回路モジュール及びその製造方法
【課題】 補助基板を備える回路モジュールは、回路基板上に電子部品が実装され、絶縁性樹脂は前記電子部品を覆って、前記電子部品よりも高く形成され、さらに絶縁性樹脂の上に、前記補助基板が配置されている。このため、回路モジュールの高さが高くなるという問題があった。
【解決手段】 前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して構成する。
【解決手段】 前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して構成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に電子部品が搭載された回路モジュールとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路モジュールとしては、例えば、特許文献１に記載の図１１（ａ）に示すような回路モジュール９０が知られている。この回路モジュール９０は、回路基板９１の片面にだけ電子部品９２ａ、９２ｂ、・・が実装されている。この回路基板９１の片面と平行に補助基板９７が配置され、回路基板９１と補助基板９７の間に絶縁性樹脂９４が充填されて、前記電子部品が封止されている。
【０００３】
上記構成によれば、回路モジュール９０は、回路基板９１の温度膨張係数と略同じ温度膨張係数を有する補助基板９７を備えることで、絶縁性樹脂９４と回路基板の温度膨張係数の違いによるストレスを回路基板と補助基板の間で平均化し、合成樹脂と基板の温度膨張係数の違いを収斂できる。よって、回路モジュール９０は、反りやうねりを抑えることができ、かつ、その表面を平らにすることもできる。
【０００４】
また、この製造方法としては、図１１（ｂ）に示すように、冶具９８を用い、金属板端子９３、貫通孔９５を備えた基板９１と補助基板９７は配置され、電子部品９２ａ、９２ｂ、・・を覆うように、貫通孔９５から基板９１と補助基板９７の間に、絶縁性樹脂９４が充填される。その後、絶縁性樹脂９４を熱硬化し、回路モジュール９０を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１３００２２号報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような回路モジュール９０は、絶縁性樹脂９４が電子部品９２ａ、９２ｂ、・・のうち、最も背が高い電子部品９２ｂよりも高く形成されており、その上に補助基板９７が形成されている。そのために、補助基板９７の導入による反りやうねりの低減などの効果は得られるが、回路モジュール９０の背が高くなってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、補助基板を備えた回路モジュールであっても、高さを抑えることが可能な回路モジュールとその製造方法を提供しようというものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するために、以下のように構成した回路モジュール及びその製造方法を提供する。
【０００９】
本発明による回路モジュールは、回路基板と、前記回路基板の一方主面に搭載された複数の電子部品と、前記電子部品が搭載された前記回路基板の一方主面側に配置された補助基板と、前記回路基板と前記補助基板の間に形成された絶縁性樹脂を備える回路モジュールであって、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することにより構成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、最も背が高い電子部品と補助基板とが接しており、この間に絶縁性樹脂の層を無くすことで、その層厚分、回路モジュールを低くすることができる。また、絶縁性樹脂と前記した各基板の温度膨張係数の差に起因するストレスを前記した両基板で分散することできる。
【００１１】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体で構成されている。
【００１２】
上記構成によれば、前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生し、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができる。
【００１３】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板の積層された基材のうちヤング率の最も小さな基材と、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品とが接することにより構成される。
【００１４】
上記構成によれば、回路モジュールの前記補助基板と前記電子部品あるいは前記絶縁性樹脂との間に蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収される。とくに、前記補助基板と前記電子部品、あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂の各接触面における摩擦によるストレスも軽減することができる。
【００１５】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板は凹部を備え、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが、前記凹部の底面で接することにより構成される。
【００１６】
上記構成によれば、最も背が高い電子部品と補助基板とは、該補助基板に形成された凹部の底面で接しているので、前記凹部の深さ分、回路モジュールを低背化することができる。
【００１７】
本発明による回路モジュールは、前記補助基板は貫通孔を備え、前記電子部品のうち最も背が高い電子部品は、前記貫通孔に嵌合して配置され、前記最も背が高い電子部品以外の電子部品のうち、少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することにより構成される。
【００１８】
上記構成によれば、前記貫通孔に電子部品を嵌合して配置することにより、さらに回路モジュールを低背化することが可能となる。
【００１９】
本発明による回路モジュールの製造方法は、複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、前記電子部品を覆い、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品に接して補助基板を載置する工程、前記集合基板と前記補助基板との間に絶縁性樹脂を充填する工程、前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、前記補助基板および前記絶縁性樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする。
【００２０】
上記製造方法によれば、回路モジュールは、最も背が高い電子部品と前記補助基板とが確実に接することで、製品高さは低く抑えられる。また、前記回路基板の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板を備えることで、絶縁性樹脂と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減できる。また、個品ごとの製造ではなく、集合基板の状態で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００２１】
本発明による回路モジュールの製造方法は、好ましくは、前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体であって、ヤング率の最も小さな基材が、前記補助基板の最外層を形成し、前記補助基板を配置する工程では、前記補助基板は、前記補助基板のヤング率の最も小さな基材が、前記回路基板側とは反対側を向くように配置され、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程の後、前記ヤング率の最も小さな基材を、前記補助基板から取り除く工程を具備する。
【００２２】
上記製造方法によれば、前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生し、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができ、工程における不良を減らす、蓄積されるストレスを低減することが可能となる。また、最終製品ではヤング率の小さな基材は取り除かれるので、製品を低背化することができる。
【００２３】
本発明による回路モジュールの製造方法は、好ましくは、複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、一方主面にダムを形成した支持板を用意し、前記ダムで囲まれた前記支持板の前記主面に補助基板を配置し、前記ダムの内側に絶縁性樹脂を充填する工程、前記集合基板の前記主面と前記電子部品を前記絶縁性樹脂に浸漬し、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して前記集合基板を載置する工程、前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、前記補助基板および前記硬化させた樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備する。
【００２４】
上記製造方法によれば、回路モジュール工程品への補助基板と絶縁性樹脂の供給を同時に行えるので、製造の効率化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、回路モジュールを低背化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態１に係る回路モジュールの説明図である。
【図２】本発明の実施形態２に係る回路モジュールの説明図である。
【図３】本発明の実施形態３に係る回路モジュールの説明図である。
【図４】本発明の実施形態４に係る回路モジュールの説明図である。
【図５】本発明の回路モジュールの第1の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図６】図５に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の回路モジュールの第２の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図８】図７に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の回路モジュールの第３の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図１０】図９に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図１１】従来の回路モジュール及びその製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本実施形態の回路モジュール１０の概略の分解斜視図（絶縁性樹脂１３などは図示せず）、図１（ｂ）は外観斜視図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＸ１−Ｘ１における断面図である。
【００２８】
本実施形態の回路モジュール１０は、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる回路基板１２、該回路基板１２の一方主面１２ａに半田１５により実装されたコンデンサ、抵抗、フィルタ、インダクタ、ＩＣ等の電子部品１６、１７、１８、該電子部品を覆う絶縁性樹脂１３を備える。また、回路モジュール１０は、絶縁性樹脂１３の上に、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる補助基板１１を有している。
【００２９】
補助基板１１は、図１（ｃ）に示すように、前記電子部品のうち、最も背が高い電子部品１６に接して、配置されている。
【００３０】
回路モジュール１０は、その製造工程やそれを搭載する電子機器の製造工程、さらに実使用及び環境の変化を経ることにより、外部より様々なストレスを受け、また、そのストレスは内部に蓄積されていくこととなる。とくに、回路モジュールに含まれる各材料の温度膨張係数の差に起因するストレスは、生産性及び信頼性上の大きな問題となる。
【００３１】
上記構成によれば、回路モジュール１０は、電子部品１６と補助基板１１とが接しており、この間のスペースを無くす（図１１（ａ）、（ｂ）の従来の回路モジュールでは、最も背が高い電子部品９２ｂと補助基板９７の間に、スペース９９が存在する）ことで、この厚み分、高さを低くすることが可能となる。また、この分の絶縁性樹脂の使用量を減らすことができので、コストダウンにもつながる。
【００３２】
また、回路基板１２の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１１を備えることで、絶縁性樹脂１３と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスを前記した両基板に分散することができ、特定箇所にストレスが集中することを防ぐことができる。その結果、工程不良を減らすことができ、また製品の信頼性を向上させることが可能となる。
（実施の形態２）
図２（ａ）は、本実施形態の回路モジュール２０の外観斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＸ２−Ｘ２における断面図である。
【００３３】
本実施形態の回路モジュール２０は、実施形態１の回路モジュール１０において、補助基板１１に替えて、基材２１とこの基材２１よりもヤング率の小さな基材２２とを積層した積層体を補助基板として用いたものである。この補助基板は、図２（ｂ）に示すように、基材２２と前記電子部品のうち最も背が高い電子部品１６とが、接して配置されている。なお、例えば、基材２１をセラミック、ガラスエポキシ樹脂とすると、ヤング率の小さな基材２２としては、ゴムやウレタン樹脂などの組み合わせがある。
【００３４】
上記構成によれば、前述した実施形態１の効果に加え、回路モジュール２０の前記補助基板と電子部品１６あるいは前記補助基板と絶縁性樹脂１３との間に発生、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材２２によって吸収され、いわゆる緩衝効果を持たせることが可能となる。
【００３５】
図２（ｃ）に示す回路モジュール２０ａのように、補助基板のヤング率の小さな基材２２は、電子部品とは接しない側に配置されても、回路モジュール２０と同様に基材２２によるストレス吸収の効果を得ることはできる。
【００３６】
但し、回路モジュール２０の方が、回路モジュール２０ａよりも、前記補助基板と前記電子部品、あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂の各接触面における表面摩擦モードのストレス低減効果は、より多く得ることができる。
【００３７】
緩衝のはたらきを持たせる基材２２は、基材２１の全面に形成されていても、あるいは一部に形成されていてもよい。また、積層体の積層数も、２層に限定するものではない。
（実施の形態３）
図３（ａ）は、本実施形態の回路モジュール３０の外観斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ３−Ｘ３における断面図、図３（ｃ）は、図３（ｂ）の○枠Ｙの箇所の拡大図である。
【００３８】
本実施形態の回路モジュール３０は、実施形態１の回路モジュール１０において、補助基板１１に替えて、深さｄ１の凹部３２を形成した補助基板３１を用い、この凹部３２の底面に、最も背が高い電子部品１６が接して、配置されている。
【００３９】
上記構成によれば、回路モジュール３０は、前述した回路モジュール１０よりも高さｄ１分、低背化することが可能となる。
【００４０】
なお、凹部は一つとは限らず、複数あって、複数の電子部品を各々凹部の底面に接して配置してもよい。
（実施の形態４）
図４（ａ）は本実施形態の回路モジュール４０の外観斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＸ４−Ｘ４における断面図である。
【００４１】
本実施形態の回路モジュール４０は、実施形態１の回路モジュール１０の補助基板１１に替えて、貫通孔４２を形成した補助基板４１を用い、この貫通孔４２に、最も背が高い電子部品１６が嵌合して配置され、２番目に背が高い電子部品１８が補助基板４１に接している。
【００４２】
上記構成によれば、回路モジュール４０は、前述した回路モジュール３０よりも、さらに低背化することが可能となる。
【００４３】
なお、貫通孔は一つとは限らず、複数あって、複数の電子部品を各々貫通孔に嵌合して配置することも可能である。
【００４４】
次いで、本発明の回路モジュールの製造方法について説明する。
（第1の製造方法）
図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ｄ）〜（ｅ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００４５】
まず、集合基板に電子部品を搭載する工程について説明する。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、集合基板１１１の一方主面１１１ａに電子部品１１２ａ、１１２ｂを実装する。電子部品は、例えばコンデンサ、コイル、抵抗などの受動素子や半導体素子（ＩＣ）であり、基板への接合は、半田付けやバンプによるフリップチップ接合、導電性ペーストを用いたダイボンド、ワイヤボンディング等により行われる。
【００４７】
次に、補助基板を載置する工程について説明する。
【００４８】
図５（ｂ）に示すように、補助基板１１３は、電子部品のうち最も背が高い電子部品１１２ｂに接して載置される。
【００４９】
次に、絶縁性樹脂を充填する工程について説明する。
【００５０】
図５（ｃ）に示すように、搭載された電子部品を囲むように集合基板１１１の上に、絶縁性樹脂を堰き止めるためのダム１１４を形成し、このダム１１４の内側に、前記電子部品を覆うように、絶縁性樹脂１１５を充填する。
【００５１】
次に、絶縁性樹脂を熱硬化させる工程について説明する。
【００５２】
図６（ｄ）に示すように、絶縁性樹脂１１５を、オーブンにて加熱し（図示せず）熱硬化させる。回路モジュールの工程品は、温度が上下する過程で、それを構成する部材の温度膨張係数の差によって、反りやうねりが生じやすいので、補助基板側から矢印の向きに加圧しながら、補助基板１１３と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら絶縁性樹脂の熱硬化を行う。
【００５３】
次に、集合基板から個々のモジュールに分割する工程について説明する。
【００５４】
図６（ｅ）に示すように、ダイシングブレード１１７によって、分割ライン１１６に沿って、補助基板１１３、絶縁性樹脂１１５を備えた集合基板１１１を切断、分割して、個々の回路モジュールを得る。
【００５５】
上記の製造方法によれば、前記回路モジュールは、電子部品１１２ｂと補助基板１１３とが接することで、製品高さは低く抑えられる。
【００５６】
また、回路基板１１１の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１１３を備えることで、絶縁性樹脂１１３と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減でき、信頼性を向上することができる。
【００５７】
また、個品単位の製造工程ではなく、集合基板で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００５８】
また、補助基板として、ヤング率の小さな基材を積層した積層体を用いてもよい。図６（ｄ）の前記補助基板側から加圧しながら温度を上下させる工程では、前記補助基板とこれに接する電子部品、前記補助基板と絶縁性樹脂の間に大きなストレスが生じる。このストレスを、ヤング率の小さな基材に吸収させることができ、不良発生を低減することが可能となる。
（第２の製造方法）
図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ｄ）〜（ｅ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００５９】
本製造方法は、第1の製造方法の補助基板１１３に替えて、基材１２３とこの基材１２３よりもヤング率の小さな基材１２２とを積層した積層体を補助基板として用いる。
【００６０】
集合基板に電子部品を搭載する工程は、図７（ａ）に示すように、第1の製造方法と同様である。
【００６１】
補助基板を載置する工程は、図７（ｂ）に示すように、前記補助基板の向きを、ヤング率の小さな基材１２２が前記電子部品と接する面とは反対側の面となるように、前記補助基板を載置する。
【００６２】
絶縁性樹脂を充填する工程は、図７（ｃ）に示すように、搭載された電子部品を囲むように集合基板１１１の上に、ダム１１４を形成し、このダム１１４の内側に、前記電子部品を覆うように、絶縁性樹脂１１５を充填する。
【００６３】
図８（ｄ）のモールド樹脂を熱硬化させる工程では、前記補助基板の基材１２２の面を矢印の向きに加圧しながら、前記補助基板と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら絶縁性樹脂の熱硬化を行う。
【００６４】
図８（ｅ）に示すように、ヤング率の最も小さな基材１２２を、基材１２３から剥離する。
【００６５】
最後に、第１の製造方法と同様に、集合基板から個々のモジュールに分割する加工を行う。（図は省略）
上記製造方法によれば、工程において、回路モジュールの前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができ、工程における不良を減らす、あるいは蓄積されるストレスを低減することが可能となる。また、最終製品ではヤング率の小さな基材は取り除かれるので、製品を低背化することができる。
（第３の製造方法）
図９（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｆ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００６６】
本製造方法では、支持板の一方主面にダムを形成し、そのダムで囲まれた支持板の前記主面に補助基板を配置し、その上に絶縁性樹脂を充填する工程を具備する。
【００６７】
本製造方法は、図９（ａ）の集合基板に電子部品を搭載する工程は、第1及び第２の製造方法と同様である。
【００６８】
次に、支持板の一方主面にダムを形成し、そのダムで囲まれた支持板の前記主面に補助基板を配置し、その上に絶縁性樹脂を充填する工程について、説明する。
【００６９】
図９（ｂ）に示すように、支持板１３１の一方主面にダム１３６を形成する。そして、ダム１３６で囲まれた支持板１３１の前記主面に補助基板１３３を配置し、さらにダム１３６の内側に、絶縁性樹脂１３５を充填する。
【００７０】
次に、絶縁性樹脂に電子部品を浸漬し、電子部品と補助基板とが接するように載置する工程について説明する。
【００７１】
図９（ｃ）に示すように、電子部品１１２ａ、１１２ｂを搭載した集合基板１１１の搭載面１１１ａ側を下にして、当図矢印の向きに、前記電子部品と回路基板１１１の搭載面１１１ａを絶縁性樹脂１３５に浸漬する。そして、図９（ｄ）に示すように、最も背が高い電子部品１１２ｂと補助基板１３３が接するように集合基板１１１を載置する。
【００７２】
次に、絶縁性樹脂を熱硬化させる工程について説明する。
【００７３】
図１０（ｅ）に示すように、絶縁性樹脂１３５を、オーブンにて加熱し（図示せず）、熱硬化させる。回路モジュールの工程品は、温度が上下する過程で、それを構成する部材の温度膨張係数の差によって、反りやうねりが生じやすいので、図６（ｄ）の矢印で示すように、集合基板１１１側から加圧しながら、補助基板１１３と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら、硬化を行う。
【００７４】
図１０（ｆ）に示すように、集合基板の状態として、最終のものが得られる。
【００７５】
最後に、第１及び第２の製造方法と同様に、集合基板から個々のモジュールに分割する加工を行う。（図は省略）
上記製造方法によれば、前記回路モジュールは、電子部品１１２ｂと補助基板１３３とが接することで、製品高さは低く抑えられる。
【００７６】
また、回路基板１１１の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１３３を備えることで、絶縁性樹脂１３５と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減でき、信頼性を向上することができる。
【００７７】
また、個品単位の製造工程ではなく、集合基板で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００７８】
さらに、図９（ｃ）で示すように、回路モジュール工程品への補助基板と絶縁性樹脂の供給を同時に行えるので、製造の効率化を図ることができる。
【００７９】
上記した製造方法の実施例は、補助基板と製造方法の組み合わせなど、これらに限るものではない。第３の製造方法に、緩衝効果の異なる基材を積層した積層体からなる補助基板や凹部や貫通孔を備える補助基板の構成のものを適用して製造することも可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１０ 回路モジュール
１１ 補助基板
１２ 回路基板
１３ 絶縁性樹脂
１７、１８、１９ 電子部品
２０ 回路モジュール
２１ 基材
２２ 基材
３０ 回路モジュール
３１ 補助基板
３２ 凹部
４０ 回路モジュール
４１ 補助基板
４２ 貫通孔
１１１ 集合基板
１１２ａ、１１２ｂ 電子部品
１１３ 補助基板
１１５ 絶縁性樹脂
１２２、１２３ 補助基板の基材
１３１ 支持板
１３３ 補助基板
１３５ 絶縁性樹脂
１３６ ダム
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に電子部品が搭載された回路モジュールとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の回路モジュールとしては、例えば、特許文献１に記載の図１１（ａ）に示すような回路モジュール９０が知られている。この回路モジュール９０は、回路基板９１の片面にだけ電子部品９２ａ、９２ｂ、・・が実装されている。この回路基板９１の片面と平行に補助基板９７が配置され、回路基板９１と補助基板９７の間に絶縁性樹脂９４が充填されて、前記電子部品が封止されている。
【０００３】
上記構成によれば、回路モジュール９０は、回路基板９１の温度膨張係数と略同じ温度膨張係数を有する補助基板９７を備えることで、絶縁性樹脂９４と回路基板の温度膨張係数の違いによるストレスを回路基板と補助基板の間で平均化し、合成樹脂と基板の温度膨張係数の違いを収斂できる。よって、回路モジュール９０は、反りやうねりを抑えることができ、かつ、その表面を平らにすることもできる。
【０００４】
また、この製造方法としては、図１１（ｂ）に示すように、冶具９８を用い、金属板端子９３、貫通孔９５を備えた基板９１と補助基板９７は配置され、電子部品９２ａ、９２ｂ、・・を覆うように、貫通孔９５から基板９１と補助基板９７の間に、絶縁性樹脂９４が充填される。その後、絶縁性樹脂９４を熱硬化し、回路モジュール９０を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１３００２２号報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような回路モジュール９０は、絶縁性樹脂９４が電子部品９２ａ、９２ｂ、・・のうち、最も背が高い電子部品９２ｂよりも高く形成されており、その上に補助基板９７が形成されている。そのために、補助基板９７の導入による反りやうねりの低減などの効果は得られるが、回路モジュール９０の背が高くなってしまうという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる実情に鑑み、補助基板を備えた回路モジュールであっても、高さを抑えることが可能な回路モジュールとその製造方法を提供しようというものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題を解決するために、以下のように構成した回路モジュール及びその製造方法を提供する。
【０００９】
本発明による回路モジュールは、回路基板と、前記回路基板の一方主面に搭載された複数の電子部品と、前記電子部品が搭載された前記回路基板の一方主面側に配置された補助基板と、前記回路基板と前記補助基板の間に形成された絶縁性樹脂を備える回路モジュールであって、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することにより構成されていることを特徴とする。
【００１０】
上記構成によれば、最も背が高い電子部品と補助基板とが接しており、この間に絶縁性樹脂の層を無くすことで、その層厚分、回路モジュールを低くすることができる。また、絶縁性樹脂と前記した各基板の温度膨張係数の差に起因するストレスを前記した両基板で分散することできる。
【００１１】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体で構成されている。
【００１２】
上記構成によれば、前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生し、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができる。
【００１３】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板の積層された基材のうちヤング率の最も小さな基材と、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品とが接することにより構成される。
【００１４】
上記構成によれば、回路モジュールの前記補助基板と前記電子部品あるいは前記絶縁性樹脂との間に蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収される。とくに、前記補助基板と前記電子部品、あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂の各接触面における摩擦によるストレスも軽減することができる。
【００１５】
本発明による回路モジュールは、好ましくは、前記補助基板は凹部を備え、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが、前記凹部の底面で接することにより構成される。
【００１６】
上記構成によれば、最も背が高い電子部品と補助基板とは、該補助基板に形成された凹部の底面で接しているので、前記凹部の深さ分、回路モジュールを低背化することができる。
【００１７】
本発明による回路モジュールは、前記補助基板は貫通孔を備え、前記電子部品のうち最も背が高い電子部品は、前記貫通孔に嵌合して配置され、前記最も背が高い電子部品以外の電子部品のうち、少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することにより構成される。
【００１８】
上記構成によれば、前記貫通孔に電子部品を嵌合して配置することにより、さらに回路モジュールを低背化することが可能となる。
【００１９】
本発明による回路モジュールの製造方法は、複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、前記電子部品を覆い、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品に接して補助基板を載置する工程、前記集合基板と前記補助基板との間に絶縁性樹脂を充填する工程、前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、前記補助基板および前記絶縁性樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする。
【００２０】
上記製造方法によれば、回路モジュールは、最も背が高い電子部品と前記補助基板とが確実に接することで、製品高さは低く抑えられる。また、前記回路基板の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板を備えることで、絶縁性樹脂と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減できる。また、個品ごとの製造ではなく、集合基板の状態で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００２１】
本発明による回路モジュールの製造方法は、好ましくは、前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体であって、ヤング率の最も小さな基材が、前記補助基板の最外層を形成し、前記補助基板を配置する工程では、前記補助基板は、前記補助基板のヤング率の最も小さな基材が、前記回路基板側とは反対側を向くように配置され、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程の後、前記ヤング率の最も小さな基材を、前記補助基板から取り除く工程を具備する。
【００２２】
上記製造方法によれば、前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生し、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができ、工程における不良を減らす、蓄積されるストレスを低減することが可能となる。また、最終製品ではヤング率の小さな基材は取り除かれるので、製品を低背化することができる。
【００２３】
本発明による回路モジュールの製造方法は、好ましくは、複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、一方主面にダムを形成した支持板を用意し、前記ダムで囲まれた前記支持板の前記主面に補助基板を配置し、前記ダムの内側に絶縁性樹脂を充填する工程、前記集合基板の前記主面と前記電子部品を前記絶縁性樹脂に浸漬し、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して前記集合基板を載置する工程、前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、前記補助基板および前記硬化させた樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備する。
【００２４】
上記製造方法によれば、回路モジュール工程品への補助基板と絶縁性樹脂の供給を同時に行えるので、製造の効率化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、回路モジュールを低背化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施形態１に係る回路モジュールの説明図である。
【図２】本発明の実施形態２に係る回路モジュールの説明図である。
【図３】本発明の実施形態３に係る回路モジュールの説明図である。
【図４】本発明の実施形態４に係る回路モジュールの説明図である。
【図５】本発明の回路モジュールの第1の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図６】図５に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の回路モジュールの第２の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図８】図７に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図９】本発明の回路モジュールの第３の製造方法に係る製造工程の断面図である。
【図１０】図９に示す製造工程に続く製造工程を示す断面図である。
【図１１】従来の回路モジュール及びその製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本実施形態の回路モジュール１０の概略の分解斜視図（絶縁性樹脂１３などは図示せず）、図１（ｂ）は外観斜視図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＸ１−Ｘ１における断面図である。
【００２８】
本実施形態の回路モジュール１０は、例えば、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる回路基板１２、該回路基板１２の一方主面１２ａに半田１５により実装されたコンデンサ、抵抗、フィルタ、インダクタ、ＩＣ等の電子部品１６、１７、１８、該電子部品を覆う絶縁性樹脂１３を備える。また、回路モジュール１０は、絶縁性樹脂１３の上に、セラミック、ガラスエポキシ樹脂等からなる補助基板１１を有している。
【００２９】
補助基板１１は、図１（ｃ）に示すように、前記電子部品のうち、最も背が高い電子部品１６に接して、配置されている。
【００３０】
回路モジュール１０は、その製造工程やそれを搭載する電子機器の製造工程、さらに実使用及び環境の変化を経ることにより、外部より様々なストレスを受け、また、そのストレスは内部に蓄積されていくこととなる。とくに、回路モジュールに含まれる各材料の温度膨張係数の差に起因するストレスは、生産性及び信頼性上の大きな問題となる。
【００３１】
上記構成によれば、回路モジュール１０は、電子部品１６と補助基板１１とが接しており、この間のスペースを無くす（図１１（ａ）、（ｂ）の従来の回路モジュールでは、最も背が高い電子部品９２ｂと補助基板９７の間に、スペース９９が存在する）ことで、この厚み分、高さを低くすることが可能となる。また、この分の絶縁性樹脂の使用量を減らすことができので、コストダウンにもつながる。
【００３２】
また、回路基板１２の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１１を備えることで、絶縁性樹脂１３と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスを前記した両基板に分散することができ、特定箇所にストレスが集中することを防ぐことができる。その結果、工程不良を減らすことができ、また製品の信頼性を向上させることが可能となる。
（実施の形態２）
図２（ａ）は、本実施形態の回路モジュール２０の外観斜視図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＸ２−Ｘ２における断面図である。
【００３３】
本実施形態の回路モジュール２０は、実施形態１の回路モジュール１０において、補助基板１１に替えて、基材２１とこの基材２１よりもヤング率の小さな基材２２とを積層した積層体を補助基板として用いたものである。この補助基板は、図２（ｂ）に示すように、基材２２と前記電子部品のうち最も背が高い電子部品１６とが、接して配置されている。なお、例えば、基材２１をセラミック、ガラスエポキシ樹脂とすると、ヤング率の小さな基材２２としては、ゴムやウレタン樹脂などの組み合わせがある。
【００３４】
上記構成によれば、前述した実施形態１の効果に加え、回路モジュール２０の前記補助基板と電子部品１６あるいは前記補助基板と絶縁性樹脂１３との間に発生、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材２２によって吸収され、いわゆる緩衝効果を持たせることが可能となる。
【００３５】
図２（ｃ）に示す回路モジュール２０ａのように、補助基板のヤング率の小さな基材２２は、電子部品とは接しない側に配置されても、回路モジュール２０と同様に基材２２によるストレス吸収の効果を得ることはできる。
【００３６】
但し、回路モジュール２０の方が、回路モジュール２０ａよりも、前記補助基板と前記電子部品、あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂の各接触面における表面摩擦モードのストレス低減効果は、より多く得ることができる。
【００３７】
緩衝のはたらきを持たせる基材２２は、基材２１の全面に形成されていても、あるいは一部に形成されていてもよい。また、積層体の積層数も、２層に限定するものではない。
（実施の形態３）
図３（ａ）は、本実施形態の回路モジュール３０の外観斜視図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＸ３−Ｘ３における断面図、図３（ｃ）は、図３（ｂ）の○枠Ｙの箇所の拡大図である。
【００３８】
本実施形態の回路モジュール３０は、実施形態１の回路モジュール１０において、補助基板１１に替えて、深さｄ１の凹部３２を形成した補助基板３１を用い、この凹部３２の底面に、最も背が高い電子部品１６が接して、配置されている。
【００３９】
上記構成によれば、回路モジュール３０は、前述した回路モジュール１０よりも高さｄ１分、低背化することが可能となる。
【００４０】
なお、凹部は一つとは限らず、複数あって、複数の電子部品を各々凹部の底面に接して配置してもよい。
（実施の形態４）
図４（ａ）は本実施形態の回路モジュール４０の外観斜視図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＸ４−Ｘ４における断面図である。
【００４１】
本実施形態の回路モジュール４０は、実施形態１の回路モジュール１０の補助基板１１に替えて、貫通孔４２を形成した補助基板４１を用い、この貫通孔４２に、最も背が高い電子部品１６が嵌合して配置され、２番目に背が高い電子部品１８が補助基板４１に接している。
【００４２】
上記構成によれば、回路モジュール４０は、前述した回路モジュール３０よりも、さらに低背化することが可能となる。
【００４３】
なお、貫通孔は一つとは限らず、複数あって、複数の電子部品を各々貫通孔に嵌合して配置することも可能である。
【００４４】
次いで、本発明の回路モジュールの製造方法について説明する。
（第1の製造方法）
図５（ａ）〜（ｃ）、図６（ｄ）〜（ｅ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００４５】
まず、集合基板に電子部品を搭載する工程について説明する。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、集合基板１１１の一方主面１１１ａに電子部品１１２ａ、１１２ｂを実装する。電子部品は、例えばコンデンサ、コイル、抵抗などの受動素子や半導体素子（ＩＣ）であり、基板への接合は、半田付けやバンプによるフリップチップ接合、導電性ペーストを用いたダイボンド、ワイヤボンディング等により行われる。
【００４７】
次に、補助基板を載置する工程について説明する。
【００４８】
図５（ｂ）に示すように、補助基板１１３は、電子部品のうち最も背が高い電子部品１１２ｂに接して載置される。
【００４９】
次に、絶縁性樹脂を充填する工程について説明する。
【００５０】
図５（ｃ）に示すように、搭載された電子部品を囲むように集合基板１１１の上に、絶縁性樹脂を堰き止めるためのダム１１４を形成し、このダム１１４の内側に、前記電子部品を覆うように、絶縁性樹脂１１５を充填する。
【００５１】
次に、絶縁性樹脂を熱硬化させる工程について説明する。
【００５２】
図６（ｄ）に示すように、絶縁性樹脂１１５を、オーブンにて加熱し（図示せず）熱硬化させる。回路モジュールの工程品は、温度が上下する過程で、それを構成する部材の温度膨張係数の差によって、反りやうねりが生じやすいので、補助基板側から矢印の向きに加圧しながら、補助基板１１３と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら絶縁性樹脂の熱硬化を行う。
【００５３】
次に、集合基板から個々のモジュールに分割する工程について説明する。
【００５４】
図６（ｅ）に示すように、ダイシングブレード１１７によって、分割ライン１１６に沿って、補助基板１１３、絶縁性樹脂１１５を備えた集合基板１１１を切断、分割して、個々の回路モジュールを得る。
【００５５】
上記の製造方法によれば、前記回路モジュールは、電子部品１１２ｂと補助基板１１３とが接することで、製品高さは低く抑えられる。
【００５６】
また、回路基板１１１の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１１３を備えることで、絶縁性樹脂１１３と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減でき、信頼性を向上することができる。
【００５７】
また、個品単位の製造工程ではなく、集合基板で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００５８】
また、補助基板として、ヤング率の小さな基材を積層した積層体を用いてもよい。図６（ｄ）の前記補助基板側から加圧しながら温度を上下させる工程では、前記補助基板とこれに接する電子部品、前記補助基板と絶縁性樹脂の間に大きなストレスが生じる。このストレスを、ヤング率の小さな基材に吸収させることができ、不良発生を低減することが可能となる。
（第２の製造方法）
図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ｄ）〜（ｅ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００５９】
本製造方法は、第1の製造方法の補助基板１１３に替えて、基材１２３とこの基材１２３よりもヤング率の小さな基材１２２とを積層した積層体を補助基板として用いる。
【００６０】
集合基板に電子部品を搭載する工程は、図７（ａ）に示すように、第1の製造方法と同様である。
【００６１】
補助基板を載置する工程は、図７（ｂ）に示すように、前記補助基板の向きを、ヤング率の小さな基材１２２が前記電子部品と接する面とは反対側の面となるように、前記補助基板を載置する。
【００６２】
絶縁性樹脂を充填する工程は、図７（ｃ）に示すように、搭載された電子部品を囲むように集合基板１１１の上に、ダム１１４を形成し、このダム１１４の内側に、前記電子部品を覆うように、絶縁性樹脂１１５を充填する。
【００６３】
図８（ｄ）のモールド樹脂を熱硬化させる工程では、前記補助基板の基材１２２の面を矢印の向きに加圧しながら、前記補助基板と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら絶縁性樹脂の熱硬化を行う。
【００６４】
図８（ｅ）に示すように、ヤング率の最も小さな基材１２２を、基材１２３から剥離する。
【００６５】
最後に、第１の製造方法と同様に、集合基板から個々のモジュールに分割する加工を行う。（図は省略）
上記製造方法によれば、工程において、回路モジュールの前記補助基板と前記電子部品あるいは前記補助基板と前記絶縁性樹脂との間に発生、蓄積されるストレスは、ヤング率の小さな基材によって吸収することができ、工程における不良を減らす、あるいは蓄積されるストレスを低減することが可能となる。また、最終製品ではヤング率の小さな基材は取り除かれるので、製品を低背化することができる。
（第３の製造方法）
図９（ａ）〜（ｄ）、図８（ｅ）〜（ｆ）は、本製造方法に係る回路モジュールの製造工程の断面図である。
【００６６】
本製造方法では、支持板の一方主面にダムを形成し、そのダムで囲まれた支持板の前記主面に補助基板を配置し、その上に絶縁性樹脂を充填する工程を具備する。
【００６７】
本製造方法は、図９（ａ）の集合基板に電子部品を搭載する工程は、第1及び第２の製造方法と同様である。
【００６８】
次に、支持板の一方主面にダムを形成し、そのダムで囲まれた支持板の前記主面に補助基板を配置し、その上に絶縁性樹脂を充填する工程について、説明する。
【００６９】
図９（ｂ）に示すように、支持板１３１の一方主面にダム１３６を形成する。そして、ダム１３６で囲まれた支持板１３１の前記主面に補助基板１３３を配置し、さらにダム１３６の内側に、絶縁性樹脂１３５を充填する。
【００７０】
次に、絶縁性樹脂に電子部品を浸漬し、電子部品と補助基板とが接するように載置する工程について説明する。
【００７１】
図９（ｃ）に示すように、電子部品１１２ａ、１１２ｂを搭載した集合基板１１１の搭載面１１１ａ側を下にして、当図矢印の向きに、前記電子部品と回路基板１１１の搭載面１１１ａを絶縁性樹脂１３５に浸漬する。そして、図９（ｄ）に示すように、最も背が高い電子部品１１２ｂと補助基板１３３が接するように集合基板１１１を載置する。
【００７２】
次に、絶縁性樹脂を熱硬化させる工程について説明する。
【００７３】
図１０（ｅ）に示すように、絶縁性樹脂１３５を、オーブンにて加熱し（図示せず）、熱硬化させる。回路モジュールの工程品は、温度が上下する過程で、それを構成する部材の温度膨張係数の差によって、反りやうねりが生じやすいので、図６（ｄ）の矢印で示すように、集合基板１１１側から加圧しながら、補助基板１１３と電子部品１１２ｂとの接触を保持しながら、硬化を行う。
【００７４】
図１０（ｆ）に示すように、集合基板の状態として、最終のものが得られる。
【００７５】
最後に、第１及び第２の製造方法と同様に、集合基板から個々のモジュールに分割する加工を行う。（図は省略）
上記製造方法によれば、前記回路モジュールは、電子部品１１２ｂと補助基板１３３とが接することで、製品高さは低く抑えられる。
【００７６】
また、回路基板１１１の温度膨張係数と同程度の温度膨張係数を有する補助基板１３３を備えることで、絶縁性樹脂１３５と前記した各基板との温度膨張係数の差に起因するストレスは両基板に分散され、製品の反りやうねり、寸法ばらつき、不良の発生を低減でき、信頼性を向上することができる。
【００７７】
また、個品単位の製造工程ではなく、集合基板で大半の工程が進められるので、生産性が高く、コストダウンが可能となる。
【００７８】
さらに、図９（ｃ）で示すように、回路モジュール工程品への補助基板と絶縁性樹脂の供給を同時に行えるので、製造の効率化を図ることができる。
【００７９】
上記した製造方法の実施例は、補助基板と製造方法の組み合わせなど、これらに限るものではない。第３の製造方法に、緩衝効果の異なる基材を積層した積層体からなる補助基板や凹部や貫通孔を備える補助基板の構成のものを適用して製造することも可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１０ 回路モジュール
１１ 補助基板
１２ 回路基板
１３ 絶縁性樹脂
１７、１８、１９ 電子部品
２０ 回路モジュール
２１ 基材
２２ 基材
３０ 回路モジュール
３１ 補助基板
３２ 凹部
４０ 回路モジュール
４１ 補助基板
４２ 貫通孔
１１１ 集合基板
１１２ａ、１１２ｂ 電子部品
１１３ 補助基板
１１５ 絶縁性樹脂
１２２、１２３ 補助基板の基材
１３１ 支持板
１３３ 補助基板
１３５ 絶縁性樹脂
１３６ ダム
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、前記回路基板の一方主面に搭載された複数の電子部品と、前記電子部品が搭載された前記回路基板の一方主面側に配置された補助基板と、前記回路基板と前記補助基板の間に形成された絶縁性樹脂を備える回路モジュールであって、
前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体であることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記補助基板の積層された基材のうち緩衝効果の最も高い基材と、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品とが接することを特徴とする請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記補助基板は凹部を備え、
前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが、前記凹部の底面で接することを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記補助基板は貫通孔を備え、
前記電子部品のうち最も背が高い電子部品は、前記貫通孔に嵌合して配置され、
前記最も背が高い電子部品以外の電子部品のうち、少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか1項に記載の回路モジュール。
【請求項６】
複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、
前記電子部品を覆い、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品に接して補助基板を載置する工程、
前記集合基板と前記補助基板との間に絶縁性樹脂を充填する工程、
前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、
前記補助基板および前記絶縁性樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記補助基板は、緩衝効果の異なる複数の基材を積層した積層体であって、緩衝効果の最も高い基材が、前記補助基板の最外層を形成し、
前記補助基板を配置する工程では、前記補助基板は、前記補助基板の緩衝効果の最も高い基材が、前記回路基板側とは反対側を向くように配置され、
前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程の後、前記緩衝効果の最も高い基材を、前記補助基板から取り除く工程を具備する請求項６に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、
一方主面にダムを形成した支持板を用意し、前記ダムで囲まれた前記支持板の前記主面に補助基板を配置し、前記ダムの内側に絶縁性樹脂を充填する工程、
前記集合基板の前記主面と前記電子部品を前記絶縁性樹脂に浸漬し、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して前記集合基板を載置する工程、
前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、
前記補助基板および前記硬化させた樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項１】
回路基板と、前記回路基板の一方主面に搭載された複数の電子部品と、前記電子部品が搭載された前記回路基板の一方主面側に配置された補助基板と、前記回路基板と前記補助基板の間に形成された絶縁性樹脂を備える回路モジュールであって、
前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記補助基板は、ヤング率の異なる複数の基材を積層した積層体であることを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記補助基板の積層された基材のうち緩衝効果の最も高い基材と、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品とが接することを特徴とする請求項２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記補助基板は凹部を備え、
前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが、前記凹部の底面で接することを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項５】
前記補助基板は貫通孔を備え、
前記電子部品のうち最も背が高い電子部品は、前記貫通孔に嵌合して配置され、
前記最も背が高い電子部品以外の電子部品のうち、少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とが接することを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか1項に記載の回路モジュール。
【請求項６】
複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、
前記電子部品を覆い、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品に接して補助基板を載置する工程、
前記集合基板と前記補助基板との間に絶縁性樹脂を充填する工程、
前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、
前記補助基板および前記絶縁性樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【請求項７】
前記補助基板は、緩衝効果の異なる複数の基材を積層した積層体であって、緩衝効果の最も高い基材が、前記補助基板の最外層を形成し、
前記補助基板を配置する工程では、前記補助基板は、前記補助基板の緩衝効果の最も高い基材が、前記回路基板側とは反対側を向くように配置され、
前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程の後、前記緩衝効果の最も高い基材を、前記補助基板から取り除く工程を具備する請求項６に記載の回路モジュールの製造方法。
【請求項８】
複数の個基板を有する集合基板の一方主面上に、電子部品を搭載する工程、
一方主面にダムを形成した支持板を用意し、前記ダムで囲まれた前記支持板の前記主面に補助基板を配置し、前記ダムの内側に絶縁性樹脂を充填する工程、
前記集合基板の前記主面と前記電子部品を前記絶縁性樹脂に浸漬し、前記電子部品のうち少なくとも一つの電子部品と前記補助基板とを接して前記集合基板を載置する工程、
前記補助基板と前記電子部品のうち個基板当たり少なくとも一つの電子部品とを接触させながら、前記絶縁性樹脂を熱硬化させる工程、
前記補助基板および前記硬化させた樹脂を備えた前記集合基板を個々の回路モジュールに分割する工程を具備することを特徴とする回路モジュールの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−１２４４０７（Ｐ２０１２−１２４４０７Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７５５８３（Ｐ２０１０−２７５５８３）
【出願日】平成２２年１２月１０日（２０１０．１２．１０）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月１０日（２０１０．１２．１０）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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