の第１チップ電極が配置される第１チップ電極群、複数の第２チップ電極が配置される第２チップ電極群、複数の第３チップ電極が配置される第３チップ電極群、および複数の第４チップ電極が配置される第４チップ電極群が配置され、
前記第１シートの前記接触端子形成面には、前記（ｃ）工程において、前記複数の第１チップ電極と対向配置される前記複数の第１接触端子が形成された前記第１接触端子群、前記複数の第２チップ電極と対向配置される前記複数の第２接触端子が形成された第２接触端子群、前記複数の第３チップ電極と対向配置される前記複数の第３接触端子が形成された第３接触端子群、および前記複数の第４チップ電極と対向配置される前記複数の第４接触端子が形成された第４接触端子群が配置され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に前記第１接触端子群に沿って帯状に延在する前記複数の第１帯部材、前記第２接触端子群の両隣に前記第２接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第２帯部材、前記第３接触端子群の両隣に前記第３接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第３帯部材、および前記第４接触端子群の両隣に前記第４接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第４帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の第１、第２、第３および第４帯部材のそれぞれに倣って形成され、
前記複数の第１帯部材間の距離、前記複数の第２帯部材間の距離、前記複数の第３帯部材間の距離、および前記複数の第４帯部材間の距離は等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８３】
〔項３１〕
項３０において、
前記第１、第２、第３および第４接触端子群は、平面視において、四辺形を構成し、
前記複数の第１、第２、第３および第４帯部材のそれぞれは、平面視において、前記四辺形の内側に配置される第１環状体と、前記四辺形の外側に配置される第２環状体の一部を構成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８４】
〔項３２〕
項３１において、
前記第１環状体は、途中で分断されることなく連続的に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８５】
〔項３３〕
項３２において、
前記第２環状体は、途中で分断されることなく連続的に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８６】
〔項３４〕
項３３において、
前記第２環状体は、前記第１、第２、第３および第４接触端子群が成す前記四辺形の各辺に沿った四辺を有し、
前記第２環状体の各辺の延長線が交わる角部では、接続される２辺が直交しないように各辺に対して斜めに配置された斜め配置部を介して接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８７】
〔項３５〕
項２４において、
前記複数の帯部材は、金属膜から成ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【０１８８】
〔項３６〕
複数の第１配線が形成された配線基板と、
半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とするプローブカード。
【０１８９】
〔項３７〕
項３６において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とするプローブカード。
【０１９０】
〔項３８〕
項３７において、
前記第２絶縁膜と前記複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とするプローブカード。
【０１９１】
〔項３９〕
項３８において、
前記複数の第２配線と前記複数の接触端子は、前記第１絶縁膜の前記複数の接触端子上に形成された複数のスルーホールを介してそれぞれ接続され、
前記裏面のうち、前記複数の接触端子上に位置する複数の第１領域の高さは、前記突出部の高さよりも低く、かつ、前記複数の第１領域と前記突出部の間の第２領域の高さよりも高いことを特徴とするプローブカード。
【０１９２】
〔項４０〕
項３９において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離は、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離と等しいことを特徴とするプローブカード。
【０１９３】
〔項４１〕
項３９において、
前記複数の接触端子は、前記第１シートの前記接触端子形成面の接触端子配置領域に形成され、
前記接触端子配置領域は、平面視において、四角形を成し、前記接触端子配置領域の外縁を構成する四辺のそれぞれに沿って、複数の前記第１接触端子が配置される前記第１接触端子群、複数の第２接触端子が配置される第２接触端子群、複数の第３接触端子が配置される第３接触端子群、および複数の第４接触端子が配置される第４接触端子群が配置され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に前記第１接触端子群に沿って帯状に延在する前記複数の第１帯部材、前記第２接触端子群の両隣に前記第２接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第２帯部材、前記第３接触端子群の両隣に前記第３接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第３帯部材、および前記第４接触端子群の両隣に前記第４接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第４帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の第１、第２、第３および第４帯部材のそれぞれに倣って形成され、
前記複数の第１帯部材間の距離、前記複数の第２帯部材間の距離、前記複数の第３帯部材間の距離、および前記複数の第４帯部材間の距離は等しいことを特徴とするプローブカード。
【０１９４】
〔項４２〕
半導体ウエハを載せる台と、
前記半導体ウエハの電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されるプローブカードと、
を有する半導体検査装置であって、
前記プローブカードは、
複数の第１配線が形成された配線基板と、
前記半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成されていることを特徴とする半導体検査装置。
【０１９５】
〔項４３〕
半導体ウエハを載せる台と、
前記半導体ウエハの電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されるプローブカードと、
を有する半導体検査装置であって、
前記プローブカードは、
複数の第１配線が形成された配線基板と、
前記半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置され、かつ、前記突出部の延長線上において前記スリットが配置される領域には前記突出部は形成されていないことを特徴とする半導体検査装置。
【０１９６】
〔項４４〕
半導体ウエハを載せる台と、
前記半導体ウエハの電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されるプローブカードと、
を有する半導体検査装置であって、
前記プローブカードは、
複数の第１配線が形成された配線基板と、
前記半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群と離間して配置されていることを特徴とする半導体検査装置。
【０１９７】
〔項４５〕
半導体ウエハを載せる台と、
前記半導体ウエハの電気的特性を検査するテスタと電気的に接続されるプローブカードと、
を有する半導体検査装置であって、
前記プローブカードは、
複数の第１配線が形成された配線基板と、
前記半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体検査装置。
【産業上の利用可能性】
【０１９８】
本発明は、電極にプローブカードの接触端子を押し当てて電気的検査を行う半導体集積回路装置、および電気的検査に用いるプローブカードに利用可能である。
【符号の説明】
【０１９９】
１ 配線基板
１ａ 下面
１ｂ 上面
１ｃ 配線
１ｄ ポゴ座
１ｅ 開口部
２ 薄膜シート
２ａ 主面（接触端子形成面）
２ｂ 裏面
２ｃ コンタクタ配置領域（接触端子配置領域）
２ｄ スリット
２ｅ、２ｇ、２ｈ、２ｋ、２ｎ 領域
２ｆ 角部領域
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ、３ｈ、３ｋ、３ｍ、３ｎ、３ｐ、３ｒ コンタクタ（接触端子）
３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ コンタクタ群（接触端子群）
４ 押圧部
４ａ プランジャ
４ｂ 押し駒
４ｃ エラストマ
４ｄ ばね
４ｅ 押しピン
４ｆ ポリイミドシート
５ 加圧部
５ａ 連結治具
５ｂ ばね
６ 接続治具
７ 張り出しリング
８ 接着リング
１０、１０ｃ 半導体チップ（半導体集積回路装置）
１０ａ チップ領域
１０ｂ スクライブ領域
１１、１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ パッド（チップ電極）
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ、１１Ｄ パッド群（チップ電極群）
１２ 半導体基板
１２ａ 主面
１３ 配線層
１３ａ 配線
１３ｂ 絶縁膜
１４ 保護膜
１４ａ 開口部
２１ 金属膜
２１ａ ロジウム膜
２１ｂ ニッケル膜
２２ ポリイミド膜
２３ 配線
２３ａ、２３ｂ 導体膜
２４、２４ａ、２４ｂ 配線層
２５、３３、１０２ ポリイミド膜（絶縁膜）
２６ ダミー配線
２８ａ 内側環状体
２８ｂ 外側環状体
２８ｃ 斜め配置部
３０ａ、３０ｂ 領域
３１、３２、３６、３７、３８、３９、６０、６１、６２、６３、６４、６５、６６、１００、１０１ 薄膜シート
３２ａ 突出部
３４ 帯部材
３４ａ、３４ｂ 金属膜
４０ 基板
４０ａ 開口部
４１ 導電膜
４２、４３ 薄膜
５０、５１ 矢印
ＣＨＤ カードホルダ
ＩＦＲ インタフェースリング
ＰＧＰ ポゴピン
ＰＲ プローバ
ＰＲＣ プローブカード
Ｔ テスタ
ＴＨ１、ＴＨ２ スルーホール
ＴＨＤ テスタヘッド
ＷＣＨ ウエハチャック
ＷＨ ウエハ
ＷＳＴ ウエハステージ
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３ 距離
Ｐ１、Ｐ２ 間隔
Ｗ１、Ｗ２ 帯幅

【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された接触端子配置領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
平面視において、前記複数の第１接触端子のうち、前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子の前記第１接触端子群の反対側には、前記第１絶縁膜上に前記第２配線に沿って形成され、かつ、前記複数の接触端子とは電気的に接続されない第３配線が配置され、
前記第１接触端子群の端部に配置される第１接触端子と前記第３配線の間には、前記第１シートの前記接触端子形成面および前記裏面のうち、一方の面から他方の面までを貫通する開口部から成るスリットが、前記第２配線に沿って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記スリットの長さは、前記第１接触端子群の延在方向と直交方向の幅よりも長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
平面視において、四角形を成す前記接触端子配置領域には、前記接触端子配置領域の外縁を構成する四辺のうち、第１辺に沿って配置される前記第１接触端子群、前記第１辺と交差する第２辺に沿って複数の第２接触端子が配置される第２接触端子群、および前記第１接触端子群と前記第２接触端子群が交差する第１角部領域が配置され、
前記第１角部領域と前記第１接触端子群の間、および前記第１角部領域と前記第２接触端子群の間には、それぞれ前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記スリットの長さは、前記第１または前記第２接触端子群から前記接触端子配置領域の内側に向かう方向の長さよりも、前記第１または前記第２接触端子群から前記接触端子配置領域の外側に向かう方向の長さの方が長いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記第２配線の前記スリット側の側面は、前記第２絶縁膜により覆われていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記第１接触端子群は、第１の間隔で前記複数の第１接触端子が配置される第１領域と、前記第１の間隔よりも広い第２の間隔で前記第１接触端子が配置される第２領域を有し、
前記第２領域に配置される前記第１接触端子および前記第１領域の端部に配置される前記第１接触端子の間に、前記第２配線に沿って、前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートの前記裏面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）基板を準備する工程と、
（ｂ２）前記（ｂ１）の後、前記基板上に、前記複数の接触端子、前記第１絶縁膜、前記複数の第２および第３配線、前記第２絶縁膜を順に積層する工程と、
（ｂ３）前記（ｂ２）工程の後、前記第１シートを前記配線基板と接続し、保持させる工程と、
（ｂ４）前記（ｂ３）工程の後、前記押圧部により、前記緩衝層を介して前記接触端子配置領域の前記裏面から押圧する工程と、
（ｂ５）前記（ｂ４）工程の後、前記第１シートの前記接触端子形成面側からレーザ光を照射して前記スリットを形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記（ｂ５）工程では、前記スリットの上層に配置される前記緩衝層の少なくとも一部まで到達する開口部が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記第１接触端子群に配置される前記複数の第１接触端子には、前記第１方向に沿った第１列目に配置される複数の第１列目接触端子と、第２列目に配置される複数の第２列目接触端子が含まれ、
前記第１接触端子群の端部周辺では、前記複数の第１列目接触端子が配置されず、前記複数の第２列目接触端子が一列で配置され、
前記複数の第２列目接触端子のうち、前記第２列目の端部に配置される接触端子と、該接触端子の前記第１接触端子群の反対側に配置される前記第３配線との間には、前記スリットが形成され、
前記複数の第１列目接触端子のうち、前記第１列目の端部に配置される接触端子と、該接触端子の隣に配置される前記第２または第３配線との間には、前記スリットが形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記第１接触端子群に配置される前記複数の第１接触端子には、前記第１方向に沿った第１列目に配置される複数の第１列目接触端子と、第２列目に配置される複数の第２列目接触端子が含まれ、
前記第１接触端子群の前記第１列目には、第１の間隔で前記複数の第１列目接触端子が配置される第１密集配置領域と、前記第１の間隔よりも広い第２の間隔で前記複数の第１列目接触端子が配置される第１散在配置領域とが含まれ、
前記第１接触端子群の前記第２列目には、第３の間隔で前記複数の第２列目接触端子が配置される第２密集配置領域と、前記第３の間隔よりも広い第４の間隔で前記複数の第２列目接触端子が配置される第２散在配置領域とが含まれ、
前記第１方向に沿って、前記第１、第２散在配置領域が隣り合って配置された領域には、前記スリットが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１において、
前記第１シートは、前記裏面に形成された突出部を含み、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置され、かつ、前記突出部の延長線上において前記スリットが配置される領域には前記突出部は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群と離間して配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記第２絶縁膜と前記複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記複数の第２配線と前記複数の接触端子は、前記第１絶縁膜の前記複数の接触端子上に形成された複数のスルーホールを介してそれぞれ接続され、
前記裏面のうち、前記複数の接触端子上に位置する複数の第１領域の高さは、前記突出部の高さよりも低く、かつ、前記複数の第１領域と前記突出部の間の第２領域の高さよりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離は、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離と等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅と、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅は等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７において、
前記第１接触端子群には、前記複数の第１接触端子が、前記第１方向に沿って一列または複数列で配置され、
前記複数列の場合、平面視において、前記複数列で配置される複数の第１接触端子の間には、前記複数の帯部材は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

【図１】

【図２】

【図３】

【図４】

【図５】

【図６】

【図７】

【図８】

【図９】

【図１０】

【図１１】

【図１２】

【図１３】

【図１４】

【図１５】

【図１６】

【図１７】

【図１８】

【図１９】

【図２０】

【図２１】

【図２２】

【図２３】

【図２４】

【図２５】

【図２６】

【図２７】

【図２８】

【図２９】

【図３０】

【図３１】

【図３２】

【図３３】

【図３４】

【図３５】

【図３６】

【図３７】

【図３８】

【図３９】

【図４０】

【図４１】

【図４２】

【図４３】

【図４４】

【図４５】

【図４６】

【図４７】

【図４８】

【図４９】

【図５０】

【図５１】

【図５２】

【図５３】

【図５４】

【図５５】

【図５６】

【図５７】

【公開番号】特開２０１２−２４２２５５（Ｐ２０１２−２４２２５５Ａ）
【公開日】平成２４年１２月１０日（２０１２．１２．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１１３１０４（Ｐ２０１１−１１３１０４）
【出願日】平成２３年５月２０日（２０１１．５．２０）
【出願人】（３０２０６２９３１）ルネサスエレクトロニクス株式会社 (8,021)
【Ｆターム（参考）】