多層キャパシタ及びその製造方法
【課題】Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属で内部電極が形成された多層キャパシタを提供すること。
【解決手段】第１の内部電極と、前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを、具備する多層キャパシタ。
【解決手段】第１の内部電極と、前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを、具備する多層キャパシタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の誘電体層が積層された多層キャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
キャパシタは、電子機器が発生する雑音を抑制するためのデカップリング・キャパシタ、電子デバイス間の直流電位の相違を解消するためのカップリング・キャパシタ、更にはフィルタの構成部品等として、電子機器に欠かせない部品である。近年の、電子機器の小型化には目覚しいものがあるが、このような電子機器の小型化に合わせてキャパシタの小型化への要求も高まっている。
【０００３】
誘電体層（キャパシタの電極間に配置された絶縁層）をチタン酸バリウム等の強誘電体で形成したセラミックキャパシタは、小型化に適したキャパシタである。
【０００４】
キャパシタを小型化すると、電極面積が小さくなる。従って、キャパシタの構造に変更を加えずに寸法を小型化すると、キャパシタの容量が小さくなってしまう。
【０００５】
そこで、小型化されたセラミックキャパシタでは、複数の誘電体層と電極層を交互に積層して、電極の総面積が小さくならないようにしている。このようなセラミックキャパシタは、積層セラミックキャパシタと呼ばれている。
【０００６】
積層セラミックキャパシタは、以下のような手順によって製造される。
【０００７】
まず、セラミック材料にバインダー等を加えたスラリーを原料として、セラミックグリーンシートを作製する。
【０００８】
次に、このセラミックグリーンシートの表面に、内部電極用の材料ペーストをスクリーン印刷する。
【０００９】
次に、このセラミックグリーンシートを複数枚積層し圧着して、グリーンブロックを作製する。
【００１０】
その後、このグリーンブロックを切断して、チップ片を形成する。
【００１１】
次に、このチップ片を、約１３００℃の高温で焼成する。
【００１２】
次に、このチップ片における左右両端面に、外部電極を形成して積層セラミックキャパシタを完成する。
【００１３】
上述したように、グリーンブロックを切断して形成したチップ片は、１３００℃で焼成される。従って、チップ片内部に印刷された、内部電極用ペーストも１３００℃の高温に曝される。
【００１４】
この高温に耐えられるように、内部電極の材料には、融点が１３００℃より高いニッケル（Ni）やパラジウム（Pd）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００１−２３８５３号公報
【特許文献２】特開２００１−２３８６２号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】今中佳彦、明渡純、「エアロゾルデポジッションによる高周波受動素子集積化技術」、セラミックス、３９、ｐｐ.５８４−５８９（２００４）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
等価直列抵抗(Equivalent Series Resistance; ESR)は、キャパシタの高周波特性を決める重要な素子定数である。キャパシタの等価回路は、真のキャパシタと、ＥＳＲと、ＥＳＬ（Equivalent Series Inductance）の直列回路として表すことができる。従って、キャパシタの高周波特性を改善するためには、ESRを小さくすることが重要である。ここで、ＥＳＲは、主に電極の抵抗値によって決まる。
【００１８】
ところで、積層セラミックキャパシタの電極材料として用いられるＮｉやＰdは、抵抗率がＣｕ等の低抵抗金属に比べ高い。従って、積層セラミックキャパシタの内部電極を、Ｃｕ等の低抵抗金属で形成することができれば、積層セラミックキャパシタのＥＳＲを小さくすることができる。
【００１９】
Ｃｕに並ぶ低抵抗金属としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕや、これらを主成分とする合金がある。しかし、これら低抵抗金属の融点は、１０００℃前後である。このため、積層セラミックコンデンサの内部電極をこれら低抵抗金属で形成しようとすると、セラミックグリーンシートを焼成する際、内部電極が溶融し破壊されてしまう。故に、積層セラミックコンデンサの内部電極をＣｕ等の低抵抗金属で形成して、ＥＳＲを低くすることは困難であった。
【００２０】
そこで、本発明の目的は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（これらを主成分とする合金も含む）で内部電極が形成された多層キャパシタ（誘電体層と内部電極が交互に積層されたキャパシタ）を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するために、本多層キャパシタは、第１の内部電極と、上記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、上記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、上記第２の内部電極に接続された第２の外部電極とを具備する。
【００２２】
そして、本多層キャパシタは、複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と上記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、上記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、上記第１の内部電極と上記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを具備する。
【発明の効果】
【００２３】
本多層キャパシタ及びその製造方法によれば、多層キャパシタの内部電極を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属又はこれらを主成分とする低抵抗合金で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末を原料粉末とし、エアロゾルデポジッション法によって形成された堆積膜の断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を説明する図面である。
【図２】誘電体膜で表面が覆われた、堆積前の導体粒子の断面構造を説明する模式図である。
【図３】酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末とチタン酸バリウム（BaTiO3）粒子の混合粉末を原料粉末とし、エアロゾルデポジッション法によって形成された堆積膜の断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を説明する図面である。
【図４】図３を参照して説明した堆積膜を誘電体層とするキャパシタの概要を説明する断面図である。
【図５】キャパシタの耐圧を説明する図である。
【図６】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その１）。
【図７】実施の形態の第１の絶縁層（キャピラリ膜）の構造を説明する断面図である。
【図８】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その２）。
【図９】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その３）。
【図１０】実施例の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【図１１】実施例のキャピラリ膜の構造を説明する断面図である。
【図１２】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その１）。
【図１３】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その２）。
【図１４】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その３）。
【図１５】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その４）。
【図１６】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その５）。
【図１７】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その６）。
【図１８】エアロゾルデポジション装置の構成を説明する図である。
【図１９】実施の形態等に関する多層キャパシタのデータを纏めた表である。
【図２０】比較例１の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【図２１】比較例２の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２６】
エアロゾルデポジッション（Aerosol Deposition;ＡＳＤ）は、室温に於ける誘電体の堆積を可能とする成膜方法である。（非特許文献１）。
【００２７】
この方法では、原料粉末をガスと共に噴射して加速し、原料粉末を形成する微粒子を高速で基板（下地）に衝突させる。基板に衝突した微粒子は、互いに固着して強固な堆積層を形成する。このように、ＡＳＤでは、衝突時の衝撃によって微粒子が互いに固着する。従って、ＡＳＤによれば、焼成等の高温処理を経ずに、誘電体を成膜することができる。
【００２８】
故に、ＡＳＤを用いて誘電体層を形成すれば、内部電極を高温に曝さずに多層キャパシタを作製することができる。従って、ＡＳＤによれば、内部電極をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属で形成することが可能になる。
【００２９】
―キャピラリ膜―
誘電体膜によって表面が覆われた導体粒子によって原料粉末を形成し、この原料粉末を用いて誘電体層を形成するとキャパシタの容量が極めて高くなる。この高容量誘電体層について、少し詳しく説明する。
【００３０】
本発明者は、微粒子が集合した粉末をガスと共に噴射して基板に固着させる成膜方法（ASD）を種々研究してきた。その過程で、本発明者は、誘電体膜によって表面が覆われた導体粒子（例えば、表面が酸化されたＡｌ粒子）を原料粉末として、ASDにより金属膜を形成して、その構造及び物性を調べた。
【００３１】
ASDの成膜過程では、微粒子がガスによって音速以上に加速されて、基板に激しく衝突する。その時の衝撃で微粒子が基板に固着し、堆積膜が形成される。
【００３２】
基板に固着した微粒子は、衝突時の衝撃によって、原形を止めないほど変形している。従って、導体粒子の表面を覆っていた誘電体膜が、衝突後も導体粒子の表面を覆ったままであるか或いは誘電体膜を突き破って金属微粒子同士が直接固着しているかは不明であった。
【００３３】
この点に関し、ASDにかかわる研究者達は、衝撃時に、活性な新生面が粒子表面を覆う酸化膜等を突き破って出現し、粒子同士が固着すると考えてきた。
【００３４】
図１は、酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末を、ASDによってアルミニウム箔上に固着させて堆積膜を形成し、その断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を表した図面である。
【００３５】
堆積膜の形成に用いたＡｌ粉末は、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウムによって表面が覆われた平均粒径３μｍ±１μｍ（±の後の数字は標準偏差を表す）のＡｌ粒子が集合したものである。ここで、成膜条件は、後述する実施例１のキャピラリ膜（第１の絶縁層４０）と同じである（但し、原料粉末にチタン酸バリウム粒子は混合させない。）。また、Ａｌ粒子の平均粒径は、遠心分離沈降法によって測定したものである（以下の説明でも、同様である。）。
【００３６】
図２は、堆積前の微粒子の断面構造を説明する模式図である。図２に示すように、原料粉末を形成する微粒子２は、導体粒子４（ここでは、Ａｌ粒子）の表面全体が誘電体６（ここでは、酸化アルミニウム）によって覆われている。ここで、微粒子２の形状は概ね球形である。
【００３７】
しかし、微粒子２が基板に衝突して形成された堆積膜中では、図１に示すようにＡｌ粒子８は大きく変形している。一方、個々のＡｌ粒子８は分離しており、粒子間には酸化アルミニウム層１０が介在している。すなわち、堆積膜中でも、Ａｌ粒子８（金属粒子）の表面全体は、酸化アルミニウム（誘電体）によって覆われている。
【００３８】
ところで、酸化アルミニウム１０は、毛細血管のように堆積膜中に張り巡らされ、Ａｌ粒子８を離隔している（但し、酸化アルミニウム１０は、毛細管ではなく、導体粒子１０の間に介在する絶縁層の連続体である。）。そこで、このように導体粒子を離隔する誘電体膜を、以後、キャピラリと呼ぶこととする。
【００３９】
また、図１に示すような、導体粒子（例えば、Ａｌ粒子８）とキャピラリ（例えば、酸化アルミニウム１０）によって形成された複合体を、以後、キャピラリ膜と呼ぶこととする。
【００４０】
ところで、図１及び図２を参照して説明したキャピラリ膜の成膜メカニズムは、研究者達が考えてきたような、強い衝撃によって新生面が露出し、粒子同士が強固に密着するというものではない。キャピラリ膜の成膜メカニズムは、粒子コア部を形成する金属が、その表面に形成されている誘電体皮膜を破壊しない程度に塑性変形して、個々の粒子が一体化・固着するというものである。
【００４１】
次に、本発明者は、このようなキャピラリ膜の電気的特性を調べた。個々のＡｌ粒子８が絶縁性の酸化アルミニウム膜１０によって隔離されている構造から予測されるように、キャピラリ膜は、抵抗値が極めて高く絶縁性であった。
【００４２】
この様な結果に基づいて、本発明者は、キャピラリ膜の活用法の一つとして、キャピラリ膜がキャパシタの誘電体層（キャパシタの電極間に配置される絶縁層）として使用可能か検討することとした。そこで、本発明者は、酸化アルミニウム層で表面が覆われたＡｌ微粒子を原料粉末として形成した上記キャピラリ膜を誘電体層とするキャパシタの単位面積当たりの容量（容量密度）を測定した。アルミニウム箔製の基板を下部電極とし、キャピラリ膜の上面に金属電極を形成して、測定試料を形成した。尚、堆積膜の厚さは、２５０μｍである。
【００４３】
測定の結果得られた容量密度は、従来のキャパシタの容量密度を超える、３０μＦ/ｃｍ2という極めて高い値であった。例えば、チタン酸バリウムを誘電体層し、誘電体層の厚さを１μｍと薄くしたセラミックキャパシタ（単層構造）の容量密度は、２．５μF/ｃｍ２である。尚、容量密度は、キャパシタに印加する交流電圧の周波数が１５０ｋHzの時の値である（特に、断らない限り、以後の説明においても同じ。）。
【００４４】
このように容量密度が高くなった理由は、隣接するＡｌ粒子８同士が、極薄い酸化アルミニウム１０を介して、容量的に結合しているためと考えられる。
【００４５】
以上のような知見を得て、本発明者は、ASDで形成した堆積膜を、誘電体層とするキャパシタの検討を進めることとした。
【００４６】
そこで、本発明者は、ASDで形成した堆積膜の容量密度を更に高くする成膜条件を種々検討した。その結果、導体粒子４の表面を覆う誘電体６が薄くなると、容量密度が高くなることが明らかになった。
【００４７】
この事実は、誘電体膜（キャピラリ）によって隔離された導体粒子によって、微小なキャパシタが網の目状に形成され、その結果、キャピラリ膜の容量密度が小さくなることを示唆している。
【００４８】
また、高誘電率材料で形成された微粒子（例えば、チタン酸バリウム（BaTiO3）粒子）を原料粉末に混合すると、堆積膜の容量密度が高なることも明らかなった。
【００４９】
図３は、酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粒子とチタン酸バリウム（BaTiO3）微粒子の混合粉末を原料粉末とし、ASDによって形成されたキャピラリ膜の断層像の特徴を説明する図である。ここで、酸化アルミニウムの厚さは１０〜１００ｎｍであり、Ａｌ粉末の粒径は３μｍ±１μｍである。また、チタン酸バリウム微粒子の粒径は１００ｎｍである。そして、上記混合粉末に於けるチタン酸バリウムの割合は、体積比率で５％である（以下、５vol％のように表す）。尚、成膜条件の詳細は、後述する実施例１のキャピラリ膜（第１の絶縁層４０）と同じである。
【００５０】
測定の結果、この堆積膜の容量密度は、１００μF/ｃｍ２と非常に高いことが明らかになった。尚、この時の堆積膜の厚さは、１０μｍである。
【００５１】
図３に示すように、原料粉末に混合されたチタン酸バリウム微粒子１２は、Ａｌ粒子８の表面を覆う酸化アルミニウム１０の連続体（キャピラリ）中に分散された状態で堆積膜（キャピラリ膜）に取り込まれている。
【００５２】
チタン酸バリウムは、比誘電率が３０００と極めて高い誘電体である。このような誘電体粒子が、導体粒子（Ａｌ粒子８）の間に介在する誘電体膜（キャピラリ）１４中に分散されると、誘電体膜（キャピラリ）１４の平均的な誘電率は増加する。このため、堆積膜（キャピラリ膜）の容量密度が、大きくなると考えられる。
【００５３】
このように、キャピラリ膜を誘電体層としてキャパシタを形成すると、その容量が飛躍的に高くなる。しかし、このようなキャパシタには、耐圧が低いという問題がある。
【００５４】
図４は、図３を参照して説明した堆積膜（キャピラリ膜）を誘電体層１６とするキャパシタ１８の概要を説明する断面図である。図４に示すように、キャパシタ１８は、ASDで形成した誘電体層１６と、この誘電体層１６を上下から挟む上部電極２０と下部電極２２を有している。尚、図４には、チタン酸バリウム微粒子１２が誘電体膜（キャピラリ）１４に分散された堆積膜（キャピラリ膜）を、誘電体層１６とするキャパシタが図示されている。
【００５５】
尚、以下の説明は、チタン酸バリウム微粒子１２等の誘電体粒子が分散されていない堆積膜（図１参照）を、誘電体層とするキャパシタにも共通する。
【００５６】
図４に示すように、誘電体層１６の大半は、導体粒子であるＡｌ粒子８によって占められている。このため、キャパシタ１８に電圧が印加されると、電界はＡｌ粒子８の間に介在する誘電体膜（キャピラリ）１４に印加される。従って、キャパシタ１８の耐圧は、この誘電体膜１４の特性によって決まる。
【００５７】
図５は、キャパシタの耐圧を説明する図である。横軸は、キャパシタに印加される電圧である。縦軸は、キャパシタに流れる電流である。キャパシタに電圧を印加すると、微量のリーク電流２４が流れる。しかし、電圧が増加していくと、ある電圧でブレイク・ダウンが起きて急激に電流が増加する。このように電流が急激に増加する電圧を、キャパシタの耐電圧２６と呼ぶ。そして、耐電圧が高い場合、キャパシタの耐圧が高いという。一方、耐電圧が低い場合、キャパシタの耐圧が低いという。
【００５８】
また、異なる材質又は（及び）構造を有する絶縁層を厚さを一定にして電極間に挟んで耐電圧を測定した場合、耐電圧の高い方の絶縁層は、耐電圧の低い方の絶縁層より、耐圧が高いという。一方、耐電圧の低い方の絶縁層は、耐電圧の高い方の絶縁層より、耐圧が低いという。
すなわち、絶縁層の耐圧とは、絶縁層の厚さを一定にした場合の耐電圧の大きさを表す用語である。
【００５９】
さて、上述したようにキャパシタ１８に印加された電圧は、略すべてＡｌ粒子８間の薄い誘電体膜（キャピラリ）１４に印加される。このため、図１又は図３を参照して説明したような堆積膜（キャピラリ膜）を誘電体層とするキャパシタでは、誘電体膜１４が薄いために、ブレイク・ダウンが起やすくなっている。
【００６０】
従って、キャピラリ膜を誘電体層とする多層キャパシタの耐圧は低く、高々数Ｖである。
【００６１】
―本多層キャパシタ―
上述したように、誘電体層をキャピラリ膜で形成すれば、キャパシタの容量を高くすることができる。ここで、キャピラリ膜は、ＡＳＤによって室温で形成される絶縁層である。
【００６２】
従って、多層キャパシタの誘電体層をＡＳＤで形成すれば、内部電極をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低融点金属で形成することが可能になる。
【００６３】
しかし、キャピラリ膜は、上述したようにブレイク・ダウンを起こしやすい。このため、キャピラリ膜を誘電体層としてキャパシタを形成すると、耐圧が低くなってしまう。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、耐圧の高い絶縁層（例えば、チタン酸バリウム層）をキャピラリ膜の表面に形成して、誘電体層とする。このようにすれば、上記絶縁層がブレイク・ダウンを抑制して、多層キャパシタの耐圧を高くする。
【００６５】
図６は、本実施の形態の多層キャパシタ２８の概要を説明する断面図である。
【００６６】
図６に示すように、本多層キャパシタ２８は、複数の第１の内部電極３０と、第１の内部電極３０に接続された第１の外部電極３２を有している。
【００６７】
また、本多層キャパシタ２８は、第１の内部電極３０の主面に垂直な方向３５で、第１の内部電極３０と交互に配置された、複数の第２の内部電極３４を有している。
また、本多層キャパシタ２８は、第２の内部電極３４に接続された第２の外部電極３６を有している。
【００６８】
また、本多層キャパシタ２８は、第１の内部電極３０と第２の内部電極３４の間に配置された誘電体層３８を有している。
【００６９】
この誘電体層３８は、第１の絶縁層４０と第２の絶縁層４２を有している。
【００７０】
図７は、第１の絶縁層４０の構造を説明する断面図である。
【００７１】
第１の絶縁層４０は、複数の導体粒子２９（例えば、Ａｌ粒子）と、この導体粒子を離隔する連続した第１の誘電体膜３１（キャピラリ）とを有するキャピラリ膜である。
【００７２】
一方、第２の絶縁層４２は、第１の絶縁層４０の少なくても一方の主面に形成され、第１の絶縁層４０より耐圧が高い絶縁層である。第２の絶縁層４２は、例えば、チタン酸バリウム層である。
【００７３】
キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）及び絶縁層４２は、ＡＳＤによって室温で形成することができる。従って、本多層キャパシタ２８の製造には、高温熱処理を必要としない。故に、本実施の形態によれば、内部電極３０,３４を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（又は、これらを主成分とする合金）で形成することができる。
【００７４】
また、本多層キャパシタ２８の誘電体層３８は、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）によって形成されている。従って、本多層キャパシタ２８の容量を、誘電体層３８を誘電体材料（例えば、チタン酸バリウム）だけで形成した場合より高くなる。
【００７５】
更に、本多層キャパシタ２８の誘電体層３８は、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）より、耐圧が高い第２の絶縁層４２（例えば、チタン酸バリウム層）を有している。従って、本実施の形態によれば、多層キャパシタの耐圧を高くすることができる。
【００７６】
ところで、図６に示した例では、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の下面に、第２の絶縁層４２が形成されている。しかし、図８に示すように、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面に、第２の絶縁層４２を形成してもよい。また、図９に示すように、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面及び下面の双方に、第２の絶縁層４２を形成してもよい。
【実施例】
【００７７】
（１）構 成
図１０は、本実施例の多層キャパシタ４４の概要を説明する断面図である。
【００７８】
本多層キャパシタ４４では、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８において、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）と第１の外部電極３２の間、又は第１の絶縁層４０と第２の外部電極３６の間に、第１の絶縁層４０より耐圧が高い第３の絶縁層４６が設けられている。ここで、第３の絶縁層４６は、例えば、チタン酸バリウム層である。
【００７９】
尚、第３の絶縁層４６を、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）と第１の外部電極３２の間、及び第１の絶縁層４０と第２の外部電極３６の間の双方に設けてもよい。
【００８０】
図１１は、本実施例の第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）の構成を説明する断面図である。本実施例の第１の誘電体膜４７（キャピラリ）は、導体粒子２９（例えば、Ａｌ粒子）の間に存在する誘電体粒子４９（例えば、チタン酸バリウム粒子）を有している（図１１参照）。
【００８１】
本多層キャパシタ４４は、第１の外部電極３２及び第２の外部電極３６を外部回路に接続することにより、キャパシタとして動作する。
【００８２】
本多層キャパシタ４４によれば、第１の内部電極３０と第２の内部電極３４の間（又は、内部電極と外部電極の間）で起きるブレイク・ダウンだけでなく、第１の外部電極３２と第２の外部電極３６の間で起きるブレイク・ダウンも抑制できる。
【００８３】
従って、本多層キャパシタ４４によれば、図６乃至８を参照して説明した多層キャパシタ２８より、耐圧が一層高くなる。
【００８４】
また、上記実施の形態で説明したように、本多層キャパシタ４４によれば、内部電極３０,３４を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（これらを主成分とする低抵抗合金も含む）で形成することができる。
【００８５】
また、下記「（４）特 性」で説明するように、本多層キャパシタ４４の容量は、誘電体層全体をチタン酸バリウムで形成した多層キャパシタより、格段に高くなる。
【００８６】
（２）製造方法
図１２乃至１５は、本多層キャパシタ４４の製造方法を説明する工程断面図である。
【００８７】
（i）第１層目の内部電極の形成工程（図１２（ａ）及び（ｂ）参照）
まず、ガラス基板４８を用意する（図１２（ａ）参照）。
【００８８】
次に、ガラス基板４８の上に、第１層目の内部電極の形成予定領域で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、このフォトレジスト膜及び露出したガラス基板４８の表面全体に、スパッタリング法により厚さ１μｍのＣｕ膜を堆積する。その後、余分なＣｕ膜を上記フォトレジスト膜と共に除去して、（内部電極３０となる）第１層目の内部電極５０を形成する（図１２（ｂ）参照）。
【００９０】
（ii）第１層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１２（ｃ）参照）
次に、第１層目の内部電極５０及び露出したガラス基板４８の表面上に、厚さ５μｍのチタン酸バリウム層５２（第２の絶縁層４２）を、ＡＳＤによって堆積する。原料粉末は、平均粒子径５０ｎｍのチタン酸バリウム粒子が集合した粉末である。
【００９１】
尚、ＡＳＤによる堆積膜の形成は、下記「（３）ＡＳＤによる成膜方法」に従って実施される。以後の工程でも、同様である。
【００９２】
（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程（図１３（ａ）参照）
次に、チタン酸バリウム層５２の上に、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）の形成予定領域で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９３】
次に、このフォトレジスト膜及びチタン酸バリウム層５２の表面に、ＡＳＤによって、厚さ約５０μｍのキャピラリ膜を堆積する。原料粉末は、表面酸化処理の施されたアルミニウム粒子にチタン酸バリウム粒子を、５ｖｏｌ％（体積比）添加した混合粉末である。アルミニウム粒子の平均粒子径は、３μｍ±１μｍである。チタン酸バリウム粒子の平均粒子径は５０ｎｍである。
【００９４】
ここで、表面酸化処理とは、例えば、大気中でアルミニウム粒子を５５０℃で５時間、加熱する処理である（以下、同様。）。この表面酸化処理によって、アルミニウム粒子の表面全体に、自然酸化膜より厚い約５ｎｍの酸化アルミニウムが形成される。
【００９５】
その後、上記フォトレジスト膜と共に余分なキャピラリ膜を除去して、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）を形成する（図１３（ａ）参照）。
【００９６】
（iv）第２層目の内部電極の形成工程（図１３（ｂ）参照）
次に、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）の上で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９７】
このフォトレジスト膜をメッキマスクとして、無電解メッキを実施して厚さ１μｍのＣｕ膜を形成する。
【００９８】
次に、上記フォトレジスト膜と共に余分なＣｕ膜を除去して、第１層目のキャピラリ膜５４の上に、第２層目の内部電極５６を形成する（図１３（ｂ）参照）。
【００９９】
（v）第２層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１３（ｃ）参照）
次に、キャピラリ膜５４の脇に露出している第１層目のチタン酸バリウム層５２（第２の絶縁層４２）の表面及び第２層目の内部電極５６の表面に、「（ii）第１層目のチタン酸バリウム層の形成工程」で説明した手順と同様の手順によって、第２層目のチタン酸バリウム層５８（第２の絶縁層４２）を形成する。
【０１００】
従って、この第２層目のチタン酸バリウム層５６の厚さも、第１層目のチタン酸バリウム層５２と同様、５μｍである。後述する第３層目のチタン酸バリウム層６４の厚さも、同様に５μｍである。
【０１０１】
（vi）第２層目のキャピラリ膜の形成工程（図１４参照）
次に、「（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程」と同様の手順によって、第２層目のチタン酸バリウム層５８の上に、第２層目のキャピラリ膜６０（第１の絶縁層４０）を形成する。
【０１０２】
従って、第２層目のキャピラリ膜６０の厚さも、第１層目のキャピラリ膜５４と同様、５０μｍである。後述する第３層目のキャピラリ膜６６の厚さも、同様に５０μｍである。
【０１０３】
（vii）第３層目の内部電極の形成工程（図１５（ａ）参照）
次に、第２層目のキャピラリ膜６０（第１の絶縁層４０）の上に、上記「（iv）第２層目の内部電極の形成工程」と同様の手順によって、第３層目の内部電極６２を形成する。
【０１０４】
従って、第３層目の内部電極の厚さも、第２層目の内部電極と同様１μｍである。後述する第３層目の内部電極の厚さも、１μｍである。
【０１０５】
（viii）第３層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１５（ｂ）参照）
次に、キャピラリ膜６０の脇に露出しているチタン酸バリウム層５８及び第３層目の内部電極６２の上に、「（v）第２層目のチタン酸バリウム層の形成工程」で説明した手順に従って、第３層目のチタン酸バリウム層６４（第２の絶縁層４２）を形成する。
【０１０６】
（ix）第３層目のキャピラリ膜の形成工程（図１６（ａ）参照）
次に、「（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程」と同様の手順によって、第３層目のチタン酸バリウム層６４の上に、第３層目のキャピラリ膜６６を形成する。
【０１０７】
（x）第４層目の内部電極の形成工程（図１６（ｂ）参照）
次に、第３層目のキャピラリ膜６６（第１の絶縁層４０）の上に、上記「（iv）第２層目の内部電極の形成工程」と同様の手順によって、第４層目の内部電極６８を形成する。
【０１０８】
（xi）樹脂層の形成工程（図１７（ａ）参照）
次に、キャピラリ膜６６の脇に露出しているチタン酸バリウム層６４及び内部電極６８の上に、ポリイミド等の樹脂層６９を形成する。
【０１０９】
（xii）外部電極の形成工程（図１７（ｂ）参照）
次に、以上の工程により作製した構造体の両脇を、ダイサー等によって切除して、各内部電極５０,５６,６２,６８の側面を露出させる。
【０１１０】
次に、内部電極５０,５６,６２,６８の側面が露出した切除面に、導電層７０,７２を形成する。この導電層７０,７２は、例えば、無電解メッキによって形成することができる。或いは、上記切除面に銀ペーストを塗布して、形成してもよい。
【０１１１】
これら導電層７０,７２は、夫々、第１の外部電極３２及び第２の外部電極３６になる。この時、各内部電極の先端と外部電極の間隔は、50μｍになる。すなわち、第３の絶縁層４６の横方向の厚さは、50μｍになる。
【０１１２】
そして、第１層目の内部電極５０及び第３層目の内部電極６２が、第１の外部電極３２に接続され、第１の内部電極３０になる。一方、第２層目の内部電極５６及び第４層目の内部電極６８が、第２の外部電極３６に接続され、第２の内部電極３４になる。
【０１１３】
以上の工程によって、本実施例の多層キャパシタ４４が完成する。
【０１１４】
本製造方法を纏めると、以下のようになる。
【０１１５】
本製造方法では、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜５４,６０,６６）を、ＡＳＤを用いて形成する。
【０１１６】
ここで、ＡＳＤは、原料粉末をガスと共に噴射する加速工程と、噴射された上記原料粉末に含まれる粒子を下地に衝突させ、上記粒子を上記下地に固着させる固着工程とを具備する成膜方法である。
【０１１７】
本製造方法では、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）の形成には、第２の誘電体膜（酸化アルミニウム）によって表面が覆われた第２の導体粒子（Ａｌ粒子）を上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする原料粉末を使用する。
【０１１８】
尚、本実施例では、原料粉末が、第３の誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を含んでいる。
【０１１９】
また、本製造方法では、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５２,５８,６４）を、上記成膜方法（ＡＳＤ）を用い、誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする上記原料粉末によって形成する。
【０１２０】
以上のような工程により、第２の導体粒子（原料粉末中の導体粒子、本実施例ではＡｌ粒子）が、第１の導体粒子２９（キャピラリ膜中の導体粒子、本実施例では酸化アルミニウム）となる（図１１参照）。
【０１２１】
また、第２の誘電体膜（第２の導体粒子の表面を覆う誘電体膜、本実施例では酸化アルミニウム）が、第１の誘電体膜４７（キャピラリ）になる（図１１参照）。
【０１２２】
また、第３の誘電体粒子（原料粉末中の誘電体粒子、本実施例ではチタン酸バリウム粒子）が、第１の誘電体粒子４９（キャピラリ膜中の誘電体粒子）となる。
【０１２３】
更に、本製造方法では、キャピラリ膜と外部電極の間に配置される第３の絶縁層４６が、第１の絶縁層（キャピラリ膜５４,６０,６６）の側面に隣接する空所に、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５８,６４）の一部として形成される。ここで、第１の絶縁層（キャピラリ膜５４,６０,６６）の側面に隣接する空所とは、露出したチタン酸バリウム層５２,５８の表面上の空間である（図１３（ｂ）及び図１５（ａ）参照）。
【０１２４】
尚、図１３（ｃ）及び図１５（ｂ）に於いて、チタン酸バリウム層５８,６４の内部に示された破線の下側の部分が、第３の絶縁層４６となる。
【０１２５】
また、本製造方法では、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５２,５８,６４）も、上記成膜方法（ＡＳＤ）によって、形成される。原料粉末は、第４の誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を、上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする粉末である。
【０１２６】
尚、図６、図８、及び図９を参照して説明した、多層キャパシタの第１の絶縁体層４０及び第２の絶縁体層４２も、本実施例と同様に、上記ＡＳＤを用いて製造することができる。
【０１２７】
（３）ＡＳＤによる成膜方法
図１８は、本発明者が使用してきた、エアロゾルデポジション装置７４の構成を説明する図である。図１８を参照して、キャピラリ膜５４,６０,６６及びチタン酸バリウム層５２,５８,６４の形成に使用する、エアロゾルデポジション（ＡＳＤ）を説明する。
【０１２８】
エアロゾルデポジション装置７４は、成膜室７６と、排気装置７８と、エアロゾル発生装置８０と、ガス供給装置８２を具備している。ここで、エアロゾル発生装置８０は、エアロゾル発生容器８４と振動器８６を具備している。また、排気装置７８は、ブースターポンプ９８と真空ポンプ１００を具備している。
【０１２９】
エアロゾルデポジション（ＡＳＤ）は、このエアロゾルデポジション装置７４を用いて、以下の手順に従って実施される。
【０１３０】
まず、基板９６を基板ホルダ１０２に固定する。
【０１３１】
次に、成膜室７６の内部を排気装置７８によって排気する。
【０１３２】
次に、原料粉末を、図示されていない真空装置で約８０度に加熱しながら、３０分間真空脱気する。この前処理によって、粉末表面に吸着した水分を除去する。 次に、エアロゾル発生装置８０のエアロゾル発生容器８４に、上記前処理を施した原料粉末８８を充填する。
【０１３３】
次に、エアロゾル発生装置８０を排気する。排気は、エアロゾル発生装置８０と排気装置７８を接続する、配管１０４に設けられた第１のバルブ１０６を開いて行う。
【０１３４】
この時、ガス供給装置８２をエアロゾル発生装置８０に接続する、配管１０８に設けられた第２のバルブ１１０は、閉じられている。また、エアロゾル発生装置８０を成膜室７６に接続する配管９０に設けられた第３のバルブ９２も、閉じられている。排気終了後、第１のバルブ１０６は、閉じられる。
【０１３５】
次に、振動器８６によって、エアロゾル発生容器８４全体に振動を印加する。振動が加えられたエアロゾル発生容器８４は、原料粉末８８全体を振動させ攪拌する。
【０１３６】
次に、原料粉末８８の攪拌を継続したまま、第２のバルブ１１０を開いて、ガス供給装置８２からエアロゾル発生容器８４に圧縮ガスを導入する。すると、原料粉末８８を形成する微粒子が圧縮ガスと混合され、圧縮ガス中が浮遊し始める。このようにして、原料粉末８８が、エアロゾル化（浮遊粉塵化）される。
【０１３７】
次に、配管９０に設けたバルブ９２を開いて、このエアロゾルを、スリット状のノズル９４から成膜室７６に配置した基板９６に向かって噴射する。
【０１３８】
成膜室は、排気装置７８によって減圧されている。このため、エアロゾル１１１を形成する微粒子は、音速程度の高速で基板９６に向かって噴出する。ノズル９４から噴出した微粒子は、基板９６に衝突し、基板表面に固着する。
【０１３９】
以上の工程により、基板上に、堆積膜が形成される。
【０１４０】
（４）特 性
図１９には、本実施例の多層キャパシタ等に関するデータ等を纏めた表１が記載されている。表１には、上記実施の形態に関する多層キャパシタのデータと、後述する比較例１及び比較例２に関するデータも記載されている。
【０１４１】
表１の第１列目には、各行に記載されたデータが表す多層キャパシタが何れの例（実施例等）に関するものであるかが記載されている。第２列目には、各多層キャパシタの誘電体層の構造が記載されている。多層キャパシタの構造は、夫々の誘電体層を形成する絶縁層の種類とその厚さによって表されている。
【０１４２】
第３列目には、各多層キャパシタの容量密度が記載されている。この容量密度は、誘電体層が３層積層されている場合の値である。尚、容量密度の測定周波数は、１ＭＨｚである。従って、表１に記載された値は、標準的な測定周波数１５０ｋＨｚにおける容量密度より小さくなっている。
【０１４３】
第４列目には、外部端子間に１Ｖを印加した場合のリーク電流密度が記載されている。第５列目には、各多層キャパシタの耐圧が記載されている。
【０１４４】
表１に示すように、誘電体層を全てキャピラリ膜で形成した多層キャパシタの耐圧は２Ｖと低い（「比較例２」の行、参照）。更に、この多層キャパシタのリーク電流密度は、１０−４Ａ／ｃm２と大きい（詳しくは、後記（比較例２）参照。）。
【０１４５】
一方、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面又は下面にチタン酸バリウム層（第２の絶縁層４２）を設けた多層キャパシタでは、リーク電流及び耐圧は、共に改善さている（「実施の形態（図６）」の行及び「実施の形態（図８）」の行、参照）。
【０１４６】
更に、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面及び下面の双方にチタン酸バリウム層（第２の絶縁層４２）を設けた多層キャパシタでは、更に、リーク電流及び耐圧が改善されている（「実施の形態（図９）」の行、参照）。
【０１４７】
更に、外部電極とキャピラリ膜の間に、チタン酸バリウム層（第３の絶縁層４６）が設けられた本実施例の多層キャパシタ４４の耐圧は、３０Ｖと著しく改善されている（「実施例」の行、参照）。同様に、リーク電流密度も、１０−８Ａ／ｃｍ２と著しく改善されている。
【０１４８】
これら本実施例の多層キャパシタに関するデータは、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタの耐圧（５０Ｖ）及びリーク電流密度（１０−９Ａ／ｃｍ２）に匹敵する（「比較例１」の行、参照）。
【０１４９】
このように、誘電体層を形成するキャピラリ膜（第１の絶縁層）の上面や下面に、チタン酸バリウム層（第２の絶縁層）を設けると、耐圧及びリーク電流が改善される。更に、外部電極と内部電極の間にチタン酸バリウム層（第３の絶縁層）を設けると、耐圧及びリーク電流が著しく改善される。
【０１５０】
一方、キャピラリ膜で誘電体層を形成した多層キャパシタ（比較例１以外の多層キャパシタ）の容量密度（3〜10μF/cm2）は、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタ（比較例１）の容量密度（0.3μF/cm2）に比べ、著しく大きい。
【０１５１】
以上の結果から明らかなように、本実施例等の多層キャパシタによれば、誘電体層が耐圧の低いキャピラリ膜で形成されているにも拘わらず、耐圧が高くなる。しかも、本実施例等の多層キャパシタでは、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタ（すなわち、積層セラミックコンデンサ）に比べ、容量密度が格段に大きくなる。
【０１５２】
（比較例１）
図２０は、本比較例の多層キャパシタ１１２の概要を説明する断面図である。
【０１５３】
本多層キャパシタ１１２は、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８の誘電体層３８全体をチタン酸バリウム層１１４で形成した多層キャパシタである。
【０１５４】
このチタン酸バリウム層は、実施例１のチタン酸バリウム層５２,５８,６４と同様に、チタン酸バリウム粉体を原料粉末とするＡＳＤによって形成される。尚、各内部電極間に挟まれたチタン酸バリウム層の厚さは、２μｍである。
【０１５５】
表１に示すように、本多層キャパシタ１１２の耐圧及びリーク電流は、夫々、５０Ｖ及び１０−９Ａ／ｃｍ２である。このように、本多層キャパシタ１１２は、極めて高い耐圧を有している。
【０１５６】
一方、本多層キャパシタ１１２の密度容量は、０．３μＦ／ｃｍ２と低い。
【０１５７】
（比較例２）
図２１は、本比較例の多層キャパシタ１１６の概要を説明する断面図である。
【０１５８】
本多層キャパシタ１１６は、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８の誘電体層３８全体をキャピラリ膜１１８で形成した多層キャパシタである。
【０１５９】
このキャピラリ膜１１８は、実施例１のキャピラリ膜５４,６０,６６と同様の工程により、ＡＳＤによって形成される。尚、各内部電極間に挟まれたキャピラリ膜１１８の厚さは、５０μｍである。
【０１６０】
表１に示すように、本多層キャパシタ１１６の耐圧及びリーク電流は、夫々、２Ｖ及び１０−４Ａ／ｃｍ２である。このように、本多層キャパシタ１１６の耐圧は低く、リーク電流は大きい。
【０１６１】
一方、本多層キャパシタ１１６の密度容量は、１０μＦ／ｃｍ２と高い。
【０１６２】
（変形例）
また、以上の例では、成膜後のキャピラリ膜には、特段の処理は施されない。しかし、成膜後のキャピラリ膜にレーザ照射（例えば、出力１０ＷのＣＯ２レーザもしくはＹＶＯ４レーザの照射）を施してもよい。このようなレーザ照射を施すとキャピラリ膜が緻密化し、容量が高くなる。
【０１６３】
また、以上の例では、キャピラリ膜形成用の原料粉末に含まれる導電性粒子（第２の導体粒子）は、アルミニウム粒子である。しかし、導電性粒子としては、チタン、タンタル、ジルコニウム、シリコン、及びマグネシウム等の弁金属や他の金属の粒子であってもよい。または、原料粉末に含まれる導電性粒子は、これらの弁金属（アルミニウムを含む）や他の金属をその成分とする合金製の粒子であってもよい。
【０１６４】
更に、これら導電体粒子を覆う誘電体膜（第２の誘電体膜）としては、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、二酸化珪素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化タンタル、酸化マグネシウム等の種々の誘電体を用いてもよい。
【０１６５】
尚、導電体粒子を覆う誘電体膜（第２の誘電体膜）の厚さとしては、１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、更に好ましくは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【０１６６】
また、誘電体で覆われた導電体粒子（第２の導体粒子）と混合されて原料粉末となる誘電体粒子（第３の誘電体粒子）についても同じである。尚、この誘電体粒子の比誘電率は、上記導体粒子の酸化物の比誘電率より高いことが好ましい。例えば、上記誘電体粒子は、比誘電率が８以上の誘電体で形成されていることが好ましい。また、この上記誘電体粒子は、上記導体粒子（第２の導体粒子）より小さいことが好ましい。
【０１６７】
例えば、上記誘電体粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが好ましい。
【０１６８】
以上の例では、多層キャパシタは個別部品として形成されている。しかし、本多層キャパシタは、多層配線基板内に形成してもよい。その場合には、例えば、第１層目の内部電極は、プリント基板上の銅箔によって、形成される。
【符号の説明】
【０１６９】
２・・・微粒子 ４・・・導体粒子 ６・・・誘電体
８・・・Ａｌ粒子 １０・・・酸化アルミニウム
１２・・・チタン酸バリウム微粒子
１４・・・誘電体膜 １６・・・（キャパシタの）誘電体層
１８・・・キャパシタ ２０・・・上部電極
２２・・・下部電極 ２４・・・リーク電流
２６・・・耐電圧 ２８・・・実施の形態の多層キャパシタ
２９・・・導体粒子 ３０・・・第１の内部電極
３１・・・第１の絶縁膜 ３２・・・第１の外部電極
３４・・・第２の内部電極
３５・・・第１の内部電極の主面に垂直な方向
３６・・・第２の外部電極
３８・・・誘電体層（実施の形態） ４０・・・第１の絶縁層
４２・・・第２の絶縁層 ４３・・・誘電体粒子
４４・・・実施例の多層キャパシタ
４６・・・第３の絶縁層 ４７・・・誘電体膜
４８・・・ガラス基板 ４９・・・誘電体粒子
５０・・・第１層目の内部電極 ５２・・・第１層目のチタン酸バリウム層
５４・・・第１層目のキャピラリ膜 ５６・・・第２層目の内部電極
５８・・・第２層目のチタン酸バリウム層
６０・・・第２層目のキャピラリ膜 ６２・・・第３層目の内部電極
６４・・・第３層目のチタン酸バリウム層
６６・・・第３層目のキャピラリ膜 ６８・・・第４層目の内部電極
６９・・・樹脂層
７０,７２・・・導電層 ７４・・・エアロゾルデポジション装置
７６・・・成膜室 ７８・・・排気装置
８０・・・エアロゾル発生装置 ８２・・・ガス供給装置
８４・・・エアロゾル発生容器 ８６・・・振動器
８８・・・原料粉末 ９０・・・配管
９２・・・バルブ ９４・・・ノズル
９６・・・基板 ９８・・・ブースターポンプ
１００・・・真空ポンプ １０２・・・基板ホルダ
１０４・・・配管 １０６・・・第１のバルブ
１０８・・・配管 １１０・・・第２のバルブ
１１１・・・エアロゾル
１１２・・・比較例１の多層キャパシタ １１４・・・チタン酸バリウム層
１１６・・・比較例２の多層キャパシタ １１８・・・キャピラリ膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の誘電体層が積層された多層キャパシタに関する。
【背景技術】
【０００２】
キャパシタは、電子機器が発生する雑音を抑制するためのデカップリング・キャパシタ、電子デバイス間の直流電位の相違を解消するためのカップリング・キャパシタ、更にはフィルタの構成部品等として、電子機器に欠かせない部品である。近年の、電子機器の小型化には目覚しいものがあるが、このような電子機器の小型化に合わせてキャパシタの小型化への要求も高まっている。
【０００３】
誘電体層（キャパシタの電極間に配置された絶縁層）をチタン酸バリウム等の強誘電体で形成したセラミックキャパシタは、小型化に適したキャパシタである。
【０００４】
キャパシタを小型化すると、電極面積が小さくなる。従って、キャパシタの構造に変更を加えずに寸法を小型化すると、キャパシタの容量が小さくなってしまう。
【０００５】
そこで、小型化されたセラミックキャパシタでは、複数の誘電体層と電極層を交互に積層して、電極の総面積が小さくならないようにしている。このようなセラミックキャパシタは、積層セラミックキャパシタと呼ばれている。
【０００６】
積層セラミックキャパシタは、以下のような手順によって製造される。
【０００７】
まず、セラミック材料にバインダー等を加えたスラリーを原料として、セラミックグリーンシートを作製する。
【０００８】
次に、このセラミックグリーンシートの表面に、内部電極用の材料ペーストをスクリーン印刷する。
【０００９】
次に、このセラミックグリーンシートを複数枚積層し圧着して、グリーンブロックを作製する。
【００１０】
その後、このグリーンブロックを切断して、チップ片を形成する。
【００１１】
次に、このチップ片を、約１３００℃の高温で焼成する。
【００１２】
次に、このチップ片における左右両端面に、外部電極を形成して積層セラミックキャパシタを完成する。
【００１３】
上述したように、グリーンブロックを切断して形成したチップ片は、１３００℃で焼成される。従って、チップ片内部に印刷された、内部電極用ペーストも１３００℃の高温に曝される。
【００１４】
この高温に耐えられるように、内部電極の材料には、融点が１３００℃より高いニッケル（Ni）やパラジウム（Pd）が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００１−２３８５３号公報
【特許文献２】特開２００１−２３８６２号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】今中佳彦、明渡純、「エアロゾルデポジッションによる高周波受動素子集積化技術」、セラミックス、３９、ｐｐ.５８４−５８９（２００４）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
等価直列抵抗(Equivalent Series Resistance; ESR)は、キャパシタの高周波特性を決める重要な素子定数である。キャパシタの等価回路は、真のキャパシタと、ＥＳＲと、ＥＳＬ（Equivalent Series Inductance）の直列回路として表すことができる。従って、キャパシタの高周波特性を改善するためには、ESRを小さくすることが重要である。ここで、ＥＳＲは、主に電極の抵抗値によって決まる。
【００１８】
ところで、積層セラミックキャパシタの電極材料として用いられるＮｉやＰdは、抵抗率がＣｕ等の低抵抗金属に比べ高い。従って、積層セラミックキャパシタの内部電極を、Ｃｕ等の低抵抗金属で形成することができれば、積層セラミックキャパシタのＥＳＲを小さくすることができる。
【００１９】
Ｃｕに並ぶ低抵抗金属としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕや、これらを主成分とする合金がある。しかし、これら低抵抗金属の融点は、１０００℃前後である。このため、積層セラミックコンデンサの内部電極をこれら低抵抗金属で形成しようとすると、セラミックグリーンシートを焼成する際、内部電極が溶融し破壊されてしまう。故に、積層セラミックコンデンサの内部電極をＣｕ等の低抵抗金属で形成して、ＥＳＲを低くすることは困難であった。
【００２０】
そこで、本発明の目的は、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（これらを主成分とする合金も含む）で内部電極が形成された多層キャパシタ（誘電体層と内部電極が交互に積層されたキャパシタ）を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記の目的を達成するために、本多層キャパシタは、第１の内部電極と、上記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、上記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、上記第２の内部電極に接続された第２の外部電極とを具備する。
【００２２】
そして、本多層キャパシタは、複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と上記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、上記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、上記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、上記第１の内部電極と上記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを具備する。
【発明の効果】
【００２３】
本多層キャパシタ及びその製造方法によれば、多層キャパシタの内部電極を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属又はこれらを主成分とする低抵抗合金で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末を原料粉末とし、エアロゾルデポジッション法によって形成された堆積膜の断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を説明する図面である。
【図２】誘電体膜で表面が覆われた、堆積前の導体粒子の断面構造を説明する模式図である。
【図３】酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末とチタン酸バリウム（BaTiO3）粒子の混合粉末を原料粉末とし、エアロゾルデポジッション法によって形成された堆積膜の断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を説明する図面である。
【図４】図３を参照して説明した堆積膜を誘電体層とするキャパシタの概要を説明する断面図である。
【図５】キャパシタの耐圧を説明する図である。
【図６】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その１）。
【図７】実施の形態の第１の絶縁層（キャピラリ膜）の構造を説明する断面図である。
【図８】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その２）。
【図９】実施の形態の多層キャパシタの概要を説明する断面図である（その３）。
【図１０】実施例の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【図１１】実施例のキャピラリ膜の構造を説明する断面図である。
【図１２】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その１）。
【図１３】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その２）。
【図１４】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その３）。
【図１５】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その４）。
【図１６】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その５）。
【図１７】実施例の多層キャパシタの製造方法を説明する工程断面図である（その６）。
【図１８】エアロゾルデポジション装置の構成を説明する図である。
【図１９】実施の形態等に関する多層キャパシタのデータを纏めた表である。
【図２０】比較例１の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【図２１】比較例２の多層キャパシタの概要を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２６】
エアロゾルデポジッション（Aerosol Deposition;ＡＳＤ）は、室温に於ける誘電体の堆積を可能とする成膜方法である。（非特許文献１）。
【００２７】
この方法では、原料粉末をガスと共に噴射して加速し、原料粉末を形成する微粒子を高速で基板（下地）に衝突させる。基板に衝突した微粒子は、互いに固着して強固な堆積層を形成する。このように、ＡＳＤでは、衝突時の衝撃によって微粒子が互いに固着する。従って、ＡＳＤによれば、焼成等の高温処理を経ずに、誘電体を成膜することができる。
【００２８】
故に、ＡＳＤを用いて誘電体層を形成すれば、内部電極を高温に曝さずに多層キャパシタを作製することができる。従って、ＡＳＤによれば、内部電極をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属で形成することが可能になる。
【００２９】
―キャピラリ膜―
誘電体膜によって表面が覆われた導体粒子によって原料粉末を形成し、この原料粉末を用いて誘電体層を形成するとキャパシタの容量が極めて高くなる。この高容量誘電体層について、少し詳しく説明する。
【００３０】
本発明者は、微粒子が集合した粉末をガスと共に噴射して基板に固着させる成膜方法（ASD）を種々研究してきた。その過程で、本発明者は、誘電体膜によって表面が覆われた導体粒子（例えば、表面が酸化されたＡｌ粒子）を原料粉末として、ASDにより金属膜を形成して、その構造及び物性を調べた。
【００３１】
ASDの成膜過程では、微粒子がガスによって音速以上に加速されて、基板に激しく衝突する。その時の衝撃で微粒子が基板に固着し、堆積膜が形成される。
【００３２】
基板に固着した微粒子は、衝突時の衝撃によって、原形を止めないほど変形している。従って、導体粒子の表面を覆っていた誘電体膜が、衝突後も導体粒子の表面を覆ったままであるか或いは誘電体膜を突き破って金属微粒子同士が直接固着しているかは不明であった。
【００３３】
この点に関し、ASDにかかわる研究者達は、衝撃時に、活性な新生面が粒子表面を覆う酸化膜等を突き破って出現し、粒子同士が固着すると考えてきた。
【００３４】
図１は、酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粉末を、ASDによってアルミニウム箔上に固着させて堆積膜を形成し、その断面を透過電子顕微鏡によって観察した画像の特徴を表した図面である。
【００３５】
堆積膜の形成に用いたＡｌ粉末は、厚さ１０〜１００ｎｍの酸化アルミニウムによって表面が覆われた平均粒径３μｍ±１μｍ（±の後の数字は標準偏差を表す）のＡｌ粒子が集合したものである。ここで、成膜条件は、後述する実施例１のキャピラリ膜（第１の絶縁層４０）と同じである（但し、原料粉末にチタン酸バリウム粒子は混合させない。）。また、Ａｌ粒子の平均粒径は、遠心分離沈降法によって測定したものである（以下の説明でも、同様である。）。
【００３６】
図２は、堆積前の微粒子の断面構造を説明する模式図である。図２に示すように、原料粉末を形成する微粒子２は、導体粒子４（ここでは、Ａｌ粒子）の表面全体が誘電体６（ここでは、酸化アルミニウム）によって覆われている。ここで、微粒子２の形状は概ね球形である。
【００３７】
しかし、微粒子２が基板に衝突して形成された堆積膜中では、図１に示すようにＡｌ粒子８は大きく変形している。一方、個々のＡｌ粒子８は分離しており、粒子間には酸化アルミニウム層１０が介在している。すなわち、堆積膜中でも、Ａｌ粒子８（金属粒子）の表面全体は、酸化アルミニウム（誘電体）によって覆われている。
【００３８】
ところで、酸化アルミニウム１０は、毛細血管のように堆積膜中に張り巡らされ、Ａｌ粒子８を離隔している（但し、酸化アルミニウム１０は、毛細管ではなく、導体粒子１０の間に介在する絶縁層の連続体である。）。そこで、このように導体粒子を離隔する誘電体膜を、以後、キャピラリと呼ぶこととする。
【００３９】
また、図１に示すような、導体粒子（例えば、Ａｌ粒子８）とキャピラリ（例えば、酸化アルミニウム１０）によって形成された複合体を、以後、キャピラリ膜と呼ぶこととする。
【００４０】
ところで、図１及び図２を参照して説明したキャピラリ膜の成膜メカニズムは、研究者達が考えてきたような、強い衝撃によって新生面が露出し、粒子同士が強固に密着するというものではない。キャピラリ膜の成膜メカニズムは、粒子コア部を形成する金属が、その表面に形成されている誘電体皮膜を破壊しない程度に塑性変形して、個々の粒子が一体化・固着するというものである。
【００４１】
次に、本発明者は、このようなキャピラリ膜の電気的特性を調べた。個々のＡｌ粒子８が絶縁性の酸化アルミニウム膜１０によって隔離されている構造から予測されるように、キャピラリ膜は、抵抗値が極めて高く絶縁性であった。
【００４２】
この様な結果に基づいて、本発明者は、キャピラリ膜の活用法の一つとして、キャピラリ膜がキャパシタの誘電体層（キャパシタの電極間に配置される絶縁層）として使用可能か検討することとした。そこで、本発明者は、酸化アルミニウム層で表面が覆われたＡｌ微粒子を原料粉末として形成した上記キャピラリ膜を誘電体層とするキャパシタの単位面積当たりの容量（容量密度）を測定した。アルミニウム箔製の基板を下部電極とし、キャピラリ膜の上面に金属電極を形成して、測定試料を形成した。尚、堆積膜の厚さは、２５０μｍである。
【００４３】
測定の結果得られた容量密度は、従来のキャパシタの容量密度を超える、３０μＦ/ｃｍ2という極めて高い値であった。例えば、チタン酸バリウムを誘電体層し、誘電体層の厚さを１μｍと薄くしたセラミックキャパシタ（単層構造）の容量密度は、２．５μF/ｃｍ２である。尚、容量密度は、キャパシタに印加する交流電圧の周波数が１５０ｋHzの時の値である（特に、断らない限り、以後の説明においても同じ。）。
【００４４】
このように容量密度が高くなった理由は、隣接するＡｌ粒子８同士が、極薄い酸化アルミニウム１０を介して、容量的に結合しているためと考えられる。
【００４５】
以上のような知見を得て、本発明者は、ASDで形成した堆積膜を、誘電体層とするキャパシタの検討を進めることとした。
【００４６】
そこで、本発明者は、ASDで形成した堆積膜の容量密度を更に高くする成膜条件を種々検討した。その結果、導体粒子４の表面を覆う誘電体６が薄くなると、容量密度が高くなることが明らかになった。
【００４７】
この事実は、誘電体膜（キャピラリ）によって隔離された導体粒子によって、微小なキャパシタが網の目状に形成され、その結果、キャピラリ膜の容量密度が小さくなることを示唆している。
【００４８】
また、高誘電率材料で形成された微粒子（例えば、チタン酸バリウム（BaTiO3）粒子）を原料粉末に混合すると、堆積膜の容量密度が高なることも明らかなった。
【００４９】
図３は、酸化アルミニウムによって表面が覆われたＡｌ粒子とチタン酸バリウム（BaTiO3）微粒子の混合粉末を原料粉末とし、ASDによって形成されたキャピラリ膜の断層像の特徴を説明する図である。ここで、酸化アルミニウムの厚さは１０〜１００ｎｍであり、Ａｌ粉末の粒径は３μｍ±１μｍである。また、チタン酸バリウム微粒子の粒径は１００ｎｍである。そして、上記混合粉末に於けるチタン酸バリウムの割合は、体積比率で５％である（以下、５vol％のように表す）。尚、成膜条件の詳細は、後述する実施例１のキャピラリ膜（第１の絶縁層４０）と同じである。
【００５０】
測定の結果、この堆積膜の容量密度は、１００μF/ｃｍ２と非常に高いことが明らかになった。尚、この時の堆積膜の厚さは、１０μｍである。
【００５１】
図３に示すように、原料粉末に混合されたチタン酸バリウム微粒子１２は、Ａｌ粒子８の表面を覆う酸化アルミニウム１０の連続体（キャピラリ）中に分散された状態で堆積膜（キャピラリ膜）に取り込まれている。
【００５２】
チタン酸バリウムは、比誘電率が３０００と極めて高い誘電体である。このような誘電体粒子が、導体粒子（Ａｌ粒子８）の間に介在する誘電体膜（キャピラリ）１４中に分散されると、誘電体膜（キャピラリ）１４の平均的な誘電率は増加する。このため、堆積膜（キャピラリ膜）の容量密度が、大きくなると考えられる。
【００５３】
このように、キャピラリ膜を誘電体層としてキャパシタを形成すると、その容量が飛躍的に高くなる。しかし、このようなキャパシタには、耐圧が低いという問題がある。
【００５４】
図４は、図３を参照して説明した堆積膜（キャピラリ膜）を誘電体層１６とするキャパシタ１８の概要を説明する断面図である。図４に示すように、キャパシタ１８は、ASDで形成した誘電体層１６と、この誘電体層１６を上下から挟む上部電極２０と下部電極２２を有している。尚、図４には、チタン酸バリウム微粒子１２が誘電体膜（キャピラリ）１４に分散された堆積膜（キャピラリ膜）を、誘電体層１６とするキャパシタが図示されている。
【００５５】
尚、以下の説明は、チタン酸バリウム微粒子１２等の誘電体粒子が分散されていない堆積膜（図１参照）を、誘電体層とするキャパシタにも共通する。
【００５６】
図４に示すように、誘電体層１６の大半は、導体粒子であるＡｌ粒子８によって占められている。このため、キャパシタ１８に電圧が印加されると、電界はＡｌ粒子８の間に介在する誘電体膜（キャピラリ）１４に印加される。従って、キャパシタ１８の耐圧は、この誘電体膜１４の特性によって決まる。
【００５７】
図５は、キャパシタの耐圧を説明する図である。横軸は、キャパシタに印加される電圧である。縦軸は、キャパシタに流れる電流である。キャパシタに電圧を印加すると、微量のリーク電流２４が流れる。しかし、電圧が増加していくと、ある電圧でブレイク・ダウンが起きて急激に電流が増加する。このように電流が急激に増加する電圧を、キャパシタの耐電圧２６と呼ぶ。そして、耐電圧が高い場合、キャパシタの耐圧が高いという。一方、耐電圧が低い場合、キャパシタの耐圧が低いという。
【００５８】
また、異なる材質又は（及び）構造を有する絶縁層を厚さを一定にして電極間に挟んで耐電圧を測定した場合、耐電圧の高い方の絶縁層は、耐電圧の低い方の絶縁層より、耐圧が高いという。一方、耐電圧の低い方の絶縁層は、耐電圧の高い方の絶縁層より、耐圧が低いという。
すなわち、絶縁層の耐圧とは、絶縁層の厚さを一定にした場合の耐電圧の大きさを表す用語である。
【００５９】
さて、上述したようにキャパシタ１８に印加された電圧は、略すべてＡｌ粒子８間の薄い誘電体膜（キャピラリ）１４に印加される。このため、図１又は図３を参照して説明したような堆積膜（キャピラリ膜）を誘電体層とするキャパシタでは、誘電体膜１４が薄いために、ブレイク・ダウンが起やすくなっている。
【００６０】
従って、キャピラリ膜を誘電体層とする多層キャパシタの耐圧は低く、高々数Ｖである。
【００６１】
―本多層キャパシタ―
上述したように、誘電体層をキャピラリ膜で形成すれば、キャパシタの容量を高くすることができる。ここで、キャピラリ膜は、ＡＳＤによって室温で形成される絶縁層である。
【００６２】
従って、多層キャパシタの誘電体層をＡＳＤで形成すれば、内部電極をＡｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低融点金属で形成することが可能になる。
【００６３】
しかし、キャピラリ膜は、上述したようにブレイク・ダウンを起こしやすい。このため、キャピラリ膜を誘電体層としてキャパシタを形成すると、耐圧が低くなってしまう。
【００６４】
そこで、本実施の形態では、耐圧の高い絶縁層（例えば、チタン酸バリウム層）をキャピラリ膜の表面に形成して、誘電体層とする。このようにすれば、上記絶縁層がブレイク・ダウンを抑制して、多層キャパシタの耐圧を高くする。
【００６５】
図６は、本実施の形態の多層キャパシタ２８の概要を説明する断面図である。
【００６６】
図６に示すように、本多層キャパシタ２８は、複数の第１の内部電極３０と、第１の内部電極３０に接続された第１の外部電極３２を有している。
【００６７】
また、本多層キャパシタ２８は、第１の内部電極３０の主面に垂直な方向３５で、第１の内部電極３０と交互に配置された、複数の第２の内部電極３４を有している。
また、本多層キャパシタ２８は、第２の内部電極３４に接続された第２の外部電極３６を有している。
【００６８】
また、本多層キャパシタ２８は、第１の内部電極３０と第２の内部電極３４の間に配置された誘電体層３８を有している。
【００６９】
この誘電体層３８は、第１の絶縁層４０と第２の絶縁層４２を有している。
【００７０】
図７は、第１の絶縁層４０の構造を説明する断面図である。
【００７１】
第１の絶縁層４０は、複数の導体粒子２９（例えば、Ａｌ粒子）と、この導体粒子を離隔する連続した第１の誘電体膜３１（キャピラリ）とを有するキャピラリ膜である。
【００７２】
一方、第２の絶縁層４２は、第１の絶縁層４０の少なくても一方の主面に形成され、第１の絶縁層４０より耐圧が高い絶縁層である。第２の絶縁層４２は、例えば、チタン酸バリウム層である。
【００７３】
キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）及び絶縁層４２は、ＡＳＤによって室温で形成することができる。従って、本多層キャパシタ２８の製造には、高温熱処理を必要としない。故に、本実施の形態によれば、内部電極３０,３４を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（又は、これらを主成分とする合金）で形成することができる。
【００７４】
また、本多層キャパシタ２８の誘電体層３８は、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）によって形成されている。従って、本多層キャパシタ２８の容量を、誘電体層３８を誘電体材料（例えば、チタン酸バリウム）だけで形成した場合より高くなる。
【００７５】
更に、本多層キャパシタ２８の誘電体層３８は、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）より、耐圧が高い第２の絶縁層４２（例えば、チタン酸バリウム層）を有している。従って、本実施の形態によれば、多層キャパシタの耐圧を高くすることができる。
【００７６】
ところで、図６に示した例では、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の下面に、第２の絶縁層４２が形成されている。しかし、図８に示すように、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面に、第２の絶縁層４２を形成してもよい。また、図９に示すように、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面及び下面の双方に、第２の絶縁層４２を形成してもよい。
【実施例】
【００７７】
（１）構 成
図１０は、本実施例の多層キャパシタ４４の概要を説明する断面図である。
【００７８】
本多層キャパシタ４４では、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８において、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）と第１の外部電極３２の間、又は第１の絶縁層４０と第２の外部電極３６の間に、第１の絶縁層４０より耐圧が高い第３の絶縁層４６が設けられている。ここで、第３の絶縁層４６は、例えば、チタン酸バリウム層である。
【００７９】
尚、第３の絶縁層４６を、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）と第１の外部電極３２の間、及び第１の絶縁層４０と第２の外部電極３６の間の双方に設けてもよい。
【００８０】
図１１は、本実施例の第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）の構成を説明する断面図である。本実施例の第１の誘電体膜４７（キャピラリ）は、導体粒子２９（例えば、Ａｌ粒子）の間に存在する誘電体粒子４９（例えば、チタン酸バリウム粒子）を有している（図１１参照）。
【００８１】
本多層キャパシタ４４は、第１の外部電極３２及び第２の外部電極３６を外部回路に接続することにより、キャパシタとして動作する。
【００８２】
本多層キャパシタ４４によれば、第１の内部電極３０と第２の内部電極３４の間（又は、内部電極と外部電極の間）で起きるブレイク・ダウンだけでなく、第１の外部電極３２と第２の外部電極３６の間で起きるブレイク・ダウンも抑制できる。
【００８３】
従って、本多層キャパシタ４４によれば、図６乃至８を参照して説明した多層キャパシタ２８より、耐圧が一層高くなる。
【００８４】
また、上記実施の形態で説明したように、本多層キャパシタ４４によれば、内部電極３０,３４を、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属（これらを主成分とする低抵抗合金も含む）で形成することができる。
【００８５】
また、下記「（４）特 性」で説明するように、本多層キャパシタ４４の容量は、誘電体層全体をチタン酸バリウムで形成した多層キャパシタより、格段に高くなる。
【００８６】
（２）製造方法
図１２乃至１５は、本多層キャパシタ４４の製造方法を説明する工程断面図である。
【００８７】
（i）第１層目の内部電極の形成工程（図１２（ａ）及び（ｂ）参照）
まず、ガラス基板４８を用意する（図１２（ａ）参照）。
【００８８】
次に、ガラス基板４８の上に、第１層目の内部電極の形成予定領域で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００８９】
次に、このフォトレジスト膜及び露出したガラス基板４８の表面全体に、スパッタリング法により厚さ１μｍのＣｕ膜を堆積する。その後、余分なＣｕ膜を上記フォトレジスト膜と共に除去して、（内部電極３０となる）第１層目の内部電極５０を形成する（図１２（ｂ）参照）。
【００９０】
（ii）第１層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１２（ｃ）参照）
次に、第１層目の内部電極５０及び露出したガラス基板４８の表面上に、厚さ５μｍのチタン酸バリウム層５２（第２の絶縁層４２）を、ＡＳＤによって堆積する。原料粉末は、平均粒子径５０ｎｍのチタン酸バリウム粒子が集合した粉末である。
【００９１】
尚、ＡＳＤによる堆積膜の形成は、下記「（３）ＡＳＤによる成膜方法」に従って実施される。以後の工程でも、同様である。
【００９２】
（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程（図１３（ａ）参照）
次に、チタン酸バリウム層５２の上に、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）の形成予定領域で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９３】
次に、このフォトレジスト膜及びチタン酸バリウム層５２の表面に、ＡＳＤによって、厚さ約５０μｍのキャピラリ膜を堆積する。原料粉末は、表面酸化処理の施されたアルミニウム粒子にチタン酸バリウム粒子を、５ｖｏｌ％（体積比）添加した混合粉末である。アルミニウム粒子の平均粒子径は、３μｍ±１μｍである。チタン酸バリウム粒子の平均粒子径は５０ｎｍである。
【００９４】
ここで、表面酸化処理とは、例えば、大気中でアルミニウム粒子を５５０℃で５時間、加熱する処理である（以下、同様。）。この表面酸化処理によって、アルミニウム粒子の表面全体に、自然酸化膜より厚い約５ｎｍの酸化アルミニウムが形成される。
【００９５】
その後、上記フォトレジスト膜と共に余分なキャピラリ膜を除去して、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）を形成する（図１３（ａ）参照）。
【００９６】
（iv）第２層目の内部電極の形成工程（図１３（ｂ）参照）
次に、第１層目のキャピラリ膜５４（第１の絶縁層４０）の上で開口するフォトレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００９７】
このフォトレジスト膜をメッキマスクとして、無電解メッキを実施して厚さ１μｍのＣｕ膜を形成する。
【００９８】
次に、上記フォトレジスト膜と共に余分なＣｕ膜を除去して、第１層目のキャピラリ膜５４の上に、第２層目の内部電極５６を形成する（図１３（ｂ）参照）。
【００９９】
（v）第２層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１３（ｃ）参照）
次に、キャピラリ膜５４の脇に露出している第１層目のチタン酸バリウム層５２（第２の絶縁層４２）の表面及び第２層目の内部電極５６の表面に、「（ii）第１層目のチタン酸バリウム層の形成工程」で説明した手順と同様の手順によって、第２層目のチタン酸バリウム層５８（第２の絶縁層４２）を形成する。
【０１００】
従って、この第２層目のチタン酸バリウム層５６の厚さも、第１層目のチタン酸バリウム層５２と同様、５μｍである。後述する第３層目のチタン酸バリウム層６４の厚さも、同様に５μｍである。
【０１０１】
（vi）第２層目のキャピラリ膜の形成工程（図１４参照）
次に、「（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程」と同様の手順によって、第２層目のチタン酸バリウム層５８の上に、第２層目のキャピラリ膜６０（第１の絶縁層４０）を形成する。
【０１０２】
従って、第２層目のキャピラリ膜６０の厚さも、第１層目のキャピラリ膜５４と同様、５０μｍである。後述する第３層目のキャピラリ膜６６の厚さも、同様に５０μｍである。
【０１０３】
（vii）第３層目の内部電極の形成工程（図１５（ａ）参照）
次に、第２層目のキャピラリ膜６０（第１の絶縁層４０）の上に、上記「（iv）第２層目の内部電極の形成工程」と同様の手順によって、第３層目の内部電極６２を形成する。
【０１０４】
従って、第３層目の内部電極の厚さも、第２層目の内部電極と同様１μｍである。後述する第３層目の内部電極の厚さも、１μｍである。
【０１０５】
（viii）第３層目のチタン酸バリウム層の形成工程（図１５（ｂ）参照）
次に、キャピラリ膜６０の脇に露出しているチタン酸バリウム層５８及び第３層目の内部電極６２の上に、「（v）第２層目のチタン酸バリウム層の形成工程」で説明した手順に従って、第３層目のチタン酸バリウム層６４（第２の絶縁層４２）を形成する。
【０１０６】
（ix）第３層目のキャピラリ膜の形成工程（図１６（ａ）参照）
次に、「（iii）第１層目のキャピラリ膜の形成工程」と同様の手順によって、第３層目のチタン酸バリウム層６４の上に、第３層目のキャピラリ膜６６を形成する。
【０１０７】
（x）第４層目の内部電極の形成工程（図１６（ｂ）参照）
次に、第３層目のキャピラリ膜６６（第１の絶縁層４０）の上に、上記「（iv）第２層目の内部電極の形成工程」と同様の手順によって、第４層目の内部電極６８を形成する。
【０１０８】
（xi）樹脂層の形成工程（図１７（ａ）参照）
次に、キャピラリ膜６６の脇に露出しているチタン酸バリウム層６４及び内部電極６８の上に、ポリイミド等の樹脂層６９を形成する。
【０１０９】
（xii）外部電極の形成工程（図１７（ｂ）参照）
次に、以上の工程により作製した構造体の両脇を、ダイサー等によって切除して、各内部電極５０,５６,６２,６８の側面を露出させる。
【０１１０】
次に、内部電極５０,５６,６２,６８の側面が露出した切除面に、導電層７０,７２を形成する。この導電層７０,７２は、例えば、無電解メッキによって形成することができる。或いは、上記切除面に銀ペーストを塗布して、形成してもよい。
【０１１１】
これら導電層７０,７２は、夫々、第１の外部電極３２及び第２の外部電極３６になる。この時、各内部電極の先端と外部電極の間隔は、50μｍになる。すなわち、第３の絶縁層４６の横方向の厚さは、50μｍになる。
【０１１２】
そして、第１層目の内部電極５０及び第３層目の内部電極６２が、第１の外部電極３２に接続され、第１の内部電極３０になる。一方、第２層目の内部電極５６及び第４層目の内部電極６８が、第２の外部電極３６に接続され、第２の内部電極３４になる。
【０１１３】
以上の工程によって、本実施例の多層キャパシタ４４が完成する。
【０１１４】
本製造方法を纏めると、以下のようになる。
【０１１５】
本製造方法では、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜５４,６０,６６）を、ＡＳＤを用いて形成する。
【０１１６】
ここで、ＡＳＤは、原料粉末をガスと共に噴射する加速工程と、噴射された上記原料粉末に含まれる粒子を下地に衝突させ、上記粒子を上記下地に固着させる固着工程とを具備する成膜方法である。
【０１１７】
本製造方法では、第１の絶縁層４０（キャピラリ膜）の形成には、第２の誘電体膜（酸化アルミニウム）によって表面が覆われた第２の導体粒子（Ａｌ粒子）を上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする原料粉末を使用する。
【０１１８】
尚、本実施例では、原料粉末が、第３の誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を含んでいる。
【０１１９】
また、本製造方法では、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５２,５８,６４）を、上記成膜方法（ＡＳＤ）を用い、誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする上記原料粉末によって形成する。
【０１２０】
以上のような工程により、第２の導体粒子（原料粉末中の導体粒子、本実施例ではＡｌ粒子）が、第１の導体粒子２９（キャピラリ膜中の導体粒子、本実施例では酸化アルミニウム）となる（図１１参照）。
【０１２１】
また、第２の誘電体膜（第２の導体粒子の表面を覆う誘電体膜、本実施例では酸化アルミニウム）が、第１の誘電体膜４７（キャピラリ）になる（図１１参照）。
【０１２２】
また、第３の誘電体粒子（原料粉末中の誘電体粒子、本実施例ではチタン酸バリウム粒子）が、第１の誘電体粒子４９（キャピラリ膜中の誘電体粒子）となる。
【０１２３】
更に、本製造方法では、キャピラリ膜と外部電極の間に配置される第３の絶縁層４６が、第１の絶縁層（キャピラリ膜５４,６０,６６）の側面に隣接する空所に、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５８,６４）の一部として形成される。ここで、第１の絶縁層（キャピラリ膜５４,６０,６６）の側面に隣接する空所とは、露出したチタン酸バリウム層５２,５８の表面上の空間である（図１３（ｂ）及び図１５（ａ）参照）。
【０１２４】
尚、図１３（ｃ）及び図１５（ｂ）に於いて、チタン酸バリウム層５８,６４の内部に示された破線の下側の部分が、第３の絶縁層４６となる。
【０１２５】
また、本製造方法では、第２の絶縁層４２（チタン酸バリウム層５２,５８,６４）も、上記成膜方法（ＡＳＤ）によって、形成される。原料粉末は、第４の誘電体粒子（チタン酸バリウム粒子）を、上記粒子（原料粉末を形成する粒子）とする粉末である。
【０１２６】
尚、図６、図８、及び図９を参照して説明した、多層キャパシタの第１の絶縁体層４０及び第２の絶縁体層４２も、本実施例と同様に、上記ＡＳＤを用いて製造することができる。
【０１２７】
（３）ＡＳＤによる成膜方法
図１８は、本発明者が使用してきた、エアロゾルデポジション装置７４の構成を説明する図である。図１８を参照して、キャピラリ膜５４,６０,６６及びチタン酸バリウム層５２,５８,６４の形成に使用する、エアロゾルデポジション（ＡＳＤ）を説明する。
【０１２８】
エアロゾルデポジション装置７４は、成膜室７６と、排気装置７８と、エアロゾル発生装置８０と、ガス供給装置８２を具備している。ここで、エアロゾル発生装置８０は、エアロゾル発生容器８４と振動器８６を具備している。また、排気装置７８は、ブースターポンプ９８と真空ポンプ１００を具備している。
【０１２９】
エアロゾルデポジション（ＡＳＤ）は、このエアロゾルデポジション装置７４を用いて、以下の手順に従って実施される。
【０１３０】
まず、基板９６を基板ホルダ１０２に固定する。
【０１３１】
次に、成膜室７６の内部を排気装置７８によって排気する。
【０１３２】
次に、原料粉末を、図示されていない真空装置で約８０度に加熱しながら、３０分間真空脱気する。この前処理によって、粉末表面に吸着した水分を除去する。 次に、エアロゾル発生装置８０のエアロゾル発生容器８４に、上記前処理を施した原料粉末８８を充填する。
【０１３３】
次に、エアロゾル発生装置８０を排気する。排気は、エアロゾル発生装置８０と排気装置７８を接続する、配管１０４に設けられた第１のバルブ１０６を開いて行う。
【０１３４】
この時、ガス供給装置８２をエアロゾル発生装置８０に接続する、配管１０８に設けられた第２のバルブ１１０は、閉じられている。また、エアロゾル発生装置８０を成膜室７６に接続する配管９０に設けられた第３のバルブ９２も、閉じられている。排気終了後、第１のバルブ１０６は、閉じられる。
【０１３５】
次に、振動器８６によって、エアロゾル発生容器８４全体に振動を印加する。振動が加えられたエアロゾル発生容器８４は、原料粉末８８全体を振動させ攪拌する。
【０１３６】
次に、原料粉末８８の攪拌を継続したまま、第２のバルブ１１０を開いて、ガス供給装置８２からエアロゾル発生容器８４に圧縮ガスを導入する。すると、原料粉末８８を形成する微粒子が圧縮ガスと混合され、圧縮ガス中が浮遊し始める。このようにして、原料粉末８８が、エアロゾル化（浮遊粉塵化）される。
【０１３７】
次に、配管９０に設けたバルブ９２を開いて、このエアロゾルを、スリット状のノズル９４から成膜室７６に配置した基板９６に向かって噴射する。
【０１３８】
成膜室は、排気装置７８によって減圧されている。このため、エアロゾル１１１を形成する微粒子は、音速程度の高速で基板９６に向かって噴出する。ノズル９４から噴出した微粒子は、基板９６に衝突し、基板表面に固着する。
【０１３９】
以上の工程により、基板上に、堆積膜が形成される。
【０１４０】
（４）特 性
図１９には、本実施例の多層キャパシタ等に関するデータ等を纏めた表１が記載されている。表１には、上記実施の形態に関する多層キャパシタのデータと、後述する比較例１及び比較例２に関するデータも記載されている。
【０１４１】
表１の第１列目には、各行に記載されたデータが表す多層キャパシタが何れの例（実施例等）に関するものであるかが記載されている。第２列目には、各多層キャパシタの誘電体層の構造が記載されている。多層キャパシタの構造は、夫々の誘電体層を形成する絶縁層の種類とその厚さによって表されている。
【０１４２】
第３列目には、各多層キャパシタの容量密度が記載されている。この容量密度は、誘電体層が３層積層されている場合の値である。尚、容量密度の測定周波数は、１ＭＨｚである。従って、表１に記載された値は、標準的な測定周波数１５０ｋＨｚにおける容量密度より小さくなっている。
【０１４３】
第４列目には、外部端子間に１Ｖを印加した場合のリーク電流密度が記載されている。第５列目には、各多層キャパシタの耐圧が記載されている。
【０１４４】
表１に示すように、誘電体層を全てキャピラリ膜で形成した多層キャパシタの耐圧は２Ｖと低い（「比較例２」の行、参照）。更に、この多層キャパシタのリーク電流密度は、１０−４Ａ／ｃm２と大きい（詳しくは、後記（比較例２）参照。）。
【０１４５】
一方、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面又は下面にチタン酸バリウム層（第２の絶縁層４２）を設けた多層キャパシタでは、リーク電流及び耐圧は、共に改善さている（「実施の形態（図６）」の行及び「実施の形態（図８）」の行、参照）。
【０１４６】
更に、キャピラリ膜（第１の絶縁層４０）の上面及び下面の双方にチタン酸バリウム層（第２の絶縁層４２）を設けた多層キャパシタでは、更に、リーク電流及び耐圧が改善されている（「実施の形態（図９）」の行、参照）。
【０１４７】
更に、外部電極とキャピラリ膜の間に、チタン酸バリウム層（第３の絶縁層４６）が設けられた本実施例の多層キャパシタ４４の耐圧は、３０Ｖと著しく改善されている（「実施例」の行、参照）。同様に、リーク電流密度も、１０−８Ａ／ｃｍ２と著しく改善されている。
【０１４８】
これら本実施例の多層キャパシタに関するデータは、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタの耐圧（５０Ｖ）及びリーク電流密度（１０−９Ａ／ｃｍ２）に匹敵する（「比較例１」の行、参照）。
【０１４９】
このように、誘電体層を形成するキャピラリ膜（第１の絶縁層）の上面や下面に、チタン酸バリウム層（第２の絶縁層）を設けると、耐圧及びリーク電流が改善される。更に、外部電極と内部電極の間にチタン酸バリウム層（第３の絶縁層）を設けると、耐圧及びリーク電流が著しく改善される。
【０１５０】
一方、キャピラリ膜で誘電体層を形成した多層キャパシタ（比較例１以外の多層キャパシタ）の容量密度（3〜10μF/cm2）は、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタ（比較例１）の容量密度（0.3μF/cm2）に比べ、著しく大きい。
【０１５１】
以上の結果から明らかなように、本実施例等の多層キャパシタによれば、誘電体層が耐圧の低いキャピラリ膜で形成されているにも拘わらず、耐圧が高くなる。しかも、本実施例等の多層キャパシタでは、誘電体層を全てチタン酸バリウム層で形成した多層キャパシタ（すなわち、積層セラミックコンデンサ）に比べ、容量密度が格段に大きくなる。
【０１５２】
（比較例１）
図２０は、本比較例の多層キャパシタ１１２の概要を説明する断面図である。
【０１５３】
本多層キャパシタ１１２は、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８の誘電体層３８全体をチタン酸バリウム層１１４で形成した多層キャパシタである。
【０１５４】
このチタン酸バリウム層は、実施例１のチタン酸バリウム層５２,５８,６４と同様に、チタン酸バリウム粉体を原料粉末とするＡＳＤによって形成される。尚、各内部電極間に挟まれたチタン酸バリウム層の厚さは、２μｍである。
【０１５５】
表１に示すように、本多層キャパシタ１１２の耐圧及びリーク電流は、夫々、５０Ｖ及び１０−９Ａ／ｃｍ２である。このように、本多層キャパシタ１１２は、極めて高い耐圧を有している。
【０１５６】
一方、本多層キャパシタ１１２の密度容量は、０．３μＦ／ｃｍ２と低い。
【０１５７】
（比較例２）
図２１は、本比較例の多層キャパシタ１１６の概要を説明する断面図である。
【０１５８】
本多層キャパシタ１１６は、図６を参照して説明した多層キャパシタ２８の誘電体層３８全体をキャピラリ膜１１８で形成した多層キャパシタである。
【０１５９】
このキャピラリ膜１１８は、実施例１のキャピラリ膜５４,６０,６６と同様の工程により、ＡＳＤによって形成される。尚、各内部電極間に挟まれたキャピラリ膜１１８の厚さは、５０μｍである。
【０１６０】
表１に示すように、本多層キャパシタ１１６の耐圧及びリーク電流は、夫々、２Ｖ及び１０−４Ａ／ｃｍ２である。このように、本多層キャパシタ１１６の耐圧は低く、リーク電流は大きい。
【０１６１】
一方、本多層キャパシタ１１６の密度容量は、１０μＦ／ｃｍ２と高い。
【０１６２】
（変形例）
また、以上の例では、成膜後のキャピラリ膜には、特段の処理は施されない。しかし、成膜後のキャピラリ膜にレーザ照射（例えば、出力１０ＷのＣＯ２レーザもしくはＹＶＯ４レーザの照射）を施してもよい。このようなレーザ照射を施すとキャピラリ膜が緻密化し、容量が高くなる。
【０１６３】
また、以上の例では、キャピラリ膜形成用の原料粉末に含まれる導電性粒子（第２の導体粒子）は、アルミニウム粒子である。しかし、導電性粒子としては、チタン、タンタル、ジルコニウム、シリコン、及びマグネシウム等の弁金属や他の金属の粒子であってもよい。または、原料粉末に含まれる導電性粒子は、これらの弁金属（アルミニウムを含む）や他の金属をその成分とする合金製の粒子であってもよい。
【０１６４】
更に、これら導電体粒子を覆う誘電体膜（第２の誘電体膜）としては、酸化タンタル、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、二酸化珪素、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化タンタル、酸化マグネシウム等の種々の誘電体を用いてもよい。
【０１６５】
尚、導電体粒子を覆う誘電体膜（第２の誘電体膜）の厚さとしては、１０以上１０００ｎｍ以下が好ましく、更に好ましくは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
【０１６６】
また、誘電体で覆われた導電体粒子（第２の導体粒子）と混合されて原料粉末となる誘電体粒子（第３の誘電体粒子）についても同じである。尚、この誘電体粒子の比誘電率は、上記導体粒子の酸化物の比誘電率より高いことが好ましい。例えば、上記誘電体粒子は、比誘電率が８以上の誘電体で形成されていることが好ましい。また、この上記誘電体粒子は、上記導体粒子（第２の導体粒子）より小さいことが好ましい。
【０１６７】
例えば、上記誘電体粒子の平均粒径は１μｍ以下であることが好ましい。
【０１６８】
以上の例では、多層キャパシタは個別部品として形成されている。しかし、本多層キャパシタは、多層配線基板内に形成してもよい。その場合には、例えば、第１層目の内部電極は、プリント基板上の銅箔によって、形成される。
【符号の説明】
【０１６９】
２・・・微粒子 ４・・・導体粒子 ６・・・誘電体
８・・・Ａｌ粒子 １０・・・酸化アルミニウム
１２・・・チタン酸バリウム微粒子
１４・・・誘電体膜 １６・・・（キャパシタの）誘電体層
１８・・・キャパシタ ２０・・・上部電極
２２・・・下部電極 ２４・・・リーク電流
２６・・・耐電圧 ２８・・・実施の形態の多層キャパシタ
２９・・・導体粒子 ３０・・・第１の内部電極
３１・・・第１の絶縁膜 ３２・・・第１の外部電極
３４・・・第２の内部電極
３５・・・第１の内部電極の主面に垂直な方向
３６・・・第２の外部電極
３８・・・誘電体層（実施の形態） ４０・・・第１の絶縁層
４２・・・第２の絶縁層 ４３・・・誘電体粒子
４４・・・実施例の多層キャパシタ
４６・・・第３の絶縁層 ４７・・・誘電体膜
４８・・・ガラス基板 ４９・・・誘電体粒子
５０・・・第１層目の内部電極 ５２・・・第１層目のチタン酸バリウム層
５４・・・第１層目のキャピラリ膜 ５６・・・第２層目の内部電極
５８・・・第２層目のチタン酸バリウム層
６０・・・第２層目のキャピラリ膜 ６２・・・第３層目の内部電極
６４・・・第３層目のチタン酸バリウム層
６６・・・第３層目のキャピラリ膜 ６８・・・第４層目の内部電極
６９・・・樹脂層
７０,７２・・・導電層 ７４・・・エアロゾルデポジション装置
７６・・・成膜室 ７８・・・排気装置
８０・・・エアロゾル発生装置 ８２・・・ガス供給装置
８４・・・エアロゾル発生容器 ８６・・・振動器
８８・・・原料粉末 ９０・・・配管
９２・・・バルブ ９４・・・ノズル
９６・・・基板 ９８・・・ブースターポンプ
１００・・・真空ポンプ １０２・・・基板ホルダ
１０４・・・配管 １０６・・・第１のバルブ
１０８・・・配管 １１０・・・第２のバルブ
１１１・・・エアロゾル
１１２・・・比較例１の多層キャパシタ １１４・・・チタン酸バリウム層
１１６・・・比較例２の多層キャパシタ １１８・・・キャピラリ膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の内部電極と、
前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、
前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを、
具備する多層キャパシタ。
【請求項２】
請求項１に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の絶縁層と前記第１の外部電極の間、及び前記第１の絶縁層と前記第２の外部電極の間の何れか一方又は双方に、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第３の絶縁層が設けられていることを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の絶縁層が、前記第１の導体粒子の間に存在する第１の誘電体粒子を具備することを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の内部電極及び前記第２の内部電極が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれた何れかの金属又は前記金属を成分とする合金で形成されていることを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項５】
第１の内部電極と、
前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、
前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを具備する多層キャパシタの製造方法であって、
前記第１の絶縁層を、
原料粉末をガスと共に噴射する加速工程と、噴射された前記原料粉末に含まれる粒子を下地に衝突させ、前記粒子を前記下地に固着させる固着工程とを具備する成膜方法を用い、第２の誘電体膜によって表面が覆われた第２の導体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成し、
前記第２の絶縁層を、
前記成膜方法を用い、第２の誘電体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成し、
前記第２の導体粒子が前記第１の導体粒子となり、前記第２の誘電体膜が前記第１の誘電体膜になる、
多層キャパシタの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記多層キャパシタが、
前記第１の絶縁層と前記第１の外部電極の間及び前記第１の絶縁層と前記第２の外部電極の間の何れか一方又は双方に、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第３の絶縁層を具備し、
前記第３の絶縁層が、
前記第１の絶縁層の側面に隣接する空所に、前記第２の絶縁層の一部として形成されることを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記第１の絶縁層が、前記第１の導体粒子の間に存在する第１の誘電体粒子を具備し、
前記第１の絶縁層の形成に用いられる前記原料粉末が、第３の誘電体粒子を含み、
前記第３の誘電体粒子が前記第１の誘電体粒子となることを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか１項に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記第２の絶縁層を、前記成膜方法を用い、第４の誘電体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成することを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【請求項１】
第１の内部電極と、
前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、
前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを、
具備する多層キャパシタ。
【請求項２】
請求項１に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の絶縁層と前記第１の外部電極の間、及び前記第１の絶縁層と前記第２の外部電極の間の何れか一方又は双方に、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第３の絶縁層が設けられていることを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の絶縁層が、前記第１の導体粒子の間に存在する第１の誘電体粒子を具備することを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか１項に記載の多層キャパシタにおいて、
前記第１の内部電極及び前記第２の内部電極が、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕからなる群から選ばれた何れかの金属又は前記金属を成分とする合金で形成されていることを、
特徴とする多層キャパシタ。
【請求項５】
第１の内部電極と、
前記第１の内部電極に接続された第１の外部電極と、
前記第１の内部電極と交互に配置された第２の内部電極と、
前記第２の内部電極に接続された第２の外部電極と、
複数の第１の導体粒子を離隔する第１の誘電体膜と前記第１の導体粒子とを有する第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層の少なくても一方の主面に配置され、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第２の絶縁層とを有し、前記第１の内部電極と前記第２の内部電極の間に配置された誘電体層とを具備する多層キャパシタの製造方法であって、
前記第１の絶縁層を、
原料粉末をガスと共に噴射する加速工程と、噴射された前記原料粉末に含まれる粒子を下地に衝突させ、前記粒子を前記下地に固着させる固着工程とを具備する成膜方法を用い、第２の誘電体膜によって表面が覆われた第２の導体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成し、
前記第２の絶縁層を、
前記成膜方法を用い、第２の誘電体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成し、
前記第２の導体粒子が前記第１の導体粒子となり、前記第２の誘電体膜が前記第１の誘電体膜になる、
多層キャパシタの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記多層キャパシタが、
前記第１の絶縁層と前記第１の外部電極の間及び前記第１の絶縁層と前記第２の外部電極の間の何れか一方又は双方に、前記第１の絶縁層より耐圧が高い第３の絶縁層を具備し、
前記第３の絶縁層が、
前記第１の絶縁層の側面に隣接する空所に、前記第２の絶縁層の一部として形成されることを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記第１の絶縁層が、前記第１の導体粒子の間に存在する第１の誘電体粒子を具備し、
前記第１の絶縁層の形成に用いられる前記原料粉末が、第３の誘電体粒子を含み、
前記第３の誘電体粒子が前記第１の誘電体粒子となることを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れか１項に記載の多層キャパシタの製造方法において、
前記第２の絶縁層を、前記成膜方法を用い、第４の誘電体粒子を前記粒子とする前記原料粉末によって形成することを、
特徴とする多層キャパシタの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１０−１７７６３０（Ｐ２０１０−１７７６３０Ａ）
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２１７５５（Ｐ２００９−２１７５５）
【出願日】平成２１年２月２日（２００９．２．２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１９年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「ナノテク・先端部材実用化研究開発／ナノキャピラリー構造を有する高容量電解コンデンサの研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年８月１２日（２０１０．８．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年２月２日（２００９．２．２）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成１９年度、独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構、「ナノテク・先端部材実用化研究開発／ナノキャピラリー構造を有する高容量電解コンデンサの研究開発」委託研究、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（０００００５２２３）富士通株式会社 (25,993)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]