基板の積層方法
【課題】タッチパネルの製造技術に関し、特にタッチパネルの基板を積層する方法を提供する。
【解決手段】タッチパネルの基板を積層する方法は、結合体を形成するために、配置及び互いのパラ・ポジショニングをした後に、複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する。本開示は、従来の製造工程における低い積層効率の問題を改善する。
【解決手段】タッチパネルの基板を積層する方法は、結合体を形成するために、配置及び互いのパラ・ポジショニングをした後に、複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する。本開示は、従来の製造工程における低い積層効率の問題を改善する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルの製造技術に関し、特にタッチパネルの基板の積層方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、タッチインターフェイスであるタッチディスプレイ装置や液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）に広く搭載されている。タッチパネルは、基板である優れた光透過率を有するガラスを用いることによって、製造される。タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層は、基板上に配置される。基板は頻繁にタッチされ、それ故に優れた強度を必要とする。
【０００３】
幾つかのタッチパネルは、小さい基板の二つの片の間に、電極と回路とを複合することによって、形成されている。一片は、当該複合層と共に配置されていないか、又は表面基板として当該複合層の一部のみに配置されている。他片は、タッチ基板として複合層と共に配置されている。製造工程の間、小さい基板の二片は、積層されている。しかしながら、一つ一つ小さい基板の二つの片を積層する方法は効率的でない。そのため、製造量を増やすために基板を積層する効率的な方法を見出す必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】中国登録実用新案第２７９３８１６号
【特許文献２】台湾登録実用新案Ｍ３９０９４７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の目的は、複数の小さい基板や一つの大きい基板を有する基板の積層方法を提供する。本開示は、従来の製造工程における積層効率の低さを改善することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に関して、小さい基板は、一回限りの積層（単に積層と呼ばれるものと同義である）を実行するために、前もって強化され、それ故に小さい基板の強度の減少の問題を回避する。
【０００７】
形態において、小さい基板はアレイ状に第１のプラットフォーム上に配置される。第１のプラットフォームは、配置するために小さい基板を吸着するための負圧を与える。第１のプラットフォーム上に配置される小さい基板は、ＣＣＤ（charge-coupled device）によって、パラ・ポジショニングを介して第１のプラットフォーム上に配置される。事前の小さい基板の正確な配置を可能とし、そして一回限りの積層の前に当該位置を記憶する。
【０００８】
大きい基板は第２のプラットフォーム上に配置される。第２のプラットフォームは、配置するために大きい基板を吸着するための負圧を与える。大きい基板はターゲットを有し、一回限りの積層は、小さい基板をパラ・ポジションするために、ＣＣＤがターゲットを捕らえる前に実行され、それ故に、事前の大きい基板の配置、及び一回限りの積層を実行する前に、大きい基板と小さい基板との間の対応する位置のパラ・ポジショニングや記憶に効果的である。
【０００９】
本開示の積層方法は、積層する前に大きい基板上、又は小さい基板上に積層剤を塗布する。
【００１０】
積層剤を大きい基板に塗布するとき、積層剤は、大きい基板上のターゲットに基づいて小さい基板と積層される大きい基板の対応する位置に塗布される。また、第１のプラットフォームが特定の角度回転した後に、小さい基板が第２のプラットフォーム上の大きい基板に一回で積層される。又は、第１のプラットフォームが特定の角度回転し、第２のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、大きい基板が第１のプラットフォーム上の小さい基板に積層される。
【００１１】
積層剤を小さい基板に塗布するとき、積層剤は、小さい基板のアレイポジションに基づいて塗布される。また、第２のプラットフォームが特定の角度回転した後に、大きい基板が第１のプラットフォーム上の小さい基板に一回で積層される。又は、第２のプラットフォームが特定の角度回転し、第１のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、小さい基板が第２のプラットフォーム上の大きい基板に一回で積層される。
【００１２】
本開示において一回限りの積層を実行する目的は、一時的な積層のスキームを実行し、特に加熱した後に塗布され、一回限りの積層後に冷却することで硬化する積層剤として塩化合物を供給する。小さい基板と大きい基板とを一片に結合し、当該方法は、キャリヤである大きい基板を得て、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置するためにアレイ状に配置した小さい基板を移動する。これは、複合層の配置の効率を向上させる。また、移動が完了した後に、硬化した塩化合物は、タッチ基板又はタッチパネルとして用いられる大きい基板から複合層と共に配置された小さい基板を取り除くように、溶かす工程を介して硬化されていない状態に戻すことができる。
【００１３】
本開示において一回限りの積層を実行する方法は、恒久的な積層のスキームを実行する。特に、この工程は、一回限りの積層後に紫外線照射によって硬化する、積層剤である液体接着剤を供給する。複合層と共に配置された小さい基板は、大きい基板と共に結合されて一片にされる。複合層は、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む。次に、大きい基板は、積層の後に、小さい基板と等しい外形に切断することができ、それ故に、ガラスの二つの層を有するタッチパネルを形成するための表面ガラスとして大きい基板が用いられる。
【００１４】
本開示は、問題を解決し、効果を達成するために、技術的な解決策を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
当業者のために、図面に結び付けられた形態は目的を示す為だけに表されており、如何なる方法においても本開示のスコープに限定されない。
【図１】図１は、本開示に係る積層方法の手順のブロック図である。
【図２】図２は、図１に示す方法を遂行する概略図である。
【図３】図３は、本開示に係る材料を取得する手順のブロック図である。
【図４】図４は、本開示に係る配置手順のブロック図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４から続くパラ・ポジショニング手順のブロック図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａを示す概略図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ａを示す概略図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ａを示す概略図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本開示に係るパラ・ポジショニング手順のブロック図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａを示す概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本開示に係る積層剤の塗布工程のブロック図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本開示に係る積層剤の塗布工程のブロック図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本開示に係る硬化工程前の概略図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本開示に係る硬化工程後の概略図である。
【図１０】図１０は、本開示に係る大きい基板の切断工程の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本開示に係る基板上に導電積層体を製造するためのブロック図を示している。図２は、図１に示す方法を実行するために含まれる幾つかの工程の図を示している。本開示に係る基板の積層方法は、複数の小さい基板１１０と一つの大きい基板１２０との一回限りの積層を実行する。特に、以下の工程Ｓ１〜Ｓ４を含んでいる。
【００１７】
工程Ｓ１：材料の取得
本開示は、等しいサイズの複数の小さい基板１１０を形成するために、優れた光透過性を有するガラス、透明レンズ又は透明パッシベーション材料の使用を含み、大きい規格又はサイズを有する一つの大きい基板１２０を形成するために、同じ材料又は異なる材料を用いる。小さい基板１１０は、大きい基板１２０上に均一に配置される。
【００１８】
小さい基板１１０は、広い領域を有する何もない基板１００（図３を参照）を用いることによって形成することができる。当該基板１００は、複数の小さい基板に切断され（Ｓ１１）、強化される（Ｓ１２）。切断は、ナイフやレーザーを含む種々の方法で実行することができる。強化は、化学的な強化手段や物理的な強化手段で実行することができる。その一方で、大きい基板１２０は、先ず強化工程Ｓ１２を介して形成することができ、その結果、要求される小さい基板１１０と大きい基板１２０との圧縮強度を達成する。
【００１９】
工程Ｓ２：配置
この工程は、小さい基板の配置を含む。小さい基板１１０は、アレイ・パラ・ポジショニングによって第１のプラットフォーム２１０上に配置される。第１のプラットフォーム２１０は、配置するために、小さい基板１１０を吸着するための負圧を生成するために、複数のスルーホールを介して負圧生成装置に接続することができる。
【００２０】
配置工程において、小さい基板１１０がアレイ状に配置され、そして配置するために負圧によって吸着されるように、第１のプラットフォーム２１０に小さい基板１１０を一つずつ配置することを含む、小さい基板１１０の配置を完了するために、当業者は、手又は機械式のアーム２１１によって小さい基板１１０の材料の取得及び材料の配置の実現が可能であることが理解できる。
【００２１】
当該方法はまた、小さい基板のパラ・ポジショニングの工程Ｓ２０を含む。
【００２２】
小さい基板１１０の材料の配置の後であって、負圧配置する前に、小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングを実行する（図２及び図４を参照）。
【００２３】
第１のプラットフォーム２１０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸の角度α、Ｚ軸及びＺ軸の角度βの組み合わせである、少なくとも二方向に沿って移動する機能を有する。第１のプラットフォーム２１０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿って移動する機能を有するＣＣＤ２１２と共に用いることができる。また、ＣＣＤ２１２は光源を有する。
【００２４】
材料の取得及び材料の配置の工程において、ＣＣＤ２１２は、実際の画像に基づいて第１のプラットフォーム２１０を小さく移動させることができ、そして小さい基板を正確なアレイポジションに整列できるように、第１のプラットフォーム２１０及び小さい基板１１０の実際の画像を正確に捕捉及び記憶することができる。第１のプラットフォーム２１０上の全ての小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングが完了した後に、負圧は小さい基板１１０が同時に配置されるように、第１のプラットフォーム２１０上の全ての小さい基板１１０を同時に吸着するために適用される。
【００２５】
また、本開示は、ＣＣＤ２１２によって促進される小さい基板１１０の正確なパラ・ポジショニングのための形態を提供する（図５Ａ及び図５Ｂを参照）。ＣＣＤ２１２はＣＣＤ１及びＣＣＤ２を備えている。ＣＣＤ１及びＣＣＤ２は、第１のプラットフォーム２１０の上方に移動し、そして以下の工程Ｓ２１〜Ｓ２５を実行する。
【００２６】
工程Ｓ２１：座標の決定
制御装置は、ＣＣＤ１の座標（ｘ１、ｙ１）、ＣＣＤ２の座標（ｘ２、ｙ２）及び第１のプラットフォーム２１０の座標（ｘ'、ｙ'、β'）を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
【００２７】
工程Ｓ２２：画像の捕捉
ＣＣＤ１及びＣＣＤ２は、各小さい基板１１０の第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂの可視範囲内で、それぞれ実際の画像Ｐ１及びＰ２を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂは、小さい基板１１０の任意の二つの角部である。
【００２８】
工程Ｓ２３：小さい基板のズレ量の決定
制御装置は、小さい基板１１０の中央ズレ量（Δｘ'ｙ'）及び角度ズレ量（Δβ'）を決定するために、第１のプラットフォーム２１０の座標システムにおいて、第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂの位置関係を算出する。
【００２９】
工程Ｓ２４：小さい基板の補償及び補正
制御装置は、小さい基板１１０のアレイポジションを補正することができるように、中央ズレ量（Δｘ'ｙ'）及び角度ズレ量（Δβ'）に基づいて、変位の補償を実行するために、第１のプラットフォーム２１０に指示する。
【００３０】
上述の工程Ｓ２１〜Ｓ２４を繰り返し実行することによって、小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングは第１のプラットフォーム２１０（図５Ｃ、Ａ１、Ａ２…Ａ２４）上で一つ一つ完了させることができる。そして、負圧は、第１のプラットフォーム２１０上に全ての小さい基板１１０を同時に配置するべく、全ての小さい基板１１０を吸着するために適用することができる。
【００３１】
上述の小さい基板１１０のためのパラ・ポジショニングは、前もって小さい基板１１０を正確にパラ・ポジショニング及び配置し、一回限りの積層を実行する前に位置を記憶するために優れている。
【００３２】
大きい基板１２０は、エッジ・パラ・ポジションによって第２のプラットフォーム２２０上に配置することができる。第２のプラットフォーム２２０は、複数のスルーホールを介して負圧生成装置に接続することができる。負圧生成装置は、配置するために、当該大きい基板１２０を吸着するための負圧を生成する。大きい基板１２０の配置は、小さい基板１１０の配置と同時、又は小さい基板１１０の配置を実行する前若しくは後に実行することができる。
【００３３】
ターゲットは、大きい基板１２０上にプレセットされている。ターゲットは、少なくとも二つのターゲット１２１及び１２２を含み、それらの間隔は明確な関係を有する。配置の工程において、大きい基板１２０の配置を完了させるために、手又は機械的なアーム２２１よって、大きい基板１２０の材料の取得及び材料の配置が実現可能であることを、当業者は理解することができる。配置する工程（エッジ・パラ・ポジショニング）は、第２のプラットフォーム２２０上に大きい基板１２０を配置し、基準である第２のプラットフォーム２２０の角部２２２で隣接する二つの端部２２３及び２２４を得て、角部２２２に大きい基板１２０を押し付けて、大きい基板１２０を二つの端部２２３及び２２４に当接させる。次に、負圧は、大きい基板１２０を吸着するために供給される。そのため、大きい基板１２０は、第２のプラットフォーム２２０上に正確に配置される。
【００３４】
当該方法は工程Ｓ２５を含む：大きい基板のパラ・ポジショニング
【００３５】
大きい基板１２０の材料を配置した後に、第２のプラットフォーム２２０上に大きい基板１２０のパラ・ポジショニングの工程を実行する（図２及び図４を参照）。
【００３６】
第２のプラットフォーム２２０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸の角度α、Ｚ軸及びＺ軸の角度βの組み合わせである、少なくとも二方向に沿って移動する機能を有する。第２のプラットフォーム２２０は、ＣＣＤ２１２及び光源と等しく置き換えられる機能を有するＣＣＤ２２５と一緒に用いることができる。大きい基板１２０のエッジ・パラ・ポジショニングを実行する間に、配置するために、第２のプラットフォーム２２０の負圧を駆動し、大きい基板１２０を吸着するように、ＣＣＤ２２５は、第２のプラットフォーム２２０及びその上の大きい基板１２０の実際の位置を記憶するために、第２のプラットフォーム２２０上のターゲットの画像を正確に捕捉することができる。
【００３７】
また、本開示は、ＣＣＤ２２５によって促進される大きい基板１２０の正確なパラ・ポジショニングのための形態を提供する（図５Ａ及び図５Ｂを参照）。ＣＣＤ２２５はＣＣＤ３及びＣＣＤ４を備えている。ＣＣＤ３及びＣＣＤ４は、第２のプラットフォーム２２０の上方に移動し、そして以下の工程Ｓ２６〜２８を実行する。
【００３８】
工程Ｓ２６：座標の決定
制御装置は、ＣＣＤ３の座標（ｘ３、ｙ３）、ＣＣＤ４の座標（ｘ４、ｙ４）及び第２のプラットフォーム２２０の座標（ｘ''、ｙ''、β''）を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
【００３９】
工程Ｓ２７：画像の捕捉
ＣＣＤ３及びＣＣＤ４は、大きい基板１２０のターゲットポイント１２１及び１２２の可視範囲内で、それぞれ実際の画像Ｐ３及びＰ４を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。
【００４０】
工程Ｓ２８：大きい基板の位置及び角度のズレ量の決定
制御装置は、大きい基板１２０の中央位置（ｘ'''ｙ'''）及び角度（β'''）を決定するために、第２のプラットフォーム２２０の座標システムにおいて、ターゲットポイント１２１及び１２２の位置関係を算出する。それに応じて、制御装置は、大きい基板１２０に積層される、小さい基板のアレイポジション（Ｂ１、Ｂ２…Ｂ２４）との関連を決定することができる。
【００４１】
上述の工程Ｓ２６〜Ｓ２８を繰り返して実行することによって、第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０のエッジ・パラ・ポジショニングを完了することができる。このとき、負圧は、配置するために、大きい基板１２０を吸着するために駆動することができる。
【００４２】
一方、大きい基板１２０及び小さい基板１１０を配置及びパラ・ポジショニングする工程の間、複数のＣＣＤは、等しい軸に沿って、又は移動経路を撮像可能な位置に配置され、一つのＣＣＤは画像の捕捉及び記憶を実行するために用いることができる。
【００４３】
上述の大きい基板のためのパラ・ポジショニング手順は、事前の大きい基板１２０の正確な配置、及び一回限りの積層を行う前に大きい基板１２０と小さい基板１１０との位置を関連させて配置するために優れている。
【００４４】
工程３：相互のパラ・ポジショニング
小さい基板１１０が配置された第１のプラットフォーム２１０上の第１の基準ポイントＣ１と、大きい基板１２０が配置された第２のプラットフォーム２２０上の第２の基準ポイントＣ２と、を比較し（図６Ａ及び図６Ｂを参照）、制御装置は、基準の誤差値を算出して得ることができる。第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能に基づいて、基準の誤差値はＣｘ、Ｃｙ、Ｃｙ−α、Ｃｚ、及びＣｚ−βの組み合わせである。互いのパラ・ポジショニングが正確に完了するまでに、第１のプラットフォーム２１０及び／又は第２のプラットフォーム２２０は、基準の誤差値に基づいて補正するために、小さい移動を実行するために駆動されることができる。
【００４５】
大きい基板１２０と小さい基板１１０との互いのパラ・ポジショニングの正確さに影響を与える、第１のプラットフォーム２１０と小さい基板１１０との間、及び第２のプラットフォーム２２０と大きい基板１２０との間の小さい誤差を回避するために、一形態において、第１の基準ポイントＣ１の位置は小さい基板１１０のＡ１とＡ６との間の中央位置とすることができる。第２の基準ポイントＣ２の位置は大きい基板１２０のＢ１とＢ６との間の中央位置とすることができる。
【００４６】
特定の回転積層動作を実行するために必要な幾つかの装置のために、少なくとも第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０の一つは、回転機能と、Ｙ軸の角度αに沿って移動する機能を備えている必要がある。
【００４７】
互いのパラ・ポジショニングを実行する際に、第１のプラットフォーム２１０の最初の座標を維持するために、第２のプラットフォーム２２０は、第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０のパラ・ポジショニングを正確に補正するために、小さい移動を実行するために駆動されることが可能である。又は、第１と第２のプラットフォームとを逆に動作させる。パラ・ポジショニングの後、小さい基板１１０と大きい基板１２０との間の位置関係は正確である。
【００４８】
工程４：一回限りの積層
小さい基板１１０と大きい基板１２０との互いのパラ・ポジショニングの後に、一回限りの積層が実行され、以下の工程４１〜４４のうちのいずれかが一回限りの積層を完了させるために実行される。
【００４９】
工程４１：第１のプラットフォーム２１０の移動機能によって、制御装置は、第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０が第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に一回で均一に積層されるように、第１のプラットフォーム２１０を特定の角度α１（図７Ａを参照）回転させる。
【００５０】
工程４２：第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０が第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に一回で均一に積層されるように、第２のプラットフォーム２２０を特定の角度α２（図７Ａを参照）回転させる。
【００５１】
工程４３：第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、積層領域Ｗ１に移動し、特定の角度α３回転するように、第１のプラットフォーム２１０に指示する。制御装置は、大きい基板１２０が小さい基板１１０に一回で均一に積層されるように、吸着された小さい基板１１０を吊り上げ、積層領域Ｗ１に移動するように、第２のプラットフォーム２２０に指示する。
【００５２】
工程４４：第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、積層領域Ｗ２に移動し、特定の角度α４回転するように、第２のプラットフォーム２２０に指示する。制御装置は、小さい基板１１０が第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に一回で均一に積層されるように、吸着された大きい基板１２０を吊り上げ、積層領域Ｗ２に移動するように、第１のプラットフォーム２１０に指示する。
【００５３】
上述した特定の角度α１、α２、α３及びα４は、第１のプラットフォーム２１０と第２のプラットフォーム２２０との間の角度の範囲を含む。
【００５４】
工程Ｓ４における一回限りの積層の前に、本開示はまた工程Ｓ３０を含む。
【００５５】
工程Ｓ３０：積層剤の塗布
積層剤の塗布の工程Ｓ３０は、大きい基板１２０と小さい基板１１０との配置の工程Ｓ２を完了させた後（図８Ａを参照）、又は大きい基板１２０と小さい基板１１０との互いのパラ・ポジショニングの工程Ｓ３を完了させた後（図８Ｂの工程）に実行される。
【００５６】
積層剤は、大きい基板１２０上、又は小さい基板１１０上に塗布される。
【００５７】
積層剤が大きい基板１２０上を被覆すると、一回限りの積層の工程Ｓ４の工程Ｓ４１又は工程Ｓ４３が、積層剤で被覆された大きい基板１２０の機能を維持するように、第２のプラットフォーム２２０の回転を避けるために実行される必要がある。積層剤は、関連する位置Ｂ１、Ｂ２…Ｂ２４(図６Ｂを参照)上を被覆する。この積層剤は、大きい基板１２０上のターゲットに基づいて小さい基板に積層される。第１のプラットフォーム２１０が特定の角度α１（図７Ａを参照）回転した後に、小さい基板１１０が一回で第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に積層される。又は、第１のプラットフォーム２１０が所定の角度α３（図７Ｂを参照）回転し、第２のプラットフォーム２２０が少なくとも二方向に沿って移動した後に、大きい基板１２０は一回で第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に積層される。
【００５８】
積層剤が小さい基板１１０上を被覆すると、一回限りの積層の工程Ｓ４の工程Ｓ４２又はＳ４４が、小さい基板１１０を被覆する積層剤の機能を維持することによって、第１のプラットフォーム２１０の回転を避けるために実行される必要がある。被覆の間、積層剤は、小さい基板１１０のアレイポジションＡ１、Ａ２…Ａ２４（図６Ｂを参照）に基づいて被覆する。第２のプラットフォーム２２０が特定の角度α２（図７Ａを参照）回転した後に、大きい基板１２０は一回で第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に積層される。又は第２のプラットフォーム２２０が特定の角度α４（図７Ｃを参照）回転し、第１のプラットフォーム２１０が少なくとも二方向に移動した後に、小さい基板１１０が一回で第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に積層される。
【００５９】
一回限りの積層の工程Ｓ４が完了した後、アレイ状に配置された小さい基板１１０と大きい基板１２０とは結合体１３０として積層される（図９Ａを参照）。制御装置は、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０に指示し、結合体１３０の上部への荷重を抜くように、吸着力を取り除くために結合体１３０の上方に配置される。
【００６０】
工程Ｓ５０：硬化
硬化は一回限りの積層の工程Ｓ４の後に実行される（図８Ａ及び図８Ｂを参照）。制御装置は、硬化領域Ｗ３（図２を参照）に結合体１３０を移動させるために、結合体１３０の底部に配置された、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０を指示する。積層剤は、大きい基板１２０と小さい基板１１０とが強固に結合するように、大きい基板１２０と小さい基板１１０との間で硬化する。結合体１３０の底部に配置された、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０は、結合体１３０を完全に取り外すために、吸着力を取り除く。それにより、結合体１３０は手又は機械式のアーム２２１によって取り出される。
【００６１】
上述の工程を組み合わせ、本開示の基板の積層方法が具体的に実現され、以下の応用も得られる。
【００６２】
１．一時的な積層の工程
ＮａＣｌ又はＫＮＯ３のような塩化合物が積層剤として用いられ、積層剤は常温で晶質であり、耐熱特性を有する。塩が溶融温度に加熱されると、液体状態に溶ける。温度が常温に戻ると、液体状態の塩は晶に戻り、硬化する。一形態において、積層剤として用いられる、３３４℃の溶融点を有するＫＮＯ３は、積層剤を塗布する工程Ｓ３０において、３３４℃（３５０℃程度）より高い温度に加熱することで液体状態に溶かすことができる。塩は、大きい基板１２０と小さい基板１１０とが一回限りの積層の工程Ｓ４において互いに積層することができるように、大きい基板１２０上、又は小さい基板１１０上に塗布される。また、液体のＫＮＯ３を硬化する工程Ｓ５０は、水の循環のような冷却モードを介して、徐々に常温に戻されて晶に硬化する。それにより、小さい基板１１０と大きい基板１２０とは、一時的に結合体１３０として積層される。それ故に、複合層を配置する効率を向上させることができるように、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置するために、アレイ状に配置された小さい基板１１０を移動させるためのキャリヤとして結合体１３０の大きい基板１２０を得ることが効果的である。また、配置が完了した後に、硬化した塩化合物は、複合層と共に配置された小さい基板１１０を大きい基板１２０から除去し、大きい基板１２０を単層タッチ基板又はタッチパネルとして用いるように、再び加熱することによって液体状態に戻すことができる。
【００６３】
２．恒久的な積層の工程
シリコン（Ｓｉ）又はアクリルを含む一般的な液体接着剤が積層剤として用いられる。常温で積層剤を塗布する工程Ｓ３０において、液体接着剤は、一回限りの積層の工程Ｓ４において、大きい基板１２０と小さい基板１１０とを互いに積層することができるように、大きい基板１２０上又は小さい基板１１０上に直接塗布される。また、硬化の工程Ｓ５０において、液体接着剤は紫外線の照射によって硬化する。それにより、小さい基板は大きい基板に恒久的に積層され、結合体１３０を形成する。
【００６４】
恒久的な積層の工程において、小さい基板１１０、及び大きい基板１２０として用いられる、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層と共に配置されるタッチ基板は、工程Ｓ６０を介して切断される必要がある（図１０を参照）。
【００６５】
切断の工程Ｓ６０において、結合体１３０の大きい基板は、ナイフやレーザーを含む幾つかの切断モードによって、小さい基板１１０と等しい外形を有する複数の片に切断することができ、ガラスの二つの層を有するタッチパネル１４０を形成するための表面ガラスに用いる。大きい基板及び小さい基板の外形は、一致させる必要がある。
【００６６】
幾つかの小さい基板１１０を一回で大きい基板１２０に積層することができることは、積層効率を向上させることができるという本開示の効果がある。また、単層タッチ基板上の電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置する工程、及びガラスの二つの層を有するタッチパネルを製造する工程は、積層工程の効率を向上させる。
【００６７】
幾つかの形態を示し、詳細したが、種々の改変及び置換は本開示の精神及びスコープから逸脱しない範囲で可能である。そのため、本開示は実例として述べたものであり、限定されるものでない。
【符号の説明】
【００６８】
１１０ 小さい基板
１１０ａ、１１０ｂ 角部
１２０ 大きい基板
１２１ ターゲット
１３０ 結合体
１４０ タッチパネル
２１０ 第１のプラットフォーム
２１１ アーム
２２０ 第２のプラットフォーム
２２１ アーム
２２２ 角部
２２３ 端部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タッチパネルの製造技術に関し、特にタッチパネルの基板の積層方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、タッチインターフェイスであるタッチディスプレイ装置や液晶ディスプレイ装置（ＬＣＤ）に広く搭載されている。タッチパネルは、基板である優れた光透過率を有するガラスを用いることによって、製造される。タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層は、基板上に配置される。基板は頻繁にタッチされ、それ故に優れた強度を必要とする。
【０００３】
幾つかのタッチパネルは、小さい基板の二つの片の間に、電極と回路とを複合することによって、形成されている。一片は、当該複合層と共に配置されていないか、又は表面基板として当該複合層の一部のみに配置されている。他片は、タッチ基板として複合層と共に配置されている。製造工程の間、小さい基板の二片は、積層されている。しかしながら、一つ一つ小さい基板の二つの片を積層する方法は効率的でない。そのため、製造量を増やすために基板を積層する効率的な方法を見出す必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】中国登録実用新案第２７９３８１６号
【特許文献２】台湾登録実用新案Ｍ３９０９４７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示の目的は、複数の小さい基板や一つの大きい基板を有する基板の積層方法を提供する。本開示は、従来の製造工程における積層効率の低さを改善することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示に関して、小さい基板は、一回限りの積層（単に積層と呼ばれるものと同義である）を実行するために、前もって強化され、それ故に小さい基板の強度の減少の問題を回避する。
【０００７】
形態において、小さい基板はアレイ状に第１のプラットフォーム上に配置される。第１のプラットフォームは、配置するために小さい基板を吸着するための負圧を与える。第１のプラットフォーム上に配置される小さい基板は、ＣＣＤ（charge-coupled device）によって、パラ・ポジショニングを介して第１のプラットフォーム上に配置される。事前の小さい基板の正確な配置を可能とし、そして一回限りの積層の前に当該位置を記憶する。
【０００８】
大きい基板は第２のプラットフォーム上に配置される。第２のプラットフォームは、配置するために大きい基板を吸着するための負圧を与える。大きい基板はターゲットを有し、一回限りの積層は、小さい基板をパラ・ポジションするために、ＣＣＤがターゲットを捕らえる前に実行され、それ故に、事前の大きい基板の配置、及び一回限りの積層を実行する前に、大きい基板と小さい基板との間の対応する位置のパラ・ポジショニングや記憶に効果的である。
【０００９】
本開示の積層方法は、積層する前に大きい基板上、又は小さい基板上に積層剤を塗布する。
【００１０】
積層剤を大きい基板に塗布するとき、積層剤は、大きい基板上のターゲットに基づいて小さい基板と積層される大きい基板の対応する位置に塗布される。また、第１のプラットフォームが特定の角度回転した後に、小さい基板が第２のプラットフォーム上の大きい基板に一回で積層される。又は、第１のプラットフォームが特定の角度回転し、第２のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、大きい基板が第１のプラットフォーム上の小さい基板に積層される。
【００１１】
積層剤を小さい基板に塗布するとき、積層剤は、小さい基板のアレイポジションに基づいて塗布される。また、第２のプラットフォームが特定の角度回転した後に、大きい基板が第１のプラットフォーム上の小さい基板に一回で積層される。又は、第２のプラットフォームが特定の角度回転し、第１のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、小さい基板が第２のプラットフォーム上の大きい基板に一回で積層される。
【００１２】
本開示において一回限りの積層を実行する目的は、一時的な積層のスキームを実行し、特に加熱した後に塗布され、一回限りの積層後に冷却することで硬化する積層剤として塩化合物を供給する。小さい基板と大きい基板とを一片に結合し、当該方法は、キャリヤである大きい基板を得て、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置するためにアレイ状に配置した小さい基板を移動する。これは、複合層の配置の効率を向上させる。また、移動が完了した後に、硬化した塩化合物は、タッチ基板又はタッチパネルとして用いられる大きい基板から複合層と共に配置された小さい基板を取り除くように、溶かす工程を介して硬化されていない状態に戻すことができる。
【００１３】
本開示において一回限りの積層を実行する方法は、恒久的な積層のスキームを実行する。特に、この工程は、一回限りの積層後に紫外線照射によって硬化する、積層剤である液体接着剤を供給する。複合層と共に配置された小さい基板は、大きい基板と共に結合されて一片にされる。複合層は、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む。次に、大きい基板は、積層の後に、小さい基板と等しい外形に切断することができ、それ故に、ガラスの二つの層を有するタッチパネルを形成するための表面ガラスとして大きい基板が用いられる。
【００１４】
本開示は、問題を解決し、効果を達成するために、技術的な解決策を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
当業者のために、図面に結び付けられた形態は目的を示す為だけに表されており、如何なる方法においても本開示のスコープに限定されない。
【図１】図１は、本開示に係る積層方法の手順のブロック図である。
【図２】図２は、図１に示す方法を遂行する概略図である。
【図３】図３は、本開示に係る材料を取得する手順のブロック図である。
【図４】図４は、本開示に係る配置手順のブロック図である。
【図５Ａ】図５Ａは、図４から続くパラ・ポジショニング手順のブロック図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、図５Ａを示す概略図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、図５Ａを示す概略図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、図５Ａを示す概略図である。
【図６Ａ】図６Ａは、本開示に係るパラ・ポジショニング手順のブロック図である。
【図６Ｂ】図６Ｂは、図６Ａを示す概略図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本開示に係る一回限りの積層工程の概略図である。
【図８Ａ】図８Ａは、本開示に係る積層剤の塗布工程のブロック図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、本開示に係る積層剤の塗布工程のブロック図である。
【図９Ａ】図９Ａは、本開示に係る硬化工程前の概略図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、本開示に係る硬化工程後の概略図である。
【図１０】図１０は、本開示に係る大きい基板の切断工程の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本開示に係る基板上に導電積層体を製造するためのブロック図を示している。図２は、図１に示す方法を実行するために含まれる幾つかの工程の図を示している。本開示に係る基板の積層方法は、複数の小さい基板１１０と一つの大きい基板１２０との一回限りの積層を実行する。特に、以下の工程Ｓ１〜Ｓ４を含んでいる。
【００１７】
工程Ｓ１：材料の取得
本開示は、等しいサイズの複数の小さい基板１１０を形成するために、優れた光透過性を有するガラス、透明レンズ又は透明パッシベーション材料の使用を含み、大きい規格又はサイズを有する一つの大きい基板１２０を形成するために、同じ材料又は異なる材料を用いる。小さい基板１１０は、大きい基板１２０上に均一に配置される。
【００１８】
小さい基板１１０は、広い領域を有する何もない基板１００（図３を参照）を用いることによって形成することができる。当該基板１００は、複数の小さい基板に切断され（Ｓ１１）、強化される（Ｓ１２）。切断は、ナイフやレーザーを含む種々の方法で実行することができる。強化は、化学的な強化手段や物理的な強化手段で実行することができる。その一方で、大きい基板１２０は、先ず強化工程Ｓ１２を介して形成することができ、その結果、要求される小さい基板１１０と大きい基板１２０との圧縮強度を達成する。
【００１９】
工程Ｓ２：配置
この工程は、小さい基板の配置を含む。小さい基板１１０は、アレイ・パラ・ポジショニングによって第１のプラットフォーム２１０上に配置される。第１のプラットフォーム２１０は、配置するために、小さい基板１１０を吸着するための負圧を生成するために、複数のスルーホールを介して負圧生成装置に接続することができる。
【００２０】
配置工程において、小さい基板１１０がアレイ状に配置され、そして配置するために負圧によって吸着されるように、第１のプラットフォーム２１０に小さい基板１１０を一つずつ配置することを含む、小さい基板１１０の配置を完了するために、当業者は、手又は機械式のアーム２１１によって小さい基板１１０の材料の取得及び材料の配置の実現が可能であることが理解できる。
【００２１】
当該方法はまた、小さい基板のパラ・ポジショニングの工程Ｓ２０を含む。
【００２２】
小さい基板１１０の材料の配置の後であって、負圧配置する前に、小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングを実行する（図２及び図４を参照）。
【００２３】
第１のプラットフォーム２１０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸の角度α、Ｚ軸及びＺ軸の角度βの組み合わせである、少なくとも二方向に沿って移動する機能を有する。第１のプラットフォーム２１０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸に沿って移動する機能を有するＣＣＤ２１２と共に用いることができる。また、ＣＣＤ２１２は光源を有する。
【００２４】
材料の取得及び材料の配置の工程において、ＣＣＤ２１２は、実際の画像に基づいて第１のプラットフォーム２１０を小さく移動させることができ、そして小さい基板を正確なアレイポジションに整列できるように、第１のプラットフォーム２１０及び小さい基板１１０の実際の画像を正確に捕捉及び記憶することができる。第１のプラットフォーム２１０上の全ての小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングが完了した後に、負圧は小さい基板１１０が同時に配置されるように、第１のプラットフォーム２１０上の全ての小さい基板１１０を同時に吸着するために適用される。
【００２５】
また、本開示は、ＣＣＤ２１２によって促進される小さい基板１１０の正確なパラ・ポジショニングのための形態を提供する（図５Ａ及び図５Ｂを参照）。ＣＣＤ２１２はＣＣＤ１及びＣＣＤ２を備えている。ＣＣＤ１及びＣＣＤ２は、第１のプラットフォーム２１０の上方に移動し、そして以下の工程Ｓ２１〜Ｓ２５を実行する。
【００２６】
工程Ｓ２１：座標の決定
制御装置は、ＣＣＤ１の座標（ｘ１、ｙ１）、ＣＣＤ２の座標（ｘ２、ｙ２）及び第１のプラットフォーム２１０の座標（ｘ'、ｙ'、β'）を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
【００２７】
工程Ｓ２２：画像の捕捉
ＣＣＤ１及びＣＣＤ２は、各小さい基板１１０の第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂの可視範囲内で、それぞれ実際の画像Ｐ１及びＰ２を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂは、小さい基板１１０の任意の二つの角部である。
【００２８】
工程Ｓ２３：小さい基板のズレ量の決定
制御装置は、小さい基板１１０の中央ズレ量（Δｘ'ｙ'）及び角度ズレ量（Δβ'）を決定するために、第１のプラットフォーム２１０の座標システムにおいて、第１の角部１１０ａ及び第２の角部１１０ｂの位置関係を算出する。
【００２９】
工程Ｓ２４：小さい基板の補償及び補正
制御装置は、小さい基板１１０のアレイポジションを補正することができるように、中央ズレ量（Δｘ'ｙ'）及び角度ズレ量（Δβ'）に基づいて、変位の補償を実行するために、第１のプラットフォーム２１０に指示する。
【００３０】
上述の工程Ｓ２１〜Ｓ２４を繰り返し実行することによって、小さい基板１１０のアレイ・パラ・ポジショニングは第１のプラットフォーム２１０（図５Ｃ、Ａ１、Ａ２…Ａ２４）上で一つ一つ完了させることができる。そして、負圧は、第１のプラットフォーム２１０上に全ての小さい基板１１０を同時に配置するべく、全ての小さい基板１１０を吸着するために適用することができる。
【００３１】
上述の小さい基板１１０のためのパラ・ポジショニングは、前もって小さい基板１１０を正確にパラ・ポジショニング及び配置し、一回限りの積層を実行する前に位置を記憶するために優れている。
【００３２】
大きい基板１２０は、エッジ・パラ・ポジションによって第２のプラットフォーム２２０上に配置することができる。第２のプラットフォーム２２０は、複数のスルーホールを介して負圧生成装置に接続することができる。負圧生成装置は、配置するために、当該大きい基板１２０を吸着するための負圧を生成する。大きい基板１２０の配置は、小さい基板１１０の配置と同時、又は小さい基板１１０の配置を実行する前若しくは後に実行することができる。
【００３３】
ターゲットは、大きい基板１２０上にプレセットされている。ターゲットは、少なくとも二つのターゲット１２１及び１２２を含み、それらの間隔は明確な関係を有する。配置の工程において、大きい基板１２０の配置を完了させるために、手又は機械的なアーム２２１よって、大きい基板１２０の材料の取得及び材料の配置が実現可能であることを、当業者は理解することができる。配置する工程（エッジ・パラ・ポジショニング）は、第２のプラットフォーム２２０上に大きい基板１２０を配置し、基準である第２のプラットフォーム２２０の角部２２２で隣接する二つの端部２２３及び２２４を得て、角部２２２に大きい基板１２０を押し付けて、大きい基板１２０を二つの端部２２３及び２２４に当接させる。次に、負圧は、大きい基板１２０を吸着するために供給される。そのため、大きい基板１２０は、第２のプラットフォーム２２０上に正確に配置される。
【００３４】
当該方法は工程Ｓ２５を含む：大きい基板のパラ・ポジショニング
【００３５】
大きい基板１２０の材料を配置した後に、第２のプラットフォーム２２０上に大きい基板１２０のパラ・ポジショニングの工程を実行する（図２及び図４を参照）。
【００３６】
第２のプラットフォーム２２０は、Ｘ軸及びＹ軸、又はＸ軸、Ｙ軸、Ｙ軸の角度α、Ｚ軸及びＺ軸の角度βの組み合わせである、少なくとも二方向に沿って移動する機能を有する。第２のプラットフォーム２２０は、ＣＣＤ２１２及び光源と等しく置き換えられる機能を有するＣＣＤ２２５と一緒に用いることができる。大きい基板１２０のエッジ・パラ・ポジショニングを実行する間に、配置するために、第２のプラットフォーム２２０の負圧を駆動し、大きい基板１２０を吸着するように、ＣＣＤ２２５は、第２のプラットフォーム２２０及びその上の大きい基板１２０の実際の位置を記憶するために、第２のプラットフォーム２２０上のターゲットの画像を正確に捕捉することができる。
【００３７】
また、本開示は、ＣＣＤ２２５によって促進される大きい基板１２０の正確なパラ・ポジショニングのための形態を提供する（図５Ａ及び図５Ｂを参照）。ＣＣＤ２２５はＣＣＤ３及びＣＣＤ４を備えている。ＣＣＤ３及びＣＣＤ４は、第２のプラットフォーム２２０の上方に移動し、そして以下の工程Ｓ２６〜２８を実行する。
【００３８】
工程Ｓ２６：座標の決定
制御装置は、ＣＣＤ３の座標（ｘ３、ｙ３）、ＣＣＤ４の座標（ｘ４、ｙ４）及び第２のプラットフォーム２２０の座標（ｘ''、ｙ''、β''）を記憶し、三つの互いの座標の関係を決定するために用いられる。
【００３９】
工程Ｓ２７：画像の捕捉
ＣＣＤ３及びＣＣＤ４は、大きい基板１２０のターゲットポイント１２１及び１２２の可視範囲内で、それぞれ実際の画像Ｐ３及びＰ４を捕捉及び記憶するために用いられる。そして、実際の画像は制御装置に記憶される。
【００４０】
工程Ｓ２８：大きい基板の位置及び角度のズレ量の決定
制御装置は、大きい基板１２０の中央位置（ｘ'''ｙ'''）及び角度（β'''）を決定するために、第２のプラットフォーム２２０の座標システムにおいて、ターゲットポイント１２１及び１２２の位置関係を算出する。それに応じて、制御装置は、大きい基板１２０に積層される、小さい基板のアレイポジション（Ｂ１、Ｂ２…Ｂ２４）との関連を決定することができる。
【００４１】
上述の工程Ｓ２６〜Ｓ２８を繰り返して実行することによって、第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０のエッジ・パラ・ポジショニングを完了することができる。このとき、負圧は、配置するために、大きい基板１２０を吸着するために駆動することができる。
【００４２】
一方、大きい基板１２０及び小さい基板１１０を配置及びパラ・ポジショニングする工程の間、複数のＣＣＤは、等しい軸に沿って、又は移動経路を撮像可能な位置に配置され、一つのＣＣＤは画像の捕捉及び記憶を実行するために用いることができる。
【００４３】
上述の大きい基板のためのパラ・ポジショニング手順は、事前の大きい基板１２０の正確な配置、及び一回限りの積層を行う前に大きい基板１２０と小さい基板１１０との位置を関連させて配置するために優れている。
【００４４】
工程３：相互のパラ・ポジショニング
小さい基板１１０が配置された第１のプラットフォーム２１０上の第１の基準ポイントＣ１と、大きい基板１２０が配置された第２のプラットフォーム２２０上の第２の基準ポイントＣ２と、を比較し（図６Ａ及び図６Ｂを参照）、制御装置は、基準の誤差値を算出して得ることができる。第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能に基づいて、基準の誤差値はＣｘ、Ｃｙ、Ｃｙ−α、Ｃｚ、及びＣｚ−βの組み合わせである。互いのパラ・ポジショニングが正確に完了するまでに、第１のプラットフォーム２１０及び／又は第２のプラットフォーム２２０は、基準の誤差値に基づいて補正するために、小さい移動を実行するために駆動されることができる。
【００４５】
大きい基板１２０と小さい基板１１０との互いのパラ・ポジショニングの正確さに影響を与える、第１のプラットフォーム２１０と小さい基板１１０との間、及び第２のプラットフォーム２２０と大きい基板１２０との間の小さい誤差を回避するために、一形態において、第１の基準ポイントＣ１の位置は小さい基板１１０のＡ１とＡ６との間の中央位置とすることができる。第２の基準ポイントＣ２の位置は大きい基板１２０のＢ１とＢ６との間の中央位置とすることができる。
【００４６】
特定の回転積層動作を実行するために必要な幾つかの装置のために、少なくとも第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０の一つは、回転機能と、Ｙ軸の角度αに沿って移動する機能を備えている必要がある。
【００４７】
互いのパラ・ポジショニングを実行する際に、第１のプラットフォーム２１０の最初の座標を維持するために、第２のプラットフォーム２２０は、第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０のパラ・ポジショニングを正確に補正するために、小さい移動を実行するために駆動されることが可能である。又は、第１と第２のプラットフォームとを逆に動作させる。パラ・ポジショニングの後、小さい基板１１０と大きい基板１２０との間の位置関係は正確である。
【００４８】
工程４：一回限りの積層
小さい基板１１０と大きい基板１２０との互いのパラ・ポジショニングの後に、一回限りの積層が実行され、以下の工程４１〜４４のうちのいずれかが一回限りの積層を完了させるために実行される。
【００４９】
工程４１：第１のプラットフォーム２１０の移動機能によって、制御装置は、第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０が第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に一回で均一に積層されるように、第１のプラットフォーム２１０を特定の角度α１（図７Ａを参照）回転させる。
【００５０】
工程４２：第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０が第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に一回で均一に積層されるように、第２のプラットフォーム２２０を特定の角度α２（図７Ａを参照）回転させる。
【００５１】
工程４３：第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、積層領域Ｗ１に移動し、特定の角度α３回転するように、第１のプラットフォーム２１０に指示する。制御装置は、大きい基板１２０が小さい基板１１０に一回で均一に積層されるように、吸着された小さい基板１１０を吊り上げ、積層領域Ｗ１に移動するように、第２のプラットフォーム２２０に指示する。
【００５２】
工程４４：第１のプラットフォーム２１０及び第２のプラットフォーム２２０の移動機能によって、制御装置は、積層領域Ｗ２に移動し、特定の角度α４回転するように、第２のプラットフォーム２２０に指示する。制御装置は、小さい基板１１０が第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に一回で均一に積層されるように、吸着された大きい基板１２０を吊り上げ、積層領域Ｗ２に移動するように、第１のプラットフォーム２１０に指示する。
【００５３】
上述した特定の角度α１、α２、α３及びα４は、第１のプラットフォーム２１０と第２のプラットフォーム２２０との間の角度の範囲を含む。
【００５４】
工程Ｓ４における一回限りの積層の前に、本開示はまた工程Ｓ３０を含む。
【００５５】
工程Ｓ３０：積層剤の塗布
積層剤の塗布の工程Ｓ３０は、大きい基板１２０と小さい基板１１０との配置の工程Ｓ２を完了させた後（図８Ａを参照）、又は大きい基板１２０と小さい基板１１０との互いのパラ・ポジショニングの工程Ｓ３を完了させた後（図８Ｂの工程）に実行される。
【００５６】
積層剤は、大きい基板１２０上、又は小さい基板１１０上に塗布される。
【００５７】
積層剤が大きい基板１２０上を被覆すると、一回限りの積層の工程Ｓ４の工程Ｓ４１又は工程Ｓ４３が、積層剤で被覆された大きい基板１２０の機能を維持するように、第２のプラットフォーム２２０の回転を避けるために実行される必要がある。積層剤は、関連する位置Ｂ１、Ｂ２…Ｂ２４(図６Ｂを参照)上を被覆する。この積層剤は、大きい基板１２０上のターゲットに基づいて小さい基板に積層される。第１のプラットフォーム２１０が特定の角度α１（図７Ａを参照）回転した後に、小さい基板１１０が一回で第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に積層される。又は、第１のプラットフォーム２１０が所定の角度α３（図７Ｂを参照）回転し、第２のプラットフォーム２２０が少なくとも二方向に沿って移動した後に、大きい基板１２０は一回で第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に積層される。
【００５８】
積層剤が小さい基板１１０上を被覆すると、一回限りの積層の工程Ｓ４の工程Ｓ４２又はＳ４４が、小さい基板１１０を被覆する積層剤の機能を維持することによって、第１のプラットフォーム２１０の回転を避けるために実行される必要がある。被覆の間、積層剤は、小さい基板１１０のアレイポジションＡ１、Ａ２…Ａ２４（図６Ｂを参照）に基づいて被覆する。第２のプラットフォーム２２０が特定の角度α２（図７Ａを参照）回転した後に、大きい基板１２０は一回で第１のプラットフォーム２１０上の小さい基板１１０に積層される。又は第２のプラットフォーム２２０が特定の角度α４（図７Ｃを参照）回転し、第１のプラットフォーム２１０が少なくとも二方向に移動した後に、小さい基板１１０が一回で第２のプラットフォーム２２０上の大きい基板１２０に積層される。
【００５９】
一回限りの積層の工程Ｓ４が完了した後、アレイ状に配置された小さい基板１１０と大きい基板１２０とは結合体１３０として積層される（図９Ａを参照）。制御装置は、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０に指示し、結合体１３０の上部への荷重を抜くように、吸着力を取り除くために結合体１３０の上方に配置される。
【００６０】
工程Ｓ５０：硬化
硬化は一回限りの積層の工程Ｓ４の後に実行される（図８Ａ及び図８Ｂを参照）。制御装置は、硬化領域Ｗ３（図２を参照）に結合体１３０を移動させるために、結合体１３０の底部に配置された、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０を指示する。積層剤は、大きい基板１２０と小さい基板１１０とが強固に結合するように、大きい基板１２０と小さい基板１１０との間で硬化する。結合体１３０の底部に配置された、第１のプラットフォーム２１０又は第２のプラットフォーム２２０は、結合体１３０を完全に取り外すために、吸着力を取り除く。それにより、結合体１３０は手又は機械式のアーム２２１によって取り出される。
【００６１】
上述の工程を組み合わせ、本開示の基板の積層方法が具体的に実現され、以下の応用も得られる。
【００６２】
１．一時的な積層の工程
ＮａＣｌ又はＫＮＯ３のような塩化合物が積層剤として用いられ、積層剤は常温で晶質であり、耐熱特性を有する。塩が溶融温度に加熱されると、液体状態に溶ける。温度が常温に戻ると、液体状態の塩は晶に戻り、硬化する。一形態において、積層剤として用いられる、３３４℃の溶融点を有するＫＮＯ３は、積層剤を塗布する工程Ｓ３０において、３３４℃（３５０℃程度）より高い温度に加熱することで液体状態に溶かすことができる。塩は、大きい基板１２０と小さい基板１１０とが一回限りの積層の工程Ｓ４において互いに積層することができるように、大きい基板１２０上、又は小さい基板１１０上に塗布される。また、液体のＫＮＯ３を硬化する工程Ｓ５０は、水の循環のような冷却モードを介して、徐々に常温に戻されて晶に硬化する。それにより、小さい基板１１０と大きい基板１２０とは、一時的に結合体１３０として積層される。それ故に、複合層を配置する効率を向上させることができるように、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置するために、アレイ状に配置された小さい基板１１０を移動させるためのキャリヤとして結合体１３０の大きい基板１２０を得ることが効果的である。また、配置が完了した後に、硬化した塩化合物は、複合層と共に配置された小さい基板１１０を大きい基板１２０から除去し、大きい基板１２０を単層タッチ基板又はタッチパネルとして用いるように、再び加熱することによって液体状態に戻すことができる。
【００６３】
２．恒久的な積層の工程
シリコン（Ｓｉ）又はアクリルを含む一般的な液体接着剤が積層剤として用いられる。常温で積層剤を塗布する工程Ｓ３０において、液体接着剤は、一回限りの積層の工程Ｓ４において、大きい基板１２０と小さい基板１１０とを互いに積層することができるように、大きい基板１２０上又は小さい基板１１０上に直接塗布される。また、硬化の工程Ｓ５０において、液体接着剤は紫外線の照射によって硬化する。それにより、小さい基板は大きい基板に恒久的に積層され、結合体１３０を形成する。
【００６４】
恒久的な積層の工程において、小さい基板１１０、及び大きい基板１２０として用いられる、タッチ電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層と共に配置されるタッチ基板は、工程Ｓ６０を介して切断される必要がある（図１０を参照）。
【００６５】
切断の工程Ｓ６０において、結合体１３０の大きい基板は、ナイフやレーザーを含む幾つかの切断モードによって、小さい基板１１０と等しい外形を有する複数の片に切断することができ、ガラスの二つの層を有するタッチパネル１４０を形成するための表面ガラスに用いる。大きい基板及び小さい基板の外形は、一致させる必要がある。
【００６６】
幾つかの小さい基板１１０を一回で大きい基板１２０に積層することができることは、積層効率を向上させることができるという本開示の効果がある。また、単層タッチ基板上の電極層、絶縁層、回路層及びマスク層を含む複合層を配置する工程、及びガラスの二つの層を有するタッチパネルを製造する工程は、積層工程の効率を向上させる。
【００６７】
幾つかの形態を示し、詳細したが、種々の改変及び置換は本開示の精神及びスコープから逸脱しない範囲で可能である。そのため、本開示は実例として述べたものであり、限定されるものでない。
【符号の説明】
【００６８】
１１０ 小さい基板
１１０ａ、１１０ｂ 角部
１２０ 大きい基板
１２１ ターゲット
１３０ 結合体
１４０ タッチパネル
２１０ 第１のプラットフォーム
２１１ アーム
２２０ 第２のプラットフォーム
２２１ アーム
２２２ 角部
２２３ 端部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する工程を有する、基板の積層方法。
【請求項２】
前記小さい基板は強化される、請求項１に記載の基板の積層方法。
【請求項３】
前記小さい基板は、第１のプラットフォーム上に、アレイ状に配置する、請求項１又は２に記載の基板の積層方法。
【請求項４】
前記第１のプラットフォームを介して前記小さい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項３に記載の基板の積層方法。
【請求項５】
charge-coupled device（CCD）によって、パラ・ポジショニングを介して前記第１のプラットフォームにｎ個の前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項３又は４に記載の基板の積層方法。
【請求項６】
前記大きい基板は、第２のプラットフォーム上に配置する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項７】
前記第２のプラットフォームを介して前記大きい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記大きい基板を配置する工程を有する、請求項６に記載の基板の積層方法。
【請求項８】
前記大きい基板はターゲットを有し、
前記小さい基板と共にパラ・ポジショニングするために、charge-coupled device（ＣＣＤ）が前記ターゲットを捉えた後に、一回限りの積層を実行する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項９】
積層する前に、前記大きい基板上に積層剤を塗布する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１０】
前記積層剤は、前記大きい基板上の関連する位置に塗布し、
前記関連する位置は、前記大きい基板上のターゲットに基づいて、前記小さい基板に積層する、請求項９に記載の基板の積層方法。
【請求項１１】
前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記小さい基板は、第２のプラットフォーム上に配置される前記大きい基板に一回で積層する、請求項９又は１０に記載の基板の積層方法。
【請求項１２】
前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが特定の角度回転し、前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記大きい基板は、前記第１のプラットフォーム上の前記小さい基板に一回で積層する、請求項９又は１０に記載の基板の積層方法。
【請求項１３】
積層する前に、前記小さい基板上に積層剤を塗布する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１４】
前記積層剤は、前記小さい基板の配列位置に基づいて塗布する、請求項１３に記載の基板の積層方法。
【請求項１５】
前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記大きい基板は、第１のプラットフォーム上に配置される前記小さい基板に一回で積層する、請求項１３又は１４に記載の基板の積層方法。
【請求項１６】
前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが特定の角度回転し、前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記小さい基板は前記第２のプラットフォーム上の前記大きい基板に一回で積層する、請求項１３又は１４に記載の基板の積層方法。
【請求項１７】
前記積層剤は、加熱後に塗布され、一回限りの積層の後に冷却することによって硬化する塩化合物である、請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１８】
前記積層剤は、一回限りの積層の後に紫外線の照射によって硬化する液体接着剤である、請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１９】
硬化後に、前記大きい基板を前記小さい基板と等しい外形の表面ガラスに切断する、請求項９乃至１８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１】
複数の小さい基板と一つの大きい基板との一回限りの積層を実行する工程を有する、基板の積層方法。
【請求項２】
前記小さい基板は強化される、請求項１に記載の基板の積層方法。
【請求項３】
前記小さい基板は、第１のプラットフォーム上に、アレイ状に配置する、請求項１又は２に記載の基板の積層方法。
【請求項４】
前記第１のプラットフォームを介して前記小さい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項３に記載の基板の積層方法。
【請求項５】
charge-coupled device（CCD）によって、パラ・ポジショニングを介して前記第１のプラットフォームにｎ個の前記小さい基板を配置する工程を有する、請求項３又は４に記載の基板の積層方法。
【請求項６】
前記大きい基板は、第２のプラットフォーム上に配置する、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項７】
前記第２のプラットフォームを介して前記大きい基板を吸着する負圧を与えることによって、前記大きい基板を配置する工程を有する、請求項６に記載の基板の積層方法。
【請求項８】
前記大きい基板はターゲットを有し、
前記小さい基板と共にパラ・ポジショニングするために、charge-coupled device（ＣＣＤ）が前記ターゲットを捉えた後に、一回限りの積層を実行する、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項９】
積層する前に、前記大きい基板上に積層剤を塗布する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１０】
前記積層剤は、前記大きい基板上の関連する位置に塗布し、
前記関連する位置は、前記大きい基板上のターゲットに基づいて、前記小さい基板に積層する、請求項９に記載の基板の積層方法。
【請求項１１】
前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記小さい基板は、第２のプラットフォーム上に配置される前記大きい基板に一回で積層する、請求項９又は１０に記載の基板の積層方法。
【請求項１２】
前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが特定の角度回転し、前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記大きい基板は、前記第１のプラットフォーム上の前記小さい基板に一回で積層する、請求項９又は１０に記載の基板の積層方法。
【請求項１３】
積層する前に、前記小さい基板上に積層剤を塗布する、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１４】
前記積層剤は、前記小さい基板の配列位置に基づいて塗布する、請求項１３に記載の基板の積層方法。
【請求項１５】
前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが特定の角度回転した後に、前記大きい基板は、第１のプラットフォーム上に配置される前記小さい基板に一回で積層する、請求項１３又は１４に記載の基板の積層方法。
【請求項１６】
前記大きい基板が配置される第２のプラットフォームが特定の角度回転し、前記小さい基板が配置される第１のプラットフォームが少なくとも二方向に沿って移動した後に、前記小さい基板は前記第２のプラットフォーム上の前記大きい基板に一回で積層する、請求項１３又は１４に記載の基板の積層方法。
【請求項１７】
前記積層剤は、加熱後に塗布され、一回限りの積層の後に冷却することによって硬化する塩化合物である、請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１８】
前記積層剤は、一回限りの積層の後に紫外線の照射によって硬化する液体接着剤である、請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【請求項１９】
硬化後に、前記大きい基板を前記小さい基板と等しい外形の表面ガラスに切断する、請求項９乃至１８のいずれか１項に記載の基板の積層方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図５Ｃ】
【図５Ｄ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図８Ａ】
【図８Ｂ】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−７００６０（Ｐ２０１３−７００６０Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２０９１８６（Ｐ２０１２−２０９１８６）
【出願日】平成２４年９月２４日（２０１２．９．２４）
【出願人】（５０９２０５３７５）宸鴻科技（廈門）有限公司 (17)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年９月２４日（２０１２．９．２４）
【出願人】（５０９２０５３７５）宸鴻科技（廈門）有限公司 (17)
【Ｆターム（参考）】
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