説明

反射式散乱計

【課題】サンプル測量に適した反射式散乱計。
【解決手段】反射式散乱計は放物面鏡、光源、第1反射鏡、第2反射鏡、及び受信器を包含する。放物面鏡は光軸と放物表面を具え、サンプルは放物表面の焦点に位置し、且つサンプルの法線方向は光軸に平行である。光源はコリメートビームの生成に適し、第1反射鏡はコリメートビームを放物表面に向けて反射し、且つ放物表面はコリメートビームをサンプルに向けて反射し、第1回折ビームを生成する。続いて放物表面が第1回折ビームを第2反射鏡に向けて反射し、且つ該第2反射鏡が第1回折ビームを受信器に向けて反射する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は一種の散乱計に係り、特に一種の反射式散乱計に関する。
【背景技術】
【0002】
散乱計(Scatterometer)は現在、半導体業界が測量の限界寸法(Critical Dimention)を測量するための重要な計器である。特に、半導体工程中、鍵となる寸法設計は毎年小さくなっており、伝統的な光学顕微鏡による半導体工程中の層と層との間のアライメント誤差の判読、或いは走査式電子顕微鏡(SEM)での線幅の測定は、ますます困難となっている。このため、グリッドの、線幅とアライメントに対する回折光学特性を利用して発展させた散乱計システムが重視されるようになった。
【0003】
散乱計は良好な反復性と再現性を有し、並びに光学非破壊式及び快速大量測定可能な長所を有し、ゆえに、散乱計は既に半導体技術領域で非常に重要な測定機器となっている。一般に、散乱計はスペクトル式散乱計および角度走査式散乱計に分けられる。
【0004】
スペクトル式散乱計は入射光を垂直に被測定物へと入射させ、並びに垂直反射後の第0級回折光を測定する。異なる波長の入射光の反射効率グラフ(signature)を構築し、並びに理論的に推測される反射効率グラフを対比することで、グリッド工程に欠陥があるかを判断できる。しかし、垂直入射は最良の入射角度ではなく、スペクトル式散乱計の測定の感度は低い。このほか、スペクトル式散乱計は、材料の異なる波長下での屈折率を知らなければ、理論上、反射効率グラフを推定により得ることはできない。
【0005】
角度走査式散乱計は入射光の非測定物への入射の角度を変え、並びに異なる角度での第0級回折光を測定する。異なる入射角度の入射光の反射効率グラフを構築し、並びに理論的に推測される反射効率グラフを対比することで、グリッド工程に欠陥があるかを判断できる。しかし、角度走査式散乱計はシステム構造が比較的複雑である。以下に周知の技術について図を参照して更に詳しく説明する。
【0006】
図1は周知の反射式散乱計の構造表示図であり、特許文献1に記載のものである。周知の反射式散乱計100は、サンプル50のグリッド構造(周期性構造)の測定に用いられ、反射式散乱計100は、光源110、回転ブロック120、分光鏡130、集光レンズ140、および受信器150を包含する。光源110はコリメートビーム112を発生し、コリメートビーム112は回転ブロック120を通過した後に分光鏡130に入射する。サンプル50は集光レンズ140の焦点上に配置され、分光鏡130に反射されたコリメートビーム112は集光レンズ140を通過した後に、サンプル50に入射し、回折ビーム114を発生し、該回折ビーム114は第0級回折とされる。
【0007】
以上を受け、回折ビーム114は集光レンズ140を通過した後に、分光鏡130を通過し、受信器150に受信され、これにより、回折ビーム114の強度が測定される。このほか、周知の技術では、回転ブロック120の回転角度を調整してコリメートビーム112を平行移動させ、これにより、コリメートビーム112のサンプル50への入射角度を調整できる。こうして、異なる入射角度での反射効率を計算してサンプル50に欠陥が有るかを検査できる。
【0008】
図2は周知のもう一種類の反射式散乱計の構造表示図であり、特許文献2に記載のものである。図2に示されるように、この反射式散乱計200も、サンプル50のグリッド構造を測定し、反射式散乱計200は、光源210、アパーチャー220、分光鏡230、放物反射鏡240及び受信器250を包含し、該放物反射鏡240は光軸242を具え、サンプル50は放物反射鏡240の焦点に位置し、且つサンプル50の法線方向52は光軸242に垂直である。
【0009】
以上を受け、光源210の発生するコリメートビーム212はアパーチャー220を通過した後、分光鏡230に反射されて放物反射鏡240に至り、且つコリメートビーム212は更に放物反射鏡240に反射されてサンプル50に入射し、回折ビーム214を発生し、該回折ビーム214は第0級回折とされる。回折ビーム214は放物反射鏡240に反射された後に、分光鏡230を通過して受信器250に受信され、これにより回折ビーム214の強度が測定される。
【0010】
この周知の技術は、アパーチャー220の位置を調整してコリメートビーム212を平行移動させ、これによりコリメートビーム212のサンプル50への入射角度を変えることがでる。こうして、異なる入射角度での反射効率を計算してサンプル50に欠陥が有るかを検査できる。
【0011】
【特許文献1】米国特許第5703692号明細書
【特許文献2】米国特許第6987568号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0012】
本発明は一種の反射式散乱計を提供することを目的とし、それは大角度と多波長の走査が行なえ、ビューウインドウを増設することでコリメートビームのサンプルへの入射の位置を正確に位置決めでき、これにより測定の正確度をアップできるものとする。
【0013】
このほか、本発明の提供する反射式散乱計は、第0級回折ビームと第1級回折ビームを正確に測定できるものとする。
【課題を解決するための手段】
【0014】
本発明の提供する反射式散乱計は、サンプルの測定に適し、この反射式散乱計は、放物面鏡、光源、第1反射鏡、第2反射鏡及び受信器を包含する。更に詳しくは、該放物面鏡は光軸と放物表面を具え、該サンプルは放物表面の焦点に位置し、且つ該サンプルの法線方向は光軸に平行である。該光源はコリメートビームを発生するのに適し、第1反射鏡はコリメートビームを放物表面へと反射し、且つ放物表面はコリメートビームをサンプルへと反射し、こうして第1回折ビームを発生する。放物表面は第1回折ビームを第2反射鏡に向けて反射し、該第2反射鏡は第1回折ビームを該受信器に向けて反射する。
【0015】
本発明の提供するもう一種類の反射式散乱計は、サンプルの測定に適し、この反射式散乱計は、放物面鏡、光源、第1反射鏡、及び第1受信器を包含する。更に詳しくは、該放物面鏡は光軸と放物表面を具え、該サンプルは放物表面の焦点に位置し、且つ該サンプルの法線方向は光軸に平行である。該光源はコリメートビームを発生するのに適し、第1反射鏡はコリメートビームを放物表面へと反射し、且つ放物表面はコリメートビームをサンプルへと反射し、こうして第1回折ビームと第2回折ビームを発生する。放物表面は第1回折ビームと第2回折ビームを該第1受信器に向けて反射する。
【発明の効果】
【0016】
本発明の反射式散乱計において、サンプルの法線方向は放物面鏡の光軸と平行に配置され、コリメートビームのサンプルへの入射角度を増して、大角度の走査を行なえる。このほか、ビューウインドウによりコリメートビームのサンプルへの入射の位置を正確に位置決めすることで、測定の精度をアップできる。さらに、反射式散乱計は第0級回折、第1級回折及び第2級回折を正確に測定でき、これによりリアルタイムの対比を行なって、大幅に測定品質を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0017】
図3及び図4は本発明の第1実施例の反射式散乱計の構造表示図であり、そのうち、図4には、点線で一部部品の移動後の光の経路が示されている。図3、図4に示されるように、反射式散乱計300は、サンプル50の測定に用いられ、且つサンプル50の周期性構造(例えばグリッド構造)の測定に用いられる。このほか、サンプル50は例えば半導体シリコン基板或いはガラス基板とされうるが、本発明はサンプル50の種類を限定せず、また、反射式散乱計300は必ずしも周期性構造のサンプル50を測定するものではない。
【0018】
以上を受け、反射式散乱計300は放物面鏡310、光源320、第1反射鏡330、第2反射鏡340及び受信器350を包含する。本発明の特徴の一つは、サンプル50の放物面鏡310に対する配置方式である。具体的には、該放物面鏡310は光軸312と放物表面314を具え、該サンプル50は放物表面314の焦点に位置し、且つ該サンプル50の法線方向52は光軸312に平行である。こうして、光軸312に平行なビームは全て放物表面314に入射された後、放物表面314の焦点(サンプル50の放置部分)に向けて反射され、また、放物表面314の焦点を通過するビームは放物表面314に入射した後、反射されて光軸312に平行な状態とされる。
【0019】
図3、図4に示されるように、放物表面314の特性を利用し、本発明は第1反射鏡330を操作して光源320の発生するコリメートビーム322の方向を調整し、これによりコリメートビーム322を光軸312に平行として放物表面314に入射させることができる。こうして、コリメートビーム322は放物表面314によりサンプル50へと反射される。
【0020】
本実施例中、第1反射鏡330と光軸312は例えば45度夾角をなすように配置され、光源320より発射されるコリメートビーム322の経路方向が例えば光軸312に垂直であれば、コリメートビーム312は第1反射鏡330により90度角転向させられる。すなわち、コリメートビーム322の第1反射鏡330への入射前の経路方向は光軸312に垂直であり、コリメートビーム322の第1反射鏡330に反射された後の経路方向は光軸312に平行となる。
【0021】
このような配置により、本発明は第1反射鏡330を光軸312に垂直な方向において移動させる(図4の如し)だけで、コリメートビーム322の放物表面314への入射の位置を変更でき、これによりコリメートビーム322のサンプル50への入射の角度を調整できる。言い換えると、本発明はステップモータ或いはその他の適合する機械装置を利用して単一方向で第1反射鏡330の移動位置を制御し、これによりコリメートビーム322の入射角度を調整できる。
【0022】
コリメートビーム322がサンプル50に入射した後、コリメートビーム322とサンプル50は回折現象により第1回折ビーム324を発生する。本実施例では、第1回折ビーム324が例えば第0級回折であれば、第1回折ビーム324の出射角度はコリメートビーム322の入射角度と等しくなる。このほか、第1回折ビーム324が放物表面314に反射された後の経路方向は光軸312に平行である。
【0023】
本発明は第2反射鏡340を配置して第1回折ビーム324を受信器350に向けて反射させることができる。本実施例中、第2反射鏡340と光軸312は45度の夾角を形成し、且つ受信器350と第2反射鏡340の連接線は光軸312に垂直であり、こうして、第1回折ビーム324は第2反射鏡340により90度転向させられて受信器350に向けて反射される。すなわち、第1回折ビーム324は放物表面314で反射された後の経路方向は光軸312に平行であり、第1回折ビーム324が第2反射鏡340に反射された後の経路は光軸312に垂直であり受信器350に入射する。
【0024】
この配置で、本発明は第2反射鏡340を光軸312に垂直な方向で移動させて(図4)、順調に第1回折ビーム324を受信器350に向けて反射させることができる。言い換えると、本発明は放物面鏡310或いは受信器350を移動させることなく、ステップモータを利用して単一方向に第2反射鏡340の移動位置を制御することにより、順調に第1回折ビーム324を受信できる。
【0025】
前述の配置方式により、本実施例の反射式散乱計300は約70度角の大角度の走査を行なえ、並びに色差の問題を発生しない。
【0026】
本実施例中、光源320はマルチ波長光源とされ、これにより、本発明は波長と角度の走査を同時に行って、測定データを取得できる。このほか、受信器350例えば電荷結合素子(CCD)は、第1回折ビーム324を受信してその光強度から反射効率を計算し、これによりサンプル50が製造上の欠陥を有するかを判断できる。このほか、放物面鏡310は例えば円弧状放物面鏡とされるが、本発明は放物面鏡310の種類を限定せず、また、受信器350或いは光源320の種類を限定しない。例えば、放物面鏡310は柱状放物面鏡とされ得て、受信器350はCMOSとされ得て、光源320はヘリウムネオンレーザー或いは発光ダイオードとされ得る。
【0027】
また、注意すべきことは、前述の光源320、第1反射鏡330、第2反射鏡340及び受信器350の相対配置方式は例に過ぎないということである。光源320と第1反射鏡330の配置精神はコリメートビーム322を光軸312に平行に放物表面314に入射させ、第2反射鏡340と受信器350の配置精神は、光軸312に平行な第1回折ビーム324を受信できるようにすることにある。本発明の反射式散乱計は上述の構造に限定されるわけではなく、以下に更に図を組み合わせて説明を行なう。
【0028】
図5は本発明の第1実施例に基づく別の種類の反射式散乱計の構造表示図である。そのうち、点線で一部の部品の移動後の光の経路が示されている。図5に示されるように、本実施例の反射式散乱計300aと前述の反射式散乱計300(図4)は類似しているが、その違いは、反射式散乱計300aは第1反射鏡330と第2反射鏡340の配置が省略され、光源320が光軸312に平行なコリメートビーム322を発生して放物表面314に入射し、且つ受信器350は光軸312に平行な第1回折ビーム324を受信する。
【0029】
先の実施例と同様に、本実施例では光源320を光軸312に平行な方向において移動させるだけで、コリメートビーム322の放物表面314への入射の位置を変えて、これによりコリメートビーム322のサンプル50への入射の角度を変えることができる。このほか、本実施例は僅かに受信器350を光軸312に垂直な方向において移動させることで光軸312に平行な第1回折ビーム324を順調に受信できる。一般に、光源320と受信器350の重量は、第1反射鏡330と第2反射鏡340より重く、このため光源320と受信器350の移動の精度は第1反射鏡330と第2反射鏡340より低くなる。
【0030】
以上により、精度をアップさせたいならば、一般に、反射式散乱計300の構造を採用する。このほか、前述したように、この技術の属する分野における通常の知識を有する者であれば分かるように、部品構成を変えるだけで光の経路方向を調整できるが、これも本発明の範疇に属する。
【0031】
図3及び図5を再度参照されたい。コリメートビーム322のサンプル50への入射の位置を更に正確に位置決めするため、本実施例の反射式散乱計300、300aはいずれも放物面鏡310に更にビューウインドウWが開設され、ビューウインドウWは放物面鏡310の中心位置に位置する。このほか、ビューウインドウWの上方に更に光学顕微鏡が増設され、これにより使用者はビューウインドウWを通してサンプル50の状態を確認できる。
【0032】
以上により、周知の技術では測定の過程中にコリメートビームのサンプルへの入射位置が確認できなかった問題に対し、本発明は前述のメカニズムにより、正確にコリメートビーム322のサンプル50への入射位置を調整でき、これにより大幅に測定の精度をアップできる。
【0033】
一般に、コリメートビーム322のサンプル50への入射後の回折現象中、第0級回折の第1回折ビーム324を発生できるほか、第1級回折、第2級回折等を発生し得る。第1級回折と第2級回折のデータを測定することにより更に有効にサンプル50の構造を判読できる。以下に示す別の実施例では、図を組み合わせて第1級及び第2級回折の同時測定を如何に行なうかを説明する。
【0034】
第2実施例:
図6は本発明の第2実施例の反射式散乱計の構造表示図である。図6に示されるように、本実施例の反射式散乱計400aと前述の反射式散乱計300(図3)は類似しており、見やすいように、同じ機能の部品については同じ符号を用い、その差異は、反射式散乱計400aは第1受信器450aが前述の実施例の第2反射鏡340と受信器350の代わりに使用されている。
【0035】
具体的には、第1受信器450aは例えば線形CCD(liner CCD)とされ、且つ第1受信器450aの法線方向は光軸312に平行であり、直接光軸312に平行な第1回折ビーム324を受信する。このほか、コリメートビーム322はサンプル50に入射した後、第0級回折の第1回折ビーム324を発生するほか、第1級回折の第2回折ビーム326を発生する。第2回折ビーム326は放物表面314で反射された後、光軸312に平行な光経路の方向に第1受信器450aに入射する。
【0036】
第1受信器450aは第1回折ビーム324と第2回折ビーム326を共に受信し、リアルタイムに計算により異なる回折レベルの発射効率グラフを得て、サンプル50構造の効率を判読する。当然、コリメートビーム322はサンプル50入射後に第2級回折を発生し得て、本発明はまた、更に第2受信器を増設することができ、これについては以下に図を参照して説明する。
【0037】
図7は本発明の第2実施例のもう一種類の反射式散乱計の構造表示図である。図7に示されるように、本実施例の反射式散乱計400bは前述の反射式散乱計400a(図6)と類似しているが、その違いは、反射式散乱計400bには更に第2受信器450bが増設されて、第3回折ビーム328を受信することにあり、該第3回折ビーム328はコリメートビーム322がサンプル50に入射した後の第2級回折である。
【0038】
第2受信器450bもまた線形CCDとされ、且つ第2受信器450bの法線方向は光軸312に平行であり、直接光軸312に平行な第3回折ビーム328を受信する。本実施例は第1回折ビーム324、第2回折ビーム326及び第3回折ビーム328を共に受信し、異なる回折レベルの反射効率グラフを計算により得て、これによりサンプル50構造の効率を判読する。
【0039】
総合すると、本発明の反射式散乱計は少なくとも以下のような特徴を有している。
1.本発明の走査角度は70度角に達して大角度の走査を行なえ、これにより完全なデータ量を得て対比によりサンプルの構造を判読する。このほか、本発明は角度と波長の走査を同時に行なえる。
2.ビューウインドウを通した観察によりコリメートビームのサンプルへの入射の正確な位置を確認でき、これによりシステムの測定の精度をアップできる。
3.本発明は同時に第0級回折、第1級回折、第2級回折を測定し、リアルタイムで異なる回折レベルの反射効率グラフを得て、サンプル効率の効率を判読できる。
【図面の簡単な説明】
【0040】
【図1】周知の反射式散乱計の構造表示図である。
【図2】周知のもう一種類の反射式散乱計の構造表示図である。
【図3】本発明の第1実施例の反射式散乱計の構造表示図である。
【図4】図3の構造に関係し、一部部品の移動後の光の経路を点線で示した図である。
【図5】本発明の第1実施例に基づく別の種類の反射式散乱計の構造表示図である。
【図6】本発明の第2実施例の反射式散乱計の構造表示図である。
【図7】本発明の第2実施例のもう一種類の反射式散乱計の構造表示図である。
【符号の説明】
【0041】
50 サンプル 52 法線方向
100、200 反射式散乱計 110、210 光源
112、212 コリメートビーム 114、214 回折ビーム
120 回転ブロック 130、230 分光鏡
140 焦点レンズ 150、250 受信器
220 アパーチャー 240 放物反射鏡
242 光軸 300、300a、400a、400b 反射式散乱計
310 放物面鏡 312 光軸
314 放物表面 320 光源
322 コリメートビーム 324 第1回折ビーム
326 第2回折ビーム 328 第3回折ビーム
330 第1反射鏡 340 第2反射鏡
350 受信器 450a 第1受信器
450b 第2受信器 W ビューウインドウ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
サンプルの測定に適した反射式散乱計において、
光軸と放物表面を具えた放物面鏡と、
コリメートビーム発生に適した光源と、
該コリメートビームを該放物表面に向けて反射し、該放物表面に該コリメートビームを該サンプルに向けて反射させることで、第1回折ビームを発生させる第1反射鏡と、
該放物表面が反射した該第1回折ビームを反射する第2反射鏡と、
該第2反射鏡が反射した該第1回折ビームを受け取る受信器と、
を包含したことを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項2】
請求項1記載の反射式散乱計において、該サンプルの法線方向が該光軸に平行で、該サンプルが該放物表面の焦点に位置することを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項3】
請求項1記載の反射式散乱計において、該サンプルの法線方向が該光軸に平行で、該第1反射鏡が該光軸に垂直な方向において移動させることで、該コリメートビームの該サンプルへの入射の角度を変えられ、該コリメートビームの該第1反射鏡に入射前の光の経路方向は該光軸に垂直で、該コリメートビームの該第1反射鏡に反射された後の光の経路方向は該光軸と平行であることを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項4】
請求項1記載の反射式散乱計において、該放物面鏡はビューウインドウを具え、該ビューウインドウは該放物面鏡の中心位置に位置することを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項5】
サンプルの測定に適した反射式散乱計において、
光軸と放物表面を具え、該サンプルの法線方向は該光軸に平行で、該サンプルが該放物表面の焦点に位置する、放物面鏡と、
コリメートビーム発生に適した光源と、
該コリメートビームを該放物表面に向けて反射し、該放物表面に該コリメートビームを該サンプルに向けて反射させることで、第1回折ビームと第2回折ビームを発生させる第1反射鏡と、
該放物表面が反射した該第1回折ビームと第2回折ビームを受け取る受信器と、
を包含したことを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項6】
請求項5記載の反射式散乱計において、該サンプルの法線方向が該光軸に平行で、該サンプルが該放物表面の焦点に位置することを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項7】
請求項5記載の反射式散乱計において、該第1受信器が線形CCDとされ、該第1受信器の法線方向が該光軸に平行であり、該第1回折ビームが第0級回折とされ、該第2回折ビームが第1級回折とされたことを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項8】
請求項7記載の反射式散乱計において、第2受信器を更に具え、該第2受信器は線形CCDとされ、該第2受信器の法線方向は該光軸に平行であり、該放物表面が該コリメートビームを該サンプルに向けて反射した後、第3回折ビームを発生し、該放物表面が該第3回折ビームを該第2受信器に向けて反射し、該第3回折ビームが第2級回折とされたことを特徴とする、反射式散乱計。
【請求項9】
請求項5記載の反射式散乱計において、該放物面鏡がビューウインドウを具え、該ビューウインドウが該放物面鏡の中心位置に位置することを特徴とする、反射式散乱計。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【公開番号】特開2010−60543(P2010−60543A)
【公開日】平成22年3月18日(2010.3.18)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2008−256583(P2008−256583)
【出願日】平成20年10月1日(2008.10.1)
【出願人】(390023582)財団法人工業技術研究院 (524)
【氏名又は名称原語表記】INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
【住所又は居所原語表記】195 Chung Hsing Rd.,Sec.4,Chutung,Hsin−Chu,Taiwan R.O.C
【Fターム(参考)】