回路基板の製造方法
【課題】めっき加工後に独立回路を形成する場合にも、めっきレジストのはみ出しによるめっき断線、めっきかけ(めっき領域の欠落)を防ぐ。
【解決手段】そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層１１ａを形成する工程と、前記下地層１１ａのうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭１２を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物３０を充填する工程と、前記下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層１１ｂを形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、全面エッチングにより、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む。
【解決手段】そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層１１ａを形成する工程と、前記下地層１１ａのうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭１２を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物３０を充填する工程と、前記下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層１１ｂを形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、全面エッチングにより、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に係り、特に、立体回路基板などの回路基板への配線パターンの形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材の表面に回路部を形成することによって回路基板を製造するにあたって、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域にレーザ等を照射することによってこの箇所にめっきがおこなわれないように処理し、そしてこの後に回路形成用のめっきを施すようにした技術が提案されている。
【０００３】
しかしながら、これらの技術においては、非回路部となる領域全面にめっきがなされないように、レーザや紫外線などを非回路部の領域全面に照射するようにしている。
このため非回路部となる領域全面にレーザなどを照射しようとすると照射処理時間が長くなり、回路基板の生産性が低下するという問題があった。
【０００４】
そこで、本出願人は、めっき用の下地層を絶縁性基材の全面に形成した後、回路部と非回路部の境界領域に、レーザなどの電磁波を照射することによって、非照射部を残して下地層を選択的に除去する。そして、電気めっきにより、非照射部の下地層の内、回路部となる部分に給電し、電界をかけることで、選択的にめっきを施したのちに、非回路部の下地層をエッチング除去するという方法を提案している（特許文献１）。
【０００５】
しかしながら、電気的に分離された複数の独立回路を形成する場合、個々の独立回路に対応する下地層に電気めっきのためだけにそれぞれ給電のための回路をそれぞれ形成するのは困難である。そこで、回路部を分離して独立回路を形成するために、基材表面に凹部を形成しこの凹部に被覆材を通過させて、下地層を形成し、めっき層形成後に被覆材上の通過部を被覆材の少なくとも一部と共に除去することで、回路パターンの切り離しを行うようにしたものも提案されている（特許文献２）。
【０００６】
また、回路部を分離して独立回路を形成するために、基材表面に凸部を形成しこの凸部に被覆材を通過させて、下地層を形成し、めっき層形成後に被覆材上の通過部を被覆材の少なくとも一部と共に除去することで、回路パターンの切り離しを行うようにしたものも提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３１５６８２号公報
【特許文献２】特許第４１３１０９４号公報
【特許文献３】特許第４２０７３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、特許文献１の方法では、回路部に囲まれた内側領域に独立回路を形成するには、個々の独立回路に相当する領域の下地層にそれぞれ給電回路を設けて給電する必要があるため、製造が困難である。また、給電回路が回路パターン設計の制約となることがある。また、一体的に回路部を形成してからこの回路部をパターニングし、独立回路を形成する方法も考えられる。このように回路部を一体形成した後に、独立回路を形成しようとすると、めっき層の形成後に、レジストパターンを塗布し、選択的にめっき層及び下地層を除去する必要がある。この場合に、レジストが濡れ拡がり、不要部分まで覆ってしまい、めっき断線やかけを生じることがある。
【０００９】
一方、特許文献２及び３の方法では、回路部に囲まれた内側領域にも独立回路を形成することはできるが、めっき後に回路部を構成するめっき層及び下地層の一部を除去して、独立回路を形成する際に、回路が剥離したり、めっき加工後に加工ばりが発生したりするという問題があった。
【００１０】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、基板上に、めっき加工によって複数の独立回路を形成する場合にも、容易に高精度の回路パターンを有する回路部を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層を形成する工程と、前記下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物を充填する工程と、前記下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
この構成によれば、凹部に絶縁性の充填物を充填し、めっき後にこの充填物を除去し、全面エッチングを行うことで、めっきかけやバリの発生もなく、極めて効率よく、めっき層パターンからなる回路パターンを形成することが可能となる。ここで下地層の除去は、充填物除去後に全面エッチングを行うようにすればよい。また、めっき工程で非回路部を陽極となるように接続することで、非回路部はエッチングされ、回路部に選択的にめっき層が形成するようにすることも可能である。
【００１２】
この充填物が、凹部に嵌合するように配される絶縁性樹脂の成型体で構成されていれば、凹部に嵌合することで、容易に装着でき、取扱が簡単である。
また、この充填物は、弾性体で構成することで、凹部への着脱が容易であり、かつ、めっき液の回り込みを防ぐことができる。
【００１３】
さらに、この充填物として、レジストを凹部に充填し硬化させることで、より密着性よく下地層を被覆することができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００１４】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の側壁が前記回路基板表面に対して垂直となるように形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、凹部の側壁が回路基板表面に対して垂直であるため、はずれないように強固に充填物をはめ込むことができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００１５】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部が前記充填物を係止する凸部を有するように形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、凸部によって充填物が係止される。
【００１６】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の底部に溝を有する絶縁性基材を用意する工程であるものを含む。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止される。
【００１７】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の開口縁に切り欠きを有する絶縁性基材を用意する工程であるものを含む。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止される。
【００１８】
また、絶縁性基材としては樹脂基板を用いてもよい。射出成型により、精度よく凹部が形成でき、形成された凹部に下地層を形成し、この上層にめっき層を形成すればよい。
【００１９】
さらにまた、絶縁性基材としてはセラミック基板を用いてもよい。セラミック基板を用いることで、安定で放熱性に優れた回路基板を提供することができる。またセラミックグリーンシートを用いることで、容易に形成可能である。また複数段の段差を有する凹部を形成することができ、このような複数段の段差表面上にめっき層を形成することも可能である。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明してきたように、本発明によれば、回路部に囲まれた領域に独立回路を形成するに際し、断線やかけのない回路パターンをもつ基板をより効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において凹部を有するセラミック基板を形成した状態を示す斜視図
【図２】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において下地層を形成した状態を示す斜視図
【図３】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において輪郭を除去した状態を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において絶縁物を充填した状態を示す斜視図
【図５】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程においてめっき層を形成した状態を示す斜視図
【図６】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程においてめっき層形成後に充填物を除去した状態を示す斜視図
【図７】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において全面エッチングにより下地層を除去した状態を示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図９】本発明の実施の形態２の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図１０】本発明の実施の形態２の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１１】本発明の実施の形態３の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図１２】本発明の実施の形態３の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１３】本発明の実施の形態４の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する
【図１４】本発明の実施の形態４の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１５】本発明の実施の形態５の回路基板の製造工程における凹部を示す要部説明図
【図１６】本発明の実施の形態５の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部説明図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１乃至７は本発明の実施の形態１の回路基板の製造方法を示す図である。ここで、凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板とは、凹部を有する樹脂基板を用いている。
本実施の形態の回路基板の製造方法は、図１乃至図７に製造工程図を示すように、絶縁性基材１０として、射出成形により凹部２０を形成したセラミック基板を用意し（図１）、この表面に下地層１１ａを形成する（図２）。そして続いて、これら下地層１１ａのうち、回路部ＲＣと、回路部ＲＣの絶縁部となる非回路部ＲＮの境界領域ＲＢを選択的に除去し、輪郭１２を形成する（図３）。この後、凹部２０に絶縁性の充填物３０としてウレタン樹脂からなる弾性体を充填する（図４）。そして下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層を形成する（図５）。この充填物３０を除去し（図６）、全面エッチングにより、表面に露呈する下地層を除去する（図７）。なお凹部２０は図８に断面図を示すようにテーパ状の側壁を有する。
【００２４】
次に、各工程について詳細に説明する。
基材１０としてはポリイミド、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料によって形成したものを用いる。なお、図１に示すように平板状の基板の他に、三次元立体形状に成形したものなどを用いる。そしてまず表面に凹部２０を有する絶縁性基材１０を用意し、この表面をプラズマ処理して微細な凹凸を付与する粗面化処理を施す。
【００２５】
そして、図２に示すように、絶縁性基材１０の表面全体に下地層１１ａとして薄い金属膜を設ける。下地層１１ａの形成は、絶縁性基材１０の表面にスパッタリングを行うことで、実現する。ここでは例えば下地層１１ａとしては、膜厚０．１〜２μｍ程度のクロム薄膜をスパッタリング法で形成する。
【００２６】
なお、前記実施の形態では、下地層の形成にスパッタリング法を用いたが、スパッタリングのほか、触媒を付与した後に無電解めっきをおこなったり、ＣＶＤやＰＶＤなど、任意の方法で形成することができる。また下地層の材料としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｇ等があり、スパッタリングをおこなって形成する場合には、薄い下地層１１ａを形成する。また、下地層１１ａはめっき用触媒やめっき用触媒の化合物を絶縁性基材１０の表面に付着させることによっても形成することができる。
【００２７】
次に、図３に示すように、絶縁性基材１０の表面にレーザ等の電磁波を照射して電磁波を照射した部分の薄い下地層１１ａを除去する。電磁波としてはレーザの他に、Ｘ線や紫外線等を用いることができるが、レーザが最も好適である。従って、以下主として電磁波としてレーザを用いる。このレーザとしては例えばＱスイッチＹＡＧレーザを用いることができる。ガルバノミラー等で操作することによってレーザを絶縁性基材１０の表面に移動させつつ照射する。ガルバノミラーはガルバノメータを用いて角度可変に形成したミラーであり、高速でビーム移動が可能であると共にレーザスポット径も数十μｍを得ることが可能である。またレーザの照射は、絶縁性基材１０の表面のうち回路部ＲＣを形成する箇所である回路部以外の部分、すなわち回路部ＲＣ間の絶縁スペースとなる非回路部ＲＮにおいておこなわれる。非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域ＲＢに非回路部ＲＮのパターンに沿ってレーザを移動（走査）させながら照射することによって、非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域の下地層１１ａを除去する。このようにして図３に示すように、非回路部ＲＮの下地層１１ａのうち、レーザの照射部である回路部ＲＣとの境界領域ＲＢの下地層１１ａは除去され、非回路部ＲＮの下地層１１ａのうちレーザの非照射部は、回路部ＲＣの下地層１１ａと共に除去されずに残されることになる。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、下地層１１ａと共に絶縁性基材１０の表面部を同時に除去するようにしてもよい。ここで、非回路部ＲＮの幅が照射レーザのスポット径と同等の場合には、非回路部ＲＮに沿ってレーザを１回照射するようにするのがよい。
【００２８】
このようにして絶縁性基材１０の非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域にレーザを照射した後、図４に示すように凹部２０を覆うように、充填物３０を装着する。そして回路部ＲＣの下地層１１ａに給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬することによって、回路部ＲＣの下地層１１ａに銅などのめっき層１１ｂを１０μｍ程度の厚みで析出させ、図５に示すようにパターン形状の回路を形成する。非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａには通電されていないので、非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａにはめっき層１１ｂは設けられない。
【００２９】
このように回路部ＲＣの下地層１１ａに電気めっきをして回路形成した後、図６に示すように充填物３０を除去し、全面ソフトエッチングにより図７に示すように、非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａをエッチング除去する。そして最後に必要に応じてソルダーレジスト、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを施すことによって、回路基板として仕上げることができる。
【００３０】
このようにして回路基板を製造するにあたり、不要部に充填物を充填し、めっき層形成のマスクとして用いているため、めっき層形成後、簡単に除去することができ、端面にバリが発生したりすることもなく、まためっきかけの発生もなく良好な回路パターンを形成することができる。また、この方法によれば、レーザの照射は絶縁性基材１０の表面の非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界線に沿っておこなっているだけであり、非回路部ＲＮの全面にレーザを走査させて照射する必要はない。従って、非回路部ＲＮの広い領域の全面にレーザを描画して照射する場合に比べてレーザの照射処理時間を短縮することができ、回路基板の生産性を高めることが可能になる。また、回路形成のためのめっきは、回路を作製するために必要な回路部ＲＣにおいてのみおこなわれ、不要な非回路部ＲＮにまではめっきがおこなわれないため、めっき金属等のめっき材料の無駄が少なくなり経済的に有利となる。
【００３１】
ここで、回路部ＲＣの下地層１１ａのうち、給電電極に接続された下地層１１ａから独立して設けられている下地層がある場合、この下地層には電気めっきの際の給電をおこなうことができない。そこで本実施の形態では、下地層１１ａを凹部２０内で接続しておき、この凹部２０を充填物３０で覆い、下地層１１ａに給電しながら電気めっきをおこなうことによって、めっき層１１ｂを形成することができるものである。そして充填物を除去した後、ソフトエッチングにより、表面に露呈する下地層１１ａをエッチング除去し、回路部を形成するものである。
なお充填物３０は、弾性体で構成するのが望ましい。これにより、凹部への着脱が容易であり、かつ、めっき液の回り込みを防ぐことができる。
【００３２】
さらにまた、この充填物として、レジストを凹部に充填し硬化させることで、より密着性よく下地層を被覆することができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００３３】
またこの方法において、ここで下地層の除去は、充填物除去後に全面エッチングを行うようにしたが、全面エッチングを行わないようにすることも可能である。また、めっき工程で非回路部を陽極となるように接続することで、非回路部はエッチングされ、回路部に選択的にめっき層が形成されるようにしてもよい。この点については後述する。
【００３４】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、凹部２０の側壁２０Ｓを図８に示すように、テーパ面で構成したが、図９に示すように断面垂直の側壁２０Ｓを形成するようにしてもよい。このとき図１０に示すように、側壁２０Ｓの高さよりも厚い充填物３０を嵌合させることで、より確実なパターン形成が可能となる。
この構成によれば、充填物がはずれないように強固にはめ込むことができ、不要部へのめっき層が形成されるのを防止することができる。
【００３５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１１に示すように、凹部２０の底面に、充填物３０を係止する凸部１６を形成しておくようにし、めっき工程に先立ち図１２に示すように、凹部２０に充填物３０が充填され凸部１６に係合されるようにしている。
この構成によれば、凸部１６によって充填物が係止され、めっき液の回り込みを低減することができ、信頼性の高い回路部を形成することができる。
【００３６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１３に示すように、凹部２０は底部に充填物３０を係止するための溝１８を形成しておくようにし、めっき工程に先立ち、図１４に示すように、凹部２０に、充填物３０が係合されるようにしている。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止され、めっき液の回り込みを低減することができ、信頼性の高い回路部を形成することができる。
【００３７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１５に示すように、凹部２０は、その開口縁に切り欠き１３を有するようにしてもよい。
この構成によれば、図１６に示すように、凹部２０の開口縁に形成された切り欠き１３をつかむことで、充填物３０の除去が容易となる。
【００３８】
なお、前記実施の形態では、レーザ等の電磁波を照射して輪郭を形成した後に、下地層１１ａとしての金属層上にめっき層１１ｂを設けるにあたり、下地層１１ａの金属とめっき層１１ｂの金属とが異種の金属である場合、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬して電気めっきをおこなう際に下地層１１ａの金属が電気めっき浴に溶出し、電気めっき浴が汚染されるおそれがある。そこでこの場合には、下地層１１ａとめっき層１１ｂとを同種の金属で形成するようにするのが望ましい。例えば、下地層１１ａとしてＣｕをスパッタリングすることによって厚み０．１〜２μｍ程度の薄いＣｕ層を形成し、次に絶縁性基材１０の表面の非回路部ＲＮの少なくとも回路部ＲＣとの境界領域にレーザを照射した後、下地層１１ａに給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気銅めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬することによって、下地層１１ａに銅などの電気めっき層１１ｂを１０μｍ程度の厚みで析出させ、所望のパターン形状の回路を形成することができる。
【００３９】
この場合、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬して下地層１１ａ上に電気めっきをおこなうにあたり、下地層１１ａの金属は電気めっき浴に溶解しているめっき金属と同じ金属であるため、非回路部ＲＮの下地層１１ａが電気めっき浴に溶け出しても、電気めっき浴が異種金属によって汚染されるようなことがなく、むしろ非回路部ＲＮの下地層１１ａから電気めっき浴に溶出する金属はめっき金属として補充されることになり、電気めっきの経済性を高めることができる。
【００４０】
また、このように電気めっきをおこなう際に、回路部ＲＣの下地層１１ａに陰極を接続すると共に非回路部ＲＮの下地層１１ａに陽極を接続して、電気めっき浴に浸漬することで、回路部ＲＣの下地層１１ａ上には陰極からの給電でめっき層１１ｂが析出すると共に、非回路部ＲＮの下地層１１ａは陽極からの給電で電気めっき浴に積極的に溶出させることができる。この場合は、前記実施の形態の場合のようにライトエッチングをおこなう必要はなく、非回路部ＲＮの下地層１１ａを溶解除去することができる。
【００４１】
従って最後に、充填物３０を除去してから、凹部２０内に露呈する下地層１１ａをエッチング除去するようにすればよい。また、充填物として樹脂成型体に代えて、レジストを用いてもよい。
【００４２】
レジストの場合はめっき後に、アッシングなどでレジストの一部を蒸発させ、膜厚を減じ、凹部の開口縁に露呈する下地層１１ａをエッチング除去するようにし、凹部内部の下地層１１ａと分離するようにしてもよい。これにより、凹部内部の下地層１１ａは回路部と電気的に分離された状態となり、下地層１１ａをダイパッドとして用いることも可能である。
【００４３】
なお前記実施の形態では、回路基板として射出成形によって形成した樹脂製の立体基板を用いたが、セラミック基板でもよくまた、グリーンシートを用いた積層基板を用いてもよい。ここでは例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００４４】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板を用いた場合、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 絶縁性基材
１１ａ 下地層
１１ｂ めっき層
１２ 輪郭
１３ 切り欠き
１６ 凸部
１８ 溝
２０ 凹部
２０Ｓ 側壁
３０ 充填物
ＲＣ 回路部
ＲＮ 非回路部
ＲＢ 境界領域
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板の製造方法に係り、特に、立体回路基板などの回路基板への配線パターンの形成に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁性基材の表面に回路部を形成することによって回路基板を製造するにあたって、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域にレーザ等を照射することによってこの箇所にめっきがおこなわれないように処理し、そしてこの後に回路形成用のめっきを施すようにした技術が提案されている。
【０００３】
しかしながら、これらの技術においては、非回路部となる領域全面にめっきがなされないように、レーザや紫外線などを非回路部の領域全面に照射するようにしている。
このため非回路部となる領域全面にレーザなどを照射しようとすると照射処理時間が長くなり、回路基板の生産性が低下するという問題があった。
【０００４】
そこで、本出願人は、めっき用の下地層を絶縁性基材の全面に形成した後、回路部と非回路部の境界領域に、レーザなどの電磁波を照射することによって、非照射部を残して下地層を選択的に除去する。そして、電気めっきにより、非照射部の下地層の内、回路部となる部分に給電し、電界をかけることで、選択的にめっきを施したのちに、非回路部の下地層をエッチング除去するという方法を提案している（特許文献１）。
【０００５】
しかしながら、電気的に分離された複数の独立回路を形成する場合、個々の独立回路に対応する下地層に電気めっきのためだけにそれぞれ給電のための回路をそれぞれ形成するのは困難である。そこで、回路部を分離して独立回路を形成するために、基材表面に凹部を形成しこの凹部に被覆材を通過させて、下地層を形成し、めっき層形成後に被覆材上の通過部を被覆材の少なくとも一部と共に除去することで、回路パターンの切り離しを行うようにしたものも提案されている（特許文献２）。
【０００６】
また、回路部を分離して独立回路を形成するために、基材表面に凸部を形成しこの凸部に被覆材を通過させて、下地層を形成し、めっき層形成後に被覆材上の通過部を被覆材の少なくとも一部と共に除去することで、回路パターンの切り離しを行うようにしたものも提案されている（特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３１５６８２号公報
【特許文献２】特許第４１３１０９４号公報
【特許文献３】特許第４２０７３９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、特許文献１の方法では、回路部に囲まれた内側領域に独立回路を形成するには、個々の独立回路に相当する領域の下地層にそれぞれ給電回路を設けて給電する必要があるため、製造が困難である。また、給電回路が回路パターン設計の制約となることがある。また、一体的に回路部を形成してからこの回路部をパターニングし、独立回路を形成する方法も考えられる。このように回路部を一体形成した後に、独立回路を形成しようとすると、めっき層の形成後に、レジストパターンを塗布し、選択的にめっき層及び下地層を除去する必要がある。この場合に、レジストが濡れ拡がり、不要部分まで覆ってしまい、めっき断線やかけを生じることがある。
【０００９】
一方、特許文献２及び３の方法では、回路部に囲まれた内側領域にも独立回路を形成することはできるが、めっき後に回路部を構成するめっき層及び下地層の一部を除去して、独立回路を形成する際に、回路が剥離したり、めっき加工後に加工ばりが発生したりするという問題があった。
【００１０】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、基板上に、めっき加工によって複数の独立回路を形成する場合にも、容易に高精度の回路パターンを有する回路部を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
そこで本発明の回路基板の製造方法は、絶縁性基材すなわち凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板表面に下地層を形成する工程と、前記下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、前記凹部に絶縁性の充填物を充填する工程と、前記下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、前記充填物を除去し、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含むことを特徴とする。
この構成によれば、凹部に絶縁性の充填物を充填し、めっき後にこの充填物を除去し、全面エッチングを行うことで、めっきかけやバリの発生もなく、極めて効率よく、めっき層パターンからなる回路パターンを形成することが可能となる。ここで下地層の除去は、充填物除去後に全面エッチングを行うようにすればよい。また、めっき工程で非回路部を陽極となるように接続することで、非回路部はエッチングされ、回路部に選択的にめっき層が形成するようにすることも可能である。
【００１２】
この充填物が、凹部に嵌合するように配される絶縁性樹脂の成型体で構成されていれば、凹部に嵌合することで、容易に装着でき、取扱が簡単である。
また、この充填物は、弾性体で構成することで、凹部への着脱が容易であり、かつ、めっき液の回り込みを防ぐことができる。
【００１３】
さらに、この充填物として、レジストを凹部に充填し硬化させることで、より密着性よく下地層を被覆することができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００１４】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の側壁が前記回路基板表面に対して垂直となるように形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、凹部の側壁が回路基板表面に対して垂直であるため、はずれないように強固に充填物をはめ込むことができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００１５】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部が前記充填物を係止する凸部を有するように形成する工程であるものを含む。
この構成によれば、凸部によって充填物が係止される。
【００１６】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の底部に溝を有する絶縁性基材を用意する工程であるものを含む。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止される。
【００１７】
また、本発明は、上記回路基板の製造方法であって、前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の開口縁に切り欠きを有する絶縁性基材を用意する工程であるものを含む。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止される。
【００１８】
また、絶縁性基材としては樹脂基板を用いてもよい。射出成型により、精度よく凹部が形成でき、形成された凹部に下地層を形成し、この上層にめっき層を形成すればよい。
【００１９】
さらにまた、絶縁性基材としてはセラミック基板を用いてもよい。セラミック基板を用いることで、安定で放熱性に優れた回路基板を提供することができる。またセラミックグリーンシートを用いることで、容易に形成可能である。また複数段の段差を有する凹部を形成することができ、このような複数段の段差表面上にめっき層を形成することも可能である。
【発明の効果】
【００２０】
以上説明してきたように、本発明によれば、回路部に囲まれた領域に独立回路を形成するに際し、断線やかけのない回路パターンをもつ基板をより効率よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において凹部を有するセラミック基板を形成した状態を示す斜視図
【図２】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において下地層を形成した状態を示す斜視図
【図３】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において輪郭を除去した状態を示す斜視図
【図４】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において絶縁物を充填した状態を示す斜視図
【図５】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程においてめっき層を形成した状態を示す斜視図
【図６】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程においてめっき層形成後に充填物を除去した状態を示す斜視図
【図７】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程において全面エッチングにより下地層を除去した状態を示す斜視図
【図８】本発明の実施の形態１の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図９】本発明の実施の形態２の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図１０】本発明の実施の形態２の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１１】本発明の実施の形態３の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する）
【図１２】本発明の実施の形態３の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１３】本発明の実施の形態４の回路基板の製造工程における下地層を形成した状態を示す要部断面説明図（図２の断面図に対応する
【図１４】本発明の実施の形態４の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部断面説明図
【図１５】本発明の実施の形態５の回路基板の製造工程における凹部を示す要部説明図
【図１６】本発明の実施の形態５の回路基板の製造工程における充填物を充填した状態を示す要部説明図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１乃至７は本発明の実施の形態１の回路基板の製造方法を示す図である。ここで、凹部をもつ絶縁性表面を具備した基板とは、凹部を有する樹脂基板を用いている。
本実施の形態の回路基板の製造方法は、図１乃至図７に製造工程図を示すように、絶縁性基材１０として、射出成形により凹部２０を形成したセラミック基板を用意し（図１）、この表面に下地層１１ａを形成する（図２）。そして続いて、これら下地層１１ａのうち、回路部ＲＣと、回路部ＲＣの絶縁部となる非回路部ＲＮの境界領域ＲＢを選択的に除去し、輪郭１２を形成する（図３）。この後、凹部２０に絶縁性の充填物３０としてウレタン樹脂からなる弾性体を充填する（図４）。そして下地層１１ａを給電部としてめっきを行い、めっき層を形成する（図５）。この充填物３０を除去し（図６）、全面エッチングにより、表面に露呈する下地層を除去する（図７）。なお凹部２０は図８に断面図を示すようにテーパ状の側壁を有する。
【００２４】
次に、各工程について詳細に説明する。
基材１０としてはポリイミド、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、アルミナセラミックス等の電気絶縁材料によって形成したものを用いる。なお、図１に示すように平板状の基板の他に、三次元立体形状に成形したものなどを用いる。そしてまず表面に凹部２０を有する絶縁性基材１０を用意し、この表面をプラズマ処理して微細な凹凸を付与する粗面化処理を施す。
【００２５】
そして、図２に示すように、絶縁性基材１０の表面全体に下地層１１ａとして薄い金属膜を設ける。下地層１１ａの形成は、絶縁性基材１０の表面にスパッタリングを行うことで、実現する。ここでは例えば下地層１１ａとしては、膜厚０．１〜２μｍ程度のクロム薄膜をスパッタリング法で形成する。
【００２６】
なお、前記実施の形態では、下地層の形成にスパッタリング法を用いたが、スパッタリングのほか、触媒を付与した後に無電解めっきをおこなったり、ＣＶＤやＰＶＤなど、任意の方法で形成することができる。また下地層の材料としては、Ｃｕ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ａｇ等があり、スパッタリングをおこなって形成する場合には、薄い下地層１１ａを形成する。また、下地層１１ａはめっき用触媒やめっき用触媒の化合物を絶縁性基材１０の表面に付着させることによっても形成することができる。
【００２７】
次に、図３に示すように、絶縁性基材１０の表面にレーザ等の電磁波を照射して電磁波を照射した部分の薄い下地層１１ａを除去する。電磁波としてはレーザの他に、Ｘ線や紫外線等を用いることができるが、レーザが最も好適である。従って、以下主として電磁波としてレーザを用いる。このレーザとしては例えばＱスイッチＹＡＧレーザを用いることができる。ガルバノミラー等で操作することによってレーザを絶縁性基材１０の表面に移動させつつ照射する。ガルバノミラーはガルバノメータを用いて角度可変に形成したミラーであり、高速でビーム移動が可能であると共にレーザスポット径も数十μｍを得ることが可能である。またレーザの照射は、絶縁性基材１０の表面のうち回路部ＲＣを形成する箇所である回路部以外の部分、すなわち回路部ＲＣ間の絶縁スペースとなる非回路部ＲＮにおいておこなわれる。非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域ＲＢに非回路部ＲＮのパターンに沿ってレーザを移動（走査）させながら照射することによって、非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域の下地層１１ａを除去する。このようにして図３に示すように、非回路部ＲＮの下地層１１ａのうち、レーザの照射部である回路部ＲＣとの境界領域ＲＢの下地層１１ａは除去され、非回路部ＲＮの下地層１１ａのうちレーザの非照射部は、回路部ＲＣの下地層１１ａと共に除去されずに残されることになる。レーザの照射エネルギーは例えば１０〜３００μＪ／ｐｕｌｓｅ程度が好ましく、下地層１１ａと共に絶縁性基材１０の表面部を同時に除去するようにしてもよい。ここで、非回路部ＲＮの幅が照射レーザのスポット径と同等の場合には、非回路部ＲＮに沿ってレーザを１回照射するようにするのがよい。
【００２８】
このようにして絶縁性基材１０の非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界領域にレーザを照射した後、図４に示すように凹部２０を覆うように、充填物３０を装着する。そして回路部ＲＣの下地層１１ａに給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬することによって、回路部ＲＣの下地層１１ａに銅などのめっき層１１ｂを１０μｍ程度の厚みで析出させ、図５に示すようにパターン形状の回路を形成する。非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａには通電されていないので、非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａにはめっき層１１ｂは設けられない。
【００２９】
このように回路部ＲＣの下地層１１ａに電気めっきをして回路形成した後、図６に示すように充填物３０を除去し、全面ソフトエッチングにより図７に示すように、非回路部ＲＮに残留する下地層１１ａをエッチング除去する。そして最後に必要に応じてソルダーレジスト、Ｎｉめっき、Ａｕめっきを施すことによって、回路基板として仕上げることができる。
【００３０】
このようにして回路基板を製造するにあたり、不要部に充填物を充填し、めっき層形成のマスクとして用いているため、めっき層形成後、簡単に除去することができ、端面にバリが発生したりすることもなく、まためっきかけの発生もなく良好な回路パターンを形成することができる。また、この方法によれば、レーザの照射は絶縁性基材１０の表面の非回路部ＲＮの回路部ＲＣとの境界線に沿っておこなっているだけであり、非回路部ＲＮの全面にレーザを走査させて照射する必要はない。従って、非回路部ＲＮの広い領域の全面にレーザを描画して照射する場合に比べてレーザの照射処理時間を短縮することができ、回路基板の生産性を高めることが可能になる。また、回路形成のためのめっきは、回路を作製するために必要な回路部ＲＣにおいてのみおこなわれ、不要な非回路部ＲＮにまではめっきがおこなわれないため、めっき金属等のめっき材料の無駄が少なくなり経済的に有利となる。
【００３１】
ここで、回路部ＲＣの下地層１１ａのうち、給電電極に接続された下地層１１ａから独立して設けられている下地層がある場合、この下地層には電気めっきの際の給電をおこなうことができない。そこで本実施の形態では、下地層１１ａを凹部２０内で接続しておき、この凹部２０を充填物３０で覆い、下地層１１ａに給電しながら電気めっきをおこなうことによって、めっき層１１ｂを形成することができるものである。そして充填物を除去した後、ソフトエッチングにより、表面に露呈する下地層１１ａをエッチング除去し、回路部を形成するものである。
なお充填物３０は、弾性体で構成するのが望ましい。これにより、凹部への着脱が容易であり、かつ、めっき液の回り込みを防ぐことができる。
【００３２】
さらにまた、この充填物として、レジストを凹部に充填し硬化させることで、より密着性よく下地層を被覆することができ、不要部へのめっき層の付着を防止することができる。
【００３３】
またこの方法において、ここで下地層の除去は、充填物除去後に全面エッチングを行うようにしたが、全面エッチングを行わないようにすることも可能である。また、めっき工程で非回路部を陽極となるように接続することで、非回路部はエッチングされ、回路部に選択的にめっき層が形成されるようにしてもよい。この点については後述する。
【００３４】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、凹部２０の側壁２０Ｓを図８に示すように、テーパ面で構成したが、図９に示すように断面垂直の側壁２０Ｓを形成するようにしてもよい。このとき図１０に示すように、側壁２０Ｓの高さよりも厚い充填物３０を嵌合させることで、より確実なパターン形成が可能となる。
この構成によれば、充填物がはずれないように強固にはめ込むことができ、不要部へのめっき層が形成されるのを防止することができる。
【００３５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１１に示すように、凹部２０の底面に、充填物３０を係止する凸部１６を形成しておくようにし、めっき工程に先立ち図１２に示すように、凹部２０に充填物３０が充填され凸部１６に係合されるようにしている。
この構成によれば、凸部１６によって充填物が係止され、めっき液の回り込みを低減することができ、信頼性の高い回路部を形成することができる。
【００３６】
（実施の形態４）
本実施の形態では、図１３に示すように、凹部２０は底部に充填物３０を係止するための溝１８を形成しておくようにし、めっき工程に先立ち、図１４に示すように、凹部２０に、充填物３０が係合されるようにしている。
この構成によれば、溝に充填物が入り込むことによってより強固に係止され、めっき液の回り込みを低減することができ、信頼性の高い回路部を形成することができる。
【００３７】
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１５に示すように、凹部２０は、その開口縁に切り欠き１３を有するようにしてもよい。
この構成によれば、図１６に示すように、凹部２０の開口縁に形成された切り欠き１３をつかむことで、充填物３０の除去が容易となる。
【００３８】
なお、前記実施の形態では、レーザ等の電磁波を照射して輪郭を形成した後に、下地層１１ａとしての金属層上にめっき層１１ｂを設けるにあたり、下地層１１ａの金属とめっき層１１ｂの金属とが異種の金属である場合、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬して電気めっきをおこなう際に下地層１１ａの金属が電気めっき浴に溶出し、電気めっき浴が汚染されるおそれがある。そこでこの場合には、下地層１１ａとめっき層１１ｂとを同種の金属で形成するようにするのが望ましい。例えば、下地層１１ａとしてＣｕをスパッタリングすることによって厚み０．１〜２μｍ程度の薄いＣｕ層を形成し、次に絶縁性基材１０の表面の非回路部ＲＮの少なくとも回路部ＲＣとの境界領域にレーザを照射した後、下地層１１ａに給電電極の陰極を接続して通電しつつ、電気銅めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬することによって、下地層１１ａに銅などの電気めっき層１１ｂを１０μｍ程度の厚みで析出させ、所望のパターン形状の回路を形成することができる。
【００３９】
この場合、電気めっき浴に絶縁性基材１０を浸漬して下地層１１ａ上に電気めっきをおこなうにあたり、下地層１１ａの金属は電気めっき浴に溶解しているめっき金属と同じ金属であるため、非回路部ＲＮの下地層１１ａが電気めっき浴に溶け出しても、電気めっき浴が異種金属によって汚染されるようなことがなく、むしろ非回路部ＲＮの下地層１１ａから電気めっき浴に溶出する金属はめっき金属として補充されることになり、電気めっきの経済性を高めることができる。
【００４０】
また、このように電気めっきをおこなう際に、回路部ＲＣの下地層１１ａに陰極を接続すると共に非回路部ＲＮの下地層１１ａに陽極を接続して、電気めっき浴に浸漬することで、回路部ＲＣの下地層１１ａ上には陰極からの給電でめっき層１１ｂが析出すると共に、非回路部ＲＮの下地層１１ａは陽極からの給電で電気めっき浴に積極的に溶出させることができる。この場合は、前記実施の形態の場合のようにライトエッチングをおこなう必要はなく、非回路部ＲＮの下地層１１ａを溶解除去することができる。
【００４１】
従って最後に、充填物３０を除去してから、凹部２０内に露呈する下地層１１ａをエッチング除去するようにすればよい。また、充填物として樹脂成型体に代えて、レジストを用いてもよい。
【００４２】
レジストの場合はめっき後に、アッシングなどでレジストの一部を蒸発させ、膜厚を減じ、凹部の開口縁に露呈する下地層１１ａをエッチング除去するようにし、凹部内部の下地層１１ａと分離するようにしてもよい。これにより、凹部内部の下地層１１ａは回路部と電気的に分離された状態となり、下地層１１ａをダイパッドとして用いることも可能である。
【００４３】
なお前記実施の形態では、回路基板として射出成形によって形成した樹脂製の立体基板を用いたが、セラミック基板でもよくまた、グリーンシートを用いた積層基板を用いてもよい。ここでは例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料ＬＴＣＣ（低温温同時焼成セラミック：Low Temperature Co-fired Ceramics）からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定のパターンを形成し、複数のグリーンシートを絶縁層として用いて、適宜一体的に積層し、焼結することにより内部導体層を備えた絶縁層（誘電体層）として製造することが出来る。これらの誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇを含む材料が適用可能である。ここで、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック：High Temperature Co-fired Ceramics）技術を用いて、誘電体材料をＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、内部導体層として伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【００４４】
また、グリーンシートに限定されることなく、他のセラミックにも適用可能であり、またガラスエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの樹脂基板を用いた場合、プリプレグを用いた積層基板などにも適用可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０ 絶縁性基材
１１ａ 下地層
１１ｂ めっき層
１２ 輪郭
１３ 切り欠き
１６ 凸部
１８ 溝
２０ 凹部
２０Ｓ 側壁
３０ 充填物
ＲＣ 回路部
ＲＮ 非回路部
ＲＢ 境界領域
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部をもつ絶縁性基材を用意する工程と、
凹部をもつ絶縁性基材表面に下地層を形成する工程と、
前記下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、
前記凹部に絶縁性の充填物を充填する工程と、
前記下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、
前記充填物を除去し、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の側壁が前記回路基板表面に対して垂直となるように形成する工程である回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部が前記充填物を係止する凸部を有するように形成する工程である回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の底部に溝を有する絶縁性基材を用意する工程である回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の開口縁に切り欠きを有する絶縁性基材を用意する工程である回路基板の製造方法。
【請求項１】
凹部をもつ絶縁性基材を用意する工程と、
凹部をもつ絶縁性基材表面に下地層を形成する工程と、
前記下地層のうち、回路部と、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、
前記凹部に絶縁性の充填物を充填する工程と、
前記下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、
前記充填物を除去し、表面に露呈する前記下地層を除去する工程とを含む回路基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の側壁が前記回路基板表面に対して垂直となるように形成する工程である回路基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部が前記充填物を係止する凸部を有するように形成する工程である回路基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の底部に溝を有する絶縁性基材を用意する工程である回路基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の回路基板の製造方法であって、
前記絶縁性基材を用意する工程は、前記凹部の開口縁に切り欠きを有する絶縁性基材を用意する工程である回路基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２０１１−１２９８３９（Ｐ２０１１−１２９８３９Ａ）
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２８９５６６（Ｐ２００９−２８９５６６）
【出願日】平成２１年１２月２１日（２００９．１２．２１）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月３０日（２０１１．６．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年１２月２１日（２００９．１２．２１）
【出願人】（０００００５８３２）パナソニック電工株式会社 (17,916)
【Ｆターム（参考）】
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