説明

固体高分子電解質膜

【課題】 高いイオン伝導性を保持しつつメタノール阻止性に優れた固体高分子電解質膜を低コストで提供する。
【解決手段】 酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドを混合して得られる固体高分子電解質膜であって、次の条件(a)および(b)を満たす固体高分子電解質膜。
(a)酸性基を有するモノマーが、スルホン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーであり、
(b)塩基性を有するモノマーが、アミノ基、アミド基、およびウレア基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーである。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はイオン伝導性の固体高分子電解質膜に関する。さらに詳細には高いイオン伝導性を有する固体高分子電解質膜に関し、燃料電池、固体高分子電解質型燃料電池用イオン伝導膜、酸化還元電池、電気透析膜、逆浸透膜、ナノ濾過膜、拡散透析膜、ガス分離膜、浸透気化及び浸透抽出膜、湿度センサ、ガスセンサの分野に使用される。また、本発明による固体高分子電解質膜は極めて低いメタノール透過性を有し、ダイレクトメタノール型燃料電池(以下、DMFCと称する)用電解質膜として使用される。
【背景技術】
【0002】
近年、次世代型クリーンエネルギー源として燃料電池が重要な地位を占めつつある。燃料電池のうち、固体高分子電解質型燃料電池は、固体高分子電解質膜を挟んでアノードおよびカソードの両電極を配置するものである。例えば、燃料としてメタノールが使用されるDMFCの場合、アノード側にメタノールを、またカソード側には酸素または空気を供給することにより電気化学反応を起こさせて電気を発生させるものである。高出力、高エネルギー密度という特性を活かし、かつ小型で軽量な燃料電池を実現するために、高いプロトン伝導性を有する固体高分子電解質膜の開発が行われている。そして、DMFCに使用される固体高分子電解質膜には、高いイオン伝導性を保持しつつ燃料用メタノールの阻止性、すなわち、固体高分子電解質膜のアノード側からカソード側への燃料用メタノールの透過(クロスオーバー)の低減が要求される。
【0003】
従来、一般的には、パーフルオロカーボンスルホン酸(以下、PFSと称する)系高分子(例えばデュポン社製、商品名ナフィオン膜など)を水和したものが高いイオン伝導性を有するため、固体高分子電解質膜として広く使用・検討されている。しかしながら、水和したPFS系高分子膜は、水との親和性の高いメタノールを通過(クロスオーバー)させやすく、メタノール阻止性に原理的な限界を有している。PFS系高分子水和膜のメタノールのクロスオーバーを低減する手段として、PFS系高分子水和膜をベースにして異種材料を複合することが考えられる。しかし、上記複合は、本来のPFS系高分子水和膜の有する高いイオン伝導性を著しく低下させるものであった。
【0004】
これらの問題点を解決する方法として、ナフィオン112膜にアニリンを含浸させメタ型ポリアニリンとし、ナフィオン膜と同程度のイオン伝導性とナフィオン膜の1/3程度のメタノール阻止性を達成することが開示されているが(特許文献1参照)、DMFC用電解質膜に使用するには未だ不十分である。また、高価なナフィオン膜に更に加工を加えるため、工程数が多く煩雑になり一段と高価格な膜とならざるを得ない。また、塩基性基を有し水溶性である主鎖と水に対し不溶性である側鎖とからなるグラフトコポリマーおよび酸性基を有し水溶性である主鎖と水に対し不溶性である側鎖とからなるグラフトコポリマーを混合してなる両性イオン型高分子ゲル並びに該高分子ゲル膜の製造方法が開示されているが(特許文献2参照)、これはpH変化により両性イオン型高分子ゲルの膨潤度が大きく変化することを特徴としており、さらにイオン伝導膜に関する記述は一切ない。また、これらのゲル膜を燃料電池用膜として使用したとしても発電に際しての燃料電池内のpH変化により膜の体積、面積が大きく変化するようでは燃料電池用膜としての役目を果たさないばかりか、燃料電池自体を破壊する虞すらある。さらに、酸性または塩基性部位を有する主ポリマーに、塩基性または酸性部位を有する副ポリマーを含浸してなる固体高分子膜およびその製造方法が開示されているが(特許文献3参照)、十分なイオン伝導性を示さない等未だ問題点を多く残している。
【0005】
芳香族環を有する炭化水素系膜をスルホン化した膜が種々検討されている。基材の膜に、ポリイミド(非特許文献1〜4参照)、ポリエーテルエーテルケトン(非特許文献5参照)、ポリベンゾイミダゾール(非特許文献6参照)などのエンジニアリングプラスチックに硫酸および発煙硫酸を作用させてスルホン化した膜、または出発原料のベンゼン環骨格をスルホン化し、その後縮合反応により所望のスルホン化膜を得る方法が報告されている。これら電解質膜はイオン伝導性およびメタノール阻止性が不十分であったり、あまりにも特殊な原料であったり、製造が困難・煩雑なため安価に製造することは難しい。
【0006】
これより先に、ポリエチレンイミンに硫酸、またはリン酸をドープした例(非特許文献7参照)ポリシラミンにリン酸をドープしたもの(非特許文献8参照)、ポリアクリルアミドに硫酸、またはリン酸をドープしたもの(非特許文献9参照)、ポリベンズイミダゾールにリン酸をドープした例(特許文献4参照)、スルホン化ポリエーテルスルホンにポリベンズイミダゾールを添加したもの(非特許文献10参照)があるが、ドープ剤が流れ落ちる、十分なイオン伝導性を示さない等問題点を多く有している。
【特許文献1】特開2001-81220号公報
【特許文献2】特開平6-145464号公報
【特許文献3】特開2001-236973号公報
【特許文献4】特表平11-503262号公報
【非特許文献1】M.Watanabe, Chem.Commun.,368(2003)
【非特許文献2】Y.Zhan,M.Litt,R.F.Savinell,ACS Polym.Prepr.,41(2),1561(2000)
【非特許文献3】C.Genies,R.Marcier,B.Silion,Polymer,42,359(2001)
【非特許文献4】J.Fang,X.Guo,S.Harada,Macromolecules,35,9022(2002)
【非特許文献5】J.Roziere,J.Membr.Sci.,185,41(2001)
【非特許文献6】O.Savadogo,J.New Mat.Electroanal.Sys.2,95(1999)
【非特許文献7】D.Schoolmann,O.Trinquent,and J.-C.Lassegues, Electrochim Acta,37,1619(1992)
【非特許文献8】K.Tsuruhara,M.Rikukawa,K.Sunui,N.Ogata,Y.Nagasaki, and M.Kato, Electrochim Acta,45,1391(2000)
【非特許文献9】W.Wieczorek and J.R.Stevens, Polymer,38,2057(1997)
【非特許文献10】J.Kerrer,A.Ullrich,F.Meier and T.Harig, Solid State Ionics,125,243(1999)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0007】
本発明は、上述のようなDMFC用固体高分子電解質としてのPFS系高分子水和膜、PFS改質膜、および各種炭化水素系電解質膜の現状問題点を解決するためになされたものであり、高いイオン伝導性を保持しつつ、メタノール阻止性に優れた固体高分子電解質膜を低コストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
本発明者らは上記課題について鋭意研究した結果、特定の酸性基を有するモノマーまたは該モノマーを4級アンモニウム化したモノマーと特定の塩基性基を有するモノマーとを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドを混合して得られる固体高分子電解質膜が、高いイオン伝導性を保持しつつメタノール阻止性を改善することを見出し本発明に至った。すなわち本発明は、以下のとおりである。
1. 酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドを混合して得られる固体高分子電解質であって、次の条件(a)および(b)を満たす固体高分子電解質。
(a)酸性基を有するモノマーが、スルホン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーであり、
(b)塩基性を有するモノマーが、アミノ基、アミド基、およびウレア基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーである。
2. 酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドとの混合割合(電解質ポリマー重量/ポリイミド重量)が10/90〜80/20の範囲である第1項記載の固体高分子電解質。
3. ポリイミドが水酸基および/またはカルボキシル基を有するものである第1項または第2項記載の固体高分子電解質。
4. 酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーが、アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、アッシドホスホシキエチルメタクリレート、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、フマル酸、またはこれらのモノマーの4級アンモニウム塩である第1項〜第3項のいずれかに記載の固体高分子電解質。
5. 塩基性基を有するモノマーが、アクリルアミド、アリルアミン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、アミノアクリルアミド、アミノスルホン、ビニルピリジン、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、ビニルジアミノトリアジンまたはエチレンイミンである第1項〜第4項のいずれかに記載の固体高分子電解質。
6. 電解質ポリマーが、酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーに、さらに中性モノマーを添加し共重合して得られたものである第1項〜第5項のいずれかに記載の固体高分子電解質。
7. 中性モノマーが、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、スチレン、アクリロニトリル、またはポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートである第6項記載の固体高分子電解質。
8. ポリイミドが、次の(c)に示されるテトラカルボン酸二無水物およびテトラカルボン酸から選ばれた1種以上と、次の(d)に示されるジアミン化合物から選ばれた1種以上とを溶媒中にて重縮合させることによって得られるものである第1項〜第7項のいずれかに記載の固体高分子電解質。
(c)1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸
(d)2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレン、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン
9. 第1項〜第8項のいずれかに記載の固体高分子電解質を製膜してなる固体高分子電解質膜。
【発明の効果】
【0009】
本発明の特定の酸性基を有するモノマーまたは該モノマーを4級アンモニウム化したモノマーと特定の塩基性基を有するモノマーとを共重合してなる電解質ポリマーとポリイミドとを混合して得られる固体高分子電解質膜は、プロトン伝導性、およびメタノール阻止性に優れる。該固体高分子電解質膜は燃料電池用、特にDMFC用固体高分子電解質膜として有用である。また、本発明の固体高分子電解質膜の製造は簡便であり、安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
本発明における酸性基を有するモノマー(Aモノマーということがある)としては、スルホン酸基、ホスホン酸基、またはカルボキシル基を有するモノマーであれば良く、これらの異種のモノマーが複数混合されても良い。また、該モノマーを4級アンモニウム化したモノマー(A′モノマーということがある)でもよい。さらに炭素に結合している水素原子の一部もしくは、全てがフッ素原子と置換していても良い。
【0011】
具体的には、アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、アッシドホスホシキエチルメタクリレート、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、フマル酸などが例示できるが、これらに限定されるものではなくスルホン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーであれば良い。また、これらのモノマーの4級アンモニウム塩でも良い。
【0012】
酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化するには、モノマーを適当な溶剤と混合もしくは溶かし、3級アミン化合物と反応させ、4級化すれば良い。3級アミン化合物としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、ジメチルエチルアミンなどを使用することができるが、なんらこれらに限定されるものではく、スルホン酸基、ホスホン酸基、カルボキシル基と4級化合物を生成することができればよい。溶剤としては、水、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン類、ケトン類、ジメチルホルムアミド、ジメチルスホキシド、γ-ブチロラクトンなどが例示されるが、モノマー類および4級化物を溶解し、かつ4級化反応に異状をきたさなければ良い。4級化する際、多少の発熱を伴うため、60℃以下、好適には50℃以下、更には好適には40℃以下が良い。60℃以上のとき、場合によっては4級化する際に重合反応を起こす虞がある。
【0013】
本発明における塩基性基を有するモノマー(Bモノマーということがある)としては、アミノ基、アミド基、またはウレア基を有するモノマーであればよい。また、これらの異種モノマーを複数種混合して用いてもよい。さらに、炭素に結合している水素原子の一部または全てがフッ素原子と置換していても良い。
【0014】
具体的には、アクリルアミド、アリルアミン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、アミノアクリルアミド、アミノスルホン、ビニルピリジン、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、ビニルジアミノトリアジン、エチレンイミン、及びこれらの誘導体を例示することができる。また、芳香環を有するモノマーなどが挙げられるが、これらに限定されるものではなく、アミノ基、アミド基およびウレア基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有する脂肪族モノマーまたは芳香化合物を有するモノマーであればよい。
【0015】
AモノマーまたはA′モノマーと、Bモノマーは一般的に溶剤と共に混合される。使用される溶剤は、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、ジメチルスホキサイド、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドなどが使用できるが、これらに限定されるのではなく、重合反応が制御でき、後述する水酸基及びカルボキシル基を有するポリイミドとよく混合でき、製膜化工程において相分離等の問題とならなければ良い。好適には、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスホキサイドが使用される。
【0016】
AモノマーまたはA′モノマーと、Bモノマーは、通常、上記溶剤を加えた溶液の状態でこれらの所定量が重合反応器に入れられる。その後混合攪拌によって均一な重合組成物が得られる。重合方法は、これらモノマーを上記反応器に一括添加する、またはこれらモノマー混合物を重合反応機内に逐次添加法にて加え重合することもできる。これら方法は、得られる重合物の性状等により適宜採用すればよく、これら技術としては当該事業者の通常の方法を用いることができる。さらに、重合反応終了後、酸化防止剤(ラジカル捕捉剤やハイドロパーオキサイド分解剤など)や着色剤など他の添加剤を一緒に混合しても良い。
【0017】
(AまたはA′+B)のモノマー混合溶液に中性モノマーを添加して、共重合させても良い。第3のモノマーとしては、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、スチレン、アクリロニトリル、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートなどが好適に使用される。これら第3のモノマーを添加することにより、固体高分子電解質膜中に電解質ポリマーを多く導入できる、電解質ポリマーのドメインを小さくできるなどの効果が期待できる。また、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート等を導入することにより、電解質ポリマー同士に架橋構造を導入でき、ポリイミドとの間でお互いに相互貫入したIPNポリマー(相互貫入網目構造ポリマー)となり、電解質ポリマーの遊離や溶出を防ぐことができる。結果的にこのようにして得られたIPNポリマーは、機械的強度にも優れる。電解質ポリマー同士に架橋構造を導入できるならば、ポリマーの官能基間での架橋、またパーオキサイドを添加しての水素引き抜き反応による架橋などが採用でき、得られる固体高分子電解質膜の性状等に合わせて適宜採用すれば良い。ポリマーの官能基間での架橋剤は、トリエレジイソシネート等のジイソシネート類、ポリエチレングリコールなどのジオール類、ビスフェノールA型ジエポキシ化合物等のジエポキシ類、二酸無水物などが例示できるが、何らこれら化合物に限られることなく電解質ポリマー同士及び電解質ポリマーとポリイミドとの間で架橋構造を導入できれば良い。
【0018】
AモノマーまたはA′モノマーと、Bモノマーとの重合は、熱、光、電子線等により開始することができるが、熱重合の場合は、ラジカル、カチオン、アニオン重合開始剤が使用でき、好適にはラジカル開始剤が使用される。光による重合は、光増感剤および重合開始剤の組合せで行われるのが一般的であり、これらの方法を適宜使用することができる。例えば、有機溶媒を重合溶媒に使用した場合、日本油脂(株)社カタログ記載の有機過酸化物、アゾ化合物も使用することができ、ベンゾイルパーオキサイド、アゾビスイソブチロニトリルなどが好適に使用できる。水を重合溶媒に使用した場合、水溶性のラジカル開始剤を使用することができ、和光純薬工業(株)社のカタログ記載のVA−044、V−50、VA−086などが好適に使用される。
【0019】
重合開始剤の添加量は、それぞれの重合条件にもよるがモノマーの添加量の合計100重量部に対して0.001〜5重量部、好適には0.01〜2重量部、さらに好適には0.05〜1重量部である。重合温度は、0℃〜120℃が、好適には、20℃〜100℃が、さらに好適には30℃〜80℃が適当であるが、モノマー組成、得られた重合物の物性、工程時間等により適宜選択すればよい。
【0020】
このように(AまたはA′+B)のコポリマーをまず調製しておき、つぎに該コポリマーにポリイミド溶液を添加して均一溶液とし、製膜用溶液とする。
【0021】
マトリックスを形成するポリイミドとしては、テトラカルボン酸二無水物またはテトラカルボン酸と、ジアミン化合物を原料とするポリイミドが適用でき、つぎに述べるような有機溶媒に可溶のポリイミドが好ましい。原料のテトラカルボン酸二無水物としては、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸などを例示することができる。これらのうち、特に好ましいのは1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸である。
【0022】
ポリイミド原料としてのジアミン化合物は、例えば、2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレン、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−3,3’−ジメチルビフェニル、4,4’−ジアミノ−2,2’−ジトリフルオロメチルビフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、9,9−ビス(4−アミノフェニル)フルオレンなどの芳香族ジアミン化合物、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ポリエチレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、ポリプロピレングリコールビス(3−アミノプロピル)エーテル、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、3(4),8(9)−ビス(アミノメチル)−トリシクロ[5.2.1.02,6]デカン、メタキシリレンジアミン、パラキシリレンジアミン、イソホロンジアミン、ノルボルナンジアミン、シロキサンジアミン類などの脂肪族ジアミン化合物を挙げることができる。これらは1種類単独または2種類以上を混合して使用することができる。
【0023】
ジアミン化合物として好適には、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン等、またはこれらの誘導体を例示することができる。さらに好適には、2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレン、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]、またはこれらを含むジアミン化合物である。ただし、これらに限定されるものではなく、有機溶剤に可溶のポリイミド、好適には、有機溶剤に可溶で、かつ水酸基および/またはカルボキシル基を有するポリイミドが得られれば良い。
【0024】
所定量のテトラカルボン酸二無水物またはテトラカルボン酸と、ジアミン化合物を所定の溶剤に混合し昇温して、脱水縮合反応を行なわせ所望のポリイミドを製造することができる。例えば、テトラカルボン酸類と全ジアミン化合物の反応モル比は、どちらか一方に対してもう一方が95〜105モル%の範囲が好ましい。更に好ましくは、98〜102モル%の範囲である。また、脱水縮合反応に触媒を使用する際、用いるテトラカルボン酸成分1モルに対して、触媒の3級アミン化合物を0.001〜1.0モル使用する。3級アミン化合物としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、トリエチレンジアミン、N−メチルピロリジン、N−エチルピロリジン、N−メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、イミダゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリンなどを例示することができる。特に好ましいのはトリエチルアミンである。溶媒としては、γ-ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホルアミド、テトラメチレンスルホン、p−クロルフェノール、m−クレゾール、2−クロル−4−ヒドロキシトルエンなどを例示することができる。これらは1種単独または2種以上を混合して使用することができる。これらのうち好ましいのは、γ-ブチロラクトン、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2-ピロリドン、ジメチルスルホキサイドである。さらに重合体が析出しない程度にポリイミドの貧溶媒を併用することができる。貧溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン、o−ジクロロベンゼンなどを挙げることができる。溶媒の使用量は、テトラカルボン酸成分および全ジアミン成分の総重量が反応液全体の重量に対して1〜50重量%となる量である。好ましくは20〜45重量%となる量である。
【0025】
テトラカルボン酸成分とジアミン化合物成分の仕込み方法は特に限定されず、両成分を一括に仕込む方法、どちらか一方の成分を含む溶液中(完全に溶解していなくてもよい)にもう一方の成分を固体または溶液の状態で徐々に仕込む方法などを行なうことができる。
【0026】
3級アミン化合物はその触媒効果を充分に発揮させるために、昇温して目標温度に到達するまでに仕込むのが好ましい。特に溶媒、テトラカルボン酸成分、およびジアミン化合物を仕込むのと同時に仕込むことが好ましい。溶媒の仕込み方法は特に限定されず、あらかじめ反応槽内へ仕込む方法、テトラカルボン酸成分、もしくはジアミン化合物のどちらか一方、またはその両方が存在する反応槽へ仕込む方法、テトラカルボン酸成分、またはジアミン成分のどちらか一方をあらかじめ溶解させてから反応槽内へ仕込む方法などを、それら単独かまたは組み合わせて行なうことができる。
【0027】
反応温度は、150〜250℃の範囲である。反応圧力は通常、常圧であるが、加圧でもよい。保持時間は0.2〜48時間の範囲である。得られたポリイミドは一般的には、N−メチルピロリドン、γ−ブチロラクトン、ジメチルアセトアミド、ジメチルスホキサイドなどの溶剤に溶かして使用される。好適なポリイミド濃度は5〜20%の範囲である。
【0028】
AモノマーまたはA′モノマーとBモノマーとの共重合によって得られた電解質ポリマーの溶液と、マトリックスを形成するポリイミド溶液とを混合して、製膜用溶液を調製するに際し、該電解質ポリマーとポリイミドとの混合割合(電解質ポリマー重量/ポリイミド重量)は、10/90〜80/20の範囲である。電解質ポリマーの割合は、80重量%以下、好適には75重量%以下、更に好適には70重量%以下が良い。電解質ポリマーの割合が80重量%を超える場合では製膜後、0.5モル硫酸処理または水洗処理においてボロボロになり、自立膜が得られない(比較例1参照)。一方、電解質ポリマーの割合が10重量%より少ない場合は十分なイオン伝導性を示さない(比較例5参照)。
【0029】
製膜する方法としては、一般的なキャスト製膜法を採用することができる。濃度調整した電解質ポリマーとポリイミドとの混合溶液をガラス板に所定の厚さになるように塗布し、所定の温度で乾燥硬化させることにより所望の固体高分子電解質膜を得ることができる。
【0030】
さらに、電解質ポリマーとポリイミド溶液から得られる電解質膜とガラス板との離型性を向上させるために、離型剤を使用しても良い。内部離型剤として、ステアリン酸、ステアリン酸亜鉛などが使用できる。外部離型剤としては、(株)佐鳴および中京化成工業(株)のカタログ記載の外部離型剤を使用することができる。例えば、ミラーグレーズ(佐鳴社製)、ペリコートS6、ペリコートMD8(中京化成工業社製)などを例示することができるが、これらに限定されるものではく、離型性の良いものであればよい。また、離型剤に代えてポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミドなどのフィルムをガラス板の間に挟んで使用することもできる。
【0031】
上記のようにして作製された固体高分子電解質膜の膜厚は200μm以下、好適には180μm以下、更に好適には150μm以下である。
【0032】
また、上記固体高分子電解質膜のイオン伝導度は1×10−4S/cm以上、好適には5×10−4S/cm以上、更に好適には1×10−3S/cm以上が良い。
【0033】
さらに、上記固体高分子電解質膜のメタノール透過率は60μg/cm・min以下であり、好適には50μg/cm・min以下、さらに好適には40μg/cm・min以下である。
【0034】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例により限定されるものではない。なお、合成例、重合例、実施例および比較例における部および%は、特に断らない限り重量基準である。各種測定は、次のようにして行なった。
イオン伝導度測定
本発明の固体高分子電解質膜のイオン伝導度の測定は、英国ソーラトロン社製のインピーダンスアナライザーSI1260型を用い、25℃で高周波インピーダンス測定を行なった。次に、Col−Colプロットより直流成分Rを読み取り、プロトン伝導度を算出した。
メタノール透過率測定
本発明の固体高分子電解質膜のメタノール透過率の測定は、次のような方法に従った。得られた固体高分子電解質膜を連通管の中央に挟み、片方に30%メタノール水溶液100mlを、もう片方にイオン交換水100mlを仕込み、40℃の恒温水槽に浸した。水側に浸透してくるメタノールをガスクロマトグラフにより定量し、メタノール透過速度(mg/cm/min)をまず算出した。つぎに膜厚を考慮に入れたメタノール透過率(μg/cm・min)を下記の計算式に基づいて算出した。
メタノール透過率(μg/cm・min)=メタノール透過速度(mg/cm/min)×膜厚(μm)
機械強度測定
本発明の固体高分子電解質膜の機械強度の測定は、ASTM D 3039に準拠して、島津製作所製島津オートグラフを用い、室温下、以下の方法で測定した。得られた膜を幅10mm、長さ65mm、標点距離20mmで最小幅3mmの杵状の型抜き機を用いて打ち抜き、チャッキに挟んで適当な速度引張試験を行ない、破断するまで測定を継続した。最大降伏点で強度を機械強度とした。
【実施例】
【0035】
合成例1 1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよびメチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]からのポリイミドの製造
300ミリリットルの5ツ口ガラス製丸底フラスコに、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル(ODA)0.058モル、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド](MBAA)0.058モル、γ-ブチロラクトン65.0gを量り取り、ステンレス製半月型攪拌翼、窒素導入管、冷却管を取り付けたディーンスターク、温度計、ガラス製エンドキャップを取り付け、窒素雰囲気下、100rpmで攪拌して溶解させた。これに1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(HPMDA)0.116モルとジメチルアセトアミド16.3gを加え、フラスコにマントルヒーターを取り付け、180℃まで反応系内温度を上げた。留去される成分を捕集しつつ、その状態のまま2時間放置した。ジメチルアセトアミド118.7gを添加後、マントルヒーターを外して空冷し、固形分濃度20wt%のポリイミドワニスを得た(これをポリイミドHPMDA-ODA-MBAAと呼ぶ)。
【0036】
合成例2 1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物と2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレンとのポリイミドの製造
合成例1で使用した4,4’−ジアミノジフェニルエーテルおよびメチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]の代わりに2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレン(HAB)25.06g(0.116モル)を使用し、保持時間を4時間とした以外は合成例1と同様にしてポリイミドを合成した。反応液は均一褐色透明な粘稠液体でポリイミドの溶解性は良好であった。ポリマー濃度20.0%で、合成例1と同様にして無色透明のフレキシブルな膜厚100μmのフィルムを得た。このフィルムのIRスペクトルを測定したところ、ν(C=O)1772、1706cm−1のイミド環の特性吸収を認め、ポリイミドの生成を確認した。(ポリイミドHPMDA-HABと呼ぶ)。
【0037】
合成例3 1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物と2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンおよびメチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]からのポリイミドの製造
300ミリリットルの5ツ口ガラス製丸底フラスコに、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(BAPP)0.058モル、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド](MBAA)0.058モル、γ-ブチロラクトン78.0gを量り取り、ステンレス製半月型攪拌翼、窒素導入管、冷却管を取り付けたディーンスターク、温度計、ガラス製エンドキャップを取り付け、窒素雰囲気下、100rpmで攪拌して溶解させた。これに1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(HPMDA)0.116モルとジメチルアセトアミド16.3gを加え、フラスコにマントルヒーターを取り付け、180℃まで反応系内温度を上げた。留去される成分を捕集しつつ、その状態のまま2時間放置した。ジメチルアセトアミド118.7gを添加後、マントルヒーターを外して空冷し、固形分濃度20wt%のポリイミドワニスを得た(これをポリイミドHPMDA-BAPP-MBAAと呼ぶ)。
【0038】
合成例4 1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物と4,4’−ジアミノジフェニルエーテルからのポリイミドの製造
温度計、撹拌機、窒素導入管、精留塔、リービッヒ冷却管を備えた300mlの5つ口フラスコに、窒素気流下、N,N−ジメチルアセトアミド7.0g、γ−ブチロラクトン27.8g、トリエチルアミン0.25g(0.0025モル)、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物11.32g(0.05モル)、および4,4’−ジアミノジフェニルエーテル10.06g(0.05モル)を仕込んだ。撹拌しながら180℃まで昇温したのち、その温度を3時間保持した。180℃まで昇温する間、水が主成分である留出成分を分離回収した。その後、内温が150℃になるまで空冷してN,N−ジメチルアセトアミド30.0gを加え均一になるまで撹拌し、その後、内温が60℃になるまで空冷して反応液を取り出した。反応液は均一透明でポリイミドの溶解性は良好であった。ポリマー濃度23.2%で、得られた溶液をガラス板に塗布し、100℃のホットプレート上で1時間乾燥後、ガラス板から剥がして自立膜を得、ステンレス製の固定治具に固定して熱風乾燥機中220℃で2時間乾燥させ、無色透明のフレキシブルな膜厚100μmのフィルムを得た。このフィルムのIRスペクトルを測定したところ、ν(C=O)1772、1700cm−1のイミド環の特性吸収を認め、ポリイミドの生成を確認した。また、このフィルムのガラス転移温度は307℃(DSC)、熱分解開始温度は479℃(DTG)、全光線透過率は89%、対数粘度は0.95dl/gであった。これにジメチルスホキサイド111.4gを添加してポリマー濃度10%に調整した(ポリイミドHPMDA-ODAと呼ぶ)。
【0039】
合成例5 1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物と2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパンとのポリイミドの製造
実施例4で使用した4,4’−ジアミノジフェニルエーテルの代わりに2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン20.63g(0.05モル)を使用し、保持時間を4時間とした以外は実施例1と同様にしてポリイミドを合成した。反応液は均一透明でポリイミドの溶解性は良好であった。ポリマー濃度31.8%で、合成例1と同様にして無色透明のフレキシブルな膜厚100μmのフィルムを得た。このフィルムのIRスペクトルを測定したところ、ν(C=O)1772、1706cm−1のイミド環の特性吸収を認め、ポリイミドの生成を確認した。また、このフィルムのガラス転移温度は259℃(DSC)、熱分解開始温度は484℃(DTG)、全光線透過率は88%、対数粘度は0.89dl/gであった。これにジメチルスホキサイド206.6gを添加してポリマー濃度10%に調整した(ポリイミドHPMDA-BAPPと呼ぶ)。
【0040】
重合例1 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アクリルアミド3.6g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、ジメチルスホキサイド(DMSO)105.6gおよび重合開始剤アゾビスイソブチロニトリルの2%ジメチルスホキサイド溶液20gを攪拌機、冷却管を備え付けた200mlセパラブルフラスコに仕込み、窒素ガスを吹き込みつつ重合温度70℃で5時間重合させた。これをポリマーAとし、ポリマー濃度10%で、淡黄色透明で粘稠な液体が得られた。実施例1で使用した。
【0041】
重合例2 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アクリルアミド3.6g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、トリエチルアミン6.1g(0.06mol)とを重合例1と同様の装置に仕込み、同様の重合操作を行い、溶液は淡褐色で10%のDMSO溶液を得た。これをポリマーBとし、実施例2で使用した。
【0042】
重合例3 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アクリルアミド3.56g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、トリブチルアミン0.27g(0.05mol)と2−ヒドロキシエチルメタクリレート1.30g(0.01mol)および溶媒のDMSO40gに溶解させ、滴下ロートに仕込んだ。実施例1と同様の200mlセパラブルフラスコにDMSO48gを仕込み、窒素ガスを吹き込みつつ重合温度70℃に昇温し、滴下ロート中のモノマー溶液と重合開始剤アゾビスイソブチロニトリルの2%DMSO溶液20gとを1時間かけて重合フラスコ中に加え、その後4時間重合反応を継続させた。ポリマー濃度20.0%で、黄色透明で粘稠な液体が得られた。これにジメチルスホキサイド134.6gを添加してポリマー濃度10%に調整し、これをポリマーCとした。実施例3および4で使用した。
【0043】
実施例1 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例1で得られたポリマーAの4.0gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液4.0gおよびジメチルスホキサイド(DMSO)8.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。これをガラス板の片面に外部離型剤としてペリコートSを薄く塗布し、この面を上面して膜厚0.5mmのテフロン(登録商標)ゴムにより周りに堰を作り、この囲み中に調整した混合溶液を静かに流し込み、水平を出したホットプレート上に静置した。ホットプレート温度を70℃より120℃まで6時間かけて昇温し、膜厚27μmの電解質膜を得た。次に、この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した結果、1.4×10−2S/cmであった。メタノール透過速度は、4.5mg/cm/minで、メタノール透過率は12μg/cm・minであった。
【0044】
実施例2 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例2で得られたポリマーB5.0gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.0gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、キャスト膜得た。これを5%硫酸水溶液に1晩浸漬し、その後十分に水洗し、電解質膜を得た。膜厚30μmであった。この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した。その結果、1.1×10−2S/cmであった。次に、メタノール透過率を求めた結果、29μg/cm・minであった。
【0045】
実施例3 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC5.0gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.0gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚40μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は4.9×10−3S/cmで、メタノール透過率を求めた結果、9μg/cm・minであった。
【0046】
実施例4 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC5.0gと合成例2で得られたポリイミドHPMDA−HAB溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚50μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は3.3×10−2S/cmで、メタノール透過率は30μg/cm・minであった。
【0047】
比較例1 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC8.5gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-BAPP-MBAA溶液1.5gおよびジメチルスホキサイド(DMSO)10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚55μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸浸漬処理後、膜はボロボロになり、自立膜とはならなかった。
【0048】
重合例4 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸20.7g(0.1mol)、アクリルアミド3.6g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:67/33)、トリエチルアミン10.2g(0.1mol)と2−ヒドロキシエチルメタクリレート1.95g(0.015mol)および溶媒のDMSO40gに溶解させ、滴下ロートに仕込んだ。その後は重合例2と同様の操作を行ない、淡黄色のポリマー溶液を得た。これにDMSO128.7gを加え、ポリマー濃度10%の均一溶液とした。これをポリマーDとし、実施例5で使用した。
【0049】
重合例5 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アクリルアミド7.1g(0.1mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:33/67)、トリエチルアミン5.1g(0.05mol)と2−ヒドロキシエチルメタクリレート1.95g(0.015mol)および溶媒のDMSO40gに溶解させ、滴下ロートに仕込んだ。その後は重合例2と操作を行ない、淡黄色のポリマー溶液を得た。これにDMSO67.1gを加え、ポリマー濃度10%の均一溶液とした。これをポリマーEとし、実施例6で使用した。
【0050】
実施例5 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例4で得られたポリマーD5.0gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.0gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚42μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は1.5×10−2S/cmで、メタノール透過率は28μg/cm・minであった。
【0051】
実施例6 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例5で得られたポリマーE5.0gと合成例3で得られたポリイミドHPMDA-BAPP-MBAA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚53μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は3×10−3S/cmで、メタノール透過率は22μg/cm・minであった。
【0052】
比較例2 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーの重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸20.7g(0.1mol)、(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:100/0)、トリエチルアミン10.1g(0.1mol)と2−ヒドロキシエチルメタクリレート1.3g(0.01mol)および溶媒のDMSO68gと、2%−アゾビスイソブチロニトリル−DMSO溶液20.0gを200mlセパラブルフラスコに加え、60℃、6時間重合反応を行ない、微黄色粘調ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液にDMSO110.0gを加え、ポリマー濃度10%の均一溶液とした。これをポリマーFとし、比較例3で使用した。
【0053】
比較例3 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
比較例2で得られたポリマーF5.0gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例2と同様の操作を行ない、膜厚38μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は1.5×10−3S/cmで、メタノール透過速度は84μg/cm・minであった。
【0054】
重合例6 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アリルアミン2.85g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、DMSO52gおよび重合開始剤アゾビスイソブチロニトリル0.04gを200mlセパラブルフラスコに仕込み、窒素ガスを吹き込みつつ重合温度50℃で4時間重合させ、無色透明で粘稠な液体が得られた。これにDMSO67.3gを加え10%ポリマー溶液とした。これをポリマーGとし、実施例7で使用した。
【0055】
実施例7 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例6で得られたポリマーG4.0gと合成例2で得られたポリイミドHPMDA-HAB溶液6.0gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、膜厚56μmの膜を得た。この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した結果、イオン伝導度は1.9×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度は、11μg/cm・minであった。
【0056】
重合例7 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
重合例6のアリルアミンを1−ビニル−2−ピロリドン5.55g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)に変えた以外は重合例6と同様に行ない、重合物を得た。ポリマー濃度23.5%で、無色透明で粘稠な液体が得られた。これにDMSO91.3gを加え10%ポリマー溶液とした。これをポリマーHとし、実施例8で使用した。
【0057】
実施例8 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例7で得られたポリマーH4.5gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.5gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、膜厚49μmの膜を得た。膜のイオン伝導度は9.7×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度を測定した結果、8μg/cm・minであった。
【0058】
重合例8 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
重合例7の1−ビニル−2−ピロリドンを1−ビニルイミダゾール4.70g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)に変えた以外は重合例7と同様に行ない、重合物を得た。ポリマー濃度22.5%で、無色透明で粘稠な液体が得られた。これにDMSO83.9gを加え10%ポリマー溶液とした。これをポリマーIとし、実施例9で使用した。
【0059】
実施例9 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例8で得られたポリマーI4.5gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.5gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚65μm)のイオン伝導度は1.5×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過率を測定した結果、0.2μg/cm・minであった。
【0060】
重合例9 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
スチレンスルホン酸9.21g(0.05mol)とアクリルアミド3.56g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、2-ヒドロキシエチルメタクリレート1.30g(0.01モル)、DMSO56.3gおよび重合開始剤アゾビスイソブチロニトリル0.2gを200mlセパラブルフラスコに仕込み、窒素ガスを吹き込みつつ重合温度60℃で4時間重合させた。重合終了後DMSO70.4gを加え、ポリマー濃度10重量%溶液とした。淡黄色透明で粘稠な液体が得られ、これをポリマーJとし、実施例10で使用した。
【0061】
実施例10 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例9で得られたポリマーJ4.5gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.5gおよびDMSO10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚60μm)のイオン伝導度は3.3×10−3S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過率は10μg/cm・minであった。
【0062】
重合例10 酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーとの共重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸10.4g(0.05mol)、アクリルアミド3.6g(0.05mol)(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:50/50)、およびアクリロニトリル0.53g(0.01モル)とDMSO38.1gおよび重合開始剤アゾビスイソブチロニトリルの2%水溶液20gを攪拌機、冷却管を備え付けた200mlセパラブルフラスコに仕込み、窒素ガスを吹き込みつつ重合温度60℃で5時間重合させた。その後、DMSO72.7gを加え、ポリマー濃度10%とした。ほぼ無色透明で粘稠な液体が得られた。これをポリマーKとし、実施例11で使用した。
【0063】
実施例11 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例10で得られたポリマーK4.5gと合成例1で得られたポリイミドHPMDA-ODA-MBAA溶液5.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例1と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚55μm)のイオン伝導度は2.1×10−3S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過率は7μg/cm・minであった。
【0064】
実施例12 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例1で得られたポリマーAの4.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA−ODA溶液4.0gおよびジメチルスホキサイド8.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。これをガラス板の片面に外部離型剤としてペリコートSを薄く塗布し、この面を上面して膜厚0.5mmのテフロン(登録商標)ゴムにより周りに堰を作り、この囲み中に調整した混合溶液を静かに流し込み、水平を出したホットプレート上に静置した。ホットプレート温度を70℃より120℃まで6時間かけて昇温し、膜厚45μmの電解質膜を得た。次に、この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した結果、3.1×10−3S/cmであった。メタノール透過速度は、4.5mg/cm/minで、メタノール透過率は20μg/cm・minであった。
【0065】
実施例13 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例2で得られたポリマーB5.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。膜厚52μmであった。この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した。その結果、2.8×10−3S/cmであった。次に、メタノール透過速度を測定した結果、4.0mg/cm/minで、メタノール透過率は21μg/cm・minであった。
【0066】
実施例14 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC5.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚46μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は3.9×10−3S/cmで、メタノール透過速度は3.4mg/cm/minで、メタノール透過率は16μg/cm・minであった。この膜の機械的な引張強度は230Kgf/cmであった。
【0067】
実施例15 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC5.0gと合成例5で得られたポリイミドHPMDA-BAPP溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚58μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は3.3×10−3S/cmで、メタノール透過速度は3.3mg/cm/minで、メタノール透過率は19μg/cm・minであったこの膜の機械的な引張強度は180Kgf/cmであった。
【0068】
実施例16 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC3.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液7.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚30μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は1.3×10−3S/cmで、メタノール透過速度は2.4mg/cm/minで、メタノール透過率は7μg/cm・minであった。
【0069】
実施例17 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例4で得られたポリマーD5.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚42μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は2.5×10−3S/cmで、メタノール透過速度は4.8mg/cm/minで、メタノール透過率は20μg/cm・minであった。
【0070】
実施例18 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例5で得られたポリマーE5.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚53μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は1.3×10−3S/cmで、メタノール透過速度は4.1mg/cm/minで、メタノール透過率は22μg/cm・minであった。
【0071】
実施例19 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例6で得られたポリマーG4.0gと合成例5で得られたポリイミドHPMDA-BAPP溶液6.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚56μmの膜を得た。この膜の両側に白金電極を装着し、イオン伝導度を測定した結果、イオン伝導度は1.9×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度は、1.5mg/cm/minで、メタノール透過率は8μg/cm・minであった。
【0072】
実施例20 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例7で得られたポリマーH4.5gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚49μmの膜を得た。膜のイオン伝導度は9.7×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度を測定した結果、1.7mg/cm/minで、メタノール透過率は8μg/cm・minであった。
【0073】
実施例21 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例8で得られたポリマーI4.5gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例4と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚65μm)のイオン伝導度は1.5×10−4S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度を測定した結果、1.2mg/cm/minで、メタノール透過率は10μg/cm・minであった。
【0074】
実施例22 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例9で得られたポリマーJ4.5gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚60μm)のイオン伝導度は3.3×10−3S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度を測定した結果、1.7mg/cm/minで、メタノール透過率は10μg/cm・minであった。
【0075】
実施例23 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例10で得られたポリマーK4.5gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、電解質膜を得た。得られた膜(膜厚55μm)のイオン伝導度は2.1×10−3S/cmで、30%メタノール水溶液でのメタノール透過速度を測定した結果、1.3mg/cm/minで、メタノール透過率は7μg/cm・minであった。
【0076】
比較例4 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC8.5gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液1.5gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行い、膜厚55μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸浸漬処理後、膜はボロボロになり、自立膜とはならなかった。
【0077】
比較例5 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
重合例3で得られたポリマーC0.8gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液9.8gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行い、膜厚48μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸浸漬、水洗後の膜のイオン伝導度は1×10−6S/cmであった。
【0078】
比較例6 酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーの重合
2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸20.7g(0.1mol)、(酸性基を有するモノマーと塩基性基を有するモノマーの官能基当量数の比:100/0)、トリエチルアミン10.1g(0.1mol)と2−ヒドロキシエチルメタクリレート1.3g(0.01mol)および溶媒のDMSO68gと、2%−アゾビスイソブチロニトリル−ジメチルスホキサイド溶液20.0gを200mlセパラブルフラスコに加え、60℃、6時間重合反応を行い、微黄色粘調ポリマー溶液を得た。このポリマー溶液にジメチルホルムアミド110.0gを加え、ポリマー濃度10%の均一溶液とした。これをポリマーLとし、比較例7で使用した。
【0079】
比較例7 固体高分子電解質膜の製造(キャストフィルム)
比較例6で得られたポリマーL5.0gと合成例4で得られたポリイミドHPMDA-ODA溶液5.0gおよびジメチルスホキサイド10.0gを加え、攪拌し均一溶液とした(全ポリマー濃度5.0%)。その後は、実施例12と同様の操作を行ない、膜厚38μmの膜を得た。この膜を0.5mol硫酸に一日浸漬、その後十分に水洗して固体高分子電解質膜を得た。この膜のイオン伝導度は1.5×10−3S/cmで、メタノール透過速度は10.0mg/cm/minで、メタノール透過率は38μg/cm・minであった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーとを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドを混合して得られる固体高分子電解質であって、次の条件(a)および(b)を満たす固体高分子電解質。
(a)酸性基を有するモノマーが、スルホン酸基、ホスホン酸基、およびカルボキシル基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーであり、
(b)塩基性を有するモノマーが、アミノ基、アミド基、およびウレア基からなる群より選ばれた少なくとも1種を有するモノマーである。
【請求項2】
酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーを共重合してなる電解質ポリマーと、ポリイミドとの混合割合(電解質ポリマー重量/ポリイミド重量)が10/90〜80/20の範囲である請求項1記載の固体高分子電解質。
【請求項3】
ポリイミドが水酸基および/またはカルボキシル基を有するものである請求項1または2記載の固体高分子電解質。
【請求項4】
酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーが、アクリルアミドメチルプロパンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ビニルスルホン酸、(メタ)アリルスルホン酸、アッシドホスホシキエチルメタクリレート、(メタ)アクリル酸、無水マレイン酸、フマル酸、またはこれらのモノマーの4級アンモニウム塩である請求項1〜3のいずれかに記載の固体高分子電解質。
【請求項5】
塩基性基を有するモノマーが、アクリルアミド、アリルアミン、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、アミノアクリルアミド、アミノスルホン、ビニルピリジン、ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート、ビニルカプロラクタム、ビニルカルバゾール、ビニルジアミノトリアジンまたはエチレンイミンである請求項1〜4のいずれかに記載の固体高分子電解質。
【請求項6】
電解質ポリマーが、酸性基を有するモノマーまたは酸性基を有するモノマーを4級アンモニウム化したモノマーと塩基性基を有するモノマーに、さらに中性モノマーを添加し共重合して得られたものである請求項1〜5のいずれかに記載の固体高分子電解質。
【請求項7】
中性モノマーが、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、スチレン、アクリロニトリル、またはポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレートである請求項6記載の固体高分子電解質。
【請求項8】
ポリイミドが、次の(c)に示されるテトラカルボン酸二無水物およびテトラカルボン酸から選ばれた1種以上と、次の(d)に示されるジアミン化合物から選ばれた1種以上とを溶媒中にて重縮合させることによって得られるものである請求項1〜7のいずれかに記載の固体高分子電解質。
(c)1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロペンタンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸
(d)2,2’-ジヒドロキシ-4,4’−ジアミノジフェニレン、メチレンビス[4-アミノ-2-ベンゾイックアシッド]、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタン
【請求項9】
請求項1〜8のいずれかに記載の固体高分子電解質を製膜してなる固体高分子電解質膜。

【公開番号】特開2006−100241(P2006−100241A)
【公開日】平成18年4月13日(2006.4.13)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−19492(P2005−19492)
【出願日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【出願人】(000004466)三菱瓦斯化学株式会社 (1,281)
【Fターム(参考)】